JPH05191966A - 電力設備用半導体駆動素子制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】電力設備で用いる半導体駆動素子の制御装置の
構造を簡単にし、信頼性を高める。 【構成】半導体駆動素子２，３を動作させることを指令
する指令信号を発生する制御部５と、指令信号に応じて
駆動素子２，３にトリガ信号を与える駆動部６とを設け
る。駆動部６には、光信号が与えられたときに駆動素子
２，３にトリガ信号と同極性の電圧を与える光電変換器
３３，３５を設ける。制御部５には、指令信号を光信号
として発生する光信号発生回路を設けて、この光信号発
生回路と光電変換器３３，３５との間を光ファイバー３
７，３９を通して接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、変電所等の電力設備で
使用される半導体駆動素子を制御する電力設備用半導体
駆動素子制御装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】変電所等の電力設備においては、該設備
に設置される開閉機器類の操作回路や制御回路で、ＦＥ
Ｔ（電界効果トランジスタ）、ＧＴＯ（ゲートターンオ
フサイリスタ）、ＩＧＢＴ、ＳＣＲ（サイリスタ）等の
半導体駆動素子が用いられている。例えばガス絶縁開閉
装置においては、遮断器を投入する際に励磁される投入
コイル及び遮断器を開く際に励磁されるトリップコイル
が設けられているが、これらのコイルへの通電をオンオ
フするために半導体駆動素子が用いられ、該駆動素子が
制御装置により制御されて遮断器が操作される。またモ
ータにより操作される断路器の操作器には、モータへの
通電を制御するために半導体駆動素子が用いられ、該駆
動素子が制御装置により制御されて断路器の開路動作ま
た閉路動作が行われる。

【０００３】電力設備において半導体駆動素子を用いる
場合には、線路側から開閉機器類に侵入するサージが駆
動素子を通して制御装置の制御盤まで達するのを防ぐた
めに、駆動素子の制御装置を、半導体駆動素子を動作さ
せることを指令する指令信号を発生する制御部と、該指
令信号に応じて半導体駆動素子の制御端子間にトリガ信
号を与える駆動部とに別けて、該制御部と駆動部との間
を電気的に絶縁するようにしている。

【０００４】また変電所等に設置される開閉装置におい
ては、同時に操作することが許されない複数の開閉機器
が存在する場合に、複数の開閉機器相互間でインターロ
ックをかけて、所定の条件が満たされた場合にのみ各開
閉機器を操作するようにしている。そのため複数の駆動
素子を例えば直列に接続して、開閉機器を操作するため
の条件が満たされたときに全ての駆動素子を導通させて
開閉機器を操作するようにしている。

【０００５】図３はガス絶縁開閉装置の開閉器の操作回
路に設けられている半導体駆動素子とその制御装置とを
示したものである。同図において、１は駆動素子の負荷
で、この負荷は例えば遮断器の投入コイルやトリップコ
イル等である。２及び３はドレインソース間回路が互い
に直列に接続されたＦＥＴ（半導体駆動素子）で、これ
らのＦＥＴの直列回路は負荷１を通して図示しない直流
の駆動電源４に接続されている。

【０００６】ＦＥＴ２及び３を制御する制御装置は、制
御部５と駆動部６とからなっている。制御部５は、パル
ストランス７及び８の１次コイルにパルス信号を供給す
るパルス発生器９と、パルストランス７及び８の１次電
流をオンオフするスイッチ素子としてのトランジスタ１
０及び１１とから成り、図示しない駆動信号供給回路か
らトランジスタ１０及び１１のベースにそれぞれ駆動信
号Ｖd1及びＶd2が与えられるようになっている。

【０００７】駆動部６はＦＥＴ２及び３のゲートソース
間にそれぞれ接続された抵抗１２及び１３と、ＦＥＴ２
及び３のゲートとパルストランス７及び８の２次コイル
との間にそれぞれ接続されたダイオード１４及び１５と
により構成され、パルストランス７及び８の２次コイル
の出力がダイオード１４及び１５を通してＦＥＴ２及び
３のゲートソース間（制御端子間）に供給されている。
この例では、パルストランス７及び８により制御部５と
駆動部６との間が絶縁されている。

