JPH05201752A - 光照射を用いた陽極接合法及び装置及び製造物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 陽極接合による接着を、ガラスの軟化点より
も低い温度で可能とする。 【構成】 レーザー用電源１の出力をコントローラ３で
調整して炭酸ガスレーザー発振器５で赤外線レーザー光
の平行光Lpを発振し、Ｚｎ−Ｓｅレンズ６で拡散光Lpと
して、Ｓｉ基板Ｓ上に重ねたガラス板Ｇに照射する。直
流電源９から電流計１１を通して針状電極１３よりガラ
ス板Ｇに負電圧を印加し、ヒータ付プラテン７を介して
Ｓｉ基板Ｓに正電圧を印加する。約２Ｗ／ｃｍ² の赤外
光と約４μＡの電流の流れる電圧を約２００℃において
１０分間印加すると、ガラス板ＧとＳｉ基板Ｓが接着可
能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ガラスと導電体の間に
電圧を印加し、接合を行う光照射を用いた陽極接合法及
び装置及び製造物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ガラスと硅素（Ｓｉ）との陽極接
合は、「George Wallis and Daniel I.Pomerantzらが、
Journal of Applied Physics,vol.40,no.10,september
1969:Received 2 January 1969」に記載しているよう
に、温度をガラスの転位点に近い約４００℃に保持しな
がら、ガラスとＳｉとの間にＳｉを陽極として約３００
Ｖの電圧を印加することにより行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの従来
例では、ガラスとＳｉの接着はガラスの転位点近くで行
うため、高温での接着後に室温まで降温する際に、熱膨
張係数の差により熱歪が生じて剥れる虞れがある。この
ため、ガラスとＳｉの熱膨張係数が室温から接着温度ま
での広い範囲にわたって等しくする必要がある。

【０００４】また、高温加熱中でのガラスとＳｉとの接
合の場合に、接合が全面に渡って生ずる。このため、選
択的な接合、即ち同一平面基板上において接合を必要と
する個所のみを接合することはできなかった。

【０００５】本発明の第１の目的は、上述の欠点を解消
し、非晶質絶縁体の転位点近くまで昇温することなく確
実で、場合によっては選択的な接着を可能とする陽極接
合法を提供することにある。

【０００６】本発明の第２の目的は、上述の陽極接合法
を用いて接合を行う陽極接合装置を提供することにあ
る。

【０００７】本発明の第３の目的は、上述の陽極接合法
により製造した製造物を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明に係る第１の光照射を用いた陽極接合法は、
導電体と非晶質絶縁体との陽極接合法であって、前記導
電体と前記非晶質絶縁体とを当接させる工程と、前記当
接させた導電体と非晶質絶縁体とに電圧を印加する工程
と、前記当接させた導電体と非晶質絶縁体の当接部に向
けて光束を照射する工程とから成り、前記電圧印加工程
と光束照射工程により前記導電体と前記非晶質絶縁体と
を前記非晶質絶縁体の転移点温度よりも低い温度で接合
することを特徴とする。

【０００９】また、本発明に係る陽極接合装置は、導電
体と非晶質絶縁体との陽極接合を行う装置であって、当
接すべき前記導電体と前記非晶質絶縁体とを所定位置に
配置するための支持台と、前記当接させた導電体と非晶
質絶縁体とに電圧を印加する電圧印加回路と、前記当接
させた導電体と非晶質絶縁体の当接部に向けて光源から
光束を照射する照明光学系とを有し、前記電圧印加手段
による電圧印加と照明系による光束照射により前記導電
体と前記非晶質絶縁体とを前記非晶質絶縁体の転移点温
度よりも低い温度で接合することを特徴とする。

【００１０】本発明に係る半導体チップは、導電体と該
導電体と接合した非晶質絶縁体とを有し、前記導電体と
非晶質絶縁体は、当接させた前記導電体と非晶質絶縁体
とに電圧を印加する工程と、前記当接させた導電体と非
晶質絶縁体の当接部に向けて照明光学系を介して光束を
照射する工程とを経て、該非晶質絶縁体の転移点温度よ
りも低い温度で接合して製造したことを特徴とする。

【００１１】本発明に係るセンサは、導電体と該導電体
と接合した非晶質絶縁体とを有し、前記導電体と非晶質
絶縁体は、当接させた前記導電体と非晶質絶縁体とに電
圧を印加する工程と、前記当接させた導電体と非晶質絶
縁体の当接部に向けて照明光学系を介して光束を照射す
る工程とを経て、前記非晶質絶縁体の転移点温度よりも
低い温度で接合して製造したことを特徴とする。

【００１２】

【作用】上述の構成を有する光照射を用いた陽極接合法
では、導電体と非晶質絶縁体間に電圧を印加しながら、
同時に非晶質絶縁体の網目構造を弛緩させ、かつ非晶質
絶縁体中の修飾イオンの拡散を促すような光を照射する
ことにより、比較的に低温度で非晶質絶縁体の網目構造
が弛緩すると共に修飾イオンが陰極側に拡散移動し、導
電体と非晶質絶縁体の間に大きな静電引力が生じて固相
接着が行われる。

【００１３】また、光照射を用いた陽極接合装置は、陽
極接合法を用いて比較的に低温度で導電体と非晶質絶縁
体間の接合を行う。

【００１４】半導体チップは、陽極接合法を用いて比較
的に低温度で製造される。センサは、陽極接合法を用い
て比較的に低温度で製造される。

【００１５】

【実施例】本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明
する。先ず、光照射を用いた陽極接合法の原理について
詳細に説明する。陽極接合法によってガラス基板とＳｉ
基板を接着する場合に、ガラスの網目構造の弱い結合個
所を切るか振動励起することによって網目構造を弛緩さ
せ、或いは修飾イオンの拡散のための活性化エネルギ以
上のエネルギを与えることにより、ガラス中の修飾イオ
ンの拡散を行う。この修飾イオンの拡散に指向性を持た
せるために、ガラス基板を陰極としＳｉ基板を陽極とす
る電圧を印加し、電界を発生させる。これにより、修飾
イオンは陰極側に、酸素イオンは陽極側に引き寄せら
れ、ガラス側の接着界面近傍に空乏層が生じて、ガラス
基板とＳｉ基板との間に大きな静電引力が発生する。こ
の静電引力によって両基板の隙間が原子オーダの距離と
なるため固相接着が可能となる。

