JPH05209969A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPH05209969A JPH05209969A JP1946392A JP1946392A JPH05209969A JP H05209969 A JPH05209969 A JP H05209969A JP 1946392 A JP1946392 A JP 1946392A JP 1946392 A JP1946392 A JP 1946392A JP H05209969 A JPH05209969 A JP H05209969A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面に対して平滑にする加工を施さなくても
発光手段と光電変換手段との接合面の発光手段面の粗さ
に起因する悪影響を防止することが可能なX線CT用検出
器を提供する。 【構成】 本発明の放射線検出器の発光手段は光路長が
長い多結晶質材料であるを用いると共に面粗さを0.5〜1
00μmに調製したので、発光手段と光電変換手段との接
合面で光が乱反射することに起因する光のむらは光電変
換手段に達するまでの間に緩和され殆ど消滅するものと
解され、同時に接合面が粗いことにより全反射による光
のシンチレータ内への再入光量が減少して光電変換手段からの
出力を向上することができる。
発光手段と光電変換手段との接合面の発光手段面の粗さ
に起因する悪影響を防止することが可能なX線CT用検出
器を提供する。 【構成】 本発明の放射線検出器の発光手段は光路長が
長い多結晶質材料であるを用いると共に面粗さを0.5〜1
00μmに調製したので、発光手段と光電変換手段との接
合面で光が乱反射することに起因する光のむらは光電変
換手段に達するまでの間に緩和され殆ど消滅するものと
解され、同時に接合面が粗いことにより全反射による光
のシンチレータ内への再入光量が減少して光電変換手段からの
出力を向上することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は発光手段と光電変換手段
とを組み合わせてなる放射線検出器に関し、特に発光手
段と光電変換手段との接合面の発行手段側の面粗さを調
整してなる放射線検出器に関するものである。
とを組み合わせてなる放射線検出器に関し、特に発光手
段と光電変換手段との接合面の発行手段側の面粗さを調
整してなる放射線検出器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば特開平1-221485号によれば図1に
示すような放射線検出器が提案されている。図に示す放
射線検出器では、X線源5より発生したX線ヒ゛ーム6を被検体
7に照射し、被検体7内部の情報をもつ透過X線を得る。
この透過X線を例えばシンチレータ等の発光手段4に照射すると
X線の強弱に応じた強度の光が発生し、発生した光が光
電変換手段1によって光電変換されて電気的情報として
取り出される。第3世代のX線CTを例にとると、X線検出
器素子が数百から千数百個X線源と反対側に並び、X線源
と検出器素子群とは、被検体を中心に回転し、被検体内
部の情報を取り込み、画面にその断層像を写し出す。
示すような放射線検出器が提案されている。図に示す放
射線検出器では、X線源5より発生したX線ヒ゛ーム6を被検体
7に照射し、被検体7内部の情報をもつ透過X線を得る。
この透過X線を例えばシンチレータ等の発光手段4に照射すると
X線の強弱に応じた強度の光が発生し、発生した光が光
電変換手段1によって光電変換されて電気的情報として
取り出される。第3世代のX線CTを例にとると、X線検出
器素子が数百から千数百個X線源と反対側に並び、X線源
と検出器素子群とは、被検体を中心に回転し、被検体内
部の情報を取り込み、画面にその断層像を写し出す。
【0003】以上の従来のX線CT用検出器にあっては、発光
手段4の特性に厳しい均一性が要求されるため発光手段4
の表面はラッヒ゜ンク゛を施すことにより平滑にされると共
に、発光手段4内において発生した光が隣接の発光手段
に拡散することによって映像が不鮮明になることを防止