【０００８】図３に示した装置において、開閉器が操作
される条件が満たされると、トランジスタ１０及び１１
にそれぞれ駆動信号Ｖd1及びＶd2が与えられる。これに
より両トランジスタが導通してパルス発生器９からトラ
ンス７及び８の１次コイルにパルス状の指令信号が与え
られ、両トランスの２次コイルからＦＥＴ２及び３のゲ
ートにパルス状のトリガ信号が与えられる。これにより
ＦＥＴ２及び３がともに導通して負荷１に通電し、開閉
器の操作を行わせる。

【０００９】図４は従来から用いられている半導体駆動
素子制御装置の他の例を示したもので、この例では、制
御部５が、指令信号発生回路１６及び１７と、フォトカ
プラ１８及び１９内の発光ダイオードとからなり、指令
信号発生回路１６及び１７の出力がフォトカプラ１８及
び１９内の発光ダイオードの両端に印加されている。駆
動部６は、ＦＥＴ２及び３のゲートソース間に接続され
た抵抗１２及び１３と、ＦＥＴ２及び３のゲートにそれ
ぞれ正極側の出力端子が接続された直流電源２０及び２
１と、フォトカプラ１８及び１９内のフォトトランジス
タとからなり、フォトトカプラ１８及び１９内のフォト
ランジスタのコレクタ及びエミッタがそれぞれ直流電源
２０及び２１の負極端子とＦＥＴ２及び３のソースとの
間に接続されている。この例では、フォトカプラ１８及
び１９により制御部５と駆動部６との間が絶縁されてい
る。

【００１０】図４に示した例では、指令信号発生回路１
６及び１７がそれぞれ指令信号を発生したときにフォト
カプラ１８及び１９内のフォトトランジスタが導通して
直流電源２０及び２１からＦＥＴ２及び３にトリガ信号
が与えられる。これによりＦＥＴ２及び３が導通し、負
荷１に電流を供給する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】図３に示した制御装置
においては、制御部５と駆動部６との間を絶縁するため
に高価なパルストランスを半導体駆動素子毎に必要とす
る上に、回路構成が複雑になるという問題があった。ま
た図４に示した例では、半導体駆動素子毎に直流電源を
必要とするため、同じく回路構成が複雑になり、価格が
高くなるのを避けられなかった。

【００１２】更に上記のように制御部と駆動部との間を
絶縁するためにパルストランスやフォトカプラを用いた
場合には、制御部と駆動部との間の絶縁強度を高くする
ことが困難であった。特にフォトカプラを用いた場合、
その外部沿面距離は大きくても数ミリメートルであるた
め、制御部と駆動部との間の高絶縁化を図ることができ
なかった。

【００１３】また従来の制御装置では、外部から駆動部
６にパルス性のノイズが侵入した時に駆動素子が誤トリ
ガされるおそれがあった。変電所等の開閉装置において
万一駆動素子が誤トリガされて、開閉装置が誤って操作
されると重大な事故が生じるおそれがある。

【００１４】本発明の目的は、制御部と駆動部との間の
高絶縁化を図り、しかも高価なパルストランスや直流電
源を多数用いることなく半導体駆動素子を制御できるよ
うにした電力設備用半導体駆動素子制御装置を提供する
ことにある。

【００１５】本発明の他の目的は、半導体駆動素子がノ
イズにより誤トリガされるのを防ぐことができるように
した電力設備用半導体駆動素子制御装置を提供すること
にある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、制御端子間に
トリガ信号が与えられたときに動作する半導体駆動素子
を動作させることを指令する指令信号を発生する制御部
と、指令信号に応じて半導体駆動素子の制御端子間にト
リガ信号を与える駆動部とを備えた電力設備用半導体駆
動素子制御装置に係わるものである。

【００１７】本発明においては、上記駆動部が、駆動素
子の制御端子間に接続されて光信号が与えられたときに
トリガ信号と同極性の電圧を発生するトリガ用光電変換
器を備え、制御部は、前記指令信号を光信号として発生
するトリガ用光信号発生回路を備えている。トリガ用光
信号発生回路とトリガ用光電変換器との間は光ファイバ
ーを通して接続されている。

