JPH05191121A - マイクロストリップ線路の形成方法 - Google Patents
マイクロストリップ線路の形成方法Info
- Publication number
- JPH05191121A JPH05191121A JP4004097A JP409792A JPH05191121A JP H05191121 A JPH05191121 A JP H05191121A JP 4004097 A JP4004097 A JP 4004097A JP 409792 A JP409792 A JP 409792A JP H05191121 A JPH05191121 A JP H05191121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip
- conductor
- oxide superconductor
- dielectric substrate
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 マイクロストリップ線路をきわめて単純な工
程で形成する。 【構成】 誘電体基板１０，１２，１４上に酸化物超電
導体２０，２２，２４を積層した物体を３個（Ａ）の
（ａ），（ｂ），（ｃ）作り、そのうちの１個（ｂ）に
ついてマイクロストリップ導体となる個所２２Ｓのみを
残して、他の個所をエッチング除去する。この物体を真
ん中に挟み、（Ｃ）の（ａ），（ｂ），（ｃ）のように
上下を残る２個の物体によって挟むと、誘電体基板１２
上に、中央にマイクロストリップ導体２２Ｓを配し、そ
の上下を誘電体基板１０，１２が挟み、さらにその上下
を接地導体２０，２４が挟むマイクロストリップ線路が
容易に形成される。
程で形成する。 【構成】 誘電体基板１０，１２，１４上に酸化物超電
導体２０，２２，２４を積層した物体を３個（Ａ）の
（ａ），（ｂ），（ｃ）作り、そのうちの１個（ｂ）に
ついてマイクロストリップ導体となる個所２２Ｓのみを
残して、他の個所をエッチング除去する。この物体を真
ん中に挟み、（Ｃ）の（ａ），（ｂ），（ｃ）のように
上下を残る２個の物体によって挟むと、誘電体基板１２
上に、中央にマイクロストリップ導体２２Ｓを配し、そ
の上下を誘電体基板１０，１２が挟み、さらにその上下
を接地導体２０，２４が挟むマイクロストリップ線路が
容易に形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、酸化物超電導体を用
いたマイクロストリップ線路の形成方法に関する。
いたマイクロストリップ線路の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロストリップ線路は高周波電流を
伝達するための主要な装置の一つである。この装置では
誘電体を挟んで、互いに平行なマイクロストリップ導体
と接地導体とで構成されている。図３（Ａ）および
（Ｂ）に示すように、形式には、大別して不平衡型と平
衡型の２種類がある。前者では誘電体１０を挟み、１枚
のストリップ導体２２ｓと１枚の接地導体２４とが平行
に配置されており、後者では２枚の接地導体２４がマイ
クロストリップ導体２２ｓの上下に配置されている。
伝達するための主要な装置の一つである。この装置では
誘電体を挟んで、互いに平行なマイクロストリップ導体
と接地導体とで構成されている。図３（Ａ）および
（Ｂ）に示すように、形式には、大別して不平衡型と平
衡型の２種類がある。前者では誘電体１０を挟み、１枚
のストリップ導体２２ｓと１枚の接地導体２４とが平行
に配置されており、後者では２枚の接地導体２４がマイ
クロストリップ導体２２ｓの上下に配置されている。
【０００３】マイクロストリップ線路は周波数帯域が広
く、小型で軽量であり、構造が簡単など種々の利点があ
るが、伝送損失の点において特に導波管と比較して劣っ
ている。
く、小型で軽量であり、構造が簡単など種々の利点があ
るが、伝送損失の点において特に導波管と比較して劣っ
ている。
【０００４】マイクロストリップ線路の伝送損失は、主
に導体損と、誘電体損とからなる。導体損による減衰定
数は導体の抵抗率の１／２乗に比例し、通常の金属を用
いる場合、導体損の減少には限界があった。これに対
し、最近発見された高温酸化物超電導体を導体に用いる
と、液体窒素温度程度にマイクロストリップ線路を冷却
することにより導体損を通常の金属の持つ値をはるかに
越えて減少させることができる。このため、例えば文
献：特開平１−１８５００１号公報では、マイクロスト
リップ導体および接地導体に酸化物超電導体を使用する
ことが開示されている。
に導体損と、誘電体損とからなる。導体損による減衰定
数は導体の抵抗率の１／２乗に比例し、通常の金属を用
いる場合、導体損の減少には限界があった。これに対
し、最近発見された高温酸化物超電導体を導体に用いる
と、液体窒素温度程度にマイクロストリップ線路を冷却
することにより導体損を通常の金属の持つ値をはるかに
越えて減少させることができる。このため、例えば文
献：特開平１−１８５００１号公報では、マイクロスト
リップ導体および接地導体に酸化物超電導体を使用する
ことが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この酸
化物超電導体の高周波抵抗は膜質に大きく依存し、従来
の形成方法によって高周波抵抗の低い酸化物超電導体を
マイクロストリップ導体および接地導体に形成すること
は困難であった。
化物超電導体の高周波抵抗は膜質に大きく依存し、従来
の形成方法によって高周波抵抗の低い酸化物超電導体を
マイクロストリップ導体および接地導体に形成すること
は困難であった。
【０００６】この発明の目的は、酸化物超電導体の物質
固有な高周波特性を損なうことなく、マイクロストリッ
プ線路を形成する方法を提供するものである。
固有な高周波特性を損なうことなく、マイクロストリッ
プ線路を形成する方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、誘電体基板上に酸化物超電導体