【００１６】ガラスの網目構造体はイオン結合から成っ
ていて、その結合距離は様々であるため、結合エネルギ
が小さくて比較的小さい外部エネルギで弛緩する個所も
ある。このため、場合によりヒータによる加熱と併用し
て赤外光の照射を行うことにより、従来のように温度を
ガラスの軟化点まで昇温せずに、比較的低い温度零囲気
で網目構造を弛緩させることが可能である。或いは、修
飾イオンを拡散させる場合に、ガラス中の修飾イオンの
拡散の活性化エネルギを外部から供給する必要があり、
その大きさは約１５〜３０kcal/molである。このエネル
ギは光エネルギに換算すると紫外光（波長０．２〜０．
４５μｍ）に相当するため、照射する紫外光によって供
給することができる。また、紫外光を照射しガラスの網
目構造の弱い結合個所を切ることによって、網目構造を
弛緩させることもできる。この場合にもヒータで加熱す
ることにより、修飾イオンの拡散の活性化エネルギを或
る程度供給する必要がある場合もあるが、比較的に低温
度で接着が可能である。更に、これらを組合わせて赤外
光と同時に紫外光を照射することによって、加熱するこ
となく陽極接合が可能である。

【００１７】これを更に詳しく説明すると、ガラス基板
とＳｉ基板との陽極接合において、ヒータ等の加熱なし
の状態で、Ｓｉ基板及びガラス基板にそれぞれ陽極及び
陰極とする電圧を印加しながら、同時に並行してガラス
側から、或いはＳｉ基板側からガラスの網目構造を弛緩
させ、かつガラス中の修飾イオンの拡散を促すための光
を照射することによって修飾イオンを陰極側に、酸素イ
オンを陽極側にそれぞれ引き寄せることが可能である。
この修飾イオンの移動によってガラスの接合界面近傍に
急峻な電界勾配が生ずることから、ガラス基板とＳｉ基
板との間の界面に大きな静電引力が生ずる。この静電引
力によって、ガラス基板とＳｉ基板との間の隙間が次第
に狭く成り、原子オーダの距離になった時点で固相接合
を可能にする。

【００１８】従って、このように電界によって修飾イオ
ンを拡散し易くするためには、弱い結合個所のイオン結
合を切ることによって、或いは結合イオンを振動励起さ
せることによって、ガラスの網目構造をできるだけ弛緩
させるか、或いは修飾イオンの拡散をより一層活性化す
るためのエネルギをより多く外部から与える必要があ
る。一般に、ガラス中の修飾イオンのの可動の容易さ、
或いはイオン伝導、つまりガラス導電率δは一般に次の
ように示される。 δ＝ｋ・exp(−ΔHdc ／ＲＴ) ・・・(1) ここで、ｋは定数、Ｒはガス定数、Ｔは温度、ΔHdc は
電気伝導の活性化エネルギである。なお、ΔHdc ＝（イ
オン化のエネルギ）＋（ガラス構造の隙間を押し広げる
ために要する歪のエネルギ）である。

【００１９】従って、ガラス基板とＳｉ基板との間の陽
極接合の場合に、ヒータ等による加熱なしの状態で、即
ち接合時の温度Ｔをできるだけ低い状態でガラス中の修
飾イオンの可動を容易にするためには、電気伝導の活性
化エネルギΔHdc の値を小さくしなければならない。

【００２０】そこで、本方法においては、イオン化エネ
ルギ及びガラス構造を押し広げるために有するエネルギ
として、光エネルギを供給することによってガラスの電
気伝導の活性化エネルギΔHdc に相当する電圧を印加供
給する必要がある。従って、ガラス基板とＳｉ基板の接
合面を互いに密着した状態で、電圧を印加供給すること
によってガラス基板の修飾イオンを陰極側に拡散移動さ
せ、この結果としてガラス基板とＳｉ基板との間に接合
に寄与する静電引力が発生する。

【００２１】一方、光の吸収は材質及び板厚に依存して
光の透過率が小さくなることから、ガラス基板及びＳｉ
基板の板厚をできるだけ薄くすることが望ましい。

【００２２】本方法では、光照射によってガラスの網目
構造の弱い結合個所を切断することによって、或いは構
造イオンを振動励起させることによって、網目構造をで
きるだけ弛緩させながら、同時にガラス基板とＳｉ基板
との間に電界を印加する方法であることから、ガラス基
板とＳｉ基板との間の接合は、より一層低い温度、即ち
ヒータ等のような加熱をしない場合においても可能とな
る。なお、Ｓｉ基板の代りに他の導電体を用いた場合に
おいても、同様に接合が可能となることは云うまでもな
い。

【００２３】図１は第１、第２の実施例の説明図を示
し、レーザー用電源１の出力を接続コード２を介して、
レーザー出力を加減するためのコントローラ３の入力に
接続し、コントローラ３の出力を接続コード４を介して
レーザー発振器５に入力する。レーザー発振器５の出力
光軸上には、レーザー発振器５の出力平行光Lpを拡散光
Ldにするためのレンズ６を配置し、接合を行うべきガラ
ス基板ＧとＳｉ基板Ｓを、ガラス基板Ｇを上側にして加
熱用のヒータ付プラテン７の上に固定する。ヒータ付プ
ラテン７は接続コード８を介して接着用の直流電源９の
正極９ａに接続し、直流電源９の負極９ｂを接続コード
１０を介して電流計１１の負極に、電流計１１の正極を
接続コード１２を介してタングステン等から成る針状電
極１３に接続し、針状電極１３の先端をガラス基板Ｇの
表面に接する。

【００２４】第１の実施例では、レーザー発振器５には
波長１０．６μｍの炭酸ガスレーザー光を用い、レンズ
６はＺｎ−Ｓｅから成る凸レンズを用いる。この構成に
おいて、レーザー用電源１をオンにし、コントローラ３
でその出力を調整した後にレーザー発振器５から赤外光
を出力する。出力された平行光Lpはレンズ６で拡散光Ld
とされ、ガラス基板ＧとＳｉ基板Ｓの接触している面を
照射する。同時に直流電源９もオンにして、針状電極１
３に負電圧を、ヒータ付プラテン７に正電圧を印加す
る。これにより、ガラス基板Ｇに負電圧、Ｓｉ基板Ｓに
正電圧が印加される。