【００１８】上記駆動部には、駆動素子の制御端子間に
接続されて光信号が与えられたときにトリガ信号と逆極
性の電圧を発生する誤トリガ防止用光電変換器を更に設
けることができる。この場合には、トリガ用光信号発生
回路が光信号を発生していないときに光信号を発生する
誤トリガ防止用光信号発生回路を制御部に更に設け、該
誤トリガ防止用光信号発生回路とトリガ用光電変換器と
の間を誤トリガ防止用光ファイバーにより接続する。

【００１９】上記光電変換器は例えば、光の照射を受け
た時に電圧を発生する電圧発生光ダイオードを複数個直
列に接続して積層した光ダイオードスタックや、太陽電
池により構成することができる。

【００２０】本発明においてはまた、各駆動素子の両端
に並列に接続されて該駆動素子の両端の電圧降下により
発光する発光素子と、発光素子が発生する光を表示用光
ファイバーを通して受光して表示動作を行う表示器とを
更に設けることができる。

【００２１】

【作用】上記のように、半導体駆動素子の制御端子間に
光電変換器を接続して、光ファイバーを通して該光電変
換器に光を与えることにより半導体駆動素子にトリガ信
号を与えるようにすると、各駆動素子毎にパルストラン
スや直流電源を設けずに駆動素子にトリガ信号を供給す
ることができるため、コストの低減を図ることができ
る。

【００２２】また上記のように制御部が発生する指令信
号を光信号として、該光信号を光ファイバーを通して駆
動部に供給することによりトリガ信号を発生させるよう
にすると、駆動部と制御部との間の高絶縁化を容易に図
ることができる。

【００２３】特に請求項２に記載した発明のように、ト
リガ信号と逆極性の電圧を発生する誤トリガ防止用の光
電変換器を駆動部に設けて、駆動素子を遮断状態に保つ
必要があるときに該光電変換器から駆動素子にトリガ信
号と逆極性の電圧を印加するようにしておくと、駆動素
子がノイズなどにより誤ってトリガされて重大な事故が
発生するのを防ぐことができるため、信頼性を高めるこ
とができる。

【００２４】

【実施例】図１は本発明の実施例を示したもので、同図
において１は遮断器の投入コイルやトリップコイル、或
いは断路器操作用のモータ等の駆動負荷、２及び３は駆
動負荷１への通電を制御する駆動素子としてのＦＥＴで
あり、ＦＥＴ２及び３はそれぞれのドレインソース間回
路が直列に接続されている。

【００２５】制御部５は、エミッタが共通接続されて接
地されたＮＰＮトランジスタ１０及び１１を備えてい
て、トランジスタ１０のコレクタ及びエミッタにそれぞ
れ発光ダイオード２１及び２２のカソードが接続され、
トランジスタ１１のコレクタ及びエミッタにそれぞれ発
光ダイオード２３及び２４のカソードが接続されてい
る。発光ダイオード２１ないし２４のアノードはそれぞ
れ抵抗２５ないし２８を通して制御電源３０に接続さ
れ、トランジスタ１０のコレクタと発光ダイオード２２
のアノードとの間及びトランジスタ１１のコレクタと発
光ダイオード２４のアノードとの間にそれぞれカソード
をトランジスタ側に向けたダイオード３１及び３２が接
続されている。この例では、トランジスタ１０，１１と
発光ダイオード２１及び２３と抵抗２５及び２７とによ
り、ＦＥＴを導通させることを指令する指令信号を光信
号の形で出力するトリガ用光信号発生回路が構成されて
いる。またトランジスタ１０，１１と、発光ダイオード
２２及び２４と、抵抗２６及び２８とダイオード３１及
び３２とにより、ＦＥＴを遮断状態に保持することを指
令する指令信号を光信号の形で出力する誤トリガ防止用
光信号発生回路が構成されている。

【００２６】駆動部６は、ＦＥＴ２のゲートソース間に
接続された抵抗１２と、抵抗１２の両端に並列に接続さ
れたトリガ用光電変換器３３及び誤トリガ防止用光電変
換器３４と、ＦＥＴ３のゲートソース間に接続された抵
抗１３と、抵抗１３の両端に並列に接続されたトリガ用
光電変換器３５及び誤トリガ防止用光電変換器３６とか
らなっている。