するために、発光手段4は隔壁2によって区分され、区分
された各発光手段素子4がアレー状に数100個から数1000個
配置されて発光手段4が構成されている。
手段4の特性に厳しい均一性が要求されるため発光手段4
の表面はラッヒ゜ンク゛を施すことにより平滑にされると共
に、発光手段4内において発生した光が隣接の発光手段
に拡散することによって映像が不鮮明になることを防止
するために、発光手段4は隔壁2によって区分され、区分
された各発光手段素子4がアレー状に数100個から数1000個
配置されて発光手段4が構成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし以上の従来の放
射線検出器については次のような問題があった。すなわ
ち上述した放射線検出器にあっては、発光手段4と光電
変換手段1との接合面の発光手段面の平滑度が悪い場合
には、発光手段4を透過してその粗い面に入射した光が
その平滑度が悪い接合面において乱反射し、その乱反射
した光が発光手段4内部で発生する光が光電変換手段に
伝播することに影響を及ぼし、その結果として光電変換
手段からの出力分布のハ゛ラツキと光の損失が大きくなる。
射線検出器については次のような問題があった。すなわ
ち上述した放射線検出器にあっては、発光手段4と光電
変換手段1との接合面の発光手段面の平滑度が悪い場合
には、発光手段4を透過してその粗い面に入射した光が
その平滑度が悪い接合面において乱反射し、その乱反射
した光が発光手段4内部で発生する光が光電変換手段に
伝播することに影響を及ぼし、その結果として光電変換
手段からの出力分布のハ゛ラツキと光の損失が大きくなる。
【0005】したがってこの様な悪影響を防止する為には、
発光手段4と光電変換手段1との接合面を平滑にする必要
があり、そのため従来は発光手段4と光電変換手段1との
接合面の発光手段面の凹凸をラッヒ゜ンク゛を施すことにより
平滑にして取り除くようにしていた。
発光手段4と光電変換手段1との接合面を平滑にする必要
があり、そのため従来は発光手段4と光電変換手段1との
接合面の発光手段面の凹凸をラッヒ゜ンク゛を施すことにより
平滑にして取り除くようにしていた。
【0006】しかしそのようにラッヒ゜ンク゛を施すことにより平
滑化する加工を行う場合には、加工費が嵩むという問題
があった。
滑化する加工を行う場合には、加工費が嵩むという問題
があった。
【0007】したがってこの発明は、以上の従来技術におけ
る問題点に鑑みてなされたものであって、表面に対して
ラッヒ゜ンク゛を施して平滑にする等の加工を施さなくても、
発光手段と光電変換手段との接合面の発光手段面の粗さ
に起因する悪影響を防止することが可能なX線CT用検出
器を提供することを目的とする。
る問題点に鑑みてなされたものであって、表面に対して
ラッヒ゜ンク゛を施して平滑にする等の加工を施さなくても、
発光手段と光電変換手段との接合面の発光手段面の粗さ
に起因する悪影響を防止することが可能なX線CT用検出
器を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】従来から放射線検出器に
用いられてきた単結晶発光手段では光電変換手段との接
合面にラッヒ゜ンク゛が行われていた。したがって、多結晶質
材料からなる発光手段を用いる場合についても一般に単
結晶発光手段を用いる場合に習い光電変換手段との接合
面にラッヒ゜ンク゛をすることが行われていた。
用いられてきた単結晶発光手段では光電変換手段との接
合面にラッヒ゜ンク゛が行われていた。したがって、多結晶質
材料からなる発光手段を用いる場合についても一般に単
結晶発光手段を用いる場合に習い光電変換手段との接合
面にラッヒ゜ンク゛をすることが行われていた。
【0009】しかし本発明者等は、多結晶質材料からなる発
光手段を用いる場合には発光手段と光電変換手段との接
合面に凹凸があってもそれが100μm以下であれば、発光
手段と光電変換手段との接合面でX線が乱反射すること
に起因する発光手段内部で発生する光への悪影響は、光
が光電変換手段に達するまでの間に結晶粒界、気孔、不
純物等の異相との境界面で反射と屈折を繰返すことによ
って緩和され実質的な問題は生じないことを見出し本発
