JPH05198633A - Prober for semiconductor wafer - Google Patents

Prober for semiconductor wafer

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Publication number
JPH05198633A
JPH05198633A JP4009066A JP906692A JPH05198633A JP H05198633 A JPH05198633 A JP H05198633A JP 4009066 A JP4009066 A JP 4009066A JP 906692 A JP906692 A JP 906692A JP H05198633 A JPH05198633 A JP H05198633A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
prober
chuck top
chuck
electrode plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP4009066A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Kawai
河合  誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH05198633A publication Critical patent/JPH05198633A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To control a noise caused by impedance, by shortening a conductive path when a voltage is applied to the rear of a semiconductor wafer. CONSTITUTION:An electrode plate 11 supplied from a DUT board 1 is installed on the bottom of the DUT board 1. pogo pins 15, which are electrically connected to a chuck top 4 and are connectably installed to the electrode plate 11, are provided on the side of the chuck top 4. Since a potential is applied on the chuck top 4 by contacting the pogo pins 15 with the electrode plate 11, a short, conductive path between the chuck top 4 and a power source is obtained. Thus, the potential is applied on the chuck top 4 through the short wiring and a noise caused by impedance is controlled.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ上に形成
された素子の検査,試験等を行うときに使用する半導体
ウエハ用プローバに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer prober used for inspecting, testing, etc., an element formed on a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の半導体ウエハ用プローバ
は、図8に示すように構成されていた。図8は従来の半
導体ウエハ用プローバを示す側面図である。同図におい
て、1は試験用回路を搭載した試験用回路基板としての
DUTボード、2はこのDUTボード1に設けられたプ
ローブカードである。なお、2aはプローブカード2に
立設されたプローブピンである。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor wafer prober of this type is constructed as shown in FIG. FIG. 8 is a side view showing a conventional semiconductor wafer prober. In FIG. 1, reference numeral 1 is a DUT board as a test circuit board on which a test circuit is mounted, and 2 is a probe card provided on the DUT board 1. In addition, 2a is a probe pin provided upright on the probe card 2.

【0003】3は半導体ウエハ(以下、単にウエハとい
う)で、このウエハ3には不図示の被試験素子が形成さ
れている。4はこのウエハ3を載せて搬送するウエハチ
ャックとしてのチャックトップである。4aはチャック
トップ4に電気的に接続された接続端子で、この接続端
子4aはケーブル5を介して接続コネクタ6に接続され
ている。なお、接続コネクタ6は装置筐体などに固定さ
れている。
Reference numeral 3 denotes a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a wafer), on which an element under test (not shown) is formed. A chuck top 4 serves as a wafer chuck on which the wafer 3 is placed and conveyed. Reference numeral 4 a denotes a connection terminal electrically connected to the chuck top 4, and the connection terminal 4 a is connected to the connection connector 6 via the cable 5. The connection connector 6 is fixed to the housing of the device.

【0004】次に、このように構成された従来の半導体
ウエハ用プローバによってウエハ3の試験を行なう手順
について説明する。先ず、チャックトップ4上にウエハ
3を載置固定し、このチャックトップ4を移動させてウ
エハ3をプローブカード2の真下に位置づける。
Next, a procedure for testing the wafer 3 by the conventional semiconductor wafer prober thus constructed will be described. First, the wafer 3 is placed and fixed on the chuck top 4, and the chuck top 4 is moved to position the wafer 3 directly below the probe card 2.

【0005】その後、チャックトップ4を上昇させ、ウ
エハ3の被試験素子にプローブピン2aを接触させる。
この状態で被試験素子とDUTボード1がプローブカー
ド2を介して電気的に接続されることになる。
After that, the chuck top 4 is raised to bring the probe pin 2a into contact with the device under test of the wafer 3.
In this state, the device under test and the DUT board 1 are electrically connected via the probe card 2.