【００２７】各光電変換器は、光が照射されたときに電
圧を発生する電圧発生光ダイオードＤを多数個直列に接
続して積層した光ダイオードスタックからなっている。
このスタックは１mm角程度の角柱状に形成できる。そし
て、トリガ用光電変換器３３及び３５はそれぞれに光が
照射されたときにＦＥＴ２及び３のゲートソース間にト
リガ信号と同極性の電圧を与えるように接続され、誤ト
リガ防止用光電変換器３４及び３６は、それぞれに光が
照射されたときに、ＦＥＴ２及び３のゲートソース間に
トリガ信号と逆極性の電圧を与えるように接続されてい
る。

【００２８】制御部５の発光ダイオード２１及び２２が
発生する光はそれぞれトリガ用光ファイバー３７及び誤
トリガ防止用光ファイバー３８を通してトリガ用光電変
換器３３及び誤トリガ防止用光電変換器３４に与えられ
ている。また発光ダイオード２３及び２４が発生する光
はそれぞれトリガ用光ファイバー３９及び誤トリガ防止
用光ファイバー４０を通してトリガ用光電変換器３５及
び誤トリガ防止用光電変換器３６に与えられている。

【００２９】上記の実施例において、ＦＥＴ２及び３を
遮断状態に保持すべき期間は、制御部６のトランジスタ
１０及び１１に駆動信号Ｖd1及びＶd2が与えられないた
め、これらのトランジスタが遮断している。トランジス
タ１０及び１１が遮断している状態では、発光ダイオー
ド２２及び２４が発光し、発光ダイオード２１及び２３
が発光を停止している。この状態では、誤トリガ防止用
光電変換器３４及び３６に光信号が与えられるため、こ
れらの光電変換器３４及び３６がそれぞれＦＥＴ２及び
３のゲートソース間を逆バイアスする電圧を発生してい
る。このようにＦＥＴ２及び３を遮断状態に保つ期間そ
れぞれのゲートソース間（制御端子間）を逆バイアスす
るようにしておくと、ノイズによりＦＥＴ２，３が誤ト
リガされるのを防ぐことができ、信頼性を高めることが
できる。

【００３０】トランジスタ１０及び１１のベースにそれ
ぞれ駆動信号Ｖd1及びＶd2が与えられると、両トランジ
スタが導通する。トランジスタ１０及び１１が導通する
と、発光ダイオード２１及び２３が発光し、発光ダイオ
ード２２及び２４が発光を停止する。このときトリガ用
光電変換器３３及び３５に光信号が与えられるため、両
光電変換器３３，３５が電圧を発生し、ＦＥＴ２及び３
にトリガ信号を与える。これによりＦＥＴ２及び３が導
通し、駆動負荷１に電流を流す。

【００３１】上記のように、制御部５から光ファイバー
を通して駆動部６に信号を与えるようにすると、制御部
５と駆動部６との間の高絶縁化を図ることができる。例
えば５cmの光ファイバーを用いると、４０ＫＶの絶縁耐
力を得ることができ、制御部と駆動部との結合容量は0.
01ＰＦ以下となる。

【００３２】またトリガ用光電変換器３３，３５自体が
電圧を発生して駆動素子（ＦＥＴ２，３）にトリガ信号
を与えるため、駆動素子毎に電源を設ける必要がない。
更に、上記のように駆動素子を遮断状態に保つときに該
駆動素子の制御端子間を逆バイアスする誤トリガ防止用
光電変換器３４，３６を設けると、電力系統から開閉装
置を通して侵入するパルス性のノイズにより駆動素子が
誤トリガされるのを防ぐことができる。

【００３３】図２は本発明の他の実施例を示したもの
で、同図において４１及び４２は制御部５に設けられた
トリガ用光信号発生回路の出力部を構成する発光ダイオ
ードであり、４３及び４４は、誤トリガ防止用光信号発
生回路の出力部を構成する発光ダイオードである。また
４５及び４６はそれぞれＦＥＴ２及びＦＥＴ３の動作を
表示するため表示器としての発光ダイオードで、これら
の発光ダイオードにはそれぞれ光電変換器４７及び４８
の出力が印加されている。光電変換器４７及び４８とし
ては、光が照射されたときに電圧を発生する電圧発生光
ダイオードを用いることができる。

【００３４】駆動部６には、光電変換ユニット４９及び
５０が設けられ、これらの光電変換ユニットの出力電圧
がそれぞれＦＥＴ２及び３のゲートソース間に印加され
ている。光電変換ユニット４９，５０は、光信号が与え
られたときにＦＥＴのトリガ信号と同極性の電圧を発生
するトリガ用の光電変換器と、光信号が与えられたとき
にトリガ信号と逆極性の電圧を発生する誤トリガ防止用
光電変換器とを組み合わせてユニット化したもので、各
光電変換器としては太陽電池を用いることができる。光
電変換ユニット４９及び５０はそれぞれ、第１の受光部
４９ａ及び５０ａと、第２の受光部４９ｂ及び５０ｂと
を有していて、第１の受光部４９ａ及び５０ａに光信号
が与えられたときにＦＥＴのトリガ信号と同極性の電圧
を出力し、第２の受光部４９ｂ及び５０ｂに光信号が与
えられたときにＦＥＴのトリガ信号と逆極性の電圧を出
力するようになっている。

【００３５】制御部５の発光ダイオード４１及び４２
と、駆動部の光電変換ユニット４９及び５０の第１の受
光部４９ａ及び５０ａとの間がそれぞれトリガ用光ファ
イバー５１及び５２により接続され、発光ダイオード４
３及び４４と光電変換ユニット４９及び５０の第２の受
光部４９ｂ及び５０ｂとの間がそれぞれ誤トリガ防止用
光ファイバー５３及び５２により接続されている。

【００３６】またこの実施例では、ＦＥＴ２のドレイン
ソース間に並列に設けられたダイオード５５の両端に抵
抗５６と発光ダイオード５７との直列回路が並列に接続
され、ＦＥＴ３のドレインソース間に並列に設けられた
ダイオード５８の両端に抵抗５９と発光ダイオード６０
との直列回路が並列に接続されている。そして発光ダイ
オード５７と制御部の光電変換部４７との間、及び発光
ダイオード６０と制御部の光電変換部４８との間がそれ
ぞれ表示用光ファイバー６１及び６２により接続されて
いる。尚抵抗５６及び５９の抵抗値は十分大きく設定さ
れている。

【００３７】図２の実施例において、ＦＥＴ２及び３を
導通させるときには、制御部５の発光ダイオード４１及
び４２がそれぞれ光信号を発生する。これらのダイオー
ドが発生した光信号はそれぞれ光ファイバー５１及び５
２を通して光電変換ユニット４９及び５０の第１の受光
部４９ａ及び５０ａに与えられる。これにより光電変換
ユニット４９及び５０がＦＥＴ２及び３にトリガ信号を
与え、両ＦＥＴを導通させる。またＦＥＴ２及び３を導
通させない場合には、制御部５の発光ダイオード４３及
び４４が光を発生する。これらのダイオードが発生した
光信号はそれぞれ光ファイバー５３及び５４を通して光
電変換ユニット４９及び５０の第２の受光部４９ｂ及び
５０ｂに与えられる。このとき光電変換ユニット４９及
び５０はＦＥＴ２及び３のゲートソース間を逆バイアス
するため、ノイズ信号により各ＦＥＴが誤トリガされる
のが防止される。

【００３８】またＦＥＴ２及び３がそれぞれ導通してい
るときには、それぞれのドレインソース間の電圧が十分
に低くなっているため、発光ダイオード５７及び６０は
発光せず、光電変換器４７及び４８には光信号が与えら
れない。このとき発光ダイオード４５及び４６は発光を
停止している。ＦＥＴ２及び３が遮断状態になると、両
ＦＥＴのドレインソース間の電圧が高くなるため、発光
ダイオード５７及び６０が発光し、光電変換器４７及び
４８に光信号を与える。これにより光電変換器が電圧を
発生するため、発光ダイオード４５及び４６が発光し、
ＦＥＴ２及び３が遮断状態にあることを表示する。

【００３９】上記のように構成すると、制御部と駆動部
との間の絶縁強度を何等低下させることなく、制御部で
駆動素子の動作状態、負荷の断線等、駆動部側の状態を
監視することができる。