明を完成するに至った。
光手段を用いる場合には発光手段と光電変換手段との接
合面に凹凸があってもそれが100μm以下であれば、発光
手段と光電変換手段との接合面でX線が乱反射すること
に起因する発光手段内部で発生する光への悪影響は、光
が光電変換手段に達するまでの間に結晶粒界、気孔、不
純物等の異相との境界面で反射と屈折を繰返すことによ
って緩和され実質的な問題は生じないことを見出し本発
明を完成するに至った。
【0010】すなわちこの発明の放射線検出器は、発光手段
と光電変換手段とを組み合わせてなる放射線検出器にお
いて、前記多結晶質材料からなる発光手段と前記光電変
換手段との接合面における前記発光手段の面粗さを0.5
〜100μmに調製してなることを特徴とするものである。
と光電変換手段とを組み合わせてなる放射線検出器にお
いて、前記多結晶質材料からなる発光手段と前記光電変
換手段との接合面における前記発光手段の面粗さを0.5
〜100μmに調製してなることを特徴とするものである。
【0011】本発明において発光手段として多結晶質材料を
用いるのは、多結晶質材料ではその内部に無数の結晶粒
界や気孔が存在し、その結晶粒界や気孔によって発光手
段内における光路長が増大させられ、発光手段の光電変
換手段に対する接合部分において乱反射したX線によっ
て、発光手段内部において発生した光に及ぼされる悪影
響が無視できる程度に緩和されると考えられるからであ
る。
用いるのは、多結晶質材料ではその内部に無数の結晶粒
界や気孔が存在し、その結晶粒界や気孔によって発光手
段内における光路長が増大させられ、発光手段の光電変
換手段に対する接合部分において乱反射したX線によっ
て、発光手段内部において発生した光に及ぼされる悪影
響が無視できる程度に緩和されると考えられるからであ
る。
【0012】この多結晶質材料としては例えばGd2O2S:Pr系
焼結セラミックスが好適である。 このGd2O2S:Pr系焼結セラミック
スとしては、Gd2O2S:Pr焼結セラミックス、Gd2O2S:Pr,F焼結セラミ
ックス、Gd2O2S:Pr,Ce,F焼結セラミックス等を用いることができ
る。さらに前記多結晶質材料としてはGd2O2S:Tb系焼結セ
ラミックスを用いることもできる。
焼結セラミックスが好適である。 このGd2O2S:Pr系焼結セラミック
スとしては、Gd2O2S:Pr焼結セラミックス、Gd2O2S:Pr,F焼結セラミ
ックス、Gd2O2S:Pr,Ce,F焼結セラミックス等を用いることができ
る。さらに前記多結晶質材料としてはGd2O2S:Tb系焼結セ
ラミックスを用いることもできる。
【0013】本発明において特にこれらの多結晶質材料が用
いられるのは、これらの材料は放射線検出器の発光材料
として好適だからである。
いられるのは、これらの材料は放射線検出器の発光材料
として好適だからである。
【0014】したがって本発明に用いられる材料はこれらに
限定されるものではなく、放射線検出器の発光材料とし
て適するものであれば、本発明の材料として適用するこ
とができる。
限定されるものではなく、放射線検出器の発光材料とし
て適するものであれば、本発明の材料として適用するこ
とができる。
【0015】本発明にいう光電変換手段としてはシリコンフォトタ゛イ
オート゛又は非晶質シリコンフォトタ゛イオート゛が好適である。但し、本
発明の光電変換手段は特にシリコンフォトタ゛イオート゛に限られるも
のではなく、本発明が適用される放射線検出器の用途に
応じて種々の光電変換材料を選択することができる。
オート゛又は非晶質シリコンフォトタ゛イオート゛が好適である。但し、本
発明の光電変換手段は特にシリコンフォトタ゛イオート゛に限られるも
のではなく、本発明が適用される放射線検出器の用途に
応じて種々の光電変換材料を選択することができる。
【0016】本発明では触針法によって表面のフ゜ロファイルを描
き、上下面が等しくなるよう平均表面線を引き、多数の
平均表面線からの高さを測定して、平均高さを得、これ
を面粗さとした。
き、上下面が等しくなるよう平均表面線を引き、多数の
平均表面線からの高さを測定して、平均高さを得、これ
を面粗さとした。