薄膜を形成した物体を３個製造し、そのうちの１個につ
いては、酸化物超電導体薄膜をマイクロストリップ導体
となる部分のみを残して、他の部分をエッチング除去
し、これを他の２個によって上下から挟んで結合させ
て、最上層から下方に向かって、酸化物超電導体薄膜、
誘電体基板、マイクロストリップ導体、誘電体基板、酸
化物超電導体薄膜、誘電体基板の順に組み合わせた構造
にすることを特徴とする。この発明の実施にあたり、酸
化物超電導体薄膜は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ、Ｂｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−ＯおよびＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏの
酸化物超電導体の群から選ばれた、少なくとも１種類の
酸化物超電導体で形成するのがよい。 また、誘電体基板
はＬａＡｌＯ3 （アルミン酸ランタン）、ＭｇＯ（酸化
マグネシウム）、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）の群
から選ばれた、少なくとも１種類の酸化物とするのがよ
い。
め、この発明によれば、誘電体基板上に酸化物超電導体
薄膜を形成した物体を３個製造し、そのうちの１個につ
いては、酸化物超電導体薄膜をマイクロストリップ導体
となる部分のみを残して、他の部分をエッチング除去
し、これを他の２個によって上下から挟んで結合させ
て、最上層から下方に向かって、酸化物超電導体薄膜、
誘電体基板、マイクロストリップ導体、誘電体基板、酸
化物超電導体薄膜、誘電体基板の順に組み合わせた構造
にすることを特徴とする。この発明の実施にあたり、酸
化物超電導体薄膜は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ、Ｂｉ−Ｓｒ
−Ｃａ−Ｃｕ−ＯおよびＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏの
酸化物超電導体の群から選ばれた、少なくとも１種類の
酸化物超電導体で形成するのがよい。 また、誘電体基板
はＬａＡｌＯ3 （アルミン酸ランタン）、ＭｇＯ（酸化
マグネシウム）、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）の群
から選ばれた、少なくとも１種類の酸化物とするのがよ
い。
【作用】この発明の構成によれば、まず、誘電体基板上
に酸化物超電導体薄膜を形成した物体を３個作り、次い
で、このうちの１個について、酸化物超電導体薄膜をマ
イクロストリップ導体となる部分を残して他の部分をエ
ッチング除去する。
に酸化物超電導体薄膜を形成した物体を３個作り、次い
で、このうちの１個について、酸化物超電導体薄膜をマ
イクロストリップ導体となる部分を残して他の部分をエ
ッチング除去する。
【０００８】このエッチングによってマイクロストリッ
プ導体を形成した物体を中央にして、残りの２個でこれ
を上下に挟む。このため、マイクロストリップ導体の膜
質はよい状態に保存されている。このようにすることに
よって、中央に酸化物超電導体からなるマイクロストリ
ップ導体を配置して、その上下をＬａＡｌＯ3 からなる
誘電体基板により挟み、さらにその上下を酸化物超電導
体からなる接地導体で挟んだマイクロストリップ線路が
容易に形成される。
プ導体を形成した物体を中央にして、残りの２個でこれ
を上下に挟む。このため、マイクロストリップ導体の膜
質はよい状態に保存されている。このようにすることに
よって、中央に酸化物超電導体からなるマイクロストリ
ップ導体を配置して、その上下をＬａＡｌＯ3 からなる
誘電体基板により挟み、さらにその上下を酸化物超電導
体からなる接地導体で挟んだマイクロストリップ線路が
容易に形成される。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】なお、図はこの発明が理解できる程度に、
各構成成分の形状、大きさ、および配置関係は概略的に
示してあるにすぎない。
各構成成分の形状、大きさ、および配置関係は概略的に
示してあるにすぎない。
【００１１】図２の（Ａ）および図２の（Ｂ）はこの発
明の実施例を示す斜視図および断面図である。
明の実施例を示す斜視図および断面図である。
【００１２】できあがりの構成としては酸化物超電導体
からなるマイクロストリップ導体２２ｓを挟んで上下
に、ＬａＡｌＯ3 からなる誘電体基板１０および１２を
配し、さらにこの上下を挟むような状態で、酸化物超電
導体からなる接地導体２０( 以下グランドプレーンとも
称する) および２４が配される。しかし、以下に述べる
形成方法によって、最下層１４は誘電体基板となる。
からなるマイクロストリップ導体２２ｓを挟んで上下
に、ＬａＡｌＯ3 からなる誘電体基板１０および１２を
配し、さらにこの上下を挟むような状態で、酸化物超電
導体からなる接地導体２０( 以下グランドプレーンとも
称する) および２４が配される。しかし、以下に述べる
形成方法によって、最下層１４は誘電体基板となる。
【００１３】まず、図１の（Ａ）に示すように、あらか
じめ誘電体基板１０、１２、１４上に酸化物超電導体か
らなる接地導体２０、２２、２４を積層したプロトタイ
プ（原型）を３個（図１の（Ａ）の（ａ），（ｂ），
（ｃ））用意する。そのうちの１個（図１の（Ａ）の
（ｂ））について、上面の酸化物超電導体をマイクロス
トリップ導体となる部分を残してエッチング除去する
（図１の（Ｂ）の（ｂ））。
じめ誘電体基板１０、１２、１４上に酸化物超電導体か
らなる接地導体２０、２２、２４を積層したプロトタイ
プ（原型）を３個（図１の（Ａ）の（ａ），（ｂ），
（ｃ））用意する。そのうちの１個（図１の（Ａ）の
（ｂ））について、上面の酸化物超電導体をマイクロス
トリップ導体となる部分を残してエッチング除去する