【００４０】図２に示した実施例において、負荷１が誘
導性である場合、ＦＥＴ２，３が遮断したときに負荷１
の両端に高い電圧が誘起する。この電圧はＦＥＴのドレ
インソース間に設けられたダイオードに印加され、該ダ
イオードの逆回復時に高いｄＶ／ｄｔを有する電圧が発
生してＦＥＴが誤動作する恐れがあるが、上記のように
ＦＥＴの遮断時に該ＦＥＴのゲートソース間を逆バイア
スするようにしておけば、誤動作を防止することができ
る。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
駆動素子の制御端子間に光電変換器を接続して、光ファ
イバーを通して該光電変換器に光を与えることにより半
導体駆動素子にトリガ信号を与えるようにしたので、各
駆動素子毎にパルストランスや直流電源を設けずに駆動
素子にトリガ信号を供給することができ、コストの低減
を図ることができる。

【００４２】また本発明では、制御部が発生する指令信
号を光信号として、該光信号を光ファイバーを通して駆
動部に供給することによりトリガ信号を発生させるよう
にしたので、駆動部と制御部との間の高絶縁化を容易に
図ることができる。

【００４３】特に請求項２に記載した発明によれば、ト
リガ信号と逆極性の電圧を発生する誤トリガ防止用の光
電変換器を駆動部に設けて、駆動素子を遮断状態に保つ
必要があるときに該光電変換器から駆動素子にトリガ信
号と逆極性の電圧を印加するようにしたので、駆動素子
がノイズなどにより誤ってトリガされて重大な事故が発
生するのを防ぐことができ、信頼性を高めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を示す回路図である。

【図２】本発明の他の実施例を示す回路図である。

【図３】従来の制御装置の構成を示す回路図である。

【図４】従来の他の制御装置の構成を示す回路図であ
る。

【符号の説明】

１…負荷、２，３…半導体駆動素子、５…制御部、６…
駆動部、２１〜２４…発光ダイオード、３３，３５…ト
リガ用光電変換器、３４，３６…誤トリガ防止用光電変
換器、３７〜４０…光ファイバー、４１〜４６…発光ダ
イオード、４７，４８…光電変換器、４９，５０…光電
変換ユニット、５１〜５４…光ファイバー。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】制御端子間にトリガ信号が与えられたとき
   に動作する半導体駆動素子を動作させることを指令する
   指令信号を発生する制御部と、前記指令信号に応じて前
   記半導体駆動素子の制御端子間にトリガ信号を与える駆
   動部とを備えた電力設備用半導体駆動素子制御装置にお
   いて、 前記駆動部は、前記駆動素子の制御端子間に接続されて
   光信号が与えられたときに前記トリガ信号と同極性の電
   圧を発生するトリガ用光電変換器を備え、 前記制御部は、前記指令信号を光信号として発生するト
   リガ用光信号発生回路を備え、 前記トリガ用光信号発生回路とトリガ用光電変換器との
   間が光ファイバーを通して接続されていることを特徴と
   する電力設備用半導体駆動素子制御装置。
2. 【請求項２】前記駆動部は、前記駆動素子の制御端子間
   に接続されて光信号が与えられたときに前記トリガ信号
   と逆極性の電圧を発生する誤トリガ防止用光電変換器を
   更に備え、 前記制御部は前記トリガ用光信号発生回路が光信号を発
   生していないときに光信号を発生する誤トリガ防止用光
   信号発生回路を更に備え、 前記誤トリガ防止用光信号発生回路とトリガ用光電変換
   器との間が誤トリガ防止用光ファイバーにより接続され
   ていることを特徴とする請求項１に記載の電力設備用半
   導体駆動素子制御装置。
3. 【請求項３】前記光電変換器は光の照射を受けた時に電
   圧を発生する電圧発生光ダイオードを複数個直列に接続
   して積層した光ダイオードスタックからなっている請求
   項１または２に記載の電力設備用半導体駆動素子制御装
   置。
4. 【請求項４】前記光電変換器は太陽電池からなっている
   請求項１または２に記載の電力設備用半導体駆動素子制
   御装置。
5. 【請求項５】前記各半導体駆動素子の両端に並列に接続
   されて該駆動素子の両端の電圧降下により発光する発光
   素子と、 前記発光素子が発生する光を表示用光ファイバーを通し
   て受光して表示動作を行う表示器とを更に備えたことを
   特徴とする請求項１，２，３または４に記載の電力設備
   用半導体駆動素子制御装置。