【0017】ここで発光手段の面粗さを0.5μm以上とするの
は、特に平滑化する加工を施すことなく工業的に得られ
る面粗さだからである。
は、特に平滑化する加工を施すことなく工業的に得られ
る面粗さだからである。
【0018】また発光手段の面粗さを100μm以下とするの
は、100μmを越える場合には面粗さがロンク゛レンシ゛となり、
感度分布のばらつきが大きくなるからである。
は、100μmを越える場合には面粗さがロンク゛レンシ゛となり、
感度分布のばらつきが大きくなるからである。
【0019】
【作用】発光手段にX線が入射することによって発光手
段内部において発生した光は、発光手段内の結晶粒界、
気孔、異相との境界面等で反射と屈折を繰返して発光手
段と光電変換手段との接合面に達する。この発光素子材
料の内部に無数に存在する結晶粒界、気孔、異相との境
界面等による光の反射や屈折によって発光手段内部にお
いて発生した光の不均一は緩和される。即ち、発光素子
が単結晶の材料により形成されている場合には発光手段
内部において発生した光は、光電変換手段との接合面に
達するまでに、異相との境界面のみで反射し、結晶粒界
や気孔における反射による光路長の増加がないことか
ら、光電変換手段の接合面に達するまでの全体としての
光路長の増加はそれ程大きいものではない。しかし、本
発明の放射線検出器の発光手段では多結晶質材料である
Gd2O2S:Pr,Ce,F焼結セラミックスを用いるので、かかる多結晶
質材料は無数の結晶からなり内部に無数の結晶粒界や気
孔が存在するため、この結晶粒界における反射や屈折に
よる光路長の増加が著しい。したがってこのように光路
長が長い多結晶質材料であるGd2O2S:Pr,Ce,F焼結セラミックス
等を用いることにより、発光手段と光電変換手段との接
合面で光が乱反射することに起因する光のむらは光電変
換手段に達するまでの間に緩和され、殆ど消滅するもの
と解される。
段内部において発生した光は、発光手段内の結晶粒界、
気孔、異相との境界面等で反射と屈折を繰返して発光手
段と光電変換手段との接合面に達する。この発光素子材
料の内部に無数に存在する結晶粒界、気孔、異相との境
界面等による光の反射や屈折によって発光手段内部にお
いて発生した光の不均一は緩和される。即ち、発光素子
が単結晶の材料により形成されている場合には発光手段
内部において発生した光は、光電変換手段との接合面に
達するまでに、異相との境界面のみで反射し、結晶粒界
や気孔における反射による光路長の増加がないことか
ら、光電変換手段の接合面に達するまでの全体としての
光路長の増加はそれ程大きいものではない。しかし、本
発明の放射線検出器の発光手段では多結晶質材料である
Gd2O2S:Pr,Ce,F焼結セラミックスを用いるので、かかる多結晶
質材料は無数の結晶からなり内部に無数の結晶粒界や気
孔が存在するため、この結晶粒界における反射や屈折に
よる光路長の増加が著しい。したがってこのように光路
長が長い多結晶質材料であるGd2O2S:Pr,Ce,F焼結セラミックス
等を用いることにより、発光手段と光電変換手段との接
合面で光が乱反射することに起因する光のむらは光電変
換手段に達するまでの間に緩和され、殆ど消滅するもの
と解される。
【0020】また、本発明のように発光手段の光電変換面に
接する面が粗いと、Gd2O2S:Pr系焼結セラミックスの如く高屈
折率シンチレータの場合には全反射による光のシンチレータ内への再
入光量が減少するため光電変換手段の出力が当該面が平
滑なものに比べて大きくなるという効果をも有す。
接する面が粗いと、Gd2O2S:Pr系焼結セラミックスの如く高屈
折率シンチレータの場合には全反射による光のシンチレータ内への再
入光量が減少するため光電変換手段の出力が当該面が平
滑なものに比べて大きくなるという効果をも有す。
【0021】これを図4に基づき説明する。図4(b)は発光手
段の光電変換面に接する面が平滑面である場合の当該界
面における光屈折状況を模式的に示した拡大図である。
段の光電変換面に接する面が平滑面である場合の当該界
面における光屈折状況を模式的に示した拡大図である。
【0022】発光手段と光電変換手段は接合されているが、