【００２５】このようにして、厚さ０．５ｍｍで縦横共
に１０ｍｍの正方形のパイレックスガラス＃７７４０
（パイレックスはコーニング社の商品名）から成るガラ
ス基板ＧとＳｉ基板Ｓの両面に電圧を印加しながら、強
度が約２Ｗ／ｃｍ² の赤外レーザー光を照射し、ヒータ
付プラテン７を約２００℃に加熱した状態で約４μＡの
電流が流れ、この電流を維持したまま電圧を１０分間印
加したところ、ガラス基板ＧとＳｉ基板Ｓの接合が可能
になった。しかし、レーザー光を照射しない場合には、
同じ電圧を印加しても接合はできなかった。

【００２６】第２の実施例では、装置の配置は図１と同
様であるが、レーザー発振器５には波長が０．３２〜
０．４４μｍのＨｅ−Ｃｄレーザー光を用い、レンズ６
にはＫＤＰから成る凸レンズを用いる。レーザー用電源
１をオンにしてコントローラ３で調整し、レーザー発振
器５から出力された紫外光をレンズ６で拡散して照射
し、直流電源９からガラス基板Ｇに負電圧を、Ｓｉ基板
Ｓに正電圧を印加する。第１の実施例と同じ、厚さ０．
５ｍｍで１０ｍｍ角のパイレックスガラス＃７７４０の
ガラス基板ＧとＳｉ基板Ｓに強度約２Ｗ／ｃｍ² の紫外
レーザー光を照射し、ヒータ付プラテン７を約２００℃
に加熱して、約４μＡの電流が流れる電圧を約１０分間
印加したところ、ガラス基板ＧとＳｉ基板Ｓの接合が可
能になった。また、レーザー光を照射しない場合には同
じ電圧においては接合が不可能であった。なお、Ｈｅ−
Ｃｄレーザー光の代りに水銀ランプ等の紫外光源を用い
ても同様の効果が得られる。

【００２７】図２は第３の実施例を示し、炭酸ガスレー
ザー用電源２１の出力を接続コード２２を介して、レー
ザー出力の調整用のコントローラ２３の入力に接続し、
コントローラ２３の出力を接続コード２４を介して炭酸
ガスレーザー発振器２５に入力する。炭酸ガスレーザー
発振器２５の出力光軸上には、平行光Lpを拡散光Ldに変
えるＺｎ−Ｓｅレンズ２６を配置し、その下方に接合を
行うべきガラス基板ＧとＳｉ基板Ｓを配置する。一方、
Ｈｅ−Ｃｄレーザー用電源２７の出力を接続コード２８
を介して、レーザー出力の調整用のコントローラ２９の
入力に接続し、コントローラ２９の出力を接続コード３
０を介してＨｅ−Ｃｄレーザー発振器３１に入力する。
Ｈｅ−Ｃｄレーザー発振器３１の出力光軸上には平行光
Lpを拡散光Ldに変えるＫＤＰレンズ３２を配置し、その
下方にヒータを有しないプラテン３３の上に固定したガ
ラス基板ＧとＳｉ基板Ｓを配置する。ガラス基板ＧとＳ
ｉ基板Ｓに対する電気的接続は先の実施例と同様にす
る。また、ガラス基板Ｇの上には一部に開口部を設けた
タングステン製のマスクＭを設け、照射光が開口部のみ
を通過するようにする。

【００２８】このような構成において、炭酸ガスレーザ
ー用電源２１をオンにしてコントローラ２３でレーザー
出力を調整した後に、炭酸ガスレーザー発振器２５から
赤外光を出力し、Ｚｎ−Ｓｅレンズ２６で拡散光Ldにし
てガラス基板Ｇに照射する。同時に、Ｈｅ−Ｃｄレーザ
ー用電源２７をオンにしてコントローラ２９でレーザー
出力を調整した後に、Ｈｅ−Ｃｄレーザー発振器３１か
ら紫外光を出力し、ＫＤＰレンズ３２で拡散光Ldに変え
てガラス基板Ｇに照射する。また、これらと同時に直流
電源９をオンにして、針状電極１３を介してガラス基板
Ｇに負電圧を印加し、プラテン３３を介してＳｉ基板Ｓ
に正電圧を印加する。

【００２９】このような要領で第１、第２の実施例と同
様に、厚さ０．５ｍｍで１０ｍｍ角の正方形のパイレッ
クスガラス＃７７４０のガラス基板ＧとＳｉ基板Ｓの両
端面に電圧を印加しながら、約２Ｗ／ｃｍ² の赤外レー
ザー光と約２Ｗ／ｃｍ² の紫外レーザー光を照射し、約
２μＡの電流が流れる電圧を約１０分間印加すると、マ
スクＭの開口部の下のガラス基板ＧとＳｉ基板Ｓの間の
接合が可能になった。このとき、マスクＭに遮光されて
レーザー光が照射されなかった部分には接合が生じなか
った。

【００３０】このように、ガラスの網目構造の弱い結合
個所を切断することによって網目構造を弛緩させ、かつ
ガラス中の修飾イオンの拡散を促す紫外線と、網目構造
イオンを励起して網目構造を弛緩させる赤外線とを照射
して、ガラスと導電体に電圧を印加することにより無加
熱での陽極接合が可能となる。この場合に、修飾イオン
としてＮａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃ
ｓ、Ｆｅ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｂ
イオンを用いたガラスにおいてもその効果は変らない。

【００３１】なお、前述の第１、第２の実施例において
は、ガラス基板Ｇの全面にレーザー光を照射するものと
したが、第３の実施例に用いたマスクＭと同等のものを
用いて照射部分を限定し、一部だけを接着することも可
能である。また、加熱温度は約２００℃としているが、
熱膨張率の差を考慮してこれと異なる温度としても支障
はない。

【００３２】同様に、第３の実施例においては無加熱と
したが、反応速度の向上等のために、熱膨張率の差によ
って接合が困難にならない程度まで加熱を行うものとし
てもよい。また、接合する部分を限定する方法としてマ
スクＭをガラス基板Ｇ上に置く代りにレーザー光束を絞
って照射部分を限定するものとしてもよい。なお、何れ
の実施例においても、ガラス基板Ｇにはパイレックス＃
７７４０ガラスを用いる代りに、例えばソーダシリケー
トガラスを用いることができ、この場合にもＳｉ基板Ｓ
との接合は同様に可能である。

【００３３】図３は第４の実施例の説明図であり、導電
性プラテン４１上に感光性ガラス基板Ｇを載置し、更に
ガラス基板Ｇ上にこのガラス基板Ｇと接合するためのＳ
ｉ基板Ｓを載置する。また、Ｓｉ基板Ｓには針状電極４
２を接触する。針状電極４２は接続コード４３を介して
電源４４に接続し、電源４４の他極にはプラテン４１の
電極４５に接続コード４６を介して接続する。そして、
ＬはＳｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間の接合界面となる
べき個所を含むガラス基板Ｇを照射するための炭酸ガス
レーザー光である。ここで、感光性ガラスＧとはその性
質が光に晒されることにより、永久に又は可逆的に変化
するような類のガラスである。

【００３４】このように、Ｓｉ基板Ｓ及び感光性ガラス
Ｇのそれぞれの接合面同志を相対向するように互いに重
ね合わせた状態で、Ｓｉ基板Ｓと感光性ガラス基板Ｇと
の間に電圧を印加するために電源４４をオンにする。更
に、この電圧を印加している間に、レーザー光ＬをＳｉ
基板Ｓの上方から照射し続ける。なお、本実施例におい
てはヒータ等の加熱を必要としない。

【００３５】このような手法で、Ｓｉ基板Ｓと感光性ガ
ラス基板Ｇとの間の接合を次の接合条件の下に行った。
なお、ガラス基板ＧにはＰＥＧ（ＨＯＹＡの商品名）を
用いた。 Ｓｉ基板Ｓの寸法：２６ｍｍ×３８ｍｍ×０．５ｍｍ
（厚さ） 感光性ガラス基板Ｇの寸法：３０ｍｍ×４２ｍｍ×１ｍ
ｍ（厚さ） 印加電圧：１．２ｋＶ レーザー光：炭酸ガスレーザー光（５Ｗ／ｃｍ² ） 時間：１スポット当たり１０分間 レーザー光の１スポット当たりの面積：１ｃｍ²

【００３６】本接合の実験後に、接合したサンプルをデ
ィスクカッタで切断したが、接合界面での剥れはなく、
実用に供することが可能であることが実証された。

【００３７】図４は第５の実施例を示し、中央部に溝４
７を形成したＳｉ基板Ｓの上に接合すべき感光性ガラス
基板Ｇを載せ、ガラス基板Ｇ上の接合個所の直上の面上
の薄板とした個所にＳｉ薄膜から成る薄膜電極４８を成
膜する。なお、レーザー光ＬはＳｉ基板Ｓと、ガラス基
板Ｇとの間の接合界面となるべき個所を含むガラス基板
Ｇを照射するためのエキシマレーザー光である。このエ
キシマレーザー光源には希ガスハライドレーザーである
ＫｒＦレーザーを用いている。

【００３８】この構成において、図４に示すようにＳｉ
基板Ｓと感光性ガラス基板Ｇを相対向し密着させた後
に、薄膜電極４８とＳｉ基板Ｓとの間に電源４４から針
状電極４２及びプラテン４１を介して電圧を印加する。
電圧印加によって薄膜電極４８の直下のガラス基板Ｇの
接合界面近傍、つまり図４においてガラス基板Ｇの両端
の薄くなった個所の接合界面近傍で電界が最大になる。
従って、電界が最も大きくなるこの個所でのみ、Ｓｉ基
板Ｓとガラス基板Ｇとの間の接合がなされる。即ち、Ｓ
ｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間の部分選択接合が可能と
なる。

【００３９】本実施例において、Ｓｉ基板Ｓは（１０
０）面を用い、Ｓｉ基板Ｓの溝４７はＫＯＨ溶液を用い
た電界異方性エッチングにより形成したものである。感
光性ガラス基板Ｇの両端の薄板化エッチングは、薄板化
するための個所のみ開口しているレーザー光を遮断する
ためのマスクを通してエキシマレーザー光Ｌを照射し、
その後に４３０℃×２ｈｒで熱処理したものを１０％フ
ッ化水素水の中で処理したものである。なお、薄板化エ
ッチングにおいてガラス基板Ｇの接合側の面はレジスト
膜塗布によりエッチングされない。この薄板化エッチン
グの後に、レジスト膜をアセトンで溶出した。そして、
洗浄後にガラス基板Ｇの両端薄板化個所のみに開口した
マスク用いて薄膜電極４８を成膜した。

【００４０】本実施例の接合条件は次の通りである。即
ち、 Ｓｉ基板Ｓの寸法：２６ｍｍ×３８ｍｍ×０．５ｍｍ
（厚さ） 溝４７の寸法：２６ｍｍ×１８ｍｍ×０．２ｍｍ（深
さ） 感光性ガラス基板Ｇの寸法：３０ｍｍ×４２ｍｍ×１ｍ
ｍ（厚さ） 両端の薄板化した個所の板厚寸法：０．４ｍｍ 印加電圧：５００Ｖ レーザー光：エキシマレーザー光（１．５Ｗ／ｃｍ² ） 時間：１スポット当たり１０分間 レーザー光の１スポット当たりの面積：０．５ｃｍ²

【００４１】本接合実験の後に、接合したサンプルをデ
ィスクカッタで切断したが、接合界面での剥れはなく、
実用に供することが可能であることが実証された。

【００４２】図５は第６の実施例を示し、Ｓｉ基板Ｓ上
に下面中央部に溝４９を設けた感光性ガラス基板Ｇを載
置し、レーザー光Ｌを遮断した領域を接合しないように
するための選択接合用としての光遮断用マスクＭでガラ
ス基板Ｇの一部を覆う。レーザー光ＬはＳｉ基板Ｓとガ
ラス基板Ｇとの接合界面と成るべき個所を含むガラス基
板Ｇを照射するための炭酸ガスレーザー光である。

【００４３】この構成において、Ｓｉ基板Ｓと感光性ガ
ラス基板Ｇを相対向して、密着させた後に、ガラス基板
Ｇの溝４９の直上に光遮断用マスクＭを載せる。そし
て、ガラス基板Ｇの接合面の直上の他の面に針状電極４
２を電気的に接触させ、電源４４によってガラス基板Ｇ
とＳｉ基板Ｓとの間に電圧を印加する。この電圧印加に
より、電界はガラス基板Ｇの両端の薄板個所の接合界面
近傍で最大になる。マスクＭによりレーザー光Ｌはこの
両端の薄板化個所にのみ入射し、電界が最も大きくな
り、かつレーザー光Ｌが照射されるこの個所のみで、Ｓ
ｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間の接合がなされる。即
ち、Ｓｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間の部分選択接合が
可能となる。

【００４４】本実施例において、Ｓｉ基板Ｓは（１０
０）面を用い、感光性ガラス基板Ｇの溝４９及び両端の
薄板化は、第５の実施例と同様の手法で行った。

【００４５】本実施例の接合条件は次の通りである。 Ｓｉ基板Ｓの寸法：２６ｍｍ×３８ｍｍ×０．５ｍｍ
（厚さ） 溝４９の寸法：３０ｍｍ×２２ｍｍ×０．５ｍｍ（深
さ） 感光性ガラス基板Ｇの寸法：３０ｍｍ×４２ｍｍ×１ｍ
ｍ（厚さ） 両端の薄板化した個所の板厚寸法：０．４ｍｍ 印加電圧：５００Ｖ レーザー光：炭酸ガスレーザー光（５Ｗ／ｃｍ² ） 時間：１スポット当たり１０分間 マスク：Ａｌ板を使用 レーザー光の１スポット当たりの面積：１ｃｍ²

【００４６】本接合実験の後に、接合したサンプルをデ
ィスクカッタで切断したが接合界面での剥れはなく、実
用に供することが可能であることが実証された。

【００４７】なお、炭酸ガスレーザー光の代りにＹＡＧ
レーザー光（４Ｗ／ｃｍ² ）を照射した場合において
も、炭酸ガスレーザー光と同様にＳｉ基板Ｓと感光性ガ
ラス基板Ｇとの間の接合が可能であった。なお、マスク
Ｍを高分子レジスト膜、Ａｌ膜、Ａｕ膜、Ｐｔ膜を用い
た場合においても、上記と同様な接合強度が得られた。

【００４８】一方、従来の陽極接合法を用いて、上記と
同様な材料間の接合、即ち感光性ガラス基板ＧとＳｉ基
板Ｓとの接合を次のような条件で行ったところ、接合温
度から室温までの降温過程中に接合部で剥離を生じ、結
果として接合できなかった。 感光性ガラス基板Ｇ（ＰＥＧガラス：ＨＯＹＡ製）／Ｓ
ｉ（１００） 温度：３５０℃、印加電圧：５００Ｖ 接合時間：１０分

【００４９】図６は第７の実施例を示し、導電性プラテ
ン４１の上部中央には凹部５０を設け、このプラテン４
１上に薄膜電極５１を介して上部に溝５２を設けた感光
性ガラス基板Ｇを載置し、更にその上にＳｉ基板Ｓを載
せ、第５の実施例と同様に光遮断用マスクＭを設ける。
また、ＬはＳｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの接合界面とな
るべき個所を含むガラス基板Ｇを照射するための炭酸ガ
スレーザー光である。

【００５０】この構成において、Ｓｉ基板Ｓと感光性ガ
ラス基板Ｇを相対向し密着させた後に、Ｓｉ基板Ｓの接
合面の直上に針状電極４２を電気的に接触し、電源４４
からガラス基板ＧとＳｉ基板Ｓとの間に電圧を印加す
る。この電圧印加により、電界はガラス基板Ｇの両端の
薄板個所の接合界面近傍で最大になり、マスクＭにより
光Ｌはこの両端の薄板個所にのみ入射する。そして、電
界の最も大きくなり光が照射されるこの個所のみで、Ｓ
ｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間の接合がなされ、Ｓｉ基
板Ｓとガラス基板Ｇとの間の部分選択接合が可能とな
る。

【００５１】本実施例において、Ｓｉ基板Ｓは（１０
０）面を用い、感光性ガラス基板Ｇの溝５２及び両端の
薄板化は、第５の実施例と同様の手法で行った。

【００５２】本実施例の接合条件は次の通りである。 Ｓｉ基板Ｓの寸法：２６ｍｍ×３８ｍｍ×０．５ｍｍ
（厚さ） 両端の薄板化した個所の板厚寸法：０．３ｍｍ 感光性ガラス基板Ｇの寸法：３０ｍｍ×４２ｍｍ×１ｍ
ｍ（厚さ） 溝５２の寸法：３０ｍｍ×２２ｍｍ×０．５ｍｍ（深
さ） 両端の薄板化した個所の板厚寸法：０．５ｍｍ 印加電圧：４００Ｖ レーザー光：炭酸ガスレーザー（５Ｗ／ｃｍ² ） 時間：１スポット当たり１０分間 レーザー光の１スポット当たりの面積：１ｃｍ²

【００５３】本接合実験の後に、接合したサンプルをデ
ィスクカッタで切断したが接合界面での剥れはなく、実
用に供することが可能であることが実証された。なお、
薄膜電極５１をＩＴＯ膜、カーボン膜、Ａｌ膜、Ａｕ
膜、或いはＰｔ膜とした場合においても、同様に接合強
度は大きく、サンプルをディスクカッタで切断したが接
合界面での剥れはなかった。

【００５４】このように、本発明に係る光照射を用いた
陽極接合法によると比較的低い温度での接合が可能なた
め、熱膨張係数が異なる感光性ガラス基板と導電体との
間の接合が容易である。更に、真空雰囲中でＳｉ基板Ｓ
とガラス基板Ｇとの間の接合をする場合に、大気中に設
置してあるレーザー発振器で発生したレーザー光を、レ
ンズ或いはミラーを通して真空雰囲中に誘導し、接合個
所に照射することによって、ヒータ等の加熱なしに接合
を可能にする。またこの接合法の場合に、レーザー光を
遮光するマスクを使用することによって、マスクの開口
の形状をした接合部分を持つようなＳｉ基板Ｓとガラス
基板Ｇとの間の部分選択接合も可能である。

【００５５】図７、図８、図９は第８の実施例を示し、
中央を空胴とした導電性プラテン６１上に、下面にＩＴ
Ｏ膜から成る導電膜６２を成膜したガラス基板Ｇを載置
し、更にその上に接合すべきＳｉ基板Ｓを載せる。プラ
テン６１に針状電極６３を接触させ、Ｓｉ基板Ｓに針状
電極６４を接触させ、両電極６３、６４を接続コード６
５、６６を介して直流電源６７に接続する。

【００５６】この構成において、Ｓｉ基板Ｓの側からレ
ーザー光Ｌを照射し、同時にＳｉ基板Ｓとガラス基板Ｇ
との間に電源６７によって電圧印加を約１０分間行った
ところ、図８に示すようにレーザー光Ｌの照射領域に相
当するＳｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間での接着領域Ｐ
を観察できた。

【００５７】なお、本実施例の場合に、用いたガラス基
板Ｇ及びレーザー光は次の通りである。 ガラス基板Ｇ：パイレックスガラス０．５ｍｍ厚 Ｓｉ基板Ｓの厚さ：０．５ｍｍ レーザー光：炭酸ガスレーザー光 ６Ｗ／ｃｍ²

【００５８】このように赤外光を含むレーザー光を照射
する場合には、赤外光の透過率の高いＳｉ基板Ｓから入
射すると効果的である。

【００５９】一方、図７において、被接着面積がレーザ
ー光の光束面積より大きい場合に、レーザー光Ｌを走査
することによって、被接着面積の全面に渡っての接着を
可能にする。更に、Ｓｉ基板Ｓの代りに、ガラス或いは
セラミックス等の絶縁体の表面にＳｉ膜を成膜した基板
のＳｉ膜面と、ガラス基板Ｇとの接着もまた可能であ
る。即ち、この場合にＳｉ膜面を陽性に、ガラス基板Ｇ
の導電膜６２を陰性にそれぞれ電気的に接続した後に、
針状電極６３、６４間に電界を印加しながらガラス基板
Ｇの側からレーザー光Ｌを平行光束として被接着面に照
射する。

【００６０】図９は装置の構成図である。レーザー光Ｌ
はレンズ６８、６９、ガラス板７０上にレーザー光Ｌを
反射するメタル膜から成るマスクパターン７１を設けた
マスクＭ、レンズ７２、７３を介してＳｉ基板Ｓに照射
する。

【００６１】この構成において、レーザー光Ｌをレンズ
６８によって拡大し、レンズ６９で平行光にし、その後
にガラス板７０にパターン７１を設けたマスクＭを通過
したレーザー光Ｌがレンズ７２によって縮小され、更に
レンズ７３によって平行光となり、Ｓｉ基板Ｓとガラス
基板Ｇとの間の接着するべき個所を照射しながら、同時
にＳｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間に直流電源６７によ
って電圧印加を行う。

【００６２】上述の光学系を用いることによって、マス
クパターン７１を通過したレーザー光ＬをＳｉ基板Ｓと
ガラス基板Ｇとの間を接着するべき局所個所に導くこと
を可能にする。なお、図９に示した光学系の場合に、Ｓ
ｉ基板Ｓ、ガラス基板Ｇ面に投影されるパターンはマス
クＭの反転パターンであるが、勿論、この光学系にレン
ズを追加することによって、マスクＭの正転パターンと
することも可能である。

【００６３】本実施例において、深さ１０００オングス
トロームの複数の凹型溝部を形成したＳｉ基板Ｓと平板
状ガラス基板Ｇとの間の接着を、この溝部に光が照射さ
れないパターン７１を有する所定のマスクＭを用いて光
照射陽極接合を行ったところ、凹型溝を除く平面でのみ
接着が可能であった。図１０は真空装置を用いた構成図
である。架台８１の上部はベルジャ８２により覆った真
空槽８３となっており、真空槽８３の底板８４上にＸＹ
方向に移動自在のゴニオメータ８５を設ける。ゴニオメ
ータ８５上には導電性のプラテン８６を介して、Ｓｉ基
板Ｓと表面にＩＴＯ薄膜から成る導電膜８７を成膜した
ガラス基板Ｇを載置する。ガラス基板Ｇの導電膜８７に
針状電極８８を接触し、一方でプラテン８６に設けた電
極８９との間に接続コード９０を介して直流電源９１を
接続する。また、底板８４上にはモータ９２によって回
転する回転軸９３を設け、回転軸９３の回転によって上
下動する支持板９４によりガラス基板Ｇを支持する。

【００６４】架台８１の下部には真空排気用ポンプ９
５、レーザー発振器９６を設け、レーザー発振器９６か
らのレーザー光Ｌは図９に示す光学系、底板８４の下面
に設けた真空封止用レーザー通過窓９７を介して、Ｓｉ
基板Ｓを照射する。更に、ガラス基板Ｇの上方の真空槽
８３内にはレーザー光Ｌを受光するための受光器９８を
設け、受光器９８はアーム９９により底板８４に固定す
る。受光器９８の出力は接続コード１００を介して架台
８１に取り付けたテレビモニタ１０１に接続する。

【００６５】本装置における接合原理は図９の装置の場
合と同様である。プラテン８６上にＳｉ基板Ｓを載せ、
支持板９４によりガラス基板Ｇを支持する。切換えによ
って可視光モードにした受光器９８及びテレビモニタ１
０１を通して操作者がＳｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間
の位置決めを真空外からの遠隔操作でゴニオメータ８５
を駆動しながら行った後に、モータ９２を駆動すること
によって支持板９４を下方に移動し、ガラス基板ＧをＳ
ｉ基板Ｓに軽く接触させる。

【００６６】その後に、レンズ６８、６９、７２、７３
から成る光学系を通過したレーザー光ＬをＳｉ基板Ｓ及
びガラス基板Ｇに照射しながら、同時に直流電源９１に
よってＳｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間に電圧を印加す
る。そして、接着中にレーザー光モードに切換えた受光
器９８からの情報もテレビモニタ１０１において観察し
ながら、Ｓｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間の接合個所を
検知することが可能となる。

【００６７】なお、マスクＭを前後左右に移動する機構
を設けることによって、マスクパターン７１に類似の接
合個所を有するＳｉ基板Ｓとガラス基板Ｇとの間の接合
を可能にすることができる。即ち、ステップアンドリピ
ート法によって、Ｓｉ基板Ｓ、ガラス基板Ｇ間に同じ形
状の複数の接合部を形成できる。

【００６８】図１１は第９の実施例による光照射陽極接
合法を用いて作成する光センサチップの説明図である。
Ｓｉ基板Ｓ上の一部に導電層１１１を設け、これらの上
に別個にガラス基板Ｇを載置し、これらのガラス基板Ｇ
をＳｉ薄膜から成る導電膜１１２をそれぞれ成膜し、２
つの導電膜１１２間をレーザー光Ｌの照射によって電子
を放出し、Ｓｉ基板Ｓと絶縁した光電膜１１３で互いに
接続している。導電膜１１２、光電膜１１３から成る上
蓋用ガラス１１４で覆う。導電層１１１と導電膜１１２
間に、直流電源１１５、電流計１１６を接続コード１１
７を介して接続する。なお、電流計１１６は光電膜１１
３によって放出した電子が陽極側である導電層１１１に
飛翔した際に生ずる電流を検知し、上蓋用ガラス１１４
は導電膜１１２を介してガラス基板Ｇに接着することに
よって真空室１１８を形成するためのものである。

【００６９】この光センサチップはＳｉ基板Ｓとガラス
基板Ｇとの間、及びガラス基板Ｇと上蓋用ガラス１１４
上の導電膜１１２との間を、前述までの実施例の何れか
に相当する光照射陽極接合方法によって接合されてい
る。

【００７０】なお、この光センサチップは図１２に示す
ようなマトリックス構成を採っており、図１１は図１２
における位置（a3、b2) の部分のみの断面図である。ま
た、電流計１１６はその付属の回路と共に、図１２の縦
と横の各導電層１１１、導電膜１１２の組合わせ（am、
bn）ごとに設ける。

【００７１】この構成において、レーザー光Ｌが光電膜
１１３を照射した際に、発生した電子は陽極である導電
層１１１に向かって飛翔する。このとき、電流は陽極か
ら陰極に向かって流れる。即ち、レーザー光Ｌが光電膜
１１３を照射するか否かによって、電流が流れるか或い
は流れないの何れかとなる。従って、各電流計１１６に
よって、その電流計１１６に対応するチップ上の各位置
でのレーザー光照射の有無が検出される。レーザー光Ｌ
の代りに可視光を照射した場合においても、光電膜１１
３をマルチアルカリ光電面に変えることによって、同様
に電流が流れるように形成できる。

【００７２】このような光を電気信号に変換可能な微小
な真空室１１８から成る素子作成の場合に、低温加工が
可能で、熱膨張等の影響を受けないので本光照射陽極接
合法は有用であり、生成されたチップは内部応力の少な
い良好なものになる。なお、本実施例に用いたガラスは
パイレックスガラスであるが、感光性ガラスを使用すれ
ば、真空室１１８を加工する場合により容易である。

【００７３】図１３は第１０の実施例による光照射陽極
接合を用いて作成する光メモリチップの説明図である。
Ｓｉ基板Ｓ上に不純物ドーピングによって導電層１１１
を形成し、その上に上部に凹部１１９を設けたパイレッ
クスガラスから成るガラス基板Ｇを載せ、ガラス基板Ｇ
の凹部１１９内にＩＴＯ膜から成る導電膜１２０を成膜
し、導電層１１１と導電膜１２０の間に電圧を印加す
る。

【００７４】この光メモリチップはＳｉ基板Ｓとガラス
基板Ｇとの間を前述までの何れかに相当する光照射接合
方法によって接合する。また、このメモリチップも図１
４に示すようなマトリックス構成を採っており、図１３
は図１４における位置（a2、b3）の部分のみの断面図で
ある。また、電流計１１６はその付属の回路と共に、図
１４の縦と横の各導電層１１１、導電膜１２０の組合わ
せ（am、bn）毎に設けられている。

【００７５】この構成において、レーザー光が凹部１１
９を照射した際に、ガラス基板Ｇの陽イオンから成る不
純物イオンは、陰極である導電膜１２０に向かって移動
し易くなる。即ち、イオン電流が陽極から陰極へ向かっ
て瞬時に流れる。次に、一旦レーザー光Ｌを遮断し、再
度レーザー光Ｌを同様に凹部１１９に照射した場合に、
今度はイオン電流は流れない。そこで、上述のようにレ
ーザー光Ｌが凹部１１９に照射したとき、再びイオン電
流が流れるようにするためには、つまりリフレッシュす
る場合には、レーザー光Ｌを照射しながら電源１１５の
極性を変える。メモリとして動作する微細素子を作製す
る場合に、熱膨張等の影響を受けない本発明の光照射陽
極接合法は有用であり、生成されたチップは内部応力の
少ない良好なものになる。

【００７６】各マトリックス点に光が照射したか否かを
調べる手法、即ち情報読み出しは次のようにして行う。 (1) 各マトリックス点に光を照射しながら、各マトリッ
クス点に電圧を印加する。 a. このとき、イオン電流が流れたマトリックス点は、
予め光が照射していないことを意味し、メモリされてい
ないことになる。 b. 反対に、イオン電流が殆ど流れないマトリックス点
は、予め光が照射していることを意味し、メモリされて
いることになる。 (2) 従って、マトリックスを構成している電極間に、即
ち、Δｍ−ｌｎ（Ｍ×Ｎのマトリックスの場合；ｍ＝１
〜Ｍ、ｎ＝１〜Ｎ）の間に、電圧を或る１つの順序で印
加して、各マトリックス点の導通を調べてゆくことによ
って、全マトリックス点に渡ってメモリの読み出しを行
うことができる。 (3) なお、読み出し後に、更にメモリを保存しておく場
合には、次の操作を行う。即ち、メモリされていないマ
トリックスのみ、読み出し後に光照射を継続したまま、
直ちにマトリックスを構成している電極間の極性を逆に
する。この操作により、マトリックス点のイオンを元の
位置に戻すことができる。

【００７７】図１５は第１１の実施例による光照射陽極
接合法を用いて作製する圧力センサの説明図である。下
部にメンブレン１２１を作成したＳｉ基板Ｓ上に下部に
気密室１２２を設けたパイレックスガラスから成るガラ
ス基板Ｇを載せ、気密室１２２内のＳｉ基板Ｓ上に、Ｓ
ｉ酸化膜から成る絶縁膜１２３、メタルから成り非磁性
体であると共に導電性を有する導電膜１２４を形成す
る。ガラス基板Ｇの上部には段差部１２５を設けると共
に、深溝部１２６を設けこの中の棒状の例えばパーマロ
イから成る軟磁性体１２７を挿入し、高分子接着剤１２
８により固定する。軟磁性体１２７に磁化用の一次コイ
ル１２９、ピックアップ用の二次コイル１３０を巻回
し、一次コイル１２９は交番電流を外部から入力する入
力端子１３１、二次コイル１３０は出力端子１３２と接
続する。ここでは、Ｓｉ基板Ｓとガラス基板Ｇの接合に
前述の何れかの実施例に相当する光照射接合方法を用い
る。

【００７８】この構成において、メンブレン１２１に外
部から圧力が作用した場合に、メンブレン１２１は弓状
に内側か或いは外側方向に反り返る。即ち、気圧が気密
室１２２より高い場合に内側へ反り、逆に低い場合は外
側に反る。このとき、導電膜１２４は軟磁性体１２７に
接近したり遠去かったりするので、導電膜１２４の表面
近傍に渦電流の変化が生ずる。この渦電流の変化により
磁束密度に変化を生じ、結果として二次コイル１３０に
生ずる起電力は変化する。起電力変化量とメンブレン１
２１に作用する外からの圧力を予め較正しておくことに
よって、外からの圧力を検知することが可能となる。更
に、予め既知の圧力下で気密室１２２を製作した場合
に、気密室１２２の圧力を基準とした被測定圧力の定量
測定が可能となる。

【００７９】ただし、測定温度が変化した環境下におい
ては、その分を較正してこのような圧力センサを作製す
るために、熱膨張等の影響を受けない本発明に係る光照
射陽極接合法は有用である。完成したセンサは内部応力
の発生を抑えることができ、より高精度な圧力センシン
グが可能となる。

【００８０】なお、上述の各実施例において、Ｓｉ基板
Ｓを他の材質として、例えばＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｉ、
Ｇｅ、ＧａＡｓ、Ｃｒ合金等の導電体に置き換えること
が可能であり、またガラス基板Ｇは他の非晶質絶縁体に
置き換えることができる。これらの場合に、接合面に光
を到達させるために少なくとも片方の材質を透過するよ
うな光をその材質側から照射するか、少なくとも片方を
光を透過できる薄さにして、その材質側から照射すれば
よい。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光照射
を用いた陽極接合法は、ガラスと導電体の接着すべき部
分に光を照射して接合可能な温度を下げることにより、
熱膨張係数が異なる場合の接着が比較的に容易であり、
またガラス又は導電体に素子を形成してある場合に、高
温により素子特性へ悪影響を及ぼすことがない。更に、
照射個所を遮光マスク等で限定することにより、必要な
部分だけ接着することができる。

【００８２】また、本発明に係る光照射を用いた陽極接
合装置は、陽極接合法を用いて比較的低温で接合を行う
ことができる。

【００８３】本発明に係る陽極接合法による半導体チッ
プは、陽極接合法を用いて部分接合により製造すること
ができる。

【００８４】本発明に係る陽極接合法によるセンサは、
陽極接合法を用いて部分接合により製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１、第２の実施例の接合法の説明図である。

【図２】第３の実施例の接合法の説明図である。

【図３】第４に実施例における接合法の説明図である。

【図４】第５の実施例における部分接合法の説明図であ
る。

【図５】第６の実施例における部分接合法の説明図であ
る。

【図６】第７の実施例における部分接合法の説明図であ
る。

【図７】第８の実施例の部分接合法の説明図である。

【図８】接合部の説明図である。

【図９】光学系を用いた構成図である。

【図１０】真空装置を用いた構成図である。

【図１１】第９の実施例による光センサチップの接合法
の説明図である。

【図１２】光センサチップの電気接続マトリックスの説
明図である。

【図１３】第１０の実施例による光メモリチップの接合
法の説明図である。

【図１４】光メモリチップの電気接続マトリックス説明
図である。

【図１５】第１１の実施例による圧力センサの接合法の
説明図である。

【符号の説明】

Ｓ Ｓｉ基板 Ｇ ガラス基板 Ｌ レーザー光 Ｍ マスク ７、３３、４１、６１、８６ プラテン ９、４４、６７、９１、１１５ 電源 ４８、５１ 薄膜電極 ６２、８７、１１２、１２０、１２４ 導電膜 １１１ 導電層 １１３ 光電極

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電体と非晶質絶縁体との陽極接合法で
   あって、前記導電体と前記非晶質絶縁体とを当接させる
   工程と、前記当接させた導電体と非晶質絶縁体とに電圧
   を印加する工程と、前記当接させた導電体と非晶質絶縁
   体の当接部に向けて光束を照射する工程とから成り、前
   記電圧印加工程と光束照射工程により前記導電体と前記
   非晶質絶縁体とを前記非晶質絶縁体の転移点温度よりも
   低い温度で接合することを特徴とする光照射を用いた陽
   極接合法。
2. 【請求項２】 導電体と非晶質絶縁体との陽極接合を行
   う装置であって、当接すべき前記導電体と前記非晶質絶
   縁体とを所定位置に配置するための支持台と、前記当接
   させた導電体と非晶質絶縁体とに電圧を印加する電圧印
   加回路と、前記当接させた導電体と非晶質絶縁体の当接
   部に向けて光源から光束を照射する照明光学系とを有
   し、前記電圧印加手段による電圧印加と照明系による光
   束照射により前記導電体と前記非晶質絶縁体とを前記非
   晶質絶縁体の転移点温度よりも低い温度で接合すること
   を特徴とする光照射を用いた陽極接合装置。
3. 【請求項３】 導電体と該導電体と接合した非晶質絶縁
   体とを有し、前記導電体と非晶質絶縁体は、当接させた
   前記導電体と非晶質絶縁体とに電圧を印加する工程と、
   前記当接させた導電体と非晶質絶縁体の当接部に向けて
   照明光学系を介して光束を照射する工程とを経て、該非
   晶質絶縁体の転移点温度よりも低い温度で接合して製造
   したことを特徴とする半導体チップ。
4. 【請求項４】 導電体と該導電体と接合した非晶質絶縁
   体とを有し、前記導電体と非晶質絶縁体は、当接させた
   前記導電体と非晶質絶縁体とに電圧を印加する工程と、
   前記当接させた導電体と非晶質絶縁体の当接部に向けて
   照明光学系を介して光束を照射する工程とを経て、前記
   非晶質絶縁体の転移点温度よりも低い温度で接合して製
   造したことを特徴とするセンサ。