【0006】このように位置決め操作が終了した後、D
UTボード1により各種信号,電圧が与えられ、試験が
実施される。そして、試験に際してウエハ3に電位を与
える必要がある場合には、接続コネクタ6に電圧源を接
続する。このようにすると、ケーブル5,接続端子4a
およびチャックトップ4を介してウエハ3に電圧が印加
されるようになる。このようにして試験が行なわれる。
After the positioning operation is completed in this way, D
Various signals and voltages are applied by the UT board 1 to perform the test. When it is necessary to apply a potential to the wafer 3 during the test, a voltage source is connected to the connector 6. In this way, the cable 5 and the connection terminal 4a
Then, the voltage is applied to the wafer 3 via the chuck top 4. The test is performed in this manner.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の半導
体ウエハ用プローバは以上のように構成されているの
で、チャックトップ4に電位を与える場合はプローバの
外部から長い(約70cm)ケーブル5を介して電位を印
加しており、インピーダンスの増加に伴いノイズが重畳
することがあった。また、近年のLSI素子の高速化に
伴い、このノイズが大きくなって被試験素子の動作に影
響を与えることがあった。
However, since the conventional semiconductor wafer prober is constructed as described above, when a potential is applied to the chuck top 4, a long (about 70 cm) cable 5 is applied from the outside of the prober. The electric potential is applied by applying the electric potential, and noise may be superimposed as the impedance increases. Further, with the recent increase in the speed of LSI elements, this noise may increase and affect the operation of the device under test.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ハ用プローバは、試験用回路基板におけるウエハチャッ
クと対向する部位にこの試験用回路基板から給電される
ウエハ背面給電用電極を設け、ウエハチャック側に、ウ
エハチャックに電気的に接続されかつ前記ウエハ背面給
電用電極に対して接離自在に設けられた接触子を配設し
たものである。
A prober for a semiconductor wafer according to the present invention is provided with a wafer backside power supply electrode for supplying power from the test circuit board to a portion of the test circuit board facing the wafer chuck. On the side, a contactor that is electrically connected to the wafer chuck and that is provided so as to be able to come into contact with and separate from the wafer backside power supply electrode is disposed.

【0009】[0009]

【作用】接触子をウエハ背面用電極に接触させることで
ウエハチャックに電位が付与されるから、ウエハチャッ
クと電源との導通経路が短くて済む。
The potential is applied to the wafer chuck by bringing the contactor into contact with the wafer back surface electrode, so that the conduction path between the wafer chuck and the power supply can be short.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図4に
よって詳細に説明する。図1は本発明に係る半導体ウエ
ハ用プローバを示す断面図、図2はウエハチャックと接
触子との接続部を拡大して示す断面図、図3は試験用回
路基板とウエハ背面給電用電極との接続部を拡大して示
す断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 1 is a sectional view showing a prober for semiconductor wafers according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a connecting portion between a wafer chuck and a contactor, and FIG. 3 is a test circuit board and a wafer backside power supply electrode. It is sectional drawing which expands and shows the connection part of.

【0011】図4は本発明に係る半導体ウエハ用プロー
バの動作を説明するための断面図で、同図(a)はプロ
ーブカードの真下にウエハを搬送した状態を示し、同図
(b)は接触子をウエハ背面給電用電極に接触させた状
態を示し、同図(c)はウエハをプローブピンに接触さ
せた状態を示す。これらの図において前記図8で説明し
たものと同一もしくは同等部材については、同一符号を
付し詳細な説明は省略する。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the operation of the prober for semiconductor wafers according to the present invention. FIG. 4 (a) shows a state in which the wafer is transferred directly under the probe card, and FIG. 4 (b) shows it. The state where the contactor is brought into contact with the wafer backside power supply electrode is shown, and FIG. 7C shows the state where the wafer is brought into contact with the probe pin. In these figures, the same or equivalent members as those described in FIG. 8 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0012】これらの図において、11はウエハ3の背
面に電圧を印加するためのウエハ背面給電用電極として
の電極板で、この電極板11はDUTボード1の下面側
に固定されており、ケーブル12を介してDUTボード
1に接続されている。なお、この電極板11は、DUT
ボード1のウエハ背面用電源ライン(図示せず)に接続
されている。
In these figures, 11 is an electrode plate as a wafer backside power supply electrode for applying a voltage to the backside of the wafer 3, and this electrode plate 11 is fixed to the lower surface side of the DUT board 1 and is a cable. It is connected to the DUT board 1 via 12. The electrode plate 11 is a DUT.
It is connected to a power supply line (not shown) for the back surface of the wafer of the board 1.

【0013】13はチャックトップ4の下方に配置され
た接触用リングである。この接触用リング13は外周部
がチャックトップ4の外周側に延在されており、不図示
の昇降装置に連結されて昇降自在とされている。また、
この接触用リング13はケーブル14を介してチャック
トップ4に電気的に接続されている。
Reference numeral 13 denotes a contact ring arranged below the chuck top 4. An outer peripheral portion of the contact ring 13 extends to the outer peripheral side of the chuck top 4, and is connected to an elevating device (not shown) so as to be vertically movable. Also,
The contact ring 13 is electrically connected to the chuck top 4 via a cable 14.

【0014】そして、この接触用リング13の外周部に
おける前記電極板11の丁度真下となる位置には、接触
子としてのポゴピン15が上下方向に移動自在に支持さ
れている。なお、ポゴピン15は複数個設けられてい
る。また、各ポゴピン15と接触用リング13との間に
はばね15aが介装され、このばね15aによって各ポ
ゴピン15は上方へ付勢されている。
A pogo pin 15 as a contactor is movably supported in the vertical direction at a position just below the electrode plate 11 on the outer peripheral portion of the contact ring 13. A plurality of pogo pins 15 are provided. Further, a spring 15a is interposed between each pogo pin 15 and the contact ring 13, and each pogo pin 15 is biased upward by this spring 15a.

【0015】このように構成された本発明に係る半導体
ウエハ用プローバを使用してウエハ3の試験を行なう手
順について説明する。先ず、電極板11をDUTボード
1のウエハ背面用電源ラインに接続し、電極板11全体
を所定の電位にする。そして、図4(a)に示すよう
に、従来と同様にしてウエハ3をチャックトップ4上に
載置固定し、プローブカード2の真下に位置づける。
The procedure for testing the wafer 3 using the semiconductor wafer prober according to the present invention having the above-described structure will be described. First, the electrode plate 11 is connected to the wafer backside power supply line of the DUT board 1, and the entire electrode plate 11 is set to a predetermined potential. Then, as shown in FIG. 4A, the wafer 3 is mounted and fixed on the chuck top 4 in the same manner as in the conventional case, and is positioned directly below the probe card 2.

【0016】その後、図4(b)に示すように、接触用
リング13を上昇させ、ポゴピン15を電極板11に下
方から接触させる。これによりチャックトップ4の電位
が電極板11と同電位となり、ウエハ3に電圧が印加さ
れることになる。
After that, as shown in FIG. 4B, the contact ring 13 is raised to bring the pogo pin 15 into contact with the electrode plate 11 from below. As a result, the potential of the chuck top 4 becomes the same as that of the electrode plate 11, and the voltage is applied to the wafer 3.

【0017】次に、図4(c)に示すようにチャックト
ップ4を上昇させ、ウエハ3の被試験素子(図示せず)
をプローブカード2のプローブピン2aに接触させる。
この状態でDUTボード1から所定の電圧,信号が与え
られて試験が行なわれる。
Next, as shown in FIG. 4 (c), the chuck top 4 is raised and the device under test (not shown) on the wafer 3 is tested.
To the probe pin 2a of the probe card 2.
In this state, a predetermined voltage and signal are applied from the DUT board 1 to perform the test.

【0018】なお、本実施例ではポゴピン15を電極板
11に接触させた後にウエハ3をプローブピン2aに接
触させる例を示したが、これとは逆に、ウエハ3をプロ
ーブピン2aに接触させた後にポゴピン15を電極板1
1に接触させることもできる。なお、同時に接触させる
ことも可能である。
In this embodiment, the wafer 3 is brought into contact with the probe pin 2a after the pogo pin 15 is brought into contact with the electrode plate 11. However, conversely, the wafer 3 is brought into contact with the probe pin 2a. After the pogo pin 15
It is also possible to contact 1. It is also possible to contact them at the same time.

【0019】したがって、ポゴピン15を電極板11に
接触させることでチャックトップ4に電位が付与される
から、チャックトップ4とウエハ背面用電源との導通経
路が短くて済む。
Therefore, since the electric potential is applied to the chuck top 4 by bringing the pogo pin 15 into contact with the electrode plate 11, the conduction path between the chuck top 4 and the wafer backside power supply can be short.

【0020】また、接触子としては、本実施例ではポゴ
ピン15を使用したが、充分に接触がとれるものである
ならば、例えば図5に示すようなリング状のものでもよ
い。図5は接触子の他の例を示す断面図である。同図に
おいて前記図1ないし図4で説明したものと同一もしく
は同等部材については、同一符号を付し詳細な説明は省
略する。
Although the pogo pins 15 are used as the contacts in this embodiment, they may be ring-shaped as shown in FIG. 5 as long as they can make sufficient contact. FIG. 5 is a sectional view showing another example of the contactor. In the figure, the same or equivalent members as those described in FIGS. 1 to 4 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0021】図5において21は接触子としてのリン
グ、22はこのリング21を上方へ付勢するためのばね
である。
In FIG. 5, 21 is a ring as a contactor, and 22 is a spring for urging the ring 21 upward.

【0022】図1ないし図4に示す実施例ではチャック
トップ4と接触用リング13が独自に上下動する構造と
したが、ウエハ3に対して電圧源の印加順序を特に考慮
する必要がない場合は図6に示すようにチャックトップ
と接触用リングとを一体化してもよい。
In the embodiment shown in FIGS. 1 to 4, the chuck top 4 and the contact ring 13 are independently moved up and down, but when the order of applying the voltage sources to the wafer 3 need not be particularly considered. The chuck top and the contact ring may be integrated as shown in FIG.

【0023】図6は本発明に係る半導体ウエハ用プロー
バの他の実施例を示す断面図で、同図において前記図1
ないし図4で説明したものと同一もしくは同等部材につ
いては、同一符号を付し詳細な説明は省略する。図6に
示したチャックトップ4は、ポゴピン15が上下動自在
に装着されている。
FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of the prober for semiconductor wafers according to the present invention. In FIG.
The same or equivalent members as those described in FIG. 4 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The chuck top 4 shown in FIG. 6 has a pogo pin 15 mounted so as to be vertically movable.

【0024】なお、上述した各例では、電極板11を接
触子との接触のためだけに用いたが、図7に示すように
構成することもできる。図7は電極板の他の例を示す図
で、同図(a)はDUTボード取付前の状態を示し、同
図(b)はDUTボード取付後の状態を示し、同図
(c)は電極板用中継端子の断面図を示す。これらの図
において前記図1ないし図4で説明したものと同一もし
くは同等部材については、同一符号を付し詳細な説明は
省略する。
In each of the above-mentioned examples, the electrode plate 11 is used only for contact with the contactor, but it may be constructed as shown in FIG. 7A and 7B are views showing another example of the electrode plate. FIG. 7A shows a state before the DUT board is attached, FIG. 7B shows a state after the DUT board is attached, and FIG. The sectional view of the relay terminal for electrode plates is shown. In these drawings, the same or equivalent members as those described in FIGS. 1 to 4 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0025】図7(a)〜(c)において、31はDU
Tボード1にプローブカード2を接続するための中継端
子で、この中継端子31は電極板11に貫通固定されて
おり、絶縁筒32と、この絶縁筒32内に上下動自在に
嵌合されたポゴピン33とを備えている。また、ポゴピ
ン33は絶縁筒32に上下に装着され、ポゴピン33ど
うしは導電材製ばね34によって機械的,電気的に接続
されている。
In FIGS. 7A to 7C, 31 is a DU
A relay terminal for connecting the probe card 2 to the T board 1. The relay terminal 31 is fixed through the electrode plate 11, and is fitted into the insulating cylinder 32 so as to be vertically movable in the insulating cylinder 32. It has a pogo pin 33. Further, the pogo pins 33 are vertically mounted on the insulating cylinder 32, and the pogo pins 33 are mechanically and electrically connected to each other by a spring 34 made of a conductive material.

【0026】このように構成すると、DUTボード1が
撓むことに起因するプローブカード2とウエハとの平行
度のずれを、電極板11によって防ぐことができるよう
になる。
With this structure, the electrode plate 11 can prevent the parallelism between the probe card 2 and the wafer due to the bending of the DUT board 1.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
ウエハ用プローバは、試験用回路基板におけるウエハチ
ャックと対向する部位にこの試験用回路基板から給電さ
れるウエハ背面給電用電極を設け、ウエハチャック側
に、ウエハチャックに電気的に接続されかつ前記ウエハ
背面給電用電極に対して接離自在に設けられた接触子を
配設したため、接触子をウエハ背面用電極に接触させる
ことでウエハチャックに電位が付与されるから、ウエハ
チャックと電源との導通経路が短くて済む。
As described above, the prober for semiconductor wafers according to the present invention is provided with a wafer backside power supply electrode to which power is supplied from the test circuit board at a portion of the test circuit board facing the wafer chuck. On the chuck side, since the contactor electrically connected to the wafer chuck and provided so as to come in contact with and separate from the wafer backside power supply electrode is disposed, the wafer chuck can be contacted with the wafer backside electrode. Since a potential is applied to the wafer chuck, the conduction path between the wafer chuck and the power supply can be short.

【0028】したがって、短い配線でウエハチャックに
電位を与えることができ、インピーダンスに起因するノ
イズを抑えて精度の高い試験が可能となる。
Therefore, it is possible to apply a potential to the wafer chuck with a short wiring, suppress noise due to impedance, and perform a highly accurate test.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る半導体ウエハ用プローバを示す断
面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a prober for semiconductor wafers according to the present invention.

【図2】ウエハチャックと接触子との接続部を拡大して
示す断面図である。
FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a connecting portion between a wafer chuck and a contact.

【図3】試験用回路基板とウエハ背面給電用電極との接
続部を拡大して示す断面図である。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a connection portion between a test circuit board and a wafer backside power supply electrode.

【図4】本発明に係る半導体ウエハ用プローバの動作を
説明するための断面図で、同図(a)はプローブカード
の真下にウエハを搬送した状態を示し、同図(b)は接
触子をウエハ背面給電用電極に接触させた状態を示し、
同図(c)はウエハをプローブピンに接触させた状態を
示す。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the operation of the prober for semiconductor wafers according to the present invention, in which FIG. 4 (a) shows a state in which the wafer is conveyed directly below the probe card, and FIG. Shows the state of contacting the wafer backside power supply electrode,
FIG. 3C shows a state where the wafer is in contact with the probe pin.

【図5】接触子の他の例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the contactor.

【図6】本発明に係る半導体ウエハ用プローバの他の実
施例を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of the prober for semiconductor wafers according to the present invention.

【図7】電極板の他の例を示す図で、同図(a)はDU
Tボード取付前の状態を示し、同図(b)はDUTボー
ド取付後の状態を示し、同図(c)は電極板用中継端子
の断面図を示す。
FIG. 7 is a diagram showing another example of the electrode plate, in which FIG.
The state before attachment of the T board is shown, FIG. 6B shows the state after attachment of the DUT board, and FIG.

【図8】従来の半導体ウエハ用プローバを示す側面図で
ある。
FIG. 8 is a side view showing a conventional semiconductor wafer prober.

【符号の説明】 1 DUTボード 2 プローブカード 2a プローブピン 3 半導体ウエハ 4 チャックトップ 11 電極板 13 接触用リング 15 ポゴピン 21 リング[Explanation of reference numerals] 1 DUT board 2 probe card 2a probe pin 3 semiconductor wafer 4 chuck top 11 electrode plate 13 contact ring 15 pogo pin 21 ring

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プローブピンを有する試験用回路基板
と、この試験用回路基板に対して進退自在に設けられて
半導体ウエハを前記プローブピンに押し付けるウエハチ
ャックを備え、このウエハチャックを介してウエハの背
面に電圧を印加する半導体ウエハ用プローバにおいて、
前記試験用回路基板におけるウエハチャックと対向する
部位にこの試験用回路基板から給電されるウエハ背面給
電用電極を設け、前記ウエハチャック側に、ウエハチャ
ックに電気的に接続されかつ前記ウエハ背面給電用電極
に対して接離自在に設けられた接触子を配設したことを
特徴とする半導体ウエハ用プローバ。
1. A test circuit board having a probe pin, and a wafer chuck that is provided so as to be movable back and forth with respect to the test circuit board and presses a semiconductor wafer against the probe pin. In a semiconductor wafer prober that applies voltage to the back surface,
A wafer backside power supply electrode for supplying power from the test circuit board is provided at a portion of the test circuit board facing the wafer chuck, and the wafer backside power supply electrode is electrically connected to the wafer chuck and for the wafer backside power supply. A prober for a semiconductor wafer, characterized in that a contactor is provided so as to be able to come into contact with and separate from an electrode.
JP4009066A 1992-01-22 1992-01-22 Prober for semiconductor wafer Pending JPH05198633A (en)

Priority Applications (1)

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JP4009066A JPH05198633A (en) 1992-01-22 1992-01-22 Prober for semiconductor wafer

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JP (1) JPH05198633A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220034956A1 (en) * 2020-08-03 2022-02-03 Chroma Ate Inc. Wafer inspection system and wafer inspection equipment thereof

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