この界面には極微量の空気（屈折率n=1）が存在する。
したがって、発光手段としてGd2O2S（屈折率n=2.2）系
焼結体シンチレータを用いた場合、光電変換手段に入光する光
は数式1より図4(b)の斜線内の入射角（臨時角）を持つ
光であり、これ以外の入射角の光は全反射してしまう。
したがって、光電変換手段への入射光量が減少する。
この界面には極微量の空気（屈折率n=1）が存在する。
したがって、発光手段としてGd2O2S（屈折率n=2.2）系
焼結体シンチレータを用いた場合、光電変換手段に入光する光
は数式1より図4(b)の斜線内の入射角（臨時角）を持つ
光であり、これ以外の入射角の光は全反射してしまう。
したがって、光電変換手段への入射光量が減少する。
【0023】 θ=sin-1(n空気/nシンチレータ)=sin-1(1/2.2)=27゜・・・・・・・（数式1）
【0024】これに対し、図4(a)に示すように発光手段の光
電変換手段に接する面が平滑でなく凹凸がある場合に
は、斜線外の入射角を持つ光は図4(b)と同様一旦は反射
するが、この反射を繰り返しているうちに、前記臨界角
内に入る機会が生じ、光電変換手段へ入射される。
電変換手段に接する面が平滑でなく凹凸がある場合に
は、斜線外の入射角を持つ光は図4(b)と同様一旦は反射
するが、この反射を繰り返しているうちに、前記臨界角
内に入る機会が生じ、光電変換手段へ入射される。
【0025】したがって、本発明のように発光手段の光電変
換手段に接する面に凹凸がある場合には、ラッヒ゜ンク゛を施
した平滑面に比べて光電変換手段からの出力を向上する
ことができる。
換手段に接する面に凹凸がある場合には、ラッヒ゜ンク゛を施
した平滑面に比べて光電変換手段からの出力を向上する
ことができる。
【0026】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。実施例1 図1に示す形状で100μm以下の種々の面粗さを有し、1.3
×30×1.1mmに調製されたGd2O2S:Pr,Ce,F発光焼結体素
子3を複数用意し、その各々を光電変換手段としてのシリコ
ンフォトタ゛イオート゛1と接合して放射線検出器を形成すると共
に、前記焼結体素子のアレー上に管電圧120kV、幅2mmのX線
ヒ゛ーム6をX線源5を長手方向に移動させながら照射した。
このときのシリコンフォトタ゛イオート゛1の長手方向両端から5mm以内
を除いた出力分布を求めた。
×30×1.1mmに調製されたGd2O2S:Pr,Ce,F発光焼結体素
子3を複数用意し、その各々を光電変換手段としてのシリコ
ンフォトタ゛イオート゛1と接合して放射線検出器を形成すると共
に、前記焼結体素子のアレー上に管電圧120kV、幅2mmのX線
ヒ゛ーム6をX線源5を長手方向に移動させながら照射した。
このときのシリコンフォトタ゛イオート゛1の長手方向両端から5mm以内
を除いた出力分布を求めた。
【0027】比較例1 他は実施例1と同様にして表面にラッヒ゜ンク゛による平滑化処
理を施した1.3×30×1.1mmのGd2O2S:Pr,Ce,F発光焼結体
素子のアレー上に管電圧120kV、幅2mmのX線ヒ゛ーム4を長手方
向に移動させながら照射した。このときのシリコンフォトタ゛イオー
ト゛1の長手方向両端から5mm以内を除いた出力分布を求め
た。
理を施した1.3×30×1.1mmのGd2O2S:Pr,Ce,F発光焼結体
素子のアレー上に管電圧120kV、幅2mmのX線ヒ゛ーム4を長手方
向に移動させながら照射した。このときのシリコンフォトタ゛イオー
ト゛1の長手方向両端から5mm以内を除いた出力分布を求め
た。
【0028】比較例2 他は実施例1と同様にして、100μmを越える種々の面粗
さを有する複数のGd2O2S:Pr,Ce,F発光焼結体素子につき
実施例1と同様にして出力分布を求めた。以上の実施例1
及び比較例1,2についての出力分布の測定結果を表1に示
す。また表面の面粗さと出力分布のばらつきとの関係を
図2に示す。
さを有する複数のGd2O2S:Pr,Ce,F発光焼結体素子につき
実施例1と同様にして出力分布を求めた。以上の実施例1
及び比較例1,2についての出力分布の測定結果を表1に示
す。また表面の面粗さと出力分布のばらつきとの関係を
図2に示す。
【0029】
【表1】
【0030】表1及び図2に示されるように、実施例1-1から
実施例1-10のものは表面の面粗さが100μm以下であり、
出力分布のばらつきも2.2%以下とラッヒ゜ンク゛を施した比較
例1のものと同程度の均一性を示す。これに対し表面の
粗さが100μmを越える比較例2-1から比較例2-2のもの
は、出力分布のばらつきが10を越え、実用的な問題が生
じることが分かる。また、実施例1-6と比較例1の出力を
検討したところ、実施例1-6の方が6%高かった。
実施例1-10のものは表面の面粗さが100μm以下であり、
出力分布のばらつきも2.2%以下とラッヒ゜ンク゛を施した比較
例1のものと同程度の均一性を示す。これに対し表面の
粗さが100μmを越える比較例2-1から比較例2-2のもの
は、出力分布のばらつきが10を越え、実用的な問題が生
じることが分かる。また、実施例1-6と比較例1の出力を
検討したところ、実施例1-6の方が6%高かった。
【0031】実施例2 1.2×30×1.2mmのGd2O2S:Pr発光焼結体素子のアレー上に管
電圧110kV;幅1.5mmのX線ヒ゛ームを長手方向に移動させなが
ら照射した。このときのシリコンフォトタ゛イオート゛の長手方向両端
から5mm以内を除いた出力分布を求めた。
電圧110kV;幅1.5mmのX線ヒ゛ームを長手方向に移動させなが
ら照射した。このときのシリコンフォトタ゛イオート゛の長手方向両端
から5mm以内を除いた出力分布を求めた。
【0032】比較例3 他は実施例2と同様にして表面にラッヒ゜ンク゛を施した1.3×3
0×1.1mmのGd2O2S:Pr,Ce,F発光焼結体素子のアレー上に管
電圧120kV、幅2mmのX線ヒ゛ーム4を長手方向に移動させなが
ら照射した。このときのシリコンフォトタ゛イオート゛1の長手方向両
端から5mm以内を除いた出力分布を求めた。
0×1.1mmのGd2O2S:Pr,Ce,F発光焼結体素子のアレー上に管
電圧120kV、幅2mmのX線ヒ゛ーム4を長手方向に移動させなが
ら照射した。このときのシリコンフォトタ゛イオート゛1の長手方向両
端から5mm以内を除いた出力分布を求めた。
【0033】比較例4 他は実施例2と同様にして、100μmを越える種々の面粗
さを有する複数のGd2O2S:Pr発光焼結体素子につき実施
例2と同様にして出力分布を求めた。以上の実施例2及び
比較例3,4についての出力分布の測定結果を表1に示す。
また表面の面粗さと出力分布のばらつきとの関係を図3
に示す。
さを有する複数のGd2O2S:Pr発光焼結体素子につき実施
例2と同様にして出力分布を求めた。以上の実施例2及び
比較例3,4についての出力分布の測定結果を表1に示す。
また表面の面粗さと出力分布のばらつきとの関係を図3
に示す。
【0034】
【表2】
【0035】表2及び図3に示されるように、実施例2-1から
実施例2-10のものは表面の面粗さが100μm以下であり、
出力分布のばらつきも2.2%以下とラッヒ゜ンク゛を施した比較
例3のものと同程度の均一性を示す。これに対し表面の
粗さが100μmを越える比較例4-1から比較例4-2のもの
は、出力分布のばらつきが10%を越え、実用的な問題が
生じることが分かる。また、実施例2-7と比較例3の出力
を検討したところ、実施例2-7の方が5%高かった。
実施例2-10のものは表面の面粗さが100μm以下であり、
出力分布のばらつきも2.2%以下とラッヒ゜ンク゛を施した比較
例3のものと同程度の均一性を示す。これに対し表面の
粗さが100μmを越える比較例4-1から比較例4-2のもの
は、出力分布のばらつきが10%を越え、実用的な問題が
生じることが分かる。また、実施例2-7と比較例3の出力
を検討したところ、実施例2-7の方が5%高かった。
【0036】
【発明の効果】以上のように本発明の放射線検出器によ
れば、前記発光手段と光電変換手段との接合面における
前記発光手段の面粗さを0.5〜100μmに調製するように
したので、発光手段の表面に対してラッヒ゜ンク゛を施して平
滑にする等の加工を施さなくても、発光手段と光電変換
手段との接合面の粗さに起因する悪影響を防止して出力
分布の不均一を無くすることが可能な放射線検出器を提
供することができ、従来高コストであった放射線検出器素
子材料であるGd202S:Pr,Ce,F発光焼結体の加工コストを大
幅に低減できるという優れた効果が奏される。更に、発
光手段の光電変換面に接する部分を粗面のままで使用す
ることにより、Gd2O2Sの如く高屈折率シンチレータの場合には
全反射による光のシンチレータ内への再入光量が減少するため
に、光電変換手段の出力が若干大きくなるというメリットも
得られる。
れば、前記発光手段と光電変換手段との接合面における
前記発光手段の面粗さを0.5〜100μmに調製するように
したので、発光手段の表面に対してラッヒ゜ンク゛を施して平
滑にする等の加工を施さなくても、発光手段と光電変換
手段との接合面の粗さに起因する悪影響を防止して出力
分布の不均一を無くすることが可能な放射線検出器を提
供することができ、従来高コストであった放射線検出器素
子材料であるGd202S:Pr,Ce,F発光焼結体の加工コストを大
幅に低減できるという優れた効果が奏される。更に、発
光手段の光電変換面に接する部分を粗面のままで使用す
ることにより、Gd2O2Sの如く高屈折率シンチレータの場合には
全反射による光のシンチレータ内への再入光量が減少するため
に、光電変換手段の出力が若干大きくなるというメリットも
得られる。
【図1】 発光手段の表面の面粗さとX線CT検出器の出力
分布のばらつきとの関係を調べる為に用いたX線CT検出
器の模式図である。
分布のばらつきとの関係を調べる為に用いたX線CT検出
器の模式図である。
【図2】 発光手段の表面の面粗さとX線CT検出器の出力
分布のばらつきとの関係を示す図である。
分布のばらつきとの関係を示す図である。
【図3】 同じく発光手段の表面の面粗さとX線CT検出器
の出力分布のばらつきとの関係を示す他の図である。 3 発光手段 1 光電変換手段
の出力分布のばらつきとの関係を示す他の図である。 3 発光手段 1 光電変換手段
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】 同じく発光手段の表面の面粗さとX線CT検出
器の出力分布のばらつきとの関係を示す他の図である。
器の出力分布のばらつきとの関係を示す他の図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】追加
【補正内容】
【図４】 （ａ）は発光手段の光電変換面に接する面に
凹凸がある場合の当該界面における光屈折状況を模式的
に示した拡大図であり、（ｂ）は発光手段の光電変換面
に接する面が平滑面である場合の当該界面における光屈
折状況を模式的に示した拡大図である。
凹凸がある場合の当該界面における光屈折状況を模式的
に示した拡大図であり、（ｂ）は発光手段の光電変換面
に接する面が平滑面である場合の当該界面における光屈
折状況を模式的に示した拡大図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【符号の説明】 3 発光手段 1 光電変換手段
Claims (5)
- 【請求項1】 多結晶質材料からなる発光手段と光電変
換手段とを組み合わせてなる放射線検出器において、前
記発光手段と前記光電変換手段との接合面における前記
発光手段の面粗さを0.5〜100μmに調製してなることを
特徴とする放射線検出器。 - 【請求項2】 発光手段と光電変換手段とを組み合わせ
てなる放射線検出器において、前記発光手段としてGd2O
2S:Pr系焼結セラミックスを用いると共に、前記発光手段と前
記光電変換手段との接合面における前記発光手段の面粗
さを0.5〜100μmに調製してなることを特徴とする放射
線検出器。 - 【請求項3】 前記Gd2O2S:Pr系焼結セラミックスとしてGd2O
2S:Pr焼結セラミックス、Gd2O2S:Pr,F焼結セラミックス、Gd2O2S:Pr,
Ce,F焼結セラミックスのいずれかを用いる請求項2記載の放射
線検出器。 - 【請求項4】 発光手段と光電変換手段とを組み合わせ
てなる放射線検出器において、前記発光手段としてGd2O
2S:Tb系焼結セラミックスを用いると共に、前記発光手段と前
