JPH05209280A - Ｃｖｄ膜制御方法 - Google Patents
Ｃｖｄ膜制御方法Info
- Publication number
- JPH05209280A JPH05209280A JP3856092A JP3856092A JPH05209280A JP H05209280 A JPH05209280 A JP H05209280A JP 3856092 A JP3856092 A JP 3856092A JP 3856092 A JP3856092 A JP 3856092A JP H05209280 A JPH05209280 A JP H05209280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- film
- cvd film
- cvd
- reaction gas
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バッチ間の膜厚を均一にする。
【構成】 ウェーハからの赤外線強度変化又は放射率を
測定することにより生成された膜厚を制御する。
測定することにより生成された膜厚を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置である枚
葉式ＣＶＤ装置に係り、特に該枚葉式ＣＶＤ装置を用い
るＣＶＤ膜制御方法に関する。
葉式ＣＶＤ装置に係り、特に該枚葉式ＣＶＤ装置を用い
るＣＶＤ膜制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来方法の説明図である。図２中
ｔs は流量，圧力，温度の各設定値をパラメータとして
膜生成を開始する時点、ｔs はその終了時点、ｔ1 はそ
の工程（期間）を示す。この従来方法は、反応ガス流
量，生成圧力及び生成温度の予じめ設定された値をパラ
メータとして時間を調節することにより膜厚を制御する
ようにしている。
ｔs は流量，圧力，温度の各設定値をパラメータとして
膜生成を開始する時点、ｔs はその終了時点、ｔ1 はそ
の工程（期間）を示す。この従来方法は、反応ガス流
量，生成圧力及び生成温度の予じめ設定された値をパラ
メータとして時間を調節することにより膜厚を制御する
ようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方法において
は、時間を調節する消極的な方法であり、かつ各バッチ
間の膜厚を均一にできないという課題がある。
は、時間を調節する消極的な方法であり、かつ各バッチ
間の膜厚を均一にできないという課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明方法は、上記の課
題を解決するため、図１に示すように反応室内にウェー
ハを設置し、反応室内に減圧下で反応ガスを流通しなが
らウェーハを加熱し、ウェーハ表面にＣＶＤ膜を生成す
る枚葉式ＣＶＤ装置において、ウェーハからの赤外線強
度変化又は放射率を測定することにより生成された膜厚
を制御することを特徴とする。
題を解決するため、図１に示すように反応室内にウェー
ハを設置し、反応室内に減圧下で反応ガスを流通しなが
らウェーハを加熱し、ウェーハ表面にＣＶＤ膜を生成す
る枚葉式ＣＶＤ装置において、ウェーハからの赤外線強
度変化又は放射率を測定することにより生成された膜厚
を制御することを特徴とする。
【０００５】
【作 用】ＣＶＤ膜生成中に、ウェーハ表面から放射さ
れる赤外線強度（生成膜とウェーハ基板との干渉による
放射率の変化であると言われている）が生成される膜厚
に応じて周期的に変化する。この赤外線強度の変化は，
生成した膜厚と相関性があるので、赤外線強度変化を測
定することにより生成された膜厚を求めることができ
る。
れる赤外線強度（生成膜とウェーハ基板との干渉による
放射率の変化であると言われている）が生成される膜厚
に応じて周期的に変化する。この赤外線強度の変化は，
生成した膜厚と相関性があるので、赤外線強度変化を測
定することにより生成された膜厚を求めることができ
る。
【０００６】
【実施例】図１（Ａ）は本発明方法における赤外線強度
と膜厚の関係を示す図、図１（Ｂ）は本発明方法による
膜生成工程の膜厚増加と反応ガス流通のタイムチャート
である。本実施方法は、バルブを開き反応ガス流通を開
始して膜生成を開始後、ウェーハからの赤外線強度を赤
外線強度測定器により常時監視し、この測定器により要
求膜厚に対する赤外線強度の変化点ａを測定し、この変
化点ａを測定した時点でバルブを閉じ反応ガス流通を停
止して膜生成を停止する。
と膜厚の関係を示す図、図１（Ｂ）は本発明方法による
膜生成工程の膜厚増加と反応ガス流通のタイムチャート
である。本実施方法は、バルブを開き反応ガス流通を開
始して膜生成を開始後、ウェーハからの赤外線強度を赤
外線強度測定器により常時監視し、この測定器により要
求膜厚に対する赤外線強度の変化点ａを測定し、この変
化点ａを測定した時点でバルブを閉じ反応ガス流通を停
止して膜生成を停止する。
【０００７】このように赤外線強度測定器の出力で、バ
ルブを閉じ反応ガス流通を停止することにより枚葉式Ｃ
ＶＤ膜の膜厚を自動制御することができ、常に一定の膜
厚を生成でき、各バッチ間の膜厚を均一にできる。
ルブを閉じ反応ガス流通を停止することにより枚葉式Ｃ
ＶＤ膜の膜厚を自動制御することができ、常に一定の膜
厚を生成でき、各バッチ間の膜厚を均一にできる。
【０００８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、枚葉式Ｃ
ＶＤ装置においてウェーハからの赤外線強度変化又は放
射率を測定することにより生成された膜厚を制御する方
法であるから、各バッチ間の膜厚を均一にできる。
ＶＤ装置においてウェーハからの赤外線強度変化又は放
射率を測定することにより生成された膜厚を制御する方
法であるから、各バッチ間の膜厚を均一にできる。
【図１】（Ａ）は本発明方法における赤外線強度と膜厚
の関係を示す図である。（Ｂ）は本発明方法による膜生
成工程の膜厚増加と反応ガス流通のタイムチャートであ
る。
の関係を示す図である。（Ｂ）は本発明方法による膜生
成工程の膜厚増加と反応ガス流通のタイムチャートであ
る。
【図２】従来方法の説明図である。
フロントページの続き (72)発明者 石津 秀雄 東京都新宿区新宿二丁目１番９号 国際電 気システムサービス株式会社内 (72)発明者 中村 修一 東京都青梅市河辺町７−９−１ グリーン パーク若草105号
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室内にウェーハを設置し、反応室内
に減圧下で反応ガスを流通しながらウェーハを加熱し、
ウェーハ表面にＣＶＤ膜を生成する枚葉式ＣＶＤ装置に
おいて、ウェーハからの赤外線強度変化又は放射率を測
定することにより生成された膜厚を制御することを特徴
とするＣＶＤ膜制御方法。 - 【請求項２】 反応ガス流通を開始して膜生成を開始
後、ウェーハからの赤外線強度を赤外線強度測定器によ
り常時監視し、この測定器により要求膜厚に対する赤外
線強度の変化点（ａ）を測定し、この変化点（ａ）を測
定した時点で反応ガス流通を停止して膜生成を停止する
ことを特徴とする請求項１のＣＶＤ膜制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3856092A JPH05209280A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｃｖｄ膜制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3856092A JPH05209280A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｃｖｄ膜制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05209280A true JPH05209280A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=12528685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3856092A Pending JPH05209280A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | Ｃｖｄ膜制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05209280A (ja) |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP3856092A patent/JPH05209280A/ja active Pending
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