（図１の（Ｂ）の（ｂ））。
【００１４】換言すれば、図１の（Ａ）の（ｂ）につい
ては、酸化物超電導体で構成される接地導体をマイクロ
ストリップ導体２２ｓに変える。
ては、酸化物超電導体で構成される接地導体をマイクロ
ストリップ導体２２ｓに変える。
【００１５】このようにして、これら３個のプロトタイ
プを積み重ねることによって、所望のマイクロストリッ
プ線路を得ることができる（図１の（Ｃ））。
プを積み重ねることによって、所望のマイクロストリッ
プ線路を得ることができる（図１の（Ｃ））。
【００１６】なお、酸化物超電導体薄膜の厚みは数μｍ
（マイクロメータ）であるので、図１の（Ｃ）、および
図２の（Ａ）および（Ｂ）においてマイクロストリップ
導体２２ｓの両サイドが大きな空間になっているように
見えるが、ほとんど接着しているのに等しい。
（マイクロメータ）であるので、図１の（Ｃ）、および
図２の（Ａ）および（Ｂ）においてマイクロストリップ
導体２２ｓの両サイドが大きな空間になっているように
見えるが、ほとんど接着しているのに等しい。
【００１７】また、ここで使用する酸化物超電導体とし
ては、臨界温度が液体窒素の温度（−１９６℃）以上の
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ、Ｔ
ｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏなどが望ましい。また、誘電
体基板１０、１２、１４としては、ｔａｎδが小さく、
また表面抵抗の小さい酸化物超電導体が得られるＬａＡ
ｌＯ3 、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 などが望ましい。
ては、臨界温度が液体窒素の温度（−１９６℃）以上の
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ、Ｔ
ｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏなどが望ましい。また、誘電
体基板１０、１２、１４としては、ｔａｎδが小さく、
また表面抵抗の小さい酸化物超電導体が得られるＬａＡ
ｌＯ3 、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 などが望ましい。
【００１８】また、接地導体を２重にしたため、超電導
ストリップ線を囲む磁場の強さは、接地導体が１面の場
合に対し、同じ電流を流したときにできる磁場の強さの
約２分の１（１／２）になる。このことはＨC1（下部臨
界磁場）の低い酸化物超電導体に対し特に重要である。
ストリップ線を囲む磁場の強さは、接地導体が１面の場
合に対し、同じ電流を流したときにできる磁場の強さの
約２分の１（１／２）になる。このことはＨC1（下部臨
界磁場）の低い酸化物超電導体に対し特に重要である。
【００１９】磁束の流れによる電力損およびノイズをな
くすため超電導マイクロストリップ導体を囲む磁場はＨ
C1以下に抑える必要がある。酸化物超電導体のＨC1は、
フィジカル・レビユー・レターズ（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．
Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．６３，ｐｐ１８７３（１９８９））
によれば、２５０ガウス程度であり、通常の金属の臨界
磁場ＨC の１０分の１（１／１０）程度である（例えば
ニオブ（Ｎｂ）のＨC ２８００ガウスである）。このよ
うな場合、接地導体を２面にすることは特に重要であ
る。
くすため超電導マイクロストリップ導体を囲む磁場はＨ
C1以下に抑える必要がある。酸化物超電導体のＨC1は、
フィジカル・レビユー・レターズ（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．
Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．６３，ｐｐ１８７３（１９８９））
によれば、２５０ガウス程度であり、通常の金属の臨界
磁場ＨC の１０分の１（１／１０）程度である（例えば
ニオブ（Ｎｂ）のＨC ２８００ガウスである）。このよ
うな場合、接地導体を２面にすることは特に重要であ
る。
【００２０】
【発明の効果】上述の説明で明らかなように、この発明
による形成方法によれば、高品質の酸化物超電導体薄膜
によってマイクロストリップ導体、および接地導体が構
成されたマイクロストリップ線路を極めて容易に形成す
ることができる。
による形成方法によれば、高品質の酸化物超電導体薄膜
によってマイクロストリップ導体、および接地導体が構
成されたマイクロストリップ線路を極めて容易に形成す
ることができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の製造工程図であ
る。
る。
【図２】（Ａ）はこの発明を説明する斜視図、（Ｂ）は
この発明を説明する断面図である。
この発明を説明する断面図である。
【図３】（Ａ）は不平衡型マイクロストリップ線路の断
面斜視図、（Ｂ）は平衡型マイクロストリップ線路の断
面斜視図である。
面斜視図、（Ｂ）は平衡型マイクロストリップ線路の断
面斜視図である。
１０、１２、１４：誘電体基板 ２０、２２、２４：接地導体 ２２ｓ：マイクロストリップ導体
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロストリップ導体と接地導体と誘
電体基板とによって構成されるマイクロストリップ線路
の形成方法において、 誘電体基板上に酸化物超電導体薄膜を形成した物体を３
個製造し、そのうちの１個については、酸化物超電導体
薄膜をマイクロストリップ導体となる部分のみを残し
て、他の部分をエッチング除去し、これを他の２個によ
って上下から挟んで結合させて、最上層から下方に向か
って、酸化物超電導体薄膜、誘電体基板、マイクロスト
リップ導体、誘電体基板、酸化物超電導体薄膜、誘電体
基板の順に組み合わせた構造にすることを特徴とするマ
イクロストリップ線路の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の酸化物超電導体薄膜
は、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
およびＴｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏの酸化物超電導体の
群から選ばれた、少なくとも１種類の酸化物超電導体で
形成することを特徴とするマイクロストリップ線路の形
成方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の誘電体基板はＬａＡｌ
Ｏ3 （アルミン酸ランタン）、ＭｇＯ（酸化マグネシウ
ム）、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）の群から選ばれ
た、少なくとも１種類の酸化物であることを特徴とする
マイクロストリップ線路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004097A JPH05191121A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | マイクロストリップ線路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004097A JPH05191121A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | マイクロストリップ線路の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05191121A true JPH05191121A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11575293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4004097A Withdrawn JPH05191121A (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | マイクロストリップ線路の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05191121A (ja) |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP4004097A patent/JPH05191121A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5280013A (en) | Method of preparing high temperature superconductor films on opposite sides of a substrate | |
| US5750474A (en) | Method for manufacturing a superconductor-insulator-superconductor Josephson tunnel junction | |
| JPH02260674A (ja) | トンネル型ジョセフソン素子とその作製方法 | |
| JPH05335638A (ja) | ジョセフソン接合構造体およびその作製方法 | |
| US5672569A (en) | Process for fabricating a superconducting circuit | |
| JP3189403B2 (ja) | 超電導接合を有する素子およびその作製方法 | |
| JPH05191121A (ja) | マイクロストリップ線路の形成方法 | |
| US6479139B1 (en) | Superconducting substrate structure and a method of producing such structure | |
| JPH0472777A (ja) | 超電導デバイス用基板 | |
| US5856275A (en) | Superconducting wiring lines and process for fabricating the same | |
| JPH04310589A (ja) | マイクロ波デバイス用基板 | |
| JP3202631B2 (ja) | 銅酸化物超伝導薄膜の製造方法 | |
| JP2703403B2 (ja) | 超電導配線の作製方法 | |
| JPH04130679A (ja) | 超電導接合 | |
| JP2639958B2 (ja) | マグネット | |
| JP2663856B2 (ja) | エッジ型ジョセフソン接合を用いる超伝導回路およびその製造方法 | |
| JP2850562B2 (ja) | 超電導基板の製造方法 | |
| JPH05291632A (ja) | 超電導接合構造体 | |
| JPH0637514A (ja) | 超伝導高周波回路装置 | |
| JPH1174573A (ja) | 超伝導素子回路とその製造方法および超伝導デバイス | |
| JPH0563247A (ja) | 超電導接合構造体およびその作製方法 | |
| JP2773506B2 (ja) | 超電導配線の端子構造とその形成方法 | |
| JPH05160446A (ja) | 超電導配線およびその作製方法 | |
| JPH06334228A (ja) | 多層構造の超伝導素子及びその製造方法 | |
| JPH07273510A (ja) | マイクロストリップライン及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |