JPH0519235A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置の駆動方法

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JPH0519235A
JPH0519235A JP17538691A JP17538691A JPH0519235A JP H0519235 A JPH0519235 A JP H0519235A JP 17538691 A JP17538691 A JP 17538691A JP 17538691 A JP17538691 A JP 17538691A JP H0519235 A JPH0519235 A JP H0519235A
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JP
Japan
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liquid crystal
potential
signal
substrate
display device
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Application number
JP17538691A
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English (en)
Inventor
Yojiro Matsueda
洋二郎 松枝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0519235A publication Critical patent/JPH0519235A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置にお
いて、能動素子がオフする際生じるシフト電圧を抑え、
フリッカーや残像・焼き付きの目立ちにくい3つの駆動
方法を実現する。 【構成】 第1フィールドと第2フィールド間で走査線
と信号線間の電位差の範囲を重ねることで、フィールド
間のシフト電圧差を抑える駆動方法。選択パルスの振幅
を必要最低限とし、シフト電圧の値を最小にする駆動方
法。正極性は低電位側圧縮し、負極性は高電位側伸長し
た画像信号を作り、これを信号線に入力することでシフ
ト電圧の大きさを補償する駆動方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
の液晶表示装置の駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、アクティブマトリクス方式の液
晶表示装置の例としては、「SID(エス・アイ・デ
ィ)86 ダイジェスト、p.296−297、堀田
他」等がある。図2はその画素部分の等価回路であり、
21は信号線、22は走査線、23が薄膜トランジスタ
(以下TFTと略記)、24が液晶容量、25が保持容
量、26はTFT23のゲート・ソース間の寄生容量で
ある。Clc、Cstg、Cgsはそれぞれ液晶容量、
保持容量、寄生容量の大きさを示している。図3はその
駆動波形を示すタイミングチャートの例であり、31、
32、33、34はそれぞれ信号線、走査線、画素電極
および対向電極の電位を示している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術には以下に述べるような課題がある。周知のようにN
TSCのビデオ信号はインタレースされた2つのフィー
ルドから成り、第1フィールドと第2フィールドを合わ
せて1枚の画面を構成している。一方、液晶は交流駆動
する必要があるため、通常は図3に示すように1フィー
ルド毎あるいは数水平走査毎にある電位を中心として交
流反転するような信号を液晶に印加する。この画像入力
信号を能動素子を用いて画素電極に書き込んだ直後、Δ
V+、ΔV−で示されるようなシフト電圧が存在する。
これは図2において、能動素子の寄生容量Cgsと液晶
容量Clcおよび保持容量Cstg間の容量結合によっ
て生じるものである。一般に、このシフト電圧ΔVの大
きさは ΔV=(VH−VL)×Cgs/(Cgs+Clc+Cstg)....(1) と表わされる。ここで、CgsおよびClcが信号線の
電位によって大きく変化し、その結果シフト電圧ΔVも
変化することを以下に説明する。
【0004】図4は典型的なTFTの断面図の例であ
る。TFTは絶縁基板46上に島状の半導体薄膜を堆積
させた構造となっており、ゲート電極41とドレイン4
4およびソース45の間には、ゲート絶縁膜42を介し
てC1、C2、C3、C4で表わされるような寄生容量
が存在する。このうち、C1およびC4はゲート電極と
ソース・ドレイン部が直接重なった部分に存在する容量
であり、バイアス依存性が無い。一方、C2およびC3
はチャネル表面にできた反転層43の面積によって変化
するため、バイアス依存性がある。絶縁基板46の変わ
りに半導体基板を用いる場合には、さらに基板とゲート
・ソース・ドレイン間の容量を考慮しなければならな
い。図5は、ゲート・ソース間の寄生容量Cgsのバイ
アス依存性を示す図である。この図において横軸はゲー
ト・ソース間の電位差Vgsである。Vgsがある値を
越えるとチャネル部の容量C3が増加し、さらにVgs
を増加させるとしだいに飽和する。
【0005】図6は液晶容量Clcのバイアス依存性を
示す図である。横軸は液晶に印加される交流電圧であ
る。一般に液晶は誘電異方性があるため、液晶が電界方
向に並び始めると容量が増大する。
【0006】図7は寄生容量Cgs、液晶容量Clcお
よびシフト電圧ΔVの入力信号電位依存性を示す図であ
る。図3に示すような駆動方法において、第1フィール
ドでは正、第2フィールドでは負の電圧が液晶に印加さ
れる。ノーマリ白モードのTN型液晶を用いれば、V1
+およびV1−が黒レベル、V2+およびV2−が白レ
ベルとなる。図7(a)において縦軸の寄生容量Cgs
は図3の走査線の電位がVHからVLに変化する場合の
平均的な値である。走査線の選択時の電位VHが一定な
らば、入力信号電位の増加とともにゲート・ソース間電
圧が増加するため寄生容量Cgsが減少することにな
る。図7(b)は、第1フィールドと第2フィールドで
正負対称な入力信号が与えられた場合の液晶容量Clc
の変化を示しており、液晶容量も左右対称に変化する。
図7(c)はこれらの寄生容量Cgsおよび液晶容量C
lcの変化をもとにシフト電圧ΔVの変化を求めたもの
である。横軸は入力信号電位であり、縦軸は画素電極に
実際に書き込まれる出力信号電位を示している。このグ
ラフにおいて71は理想的なCgs=0のスイッチを用
いた場合で、入力と出力が完全に一致している。しか
し、実際にはシフト電圧ΔV分だけ出力信号電位が入力
より低くなる。同じ能動素子を用いた場合に、より大き
な保持容量を付加した場合の入出力関係が72であり、
より小さな保持容量を付加した場合が73である。例え
ば、第1フィールドのV1+からV2+までの信号はV
11+からV12+の範囲へ、第2フィールドのV1−
からV2−までの信号はV11−からV12−の範囲へ
シフトしてしまうことになる。
【0007】このように、シフト電圧ΔVは本来の信号
と大きくかけ離れた信号を液晶に印加させてしまう。し
かも正負非対称な電圧を印加させる。このためフリッカ
ーを生じさせたり、焼き付きや残像、あるいは液晶の劣
化等重大な問題を生じさせる原因となっている。
【0008】本発明の液晶表示装置の駆動方法はこの様
な課題を解決するものであり、その目的とするところ
は、液晶表示装置の駆動方法を最適化し、シフト電圧に
よる影響を最小限に抑え、フリッカーや焼き付き・残像
を無くし、液晶が劣化しにくいような駆動方法を実現す
ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
駆動方法は、以下の項目のいずれかの条件を満たすこと
を特徴とする。
【0010】(1)第1フィールドにおいて前記信号線
に印加される画像入力信号電位と走査線に印加される選
択時の走査信号電位間の電位差の範囲が、第2フィール
ドにおける前記電位差の範囲と少なくとも一部が重な
る。
【0011】(2)対向電極に少なくとも2つ以上の電
位を1フィールドあるいは1水平走査期間の整数倍を周
期として繰り返し印加し、前記対向電極に印加される電
位の最大値と最小値の差をVcとし、前記対向電極の平
均電位をVccとし、前記信号線に印加される画像入力
信号の最大値と最小値をそれぞれVmaxおよびVmi
nとし、前記画像信号の平均電位をVmcとし、前記走
査線の選択時と非選択時の電位をそれぞれVHおよびV
Lとし、前記能動素子のスレッショルド電圧をVthと
すると下記の関係を満たす。
【0012】VH−Vmax−Vc>Vth VL−Vmin+Vc+(Vmc−Vcc)<Vth (3)画像信号を正極性で書き込む場合には低電位側の
信号を圧縮し、負極性で書き込む場合には高電位側を伸
長し、負極性側の電圧範囲が正極性の電圧範囲より大き
くなるようにあらかじめ変調された画像信号を前記信号
線に入力する。
【0013】
【実施例】本実施例を以下図面に基づいて説明する。図
1は本発明の液晶表示装置の駆動波形を示すタイミング
チャートの例である。信号線の電位1はフィールド毎に
極性反転しているが、正負いずれの極性においてもV1
からV2の間の電圧範囲にすべての信号が入っている。
その代わり、対向電極電位4をフィールド毎にVC1と
VC2の2つの電位に設定しており、信号線の極性反転
と逆位相で反転している。走査線の電位2は1水平走査
期間分のT1の期間のみ選択レベルVHとなり、残りの
期間T2は非選択レベルVLとなる。画素電極電位3は
T1の期間に能動素子が導通し、信号線の電位1と等し
くなる。その直後、走査線の電位2がVHからVLに変
化するのと同時にΔV+の分だけ低電圧側へシフトす
る。次の選択パルスが与えられるまでのT2の期間は、
能動素子が非導通状態となりシフト後の電圧を保持す
る。液晶の時定数は通常数10msec.から数100
msec.程度でありT2は約16.7msec.であ
るから、液晶容量と保持容量に蓄積された電荷は少しず
つ減少していく。また、対向電極電位4がVC2からV
C1へ変化するのと同時に、画素電極電位3もシフトす
る。したがって、画素電極と対向電極間の電位差は、対
向電極電位が変動しても保持される。このようにして、
正と負の信号をフィールド毎に交互に画素電極に印加す
ることによって、液晶を駆動するのである。
【0014】一般に、シフト電圧ΔVは(1)式に示す
ように走査線の選択パルスの電圧に依存するから、シフ
ト電圧の影響を最小にするためには選択パルスは必要最
低限の振幅に抑える必要がある。本実施例においては、
下記の条件を満たす範囲で振幅が最小となるよう設定す
ればよい。
【0015】 VH−V1−(VC1−VC2)>Vth ....(2) VL−V2+(VC1−VC2)+ΔV<Vth ....(3) ここで、Vthは能動素子のスレッショルド電圧であ
る、ΔVはシフト電圧の平均値または最大値である。シ
フト電圧の平均値は通常は信号線の電位の平均値と対向
電極電位の平均値との差に相当する。(2)式は最も書
き込みが厳しい条件でも能動素子が機能できることを示
し、(3)式は最も保持動作が厳しくなる条件でも能動
素子がリークしないことを示す。
【0016】図8は能動素子の寄生容量Cgs、液晶容
量Clcおよびシフト電圧ΔVの入力信号電位依存性を
示す図である。画素電極と対向電極の電位差が液晶に印
加されるから、図1に示すような駆動方法において、第
1フィールドでは正、第2フィールドでは負の電圧が液
晶に印加される。ノーマリ白モードのTN型液晶を用い
れば、V1が第1フィールドの黒レベルおよび第2フィ
ールドの白レベル、V2が第1フィールドの白レベルお
よび第2フィールドの黒レベルとなる。図8(a)にお
いて縦軸の寄生容量Cgsは図1の走査線の電位がVH
からVLに変化する場合の平均的な値である。走査線の
選択時の電位VHが一定ならば、入力信号電位の増加と
ともにゲート・ソース間電圧が増加するため寄生容量C
gsが減少することになるが、本実施例においては入力
信号の電圧範囲が狭いためCgsの変化量も少ない。図
8(b)は、正負対称な入力信号が与えられた場合の液
晶容量Clcの変化を示しており、86および87はそ
れぞれ第1フィールドと第2フィールドでの液晶容量の
変化を示している。図8(c)はこれらの寄生容量Cg
sおよび液晶容量Clcの変化をもとにシフト電圧ΔV
の変化を求めたものである。横軸は入力信号電位であ
り、縦軸は画素電極に実際に書き込まれる出力信号電位
を示している。このグラフにおいて81は理想的なCg
s=0のスイッチを用いた場合で、入力と出力が完全に
一致している。しかし、実際にはシフト電圧ΔV分だけ
出力信号電位が入力より低くなる。同じ能動素子を用い
た場合に、より大きな保持容量を付加した場合の入出力
関係が第1フィールドで82であり、第2フィールドで
84である。より小さな保持容量を付加した場合の入出
力関係が第1フィールドで83であり、第2フィールド
で85である。例えば、第1フィールドのV1からV2
までの信号はV11からV21の範囲へ、第2フィール
ドのV1からV2までの信号はV12からV22の範囲
へシフトすることになる。
【0017】本図を図7と比較すると、シフト電圧の変
化する範囲が少ないため、入出力信号の電位差が減少し
ていることがわかる。これは、入力信号の電圧範囲が第
1フィールドと第2フィールドで重なり合うことによ
り、信号線と走査線間の電位差がフィールド間でほぼ一
定となり、能動素子に印加されるゲート電圧の差も減少
したためである。このように、本実施例においては、シ
フト電圧による入出力信号電位差をフィールド間で抑え
ることができるため、フリッカーや残像・焼き付きが目
立ちにくくなる。また、液晶に印加される直流電圧も減
少するため、液晶が劣化しにくくなる。本図では、対向
電極電位を交流反転することにより、信号線と走査線間
の電位差をフィールド間でほぼ一定にしているが、例え
ば走査線の選択パルスの高さをフィールド間で変化させ
ることによっても同様の効果が得られる。さらに、入出
力信号電位差を抑えるためには、保持容量を増大させれ
ばよいが、これは開口率の減少を招き、画面を暗くして
しまう。そこで、例えば画像信号を正極性で書き込む場
合には低電位側の信号を圧縮し、負極性で書き込む場合
には高電位側を伸長し、負極性側の電圧範囲が正極性の
電圧範囲より大きくなるようにあらかじめ変調された画
像信号を前記信号線に入力することができる。この変調
を最適化すれば、入出力信号電位差を完全に一定に保つ
ことも可能である。また、より自然な中間調表示を得る
ためにはγ補正等を加味した総合的な入力信号の補正を
行なう必要がある。
【0018】本発明の駆動方法は、非単結晶Si薄膜や
化合物半導体薄膜から成るTFTや単結晶Si基板上に
形成されたMOSFET等、走査線に選択パルスを印加
してオン・オフさせる全ての素子を用いたアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置に適用できる。
【0019】
【発明の効果】以上述べたように本発明の液晶表示装置
の駆動方法は、シフト電圧のフィールド間の差を抑える
ことができるため、フリッカーや残像・焼き付きの目立
たない高品質の画像を実現できる。また、シフト電圧の
値も最小にできるため、液晶に印加される直流電圧を最
小にすることができ、液晶の劣化を防ぎ信頼性の高い液
晶表示装置を実現できる。さらに、入出力信号電位差を
ほぼ一定にするような補正が比較的簡単にでき、フリッ
カーや残像・焼き付きを完全に無くすことも可能であ
る。
【0020】このように、本発明では従来の液晶表示装
置を用いながら、入力信号を最適化するだけで高画質・
高信頼性化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 液晶表示装置の駆動波形を示すタイミング
図。
【図2】 液晶表示装置の画素部分の等価回路図。
【図3】 従来の液晶表示装置の駆動波形を示すタイミ
ング図。
【図4】 TFTの断面図。
【図5】 TFTの寄生容量のバイアス依存性を示す
図。
【図6】 液晶容量のバイアス依存性を示す図。
【図7】 寄生容量・液晶容量・シフト電圧の入力信号
電位依存性を示す図。
【図8】 寄生容量・液晶容量・シフト電圧の入力信号
電位依存性を示す図。
【符号の説明】
1、31 信号線の電位 2、32 走査線の電位 3、33 画素電極電位 4、34 対向電極電位 21 信号線 22 走査線 23 TFT 24 液晶容量 25 保持容量 26 寄生容量 41 ゲート電極 42 ゲート絶縁膜 43 反転層 44 ドレイン 45 ソース 46 絶縁基板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の基板上に複数の走査線及び信号
    線、及び前記信号線と前記走査線の交点に配置される能
    動素子、及び前記能動素子に接続された画素電極とを備
    え、第2の基板上には対向電極を備え、前記第1の基板
    と前記第2の基板を対向させた空間に液晶を挟持して成
    る液晶表示装置の駆動方法において、第1フィールドに
    おいて前記信号線に印加される画像入力信号電位と走査
    線に印加される選択時の走査信号電位間の電位差の範囲
    が、第2フィールドにおける前記電位差の範囲と少なく
    とも一部が重なることを特徴とする液晶表示装置の駆動
    方法。
  2. 【請求項2】 第1の基板上に複数の走査線及び信号
    線、及び前記信号線と前記走査線の交点に配置される能
    動素子、及び前記能動素子に接続された画素電極とを備
    え、第2の基板上には対向電極を備え、前記第1の基板
    と前記第2の基板を対向させた空間に液晶を挟持して成
    る液晶表示装置の駆動方法において、前記対向電極に少
    なくとも2つ以上の電位を1フィールドあるいは1水平
    走査期間の整数倍を周期として繰り返し印加し、前記対
    向電極に印加される電位の最大値と最小値の差をVcと
    し、前記対向電極の平均電位をVccとし、前記信号線
    に印加される画像入力信号の最大値と最小値をそれぞれ
    VmaxおよびVminとし、前記画像信号の平均電位
    をVmcとし、前記走査線の選択時と非選択時の電位を
    それぞれVHおよびVLとし、前記能動素子のスレッシ
    ョルド電圧をVthとすると下記の関係を満たすことを
    特徴とする液晶表示装置の駆動方法。 VH−Vmax−Vc>Vth VL−Vmin+Vc+(Vmc−Vcc)<Vth
  3. 【請求項3】 第1の基板上に複数の走査線及び信号
    線、及び前記信号線と前記走査線の交点に配置される能
    動素子、及び前記能動素子に接続された画素電極とを備
    え、第2の基板上には対向電極を備え、前記第1の基板
    と前記第2の基板を対向させた空間に液晶を挟持して成
    る液晶表示装置の駆動方法において、画像信号を正極性
    で書き込む場合には低電位側の信号を圧縮し、負極性で
    書き込む場合には高電位側を伸長し、負極性側の電圧範
    囲が正極性の電圧範囲より大きくなるようにあらかじめ
    変調された画像信号を前記信号線に入力することを特徴
    とする液晶表示装置の駆動方法。
JP17538691A 1991-07-16 1991-07-16 液晶表示装置の駆動方法 Pending JPH0519235A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100653295B1 (ko) * 2001-06-21 2006-12-04 가부시끼가이샤 도시바 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 구동 방법

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