JPH09298223A - Ic test device and probe card used therefor - Google Patents

Ic test device and probe card used therefor

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JPH09298223A
JPH09298223A JP11255296A JP11255296A JPH09298223A JP H09298223 A JPH09298223 A JP H09298223A JP 11255296 A JP11255296 A JP 11255296A JP 11255296 A JP11255296 A JP 11255296A JP H09298223 A JPH09298223 A JP H09298223A
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JP
Japan
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group
contact
probe card
probe
contact group
Prior art date
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Pending
Application number
JP11255296A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Sakata
宏 坂田
Katsuhiko Namiki
克彦 並木
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP11255296A priority Critical patent/JPH09298223A/en
Publication of JPH09298223A publication Critical patent/JPH09298223A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable probe cards of different sizes to be used in an IC test device in common by a method wherein a first contact group which come into contact with a first electrode group provided in the peripheral edge of a probe card of a small diameter and a second contact group formed outside the first contact group are brought into contact with a first and a second electrode group formed on a probe card of a large diameter. SOLUTION: A first contact group 23A which come into contact with a first electrode group provided in the peripheral edge of a first probe card 22A of a small diameter and a second contact group 23b located outside the first contact group 23A are provided. The first contact group 23A and the second contact group 23b are brought into contact with a first electrode group and a second electrode group formed on a second probe card of a large diameter, and the probe card 22A of the small diameter are brought into contact with only the first contact group 23A. A proper gap G is provided between the first contact group 23A and the second contact group 23B, whereby the second contact group 23B is restrained from interfering with the first probe card 22A of the small diameter.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハーに
形成されたチップ状のICが正常に動作するか否かを試
験するIC試験装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC tester for testing whether a chip-shaped IC formed on a semiconductor wafer operates normally.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体ウエハーに形成された
状態にあるICが正常に動作するか否かを試験するIC
試験装置が実用されている。この種のIC試験装置はプ
ローブカードと呼ばれるプローブ支持盤を具備し、この
プローブカードに支持したプローブ群を半導体ウエハー
に形成されたICの電極部分に接触させ、このプローブ
群を介して被試験ICをIC試験装置に電気的に接続
し、試験を行なっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an IC for testing whether or not an IC formed on a semiconductor wafer operates normally.
The test equipment is in practical use. This type of IC testing device is equipped with a probe support board called a probe card, and the probe group supported by this probe card is brought into contact with the electrode portion of the IC formed on the semiconductor wafer, and the IC to be tested is passed through this probe group. Is electrically connected to the IC test device to perform the test.

【0003】図4にその概略の構成を示す。図中10は
ICが形成された半導体ウエハー、11はこの半導体ウ
エハー10を搭載し、半導体ウエハー10の位置をX−
Y方向及びZ方向に移動させるウエハー支持装置、20
はテストヘッドを示す。テストヘッド20はプローブ群
21を下向に突出させて支持した第1プローブカード2
2Aと、この第1プローブカード22Aの上面に形成し
た第1電極群25A(図5参照)に接触して各プローブ
をIC試験装置本体(特に図示しない)に電気的に接続
するための第1コンタクト群23Aと、第1プローブカ
ード22Aを支持する匡体24とによって構成される。
プローブ群21は一般に下向に突出する姿勢で第1プロ
ーブカード22Aに取付けられる。従ってウエハー支持
装置11は半導体ウエハー10のIC形成面を上向の姿
勢で搭載し、下側からプローブ群21に近ずき、位置決
めして半導体ウエハー10に形成されたICの各電極に
プローブ群21を接触させる。
FIG. 4 shows a schematic configuration thereof. In the figure, 10 is a semiconductor wafer on which an IC is formed, 11 is the semiconductor wafer 10 mounted, and the position of the semiconductor wafer 10 is X-
Wafer supporting device for moving in Y direction and Z direction, 20
Indicates a test head. The test head 20 has a first probe card 2 that supports a probe group 21 by projecting it downward.
2A and a first electrode group 25A (see FIG. 5) formed on the upper surface of the first probe card 22A so as to electrically connect each probe to an IC test apparatus body (not particularly shown). The contact group 23A and the casing 24 that supports the first probe card 22A are included.
The probe group 21 is generally attached to the first probe card 22A in a posture of projecting downward. Therefore, the wafer supporting device 11 mounts the IC formation surface of the semiconductor wafer 10 in an upward posture, approaches the probe group 21 from the lower side, and positions the probe group on each electrode of the IC formed on the semiconductor wafer 10. 21 is contacted.