記光電変換手段との接合面における前記発光手段の面粗
さを0.5〜100μmに調製してなることを特徴とする放射
線検出器。 - 【請求項5】 光電変換手段として、結晶質シリコンホトタ゛イオー
ト゛又は非晶質シリコンホトタ゛イオート゛を用いることを特徴とする
請求項1又は請求項2又は請求項3又は請求項4に記載した
放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1946392A JP3144017B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1946392A JP3144017B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05209969A true JPH05209969A (ja) | 1993-08-20 |
| JP3144017B2 JP3144017B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=12000023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1946392A Expired - Fee Related JP3144017B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3144017B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014074715A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Toshiba Corp | 取り出し方法及びガンマ線検出器 |
| JP2016524135A (ja) * | 2013-05-08 | 2016-08-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | ガンマ線検出装置 |
| JP2017116532A (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-29 | シーメンス メディカル ソリューションズ ユーエスエー インコーポレイテッドＳｉｅｍｅｎｓ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ＵＳＡ，Ｉｎｃ． | ガーネット インターフェイスの製造方法及びそれから得られたガーネットを含有する物品 |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP1946392A patent/JP3144017B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014074715A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Toshiba Corp | 取り出し方法及びガンマ線検出器 |
| JP2016524135A (ja) * | 2013-05-08 | 2016-08-12 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | ガンマ線検出装置 |
| JP2017116532A (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-29 | シーメンス メディカル ソリューションズ ユーエスエー インコーポレイテッドＳｉｅｍｅｎｓ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ＵＳＡ，Ｉｎｃ． | ガーネット インターフェイスの製造方法及びそれから得られたガーネットを含有する物品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3144017B2 (ja) | 2001-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |