JPH05198863A - 磁歪素子 - Google Patents
磁歪素子Info
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- JPH05198863A JPH05198863A JP3351481A JP35148191A JPH05198863A JP H05198863 A JPH05198863 A JP H05198863A JP 3351481 A JP3351481 A JP 3351481A JP 35148191 A JP35148191 A JP 35148191A JP H05198863 A JPH05198863 A JP H05198863A
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- magnetostrictive material
- magnet
- magnetostrictive
- magnetic field
- cylindrical
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 永久磁石によりバイアス磁界を印加する構成
の磁歪素子において、磁歪材内における磁化分布の均一
性を向上させる。 【構成】 磁歪材Ｓの外側に、空隙を挟んで磁石Ｍ1 を
設け、磁石Ｍ1 により磁歪材Ｓにバイアス磁界を印加す
ると共に磁歪材Ｓの磁化分布を改善し、磁化の均一化を
はかる。
の磁歪素子において、磁歪材内における磁化分布の均一
性を向上させる。 【構成】 磁歪材Ｓの外側に、空隙を挟んで磁石Ｍ1 を
設け、磁石Ｍ1 により磁歪材Ｓにバイアス磁界を印加す
ると共に磁歪材Ｓの磁化分布を改善し、磁化の均一化を
はかる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁歪振動子、磁歪アク
チュエータ、磁歪センサ等の磁歪素子に関する。
チュエータ、磁歪センサ等の磁歪素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁歪材料は、磁界印加により変位を生じ
る材料であり、また、変位を与えることにより磁界が発
生するという逆磁歪（ヒラリー効果）を有する材料であ
る。磁歪材料のこのような性質を利用して、磁歪振動
子、磁歪アクチュエータ、磁歪センサ等の様々な能動素
子や受動素子が提案されている。特に、ＴｂＦｅ2 系な
どのＲＦｅ2 ラーベス型金属間化合物は、磁歪量が極め
て大きく超磁歪材料と呼ばれる。そして、このような超
磁歪材料を用いた磁歪素子が近年注目されている。
る材料であり、また、変位を与えることにより磁界が発
生するという逆磁歪（ヒラリー効果）を有する材料であ
る。磁歪材料のこのような性質を利用して、磁歪振動
子、磁歪アクチュエータ、磁歪センサ等の様々な能動素
子や受動素子が提案されている。特に、ＴｂＦｅ2 系な
どのＲＦｅ2 ラーベス型金属間化合物は、磁歪量が極め
て大きく超磁歪材料と呼ばれる。そして、このような超
磁歪材料を用いた磁歪素子が近年注目されている。
【０００３】これらの磁歪素子の構成および作用は、通
常、下記のようなものである。
常、下記のようなものである。
【０００４】（磁歪センサ）磁歪材とバイアス発生用の
磁石とを通常、直列に接触して配置し、これらにコイル
を巻回して磁歪センサを構成する。このような磁歪セン
サに、外部振動や衝撃など磁歪材を変形させる力が加わ
ると、ヒラリー効果によりコイルに電流が誘導される。
この電流または端部電圧を測定することにより、印加さ
れた力を知ることができる。
磁石とを通常、直列に接触して配置し、これらにコイル
を巻回して磁歪センサを構成する。このような磁歪セン
サに、外部振動や衝撃など磁歪材を変形させる力が加わ
ると、ヒラリー効果によりコイルに電流が誘導される。
この電流または端部電圧を測定することにより、印加さ
れた力を知ることができる。
【０００５】（磁歪振動子、磁歪アクチュエータ）磁歪
材、磁石およびコイルを上記磁歪センサと同様に配置
し、コイルに交流電流、パルス電流、直流電流などを印
加して磁界を発生させる。この磁界により生じた振動、
変位などを利用して、振動子やアクチュエータとして用
いる。また、このような構成の磁歪素子を、発音体とし
て利用することもできる。
材、磁石およびコイルを上記磁歪センサと同様に配置
し、コイルに交流電流、パルス電流、直流電流などを印
加して磁界を発生させる。この磁界により生じた振動、
変位などを利用して、振動子やアクチュエータとして用
いる。また、このような構成の磁歪素子を、発音体とし
て利用することもできる。
【０００６】また、これらの磁歪素子において、磁歪材
や磁石と接触するように、磁性材料のヨークを直列に挿
入することにより、閉磁気回路を任意の形状とすること
ができる。
や磁石と接触するように、磁性材料のヨークを直列に挿
入することにより、閉磁気回路を任意の形状とすること
ができる。
【０００７】磁歪材は、印加磁界強度が変化すると磁歪
量もそれに応じて変化するが、このときの変位量は印加
磁界強度には必ずしも比例しない。このため、磁歪振動
子や磁歪アクチュエータなどでは印加磁界強度の変化に
対する変位量の大きい部分を使うために、また、磁歪セ
ンサなどでは印加磁界強度の変化に対して磁歪材の変位
量が直線的に変化するように、通常、直流バイアス磁界
が印加される。
量もそれに応じて変化するが、このときの変位量は印加
磁界強度には必ずしも比例しない。このため、磁歪振動
子や磁歪アクチュエータなどでは印加磁界強度の変化に
対する変位量の大きい部分を使うために、また、磁歪セ
ンサなどでは印加磁界強度の変化に対して磁歪材の変位
量が直線的に変化するように、通常、直流バイアス磁界
が印加される。
【０００８】直流バイアス磁界を印加する方法として
は、コイルに直流電流を流す方法や磁石を用いる方法が
挙げられる。
は、コイルに直流電流を流す方法や磁石を用いる方法が
挙げられる。
【０００９】コイルに直流電流を流す方法では、電流強
度を変えることにより容易にバイアス磁界強度を変更す
ることができる。しかし、磁歪材駆動用の交流電流が流
れるコイルに直流電流を重畳する場合、交流電源と直流
電源との干渉を避けるためにチョークやコンデンサが必
要となるので、素子の構成が複雑化し、大型化してしま
う。また、バイアス磁界用コイルを磁歪材駆動用コイル
と別に設ける場合も、やはり素子の複雑化および大型化
を招く。
度を変えることにより容易にバイアス磁界強度を変更す
ることができる。しかし、磁歪材駆動用の交流電流が流
れるコイルに直流電流を重畳する場合、交流電源と直流
電源との干渉を避けるためにチョークやコンデンサが必
要となるので、素子の構成が複雑化し、大型化してしま
う。また、バイアス磁界用コイルを磁歪材駆動用コイル
と別に設ける場合も、やはり素子の複雑化および大型化
を招く。
【００１０】一方、バイアス磁界発生に磁石を用いる場
合、素子構成が簡単になり、小型の磁歪素子が実現でき
る。
合、素子構成が簡単になり、小型の磁歪素子が実現でき
る。
【００１１】ところで、上記したような超磁歪材料は透
磁率が低いため、超磁歪材料の磁歪材に磁石によりバイ
アス磁界を印加すると、磁石に近い領域では磁化率が高
いが、遠ざかるにつれて磁化率が顕著に低下し、磁歪材
内の磁化分布が著しく不均一となる。このため、一部領
域では最適強度に磁化されていても、他の領域では磁化
が不十分となったり過剰となったりし、磁歪材全体の効
率を高くすることができない。
磁率が低いため、超磁歪材料の磁歪材に磁石によりバイ
アス磁界を印加すると、磁石に近い領域では磁化率が高
いが、遠ざかるにつれて磁化率が顕著に低下し、磁歪材
内の磁化分布が著しく不均一となる。このため、一部領
域では最適強度に磁化されていても、他の領域では磁化
が不十分となったり過剰となったりし、磁歪材全体の効
率を高くすることができない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、磁石によりバイアス磁界を
印加する構成の磁歪素子において、磁歪材内の磁化分布
の均一性を著しく向上させることを目的とする。
情からなされたものであり、磁石によりバイアス磁界を
印加する構成の磁歪素子において、磁歪材内の磁化分布
の均一性を著しく向上させることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）の本発明により達成される。 （１）希土類金属元素と鉄とを含有する柱状または筒状
の磁歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材と
同軸的に配置された筒状の磁石と、軟磁性ヨークとを有
し、前記磁歪材、前記磁石および前記軟磁性ヨークが閉
磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪材との間
に空隙が存在することを特徴とする磁歪素子。
（１）〜（４）の本発明により達成される。 （１）希土類金属元素と鉄とを含有する柱状または筒状
の磁歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材と
同軸的に配置された筒状の磁石と、軟磁性ヨークとを有
し、前記磁歪材、前記磁石および前記軟磁性ヨークが閉
磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪材との間
に空隙が存在することを特徴とする磁歪素子。
【００１４】（２）前記磁歪材が筒状であり、この磁歪
材の内側に柱状または筒状のバイアス磁界印加用磁石を
有し、このバイアス磁界印加用磁石が前記閉磁気回路の
一部を構成している上記（１）に記載の磁歪素子。
材の内側に柱状または筒状のバイアス磁界印加用磁石を
有し、このバイアス磁界印加用磁石が前記閉磁気回路の
一部を構成している上記（１）に記載の磁歪素子。
【００１５】（３）希土類金属元素と鉄とを含有する筒
状の磁歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材
と同軸的に配置された筒状の磁石と、前記磁歪材の内側
に前記磁歪材と同軸的に配置された筒状または柱状のバ
イアス磁界印加用磁石と、軟磁性ヨークとを有し、前記
磁歪材、前記バイアス磁界印加用磁石および前記軟磁性
ヨークが閉磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁
歪材との間に空隙が存在することを特徴とする磁歪素
子。
状の磁歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材
と同軸的に配置された筒状の磁石と、前記磁歪材の内側
に前記磁歪材と同軸的に配置された筒状または柱状のバ
イアス磁界印加用磁石と、軟磁性ヨークとを有し、前記
磁歪材、前記バイアス磁界印加用磁石および前記軟磁性
ヨークが閉磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁
歪材との間に空隙が存在することを特徴とする磁歪素
子。
【００１６】（４）前記磁石の軸方向長さが前記磁歪材
の軸方向長さよりも短い上記（１）ないし（３）のいず
れかに記載の磁歪素子。
の軸方向長さよりも短い上記（１）ないし（３）のいず
れかに記載の磁歪素子。
【００１７】
【作用】本発明の磁歪素子では、柱状または筒状の磁歪
材と同軸的に筒状または柱状の磁石を配置し、これらを
軟磁性ヨークにより磁気的に結合して前記磁歪材にバイ
アス磁界を印加する。このようにしてバイアス磁界が印
加される構成の磁歪素子は、従来、図５および図６にそ
れぞれ示されるような構成を有する。すなわち、磁歪材
Ｓの外側または内側にバイアス磁界印加用磁石Ｍを設
け、これらを軟磁性ヨークＹ1 ，Ｙ2 により磁気的に結
合して閉磁気回路を構成する。これらのように、バイア
ス磁界印加用磁石Ｍと磁歪材Ｓとの間に空隙が設けられ
ていない場合、各図右側のグラフに示されるように、磁
歪材両端部で磁化率が高く中央部で低くなり、磁化が均
一になされない。
材と同軸的に筒状または柱状の磁石を配置し、これらを
軟磁性ヨークにより磁気的に結合して前記磁歪材にバイ
アス磁界を印加する。このようにしてバイアス磁界が印
加される構成の磁歪素子は、従来、図５および図６にそ
れぞれ示されるような構成を有する。すなわち、磁歪材
Ｓの外側または内側にバイアス磁界印加用磁石Ｍを設
け、これらを軟磁性ヨークＹ1 ，Ｙ2 により磁気的に結
合して閉磁気回路を構成する。これらのように、バイア
ス磁界印加用磁石Ｍと磁歪材Ｓとの間に空隙が設けられ
ていない場合、各図右側のグラフに示されるように、磁
歪材両端部で磁化率が高く中央部で低くなり、磁化が均
一になされない。
【００１８】一方、本発明では、図１および図２にそれ
ぞれ示されるように、磁歪材Ｓの外側に空隙を挟んで磁
石Ｍ1 を設け、磁石Ｍ1 により磁歪材Ｓにバイアス磁界
を印加すると共に磁歪材Ｓの磁化分布を改善し、磁化の
均一化をはかる。あるいはさらに、筒状の磁歪材Ｓの内
側にバイアス磁界印加用磁石Ｍ2 を設け、この磁石と磁
歪材Ｓとを軟磁性ヨークＹ1 ，Ｙ2 により磁気的に結合
し、図３に示される構成とする。
ぞれ示されるように、磁歪材Ｓの外側に空隙を挟んで磁
石Ｍ1 を設け、磁石Ｍ1 により磁歪材Ｓにバイアス磁界
を印加すると共に磁歪材Ｓの磁化分布を改善し、磁化の
均一化をはかる。あるいはさらに、筒状の磁歪材Ｓの内
側にバイアス磁界印加用磁石Ｍ2 を設け、この磁石と磁
歪材Ｓとを軟磁性ヨークＹ1 ，Ｙ2 により磁気的に結合
し、図３に示される構成とする。
【００１９】また、本発明の他の態様では、図４に示さ
れるように、筒状の磁歪材Ｓの内側にバイアス磁界印加
用磁石Ｍ2 を設け、この磁石と磁歪材Ｓとを軟磁性ヨー
クＹ1 ，Ｙ2 により磁気的に結合して閉磁気回路を構成
し、この閉磁気回路の外側に磁化分布改善用の磁石Ｍ1
を設ける。
れるように、筒状の磁歪材Ｓの内側にバイアス磁界印加
用磁石Ｍ2 を設け、この磁石と磁歪材Ｓとを軟磁性ヨー
クＹ1 ，Ｙ2 により磁気的に結合して閉磁気回路を構成
し、この閉磁気回路の外側に磁化分布改善用の磁石Ｍ1
を設ける。
【００２０】本発明は上記各構成により、図１〜図４の
右側のグラフに示されるように、磁歪材内の磁化分布の
均一性を著しく向上させることができる。
右側のグラフに示されるように、磁歪材内の磁化分布の
均一性を著しく向上させることができる。
【００２１】なお、上記各構成において、図示されるよ
うに、磁石Ｍ1 の長さを磁歪材Ｓの長さよりも短く構成
すれば、磁化分布均一化効果は著しく向上する。
うに、磁石Ｍ1 の長さを磁歪材Ｓの長さよりも短く構成
すれば、磁化分布均一化効果は著しく向上する。
【００２２】本発明の磁歪素子において、磁化分布改善
用の磁石は、磁歪材中央付近からの磁束漏洩を防ぐ作用
を示す。
用の磁石は、磁歪材中央付近からの磁束漏洩を防ぐ作用
を示す。
【００２３】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明の磁歪素子は、柱状または筒状の磁
歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材と同軸
的に配置された筒状の磁石と、軟磁性ヨークとを有す
る。前記磁歪材、前記磁石および前記軟磁性ヨークは閉
磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪材との間
には空隙が存在する。そして、好ましくは、前記磁石の
軸方向長さを前記磁歪材の軸方向長さよりも短く構成す
る。
に説明する。本発明の磁歪素子は、柱状または筒状の磁
歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材と同軸
的に配置された筒状の磁石と、軟磁性ヨークとを有す
る。前記磁歪材、前記磁石および前記軟磁性ヨークは閉
磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪材との間
には空隙が存在する。そして、好ましくは、前記磁石の
軸方向長さを前記磁歪材の軸方向長さよりも短く構成す
る。
【００２４】このような構成を有する磁歪素子の好適実
施例を、図１および図２に示す。図１に示される磁歪素
子において、磁歪材Ｓは円柱状であり、軸方向長さが磁
歪材Ｓよりも短い磁石Ｍ1 は円筒状である。また、図２
に示される磁歪素子において、磁歪材Ｓは円筒状であ
り、軸方向長さが磁歪材Ｓよりも短い磁石Ｍ1 も円筒状
である。
施例を、図１および図２に示す。図１に示される磁歪素
子において、磁歪材Ｓは円柱状であり、軸方向長さが磁
歪材Ｓよりも短い磁石Ｍ1 は円筒状である。また、図２
に示される磁歪素子において、磁歪材Ｓは円筒状であ
り、軸方向長さが磁歪材Ｓよりも短い磁石Ｍ1 も円筒状
である。
【００２５】これらの磁歪素子において、磁石Ｍ1 は、
透磁率の低い磁歪材Ｓの特に軸方向中央部付近からの磁
束漏洩を抑え、磁歪材Ｓの磁化分布の均一性を向上させ
る。そして、磁石Ｍ1 と磁歪材Ｓとは軟磁性ヨークＹ
1 ，Ｙ2 により磁気的に結合されて閉磁気回路を構成し
ているので、磁石Ｍ1 は磁歪材Ｓにバイアス磁界を印加
する作用も有する。
透磁率の低い磁歪材Ｓの特に軸方向中央部付近からの磁
束漏洩を抑え、磁歪材Ｓの磁化分布の均一性を向上させ
る。そして、磁石Ｍ1 と磁歪材Ｓとは軟磁性ヨークＹ
1 ，Ｙ2 により磁気的に結合されて閉磁気回路を構成し
ているので、磁石Ｍ1 は磁歪材Ｓにバイアス磁界を印加
する作用も有する。
【００２６】また、図２に示される構成のように磁歪材
が筒状である場合、磁歪材の内側に柱状または筒状のバ
イアス磁界印加用磁石を設けてもよい。この場合、バイ
アス磁界印加用磁石は軟磁性ヨークにより磁歪材と結合
されて閉磁気回路を構成する。このような磁歪素子の好
適実施例を、図３に示す。図３に示される磁歪素子は、
図２に示される磁歪素子の磁歪材Ｓの内側に、磁歪材Ｓ
と同軸的に円柱状のバイアス磁界印加用磁石Ｍ2 を設け
た構成であり、軟磁性ヨークＹ1 ，Ｙ2 、磁歪材Ｓ、磁
石Ｍ1 および磁石Ｍ2 は閉磁気回路を構成している。こ
の構成では、磁歪材Ｓには、磁石Ｍ1 およびバイアス磁
界印加用磁石Ｍ2 の両方からバイアス磁界が印加される
ので、強力なバイアス磁界が必要な場合に有用である。
が筒状である場合、磁歪材の内側に柱状または筒状のバ
イアス磁界印加用磁石を設けてもよい。この場合、バイ
アス磁界印加用磁石は軟磁性ヨークにより磁歪材と結合
されて閉磁気回路を構成する。このような磁歪素子の好
適実施例を、図３に示す。図３に示される磁歪素子は、
図２に示される磁歪素子の磁歪材Ｓの内側に、磁歪材Ｓ
と同軸的に円柱状のバイアス磁界印加用磁石Ｍ2 を設け
た構成であり、軟磁性ヨークＹ1 ，Ｙ2 、磁歪材Ｓ、磁
石Ｍ1 および磁石Ｍ2 は閉磁気回路を構成している。こ
の構成では、磁歪材Ｓには、磁石Ｍ1 およびバイアス磁
界印加用磁石Ｍ2 の両方からバイアス磁界が印加される
ので、強力なバイアス磁界が必要な場合に有用である。
【００２７】また、本発明の磁歪素子は、筒状の磁歪材
と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材と同軸的に
配置された筒状の磁石と、前記磁歪材の内側に前記磁歪
材と同軸的に配置された筒状または柱状のバイアス磁界
印加用磁石と、軟磁性ヨークとを有し、前記磁歪材、前
記バイアス磁界印加用磁石および前記軟磁性ヨークが閉
磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪材との間
に空隙が存在する構成としてもよい。この場合も、前記
磁石の軸方向長さを前記磁歪材の軸方向長さよりも短く
構成することが好ましい。この構成の好適実施例を図４
に示す。図４に示される磁歪素子は、図３に示される構
成において、磁歪材Ｓと磁化分布改善用の磁石Ｍ1 とを
軟磁性ヨークにより結合せず、バイアス磁界の印加をバ
イアス磁界印加用磁石Ｍ2 により行なう構成としたもの
である。
と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材と同軸的に
配置された筒状の磁石と、前記磁歪材の内側に前記磁歪
材と同軸的に配置された筒状または柱状のバイアス磁界
印加用磁石と、軟磁性ヨークとを有し、前記磁歪材、前
記バイアス磁界印加用磁石および前記軟磁性ヨークが閉
磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪材との間
に空隙が存在する構成としてもよい。この場合も、前記
磁石の軸方向長さを前記磁歪材の軸方向長さよりも短く
構成することが好ましい。この構成の好適実施例を図４
に示す。図４に示される磁歪素子は、図３に示される構
成において、磁歪材Ｓと磁化分布改善用の磁石Ｍ1 とを
軟磁性ヨークにより結合せず、バイアス磁界の印加をバ
イアス磁界印加用磁石Ｍ2 により行なう構成としたもの
である。
【００２８】本発明の磁歪素子では、図１〜図４に示さ
れるように、磁歪材Ｓの側面と磁化分布改善用の磁石Ｍ
1 の側面との間に空隙が設けられる。この空隙を設ける
ことにより、磁歪材Ｓの磁化分布の均一性が向上する。
磁歪材Ｓと磁石Ｍ1 との距離は、磁歪材Ｓや磁石Ｍ1 の
寸法や特性、これらの間の軟磁性ヨークの有無などに応
じて、あるいは実験的に、磁化分布の一様性が良好とな
るように適宜決定すればよいが、磁歪材Ｓと磁石Ｍ1 と
の距離をＲとし、磁歪材Ｓの軸方向長さをＬsとした
き、０．２≦Ｒ／Ｌs とすることが好ましい。Ｒ／Ｌs
の上限は特にないが、素子を小型化するためにはＲ／Ｌ
s ≦０．６とすることが好ましく、この範囲であれば十
分な効果が得られる。
れるように、磁歪材Ｓの側面と磁化分布改善用の磁石Ｍ
1 の側面との間に空隙が設けられる。この空隙を設ける
ことにより、磁歪材Ｓの磁化分布の均一性が向上する。
磁歪材Ｓと磁石Ｍ1 との距離は、磁歪材Ｓや磁石Ｍ1 の
寸法や特性、これらの間の軟磁性ヨークの有無などに応
じて、あるいは実験的に、磁化分布の一様性が良好とな
るように適宜決定すればよいが、磁歪材Ｓと磁石Ｍ1 と
の距離をＲとし、磁歪材Ｓの軸方向長さをＬsとした
き、０．２≦Ｒ／Ｌs とすることが好ましい。Ｒ／Ｌs
の上限は特にないが、素子を小型化するためにはＲ／Ｌ
s ≦０．６とすることが好ましく、この範囲であれば十
分な効果が得られる。
【００２９】また、磁化分布改善用の磁石Ｍ1 の軸方向
長さＬm を、磁歪材Ｓの軸方向長さＬs よりも短くした
場合、本発明の効果は著しく向上する。この場合、Ｌm
とＬs との比は特に限定されず、磁石Ｍ1 と磁歪材Ｓと
の距離、軟磁性ヨークによる結合の有無、バイアス磁界
印加用磁石Ｍ2 の有無、それらの磁気特性や寸法、磁歪
材の透磁率などの各種条件に応じて適宜決定すればよい
が、好ましくはＬm ／Ｌs ＜１、より好ましくは０．６
≦Ｌm ／Ｌs ≦０．９５とする。
長さＬm を、磁歪材Ｓの軸方向長さＬs よりも短くした
場合、本発明の効果は著しく向上する。この場合、Ｌm
とＬs との比は特に限定されず、磁石Ｍ1 と磁歪材Ｓと
の距離、軟磁性ヨークによる結合の有無、バイアス磁界
印加用磁石Ｍ2 の有無、それらの磁気特性や寸法、磁歪
材の透磁率などの各種条件に応じて適宜決定すればよい
が、好ましくはＬm ／Ｌs ＜１、より好ましくは０．６
≦Ｌm ／Ｌs ≦０．９５とする。
【００３０】なお、磁歪材は磁界印加により軸方向に伸
長または縮小するため、軟磁性ヨークＹ1 およびＹ2 の
少なくとも一方と磁歪材とは固定せず、例えば、軟磁性
ヨークに凹部を設けて磁歪材の端部を挿入し、磁歪材が
摺動する構成とすることが好ましい。
長または縮小するため、軟磁性ヨークＹ1 およびＹ2 の
少なくとも一方と磁歪材とは固定せず、例えば、軟磁性
ヨークに凹部を設けて磁歪材の端部を挿入し、磁歪材が
摺動する構成とすることが好ましい。
【００３１】図１〜図４にそれぞれ示される構成におい
て、磁歪材Ｓ、磁石Ｍ1 、バイアス磁界印加用磁石Ｍ2
は柱状体や筒状体とされるが、柱状体としては、円柱
状、多角柱状等のいずれであってもよく、また、筒状体
としては、円筒状、多角筒状等のいずれであってもよ
く、磁歪素子の用途や要求形状等に応じて適宜選択すれ
ばよい。
て、磁歪材Ｓ、磁石Ｍ1 、バイアス磁界印加用磁石Ｍ2
は柱状体や筒状体とされるが、柱状体としては、円柱
状、多角柱状等のいずれであってもよく、また、筒状体
としては、円筒状、多角筒状等のいずれであってもよ
く、磁歪素子の用途や要求形状等に応じて適宜選択すれ
ばよい。
【００３２】本発明の磁歪素子には、通常、コイルが設
けられる。コイルは、通常、磁歪材および磁石を包囲す
るように配置される。本発明の磁歪素子を振動子やアク
チュエータに適用する場合、コイルには交流電流やパル
ス電流、直流電流などが流され、発生した磁界は磁歪材
に印加される。また、本発明の磁歪素子をセンサに適用
する場合、外部振動や衝撃など磁歪材を変形させる力が
加わると、ヒラリー効果によりコイルに電流が誘導され
るので、この電流または端部電圧を測定することによ
り、印加された力を知ることができる。
けられる。コイルは、通常、磁歪材および磁石を包囲す
るように配置される。本発明の磁歪素子を振動子やアク
チュエータに適用する場合、コイルには交流電流やパル
ス電流、直流電流などが流され、発生した磁界は磁歪材
に印加される。また、本発明の磁歪素子をセンサに適用
する場合、外部振動や衝撃など磁歪材を変形させる力が
加わると、ヒラリー効果によりコイルに電流が誘導され
るので、この電流または端部電圧を測定することによ
り、印加された力を知ることができる。
【００３３】本発明で用いる磁歪材は、希土類金属元素
および鉄を含有する。このような磁歪材は磁歪量が大き
いため、磁歪アクチュエータ等の能動素子、磁歪センサ
等の受動素子のいずれにも好適である。
および鉄を含有する。このような磁歪材は磁歪量が大き
いため、磁歪アクチュエータ等の能動素子、磁歪センサ
等の受動素子のいずれにも好適である。
【００３４】磁歪材の具体的組成は特に限定されない
が、１kOe の直流磁界下での磁歪量Δｌ／ｌが１０００
ｐｐｍ以上であることが好ましい。これらのうち特に、
下記式で表わされる組成を有するものを用いた時、より
高性能な磁歪素子を作製することができる。
が、１kOe の直流磁界下での磁歪量Δｌ／ｌが１０００
ｐｐｍ以上であることが好ましい。これらのうち特に、
下記式で表わされる組成を有するものを用いた時、より
高性能な磁歪素子を作製することができる。
【００３５】式 ＲＴx
【００３６】上記式において、Ｒはイットリウム（Ｙ）
を含む希土類金属元素のうちの１種以上を表わし、Ｔは
Ｆｅ、ＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を表わす。ま
た、上記式において、１．５≦ｘ≦２．５、特に１．８
５≦ｘ≦２．００であることが好ましい。ｘが上記範囲
外となると、高磁界における磁歪量および単位磁界強度
あたりの磁歪変化量ｄλ／ｄＨが低下する。
を含む希土類金属元素のうちの１種以上を表わし、Ｔは
Ｆｅ、ＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を表わす。ま
た、上記式において、１．５≦ｘ≦２．５、特に１．８
５≦ｘ≦２．００であることが好ましい。ｘが上記範囲
外となると、高磁界における磁歪量および単位磁界強度
あたりの磁歪変化量ｄλ／ｄＨが低下する。
【００３７】希土類金属元素としては、Ｌａ、Ｎｄ、Ｐ
ｒ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｍのランタノイド元素が好ましく、
これらから選ばれる１種以上の元素の組合せとしては、
Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＴｍ単独、ＴｂＧ
ｄ、ＴｂＤｙ、ＴｂＨｏ、ＴｂＨｏＤｙ、ＳｍＴｂ、Ｓ
ｍＤｙ、ＳｍＨｏ、ＳｍＥｒ、ＳｍＨｏＤｙならびにＨ
ｏ、ＥｒおよびＤｙから選択される２種以上の元素の少
なくとも１種が好ましく、さらに、常温で高磁界および
低磁界での磁歪量が優れている点から、これらのうち特
に、Ｔｂ単独、Ｔｂの一部をＤｙおよび／またはＨｏで
置換したもの、Ｓｍ単独、Ｓｍの一部をＤｙおよび／ま
たはＨｏで置換したものが好ましい。なお、Ｔｂを含有
するものは正の磁歪を示し、Ｓｍを含有するものは負の
磁歪を示す。
ｒ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｍのランタノイド元素が好ましく、
これらから選ばれる１種以上の元素の組合せとしては、
Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒおよびＴｍ単独、ＴｂＧ
ｄ、ＴｂＤｙ、ＴｂＨｏ、ＴｂＨｏＤｙ、ＳｍＴｂ、Ｓ
ｍＤｙ、ＳｍＨｏ、ＳｍＥｒ、ＳｍＨｏＤｙならびにＨ
ｏ、ＥｒおよびＤｙから選択される２種以上の元素の少
なくとも１種が好ましく、さらに、常温で高磁界および
低磁界での磁歪量が優れている点から、これらのうち特
に、Ｔｂ単独、Ｔｂの一部をＤｙおよび／またはＨｏで
置換したもの、Ｓｍ単独、Ｓｍの一部をＤｙおよび／ま
たはＨｏで置換したものが好ましい。なお、Ｔｂを含有
するものは正の磁歪を示し、Ｓｍを含有するものは負の
磁歪を示す。
【００３８】なお、このような組成中には、さらに全体
の３０原子％以下の範囲で他の遷移金属元素やＺｎ等が
含有されていてもよい。遷移金属元素としては、Ｓｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇなどが使用可
能である。
の３０原子％以下の範囲で他の遷移金属元素やＺｎ等が
含有されていてもよい。遷移金属元素としては、Ｓｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇなどが使用可
能である。
【００３９】このような磁歪材料は、米国特許第４，３
７５，３７２号明細書、同第４，１５２，１７８号明細
書、同第３，９４９，３５１号明細書、同第４，３０
８，４７４号明細書、同第４，３７８，２５８号明細書
等、特開昭５３−６４７９８号公報、本出願人による特
願昭６２−１７２３７６号、同６２−２２７９６２号、
同６２−２２７９６３号、同６３−２８４１３３号、同
６３−２８４１３４号、特願平１−４１１７１号等に開
示されている。
７５，３７２号明細書、同第４，１５２，１７８号明細
書、同第３，９４９，３５１号明細書、同第４，３０
８，４７４号明細書、同第４，３７８，２５８号明細書
等、特開昭５３−６４７９８号公報、本出願人による特
願昭６２−１７２３７６号、同６２−２２７９６２号、
同６２−２２７９６３号、同６３−２８４１３３号、同
６３−２８４１３４号、特願平１−４１１７１号等に開
示されている。
【００４０】磁歪材は、一般的な合金製造法、例えば、
アークメルト法、一方向性凝固法、ゾーンメルト法、高
周波溶解法、粉末冶金法等によって製造され、所定の形
状および寸法に成型加工される。
アークメルト法、一方向性凝固法、ゾーンメルト法、高
周波溶解法、粉末冶金法等によって製造され、所定の形
状および寸法に成型加工される。
【００４１】磁石Ｍ1 ，Ｍ2 の組成に特に制限はなく、
要求される磁界強度に応じて、Ｓｍ−Ｃｏ系やＮｄ−Ｆ
ｅ−Ｂ系等の各種希土類磁石、あるいは各種フェライト
磁石などから適宜選択すればよい。
要求される磁界強度に応じて、Ｓｍ−Ｃｏ系やＮｄ−Ｆ
ｅ−Ｂ系等の各種希土類磁石、あるいは各種フェライト
磁石などから適宜選択すればよい。
【００４２】また、ヨークの材質にも特に制限はなく、
高飽和磁束密度で高透磁率の各種軟磁性材料、例えばＳ
４５Ｃ等の炭素鋼を用いればよい。
高飽和磁束密度で高透磁率の各種軟磁性材料、例えばＳ
４５Ｃ等の炭素鋼を用いればよい。
【００４３】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。図１〜図６にそれぞれ示され
る構成の磁歪素子を作製した。各図において、Ｓは磁歪
材、Ｍ1 は磁化分布改善用あるいは磁化分布の改善およ
びバイアス磁界印加用の磁石、Ｍ2 はバイアス磁界印加
用磁石、Ｙ1 およびＹ2 はヨークである。磁歪材および
磁石の形状は円柱状または円筒状とした。なお、図５お
よび図６にそれぞれ示される磁歪素子は比較例である。
これらの磁歪素子のバイアス磁界印加用磁石Ｍは磁歪材
と密着しており、磁化分布改善用の磁石ではない。
をさらに詳細に説明する。図１〜図６にそれぞれ示され
る構成の磁歪素子を作製した。各図において、Ｓは磁歪
材、Ｍ1 は磁化分布改善用あるいは磁化分布の改善およ
びバイアス磁界印加用の磁石、Ｍ2 はバイアス磁界印加
用磁石、Ｙ1 およびＹ2 はヨークである。磁歪材および
磁石の形状は円柱状または円筒状とした。なお、図５お
よび図６にそれぞれ示される磁歪素子は比較例である。
これらの磁歪素子のバイアス磁界印加用磁石Ｍは磁歪材
と密着しており、磁化分布改善用の磁石ではない。
【００４４】図中に、各構成部材の寸法と、磁化分布改
善用の磁石Ｍ1 の軸方向長さＬm と磁歪材Ｓの軸方向長
さＬs との比（Ｌm ／Ｌs ）を示した。寸法は、直径
φ、軸方向長さＬで表わし、円筒状の場合には、（外径
−内径）φで表わした。単位はmmである。なお、図示さ
れる断面図の横方向の寸法比は実際の寸法比とは一致し
ていないが、縦方向（軸方向）の寸法比とグラフとは対
応している。
善用の磁石Ｍ1 の軸方向長さＬm と磁歪材Ｓの軸方向長
さＬs との比（Ｌm ／Ｌs ）を示した。寸法は、直径
φ、軸方向長さＬで表わし、円筒状の場合には、（外径
−内径）φで表わした。単位はmmである。なお、図示さ
れる断面図の横方向の寸法比は実際の寸法比とは一致し
ていないが、縦方向（軸方向）の寸法比とグラフとは対
応している。
【００４５】磁歪材の組成はＴｂ0.3 Ｄｙ0.7 Ｆｅ1.95
とし、ゾーンメルト法により作製した。磁石には希土類
磁石（ＴＤＫ製 NEOREC 30 UH ）を用いた。ヨークに
は、炭素鋼（Ｓ４５Ｃ）を用いた。
とし、ゾーンメルト法により作製した。磁石には希土類
磁石（ＴＤＫ製 NEOREC 30 UH ）を用いた。ヨークに
は、炭素鋼（Ｓ４５Ｃ）を用いた。
【００４６】これらの各磁歪材について、磁歪材の軸上
の磁化分布をシミュレーションにより求め、図中右側に
示した。磁化分布の測定位置は、磁歪材が円柱状である
場合には磁歪材の軸上とし、磁歪材が円筒状である場合
には、磁歪材の周壁の中央を含み磁歪材の軸と平行な直
線上とした。シミュレーションには、有限要素法を用い
た磁場解析プログラム（ＭＡＧＮＡ ＦＩＭ）を用い
た。
の磁化分布をシミュレーションにより求め、図中右側に
示した。磁化分布の測定位置は、磁歪材が円柱状である
場合には磁歪材の軸上とし、磁歪材が円筒状である場合
には、磁歪材の周壁の中央を含み磁歪材の軸と平行な直
線上とした。シミュレーションには、有限要素法を用い
た磁場解析プログラム（ＭＡＧＮＡ ＦＩＭ）を用い
た。
【００４７】これらの図から、本発明の効果が明らかで
ある。すなわち、図１〜図４に示される本発明の磁歪素
子では、図５および図６に示される比較例に対し、磁歪
材Ｓ内の磁化分布の一様性が向上している。
ある。すなわち、図１〜図４に示される本発明の磁歪素
子では、図５および図６に示される比較例に対し、磁歪
材Ｓ内の磁化分布の一様性が向上している。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、永久磁石によりバイア
ス磁界を印加する構成の磁歪素子において、磁歪材内の
磁化分布の均一性を著しく向上させることができるの
で、磁歪材の全域に最適なバイアス磁界を印加すること
ができ、磁歪材の利用効率が向上する。
ス磁界を印加する構成の磁歪素子において、磁歪材内の
磁化分布の均一性を著しく向上させることができるの
で、磁歪材の全域に最適なバイアス磁界を印加すること
ができ、磁歪材の利用効率が向上する。
【図１】本発明の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図２】本発明の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図４】本発明の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図５】従来の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記磁
歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図６】従来の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記磁
歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
Ｓ 磁歪材 Ｍ バイアス磁界印加用磁石 Ｍ1 磁石 Ｍ2 バイアス磁界印加用磁石 Ｙ1 軟磁性ヨーク Ｙ2 軟磁性ヨーク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図２】本発明の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図３】本発明の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図４】本発明の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
磁歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図５】従来の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記磁
歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【図６】従来の磁歪素子の一例を示す断面図と、前記磁
歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
歪素子の磁歪材内の磁化分布を示すグラフである。
【符号の説明】 Ｓ 磁歪材 Ｍ バイアス磁界印加用磁石 Ｍ１ 磁石 Ｍ２ バイアス磁界印加用磁石 Ｙ１ 軟磁性ヨーク Ｙ２ 軟磁性ヨーク
Claims (4)
- 【請求項１】 希土類金属元素と鉄とを含有する柱状ま
たは筒状の磁歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記
磁歪材と同軸的に配置された筒状の磁石と、軟磁性ヨー
クとを有し、前記磁歪材、前記磁石および前記軟磁性ヨ
ークが閉磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪
材との間に空隙が存在することを特徴とする磁歪素子。 - 【請求項２】 前記磁歪材が筒状であり、この磁歪材の
内側に柱状または筒状のバイアス磁界印加用磁石を有
し、このバイアス磁界印加用磁石が前記閉磁気回路の一
部を構成している請求項１に記載の磁歪素子。 - 【請求項３】 希土類金属元素と鉄とを含有する筒状の
磁歪材と、前記磁歪材を包囲するように前記磁歪材と同
軸的に配置された筒状の磁石と、前記磁歪材の内側に前
記磁歪材と同軸的に配置された筒状または柱状のバイア
ス磁界印加用磁石と、軟磁性ヨークとを有し、前記磁歪
材、前記バイアス磁界印加用磁石および前記軟磁性ヨー
クが閉磁気回路を構成しており、前記磁石と前記磁歪材
との間に空隙が存在することを特徴とする磁歪素子。 - 【請求項４】 前記磁石の軸方向長さが前記磁歪材の軸
方向長さよりも短い請求項１ないし３のいずれかに記載
の磁歪素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03351481A JP3119707B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 磁歪素子 |
| US07/984,554 US5357232A (en) | 1991-12-12 | 1992-12-02 | Magnetostrictive element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03351481A JP3119707B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 磁歪素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198863A true JPH05198863A (ja) | 1993-08-06 |
| JP3119707B2 JP3119707B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=18417584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03351481A Expired - Fee Related JP3119707B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 磁歪素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5357232A (ja) |
| JP (1) | JP3119707B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004354116A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 検査装置および検査方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3452210B2 (ja) * | 1994-04-19 | 2003-09-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁歪材の製造方法 |
| FI943032A0 (fi) * | 1994-06-22 | 1994-06-22 | Valtion Teknillinen | Foerfarande foer framstaellning magnetostriktivt material |
| US5602434A (en) * | 1995-03-31 | 1997-02-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Pulse controlled motion conversion system for magnetostrictive motor |
| JP3541996B2 (ja) * | 1995-09-26 | 2004-07-14 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁歪装置 |
| US6433991B1 (en) | 2000-02-02 | 2002-08-13 | Schlumberger Technology Corp. | Controlling activation of devices |
| US6321845B1 (en) | 2000-02-02 | 2001-11-27 | Schlumberger Technology Corporation | Apparatus for device using actuator having expandable contractable element |
| JP2004266035A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Tdk Corp | 引き型アクチュエータ |
| JP2005136091A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Sony Corp | 磁歪素子 |
| US7303041B2 (en) * | 2005-08-22 | 2007-12-04 | Key Safety Systems, Inc. | Vehicle soft impact detection |
| JP2007318586A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sony Corp | ハイブリッドアクチュエータ、スピーカ装置および音声出力方法 |
| US8520722B2 (en) * | 2007-10-22 | 2013-08-27 | Viasat, Inc. | IF interface |
| US8212436B2 (en) * | 2010-02-01 | 2012-07-03 | Oscilla Power, Inc. | Apparatus for harvesting electrical power from mechanical energy |
| NZ603031A (en) * | 2010-04-27 | 2014-10-31 | Oscilla Power Inc | Apparatus for harvesting electrical power from mechanical energy |
| WO2012073262A2 (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | Politecnico Di Milano | "a device for sound reproduction with coaxial acoustic actuators" |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH168483A (de) * | 1932-05-23 | 1934-04-15 | Bachmann Arnold | Wetter-Zeiger. |
| US2435487A (en) * | 1943-02-01 | 1948-02-03 | Zenith Radio Corp | Electromechanical vibrator |
| US3256738A (en) * | 1963-05-23 | 1966-06-21 | Simmonds Precision Products | Magnetostrictive transducer |
| US3283184A (en) * | 1963-11-04 | 1966-11-01 | Phillips Petroleum Co | Detonation pickup |
| DE1230576B (de) * | 1964-03-19 | 1966-12-15 | Prakla Gmbh | Zylindrischer magnetostriktiver Schallempfaenger |
| US3274540A (en) * | 1964-12-30 | 1966-09-20 | Leonard J Melhart | High energy sonic and ultra-sonic magnetostriction transducer |
| US3939448A (en) * | 1974-07-12 | 1976-02-17 | Garshelis Ivan J | Mechanical magnets of magnetostrictive, remanent, circularly magnetized material |
| US4845450A (en) * | 1986-06-02 | 1989-07-04 | Raytheon Company | Self-biased modular magnetostrictive driver and transducer |
| JPH03169086A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-22 | Komatsu Ltd | 磁歪アクチュエータ |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP03351481A patent/JP3119707B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-02 US US07/984,554 patent/US5357232A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004354116A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 検査装置および検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5357232A (en) | 1994-10-18 |
| JP3119707B2 (ja) | 2000-12-25 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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