【0004】半導体ウエハー10には例えば16×4=
128個のICが形成される。第1プローブカード22
Aには例えば16個分のICに接触するプローブ群21
が用意される。プローブ群21の本数としてはIC1個
分で例えば110本程度用意され、全体として16×1
10=1760本のプローブが設けられる。プローブ群
21は第1プローブカード22Aの中央部分に装着され
る。プローブ群21の各プローブは印刷配線技術によっ
て第1プローブカード22Aの周縁部分に形成した第1
電極群25A(図5)に電気的に接続される。
The semiconductor wafer 10 has, for example, 16 × 4 =
128 ICs are formed. First probe card 22
In A, for example, a probe group 21 that contacts 16 ICs
Is prepared. The number of probe groups 21 is, for example, about 110 for one IC, and is 16 × 1 as a whole.
10 = 1760 probes are provided. The probe group 21 is attached to the central portion of the first probe card 22A. Each probe of the probe group 21 is a first probe formed on the peripheral portion of the first probe card 22A by a printed wiring technique.
It is electrically connected to the electrode group 25A (FIG. 5).

【0005】第1電極群25Aはプローブ群21の突出
面とは反対向の面に形成され、この第1電極群25Aに
ポゴピンと呼ばれる第1コンタクト群23Aを接触さ
せ、第1コンタクト群23Aを通じてIC試験装置に電
気的に接続させる。図6に第1プローブカード22Aの
支持構造を示す。インサートリング27によってコンタ
クト支持リング28が支持される。コンタクト支持リン
グ28の下面に第1コンタクト群23Aが円環状に下向
に突出して装着される。第1コンタクト群23Aは上述
したようにポゴピンと呼ばれるコンタクトで構成され
る。ポゴピンはよく知られているようにバネの偏倚力に
よって突出する向に偏倚された可動ロッドを有し、この
可動ロッドが第1プローブカード22Aに形成した第1
電極群25Aのそれぞれの電極に弾性的に接触する構造
とされる。
The first electrode group 25A is formed on the surface opposite to the projecting surface of the probe group 21, and the first contact group 23A called a pogo pin is brought into contact with the first electrode group 25A, and the first contact group 23A is passed through. It is electrically connected to the IC test equipment. FIG. 6 shows a support structure for the first probe card 22A. The contact support ring 28 is supported by the insert ring 27. The first contact group 23A is attached to the lower surface of the contact support ring 28 so as to project downward in an annular shape. The first contact group 23A is composed of contacts called pogo pins as described above. As is well known, the pogo pin has a movable rod that is biased by a biasing force of a spring so as to project, and this movable rod is a first rod formed on the first probe card 22A.
The structure is such that each electrode of the electrode group 25A elastically contacts.

【0006】つまり、弾性的に突出した状態にある第1
コンタクト群23Aの各ポゴピンに対し、第1プローブ
カード22Aの電極を押し付け、ポゴピンの可動ロッド
を押し込みながらカードホルダ26をインサートリング
27に例えばボルト等で締め付け、第1プローブカード
22Aをカードホルダ26と第1コンタクト群23Aの
間に挟持させ、第1プローブカード22Aとテストヘッ
ド20との間の電気的接触を維持させる構造とされる。
In other words, the first member is in the elastically protruding state.
The electrode of the first probe card 22A is pressed against each pogo pin of the contact group 23A, and the card holder 26 is fastened to the insert ring 27 with, for example, a bolt while pushing the movable rod of the pogo pin, so that the first probe card 22A becomes the card holder 26. It is sandwiched between the first contact groups 23A to maintain the electrical contact between the first probe card 22A and the test head 20.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来は、1度に16個
のICに接触するプローブを用意していたが、最近の傾
向として半導体ウエハーの形状が大きくなり、これに伴
なって1枚の半導体ウエハーに形成されるICの数も増
加の傾向にある。このため、試験を短時間に済ませるた
めに、一度に試験するICの数を多くしたい要求があ
る。現状の第1プローブカード22Aの形状では第1電
極群25Aの数を増すことはできない。この要求を満す
ためには第1プローブカード22Aの直径を拡げ、新た
な寸法のプローブカードを用いなければならなくなる。
直径が異なるプローブカードが存在した場合、2種類の
寸法を持つプローブカードを同一テストヘッド20に装
着して共用することはむずかしいことになる。プローブ
カードの寸法の違いに応じて各寸法毎にそれ専用のテス
トヘッドを用いればよいが、このように構成した場合に
は半導体ウエハーの違いに応じて運用できないIC試験
装置が発生し、不経済である。
Conventionally, probes which contact 16 ICs at a time have been prepared. However, the recent tendency is that the shape of the semiconductor wafer becomes large, and one probe The number of ICs formed on a semiconductor wafer also tends to increase. Therefore, there is a demand to increase the number of ICs tested at one time in order to complete the test in a short time. The current shape of the first probe card 22A cannot increase the number of the first electrode groups 25A. In order to satisfy this requirement, it is necessary to expand the diameter of the first probe card 22A and use a new size probe card.
When there are probe cards having different diameters, it becomes difficult to mount the probe cards having two different sizes on the same test head 20 and share them. A dedicated test head may be used for each size depending on the size of the probe card. However, when configured in this way, an IC test apparatus that cannot be operated occurs depending on the size of the semiconductor wafer, which is uneconomical. Is.

【0008】この発明の目的は寸法が異なるプローブカ
ードを共用することができるこの種のIC試験装置を提
供しようとするものである。
An object of the present invention is to provide an IC test apparatus of this type which can share probe cards having different sizes.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1で
は、直径が小さい第1プローブカードの周縁に環状に形
成されたと同じ第1電極群に接触する第1コンタクト群
と、この第1コンタクト群の外側に第2コンタクト群を
設け、この第1コンタクト群と第2コンタクト群によっ
て、直径が大きい第2プローブカードに形成した第1電
極群と第2電極群とに接触させ、直径の小さいプローブ
カードは第1コンタクト群のみで接触させる構造とした
ものである。
According to claim 1 of the present invention, a first contact group that contacts the same first electrode group that is annularly formed on the periphery of a first probe card having a small diameter, and the first contact group. A second contact group is provided outside the group, and the first contact group and the second contact group are brought into contact with the first electrode group and the second electrode group formed on the second probe card having a large diameter, and the diameter is small. The probe card has a structure in which only the first contact group is contacted.

【0010】またこの発明の請求項2では直径の大きい
プローブカードに第1電極群と、この第1電極群の外側
に間隔を開けて環状に形成した第2電極群を持つプロー
ブカードを提案するものである。
Further, the second aspect of the present invention proposes a probe card having a first electrode group on a probe card having a large diameter and a second electrode group formed on the outside of the first electrode group in a ring shape with a gap. It is a thing.

【0011】[0011]

【作用】従ってこの発明の構造によれば、従来から用い
られている直径が小さいプローブカードと、新たに作ら
れた直径が大きいプローブカードの何れでも装着して使
用することができる利点が得られる。
Therefore, according to the structure of the present invention, it is possible to mount and use both a conventionally used probe card having a small diameter and a newly made probe card having a large diameter. .

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1にこの発明によるIC試験装
置の実施例を示す。図1において、図6と対応する部分
には同一符号を付けて示す。図1に示す例では直径の小
さい第1プローブカード22Aを装着した状態を示す。
直径が小さい第1プローブカード22Aを第1コンタク
ト群23Aに抑え付けるためのカードホルダ26のフラ
ンジの面にこの直径の小さい第1プローブカード22A
の直径で凹部を形成し、この凹部に位置合せして第1プ
ローブカード22Aを装着するように構成した場合を示
す。第1コンタクト群23A(第1電極群25A)及び
第2コンタクト群23B(第2電極群25B)の間に適
当な間隔Gを設けておくことにより、小さい直径の第1
プローブカード22Aを装着する場合に、第2コンタク
ト群23Bが小さい直径の第1プローブカード22Aに
干渉することを阻止することができる。
1 shows an embodiment of an IC test apparatus according to the present invention. In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. 6 are designated by the same reference numerals. In the example shown in FIG. 1, the first probe card 22A having a small diameter is mounted.
The first probe card 22A having a small diameter is formed on the surface of the flange of the card holder 26 for holding the first probe card 22A having a small diameter in the first contact group 23A.
A case is shown in which a recess is formed with a diameter of, and the first probe card 22A is mounted by aligning with the recess. By providing an appropriate gap G between the first contact group 23A (first electrode group 25A) and the second contact group 23B (second electrode group 25B), the first contact group having a small diameter can be formed.
When mounting the probe card 22A, it is possible to prevent the second contact group 23B from interfering with the first probe card 22A having a small diameter.

【0013】図2は直径の大きい第2プローブカード2
2Bを装着した場合を示す。この場合にはカードホルダ
26はフランジの面の全体が平坦な形状とされ、フラン
ジの面の全体で第2プローブカード22Bを抑え付ける
構造とされる。
FIG. 2 shows a second probe card 2 having a large diameter.
The case where 2B is attached is shown. In this case, the card holder 26 has a flat shape on the entire surface of the flange, and is configured to hold the second probe card 22B on the entire surface of the flange.

【0014】[0014]

【発明の効果】上述したように、この発明によればテス
トヘッド20側に直径の小さい円に沿って配置した第1
コンタクト群23Aとこの第1コンタクト群23Aの外
側に間隔Gを開けて第2コンタクト群23Bとを設けた
から、小さい直径の第1プローブカード22Aと直径が
大きい第2プローブカード22Bの何れでも装着して運
用することができる。従ってICテスタを効率よく運用
できる実益が得られる。
As described above, according to the present invention, the first head arranged on the test head 20 side along a circle having a small diameter.
Since the contact group 23A and the second contact group 23B are provided outside the first contact group 23A with a gap G, both the first probe card 22A having a small diameter and the second probe card 22B having a large diameter can be mounted. Can be operated. Therefore, it is possible to obtain the practical benefit of efficiently operating the IC tester.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の要部を説明するための断面図。FIG. 1 is a sectional view for explaining a main part of the present invention.

【図2】図1と同様の断面図。FIG. 2 is a sectional view similar to FIG. 1;

【図3】この発明で提案したプローブカードの構造を説
明するための平面図。
FIG. 3 is a plan view for explaining the structure of the probe card proposed by the present invention.

【図4】従来の技術を説明するための側面図。FIG. 4 is a side view for explaining a conventional technique.

【図5】従来用いられているプローブカードの構造を説
明するための平面図。
FIG. 5 is a plan view for explaining the structure of a conventionally used probe card.

【図6】従来のプローブカード支持構造を説明するため
の断面図。
FIG. 6 is a sectional view for explaining a conventional probe card support structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体ウエハー 11 ウエハー支持装置 20 テストヘッド 21 プローブ群 22A 直径が小さい第1プローブカード 22B 直径が大きい第2プローブカード 23A 第1コンタクト群 23B 第2コンタクト群 25A 第1電極群 25B 第2電極群 10 Semiconductor Wafer 11 Wafer Supporting Device 20 Test Head 21 Probe Group 22A First Probe Card with Small Diameter 22B Second Probe Card with Large Diameter 23A First Contact Group 23B Second Contact Group 25A First Electrode Group 25B Second Electrode Group

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直径が小さいプローブカードの周縁に環
状に形成された第1電極群に接触する第1コンタクト群
と、この第1コンタクト群の外側に環状に形成した第2
コンタクト群とを具備して構成され、この第1コンタク
ト群と第2コンタクト群を直径が大きいプローブカード
に形成した第1電極群と第2電極群のそれぞれに接触さ
せる構造としたことを特徴とするIC試験装置。
1. A first contact group contacting a first electrode group formed in a ring shape on the periphery of a probe card having a small diameter, and a second contact group formed outside the first contact group in a ring shape.
And a structure in which the first contact group and the second contact group are respectively brought into contact with the first electrode group and the second electrode group formed on the probe card having a large diameter. IC test equipment.
【請求項2】 円盤状の絶縁板の周縁に環状に第1電極
群を形成すると共に、この第1電極群の外側に間隔を開
けて第2電極群を形成し、これら第1及び第2電極群の
各電極を上記絶縁板のほぼ中央に設けたプローブ群の各
プローブに電気的に接続したことを特徴とするプローブ
カード。
2. A first electrode group is formed in an annular shape on the periphery of a disk-shaped insulating plate, and a second electrode group is formed outside the first electrode group with a space therebetween to form the first and second electrodes. A probe card characterized in that each electrode of the electrode group is electrically connected to each probe of the probe group provided at substantially the center of the insulating plate.
JP11255296A 1996-05-07 1996-05-07 Ic test device and probe card used therefor Pending JPH09298223A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482733B1 (en) * 1998-07-07 2005-04-14 가부시키가이샤 어드밴티스트 A probe card for ic testing apparatus
US7960991B2 (en) 2007-01-29 2011-06-14 Advantest Corporation Test apparatus and probe card

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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