JPH05190752A - 電源パターンの配線構造 - Google Patents

電源パターンの配線構造

Info

Publication number
JPH05190752A
JPH05190752A JP4001865A JP186592A JPH05190752A JP H05190752 A JPH05190752 A JP H05190752A JP 4001865 A JP4001865 A JP 4001865A JP 186592 A JP186592 A JP 186592A JP H05190752 A JPH05190752 A JP H05190752A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
power supply
supply pattern
pattern
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4001865A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Otaguro
浩幸 太田黒
Hirotaka Kashiwabara
弘隆 柏原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4001865A priority Critical patent/JPH05190752A/ja
Publication of JPH05190752A publication Critical patent/JPH05190752A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0263High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップを表面実装する回路基板に係わ
り、特に電源パターンの配線構造に関し、半導体チップ
に供給する電源電圧のばらつきが小さいことを目的とす
る。 【構成】 パッド30と電源電極2にボンディングするパ
ッド30と、パターンを介してパッド30に接続された第1
のパッド31、表面電源パターン35を介して第1のパッド
31に接続された第2のパッド32が、回路基板10の表面に
形成され、表面電源パターン35に平行するバイパス電源
パターン45が、回路基板10の内層に形成され、バイパス
電源パターン45の一方の端末が、所望の抵抗値の第1の
ビアホール41を介して第1のパッド31に接続され、バイ
パス電源パターン45の他方の端末が、所望の抵抗値の第
2のビアホール42を介して第2のパッド32に接続されて
なる構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを表面実
装する回路基板に係わり、特に電源パターンの配線構造
に関するものである。
【0002】システムの高速化, 小型化の要求に伴い、
近年の電子装置に用いる回路基板は、セラミックスの多
層構造とし、LSI等の半導体チップを高密度に表面実
装している。そして、回路基板の裏面に設けた電源端
子,内層の電源パターン,ビアホール,表面のパターン
という電源回路を構成し、表面のパターンと半導体チッ
プの電源電極とを、ワイヤボンディングすることで、半
導体チップに電源を供給している。
【0003】
【従来の技術】図5は従来例の図で、(A) は回路基板の
側面図、(B) は回路基板の要所斜視図である。
【0004】図5において、1は、アルミナ等のセラミ
ックスよりなる多層構造の回路基板10に表面実装された
半導体チップであって、表面の四辺に沿って信号電極
3, 電源電極2及びアース電極を枠形に配設するととも
に、裏面の全面にメタライズ層を形成している。
【0005】また、回路基板10には、実装面の所望の位
置に半導体チップ1の底形状にほぼ等しい角形のダイパ
ッド7を設けるとともに、このダイパッド7を中心にし
て枠形にパッドを配列している。
【0006】これらのうち11は、電源電極2に金線等の
ボンディングワイヤ4(或いはTABのリード)を介し
て接続するパッドであり、17は、信号電極3に金線等の
ボンディングワイヤ4(或いはTABのリード)を介し
て接続するパッドである。
【0007】パッド11から電源パターン15を延伸してそ
の端末にパッド12を設け、パッド12をビアホール13を介
して内層の電源パターン16に接続している。そしてこの
内層の電源パターン16を、回路基板10は裏面に設けた電
源端子8に接続している。
【0008】一方、パッド17から信号パターンを延伸し
てその端末にパッドを設け、パッドをビアホールを介し
て内層の信号パターンに接続している。そしてこの内層
の信号パターンは、回路基板10は裏面に設けた入出力信
号端子9に接続している。
【0009】上述の電源パターン, 信号パターンの導体
材料は、例えばタングステン, 銀等であり、電源パター
ンのシート抵抗は約8m Ω/□ であり、ビアホールの
接続抵抗は9m Ω/ビアである。
【0010】半導体チップ1は、上述のように構成され
た回路基板10上に、その裏面がダイパッド7に合わせら
れ、導電性のダイボンディング接着剤(例えば銀混入の
エポキシ系接着剤)を用いてダイボンディングされ、表
面のそれぞれの電極と回路基板10の対応するパッドとを
ボンディングワイヤ4又はTABのリードを介して接続
している。
【0011】なお樹脂省略したがエポキシ系樹脂等の合
成樹脂を半導体チップ1の表面にポッティングして、半
導体チップ1及びボンディングワイヤ等を含む半導体チ
ップ周辺の全面を封止している。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年の半導体
チップの高速化,低消費電力化に伴い、半導体チップの
なかには供給する電源電圧のばらつきが±50 mVを要
求される場合があり、このことに伴い回路基板に設けた
電源端子から半導体チップの電源電極までの許容抵抗
が、20m Ω〜30m Ωと小さくなっている。
【0013】したがって、従来のような電源パターンの
配線構造では、半導体チップに供給する電源電圧のばら
つきが大きくて、半導体チップの特性が変動したり、或
いはまた半導体チップが動作しなくなるという問題点が
あった。
【0014】本発明はこのような点に鑑みて創作された
もので、半導体チップに供給する電源電圧のばらつきが
小さい、電源パターンの配線構造を提供することを目的
としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図1に図示したように、パッド30と電源
電極2とをワイヤボンディングすることで、表面実装し
た半導体チップ1に、電源を供給するよう構成した回路
基板10において、パターンを介して選択したパッド30に
接続された第1のパッド31と、表面電源パターン35を介
して第1のパッド31に接続された第2のパッド32と、第
2の表面電源パターン36を介して第2のパッド32に接続
された第3のパッド33とを、回路基板10の表面に形成す
る。なお、この選択したパッド30とは、電源端子までの
回路長が短いパッドとする。
【0016】一方、表面電源パターン35に平行するバイ
パス電源パターン45を、回路基板10の内層に設け、この
バイパス電源パターン45の一方の端末を、所望の抵抗値
の第1のビアホール41を介して第1のパッド31に接続
し、バイパス電源パターン45の他方の端末を、所望の抵
抗値の第2のビアホール42を介して第2のパッド32に接
続した構成とする。
【0017】或いは図3に例示したように、パッド30と
電源電極2とをワイヤボンディングすることで、表面実
装した半導体チップ1に、電源を供給するよう構成した
回路基板10において、パターンを介して選択したパッド
30に接続されパターンに直交する矩形状の第1のパッド
51と、表面電源パターン35を介して第1のパッド51に接
続され表面電源パターン35に直交する矩形状の第2のパ
ッド52と、第2の表面電源パターン36を介して第2のパ
ッド52に接続された第3のパッドとを回路基板10の表面
に形成する。
【0018】一方、表面電源パターン35に平行するバイ
パス電源パターン45を、回路基板10の内層に設け、第1
のパッド51に横一列に配列したそれぞれが異なる所望の
抵抗値の複数の第1のビアホール41-1,41-2,・・・・を、バ
イパス電源パターン45の一方の端末に接続し、第2のパ
ッド52に横一列に配列したそれぞれが異なる所望の抵抗
値の複数の第1のビアホール42-1,42-2,・・・・をバイパス
電源パターン45の他方の端末に接続した構成とする。
【0019】或いはさらにまた、図4に例示したよう
に、パターンを介して選択したパッド30に接続された第
1のパッド31と、表面電源パターン35を介して第1のパ
ッド31に接続された第2のパッド32と、第2の表面電源
パターン36を介して第2のパッド32に接続された第3の
パッド33とを、回路基板10の表面に形成する。なお、こ
の選択したパッド30とは、電源端子までの回路長が短い
パッドとする。
【0020】一方、表面電源パターン35に平行するバイ
パス電源パターン45を、回路基板10の内層に設け、この
バイパス電源パターン45の一方の端末を、所望の抵抗値
の第1のビアホール41を介して第1のパッド31に接続
し、バイパス電源パターン45の他方の端末を、所望の抵
抗値の第2のビアホール42を介して第2のパッド32に接
続する。
【0021】そして、表面電源パターン35と第2の表面
電源パターン36とを、第2のパッド32を迂回する第2の
バイパス表面パターン38で接続した構成とする。
【0022】
【作用】請求項1の発明によれば、第1のパッド31と第
2のパッド32とを接続している表面電源パターン35を、
レーザー等で切断することで、他の電源電極に通ずる単
に表面電源パターンのみを備えた電源供給路の抵抗より
も、(第1のビアホールの抵抗値+第2のビアホールの
抵抗値)だけ大きく調整することができる。
【0023】即ち、半導体チップのそれぞれの電源電極
の電源供給路の抵抗値をほぼ等しくすることができる。
したがって、半導体チップ上に所望に配列した電源電極
に供給する電源電圧のばらつきが小さくなる。
【0024】また請求項2の発明によれば、第1のパッ
ド51及び第2のパッド52には,それぞれ異なる抵抗値の
ビアホールを複数並列に設けて、バイパス電源パターン
45に接続している。
【0025】したがって、表面電源パターン35を切断す
るとともに、第1のパッド51及び第2のパッド52を、選
択したビアホールのみがバイパス電源パターン45に接続
するように切り離すことで、ビアホールの組合せ数だけ
微細に電源電圧のばらつきを小さく調整することができ
る。
【0026】また請求項3の発明によれば、表面電源パ
ターンを選択した個所で切断することで、ビアホールの
抵抗値が附加された電源供給路を提供し得ることは勿論
のこと、ビアホールの抵抗が附加されない電源供給路路
も提供できる。
【0027】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【0028】図1は本発明の実施例の斜視図、図2は本
発明の実施例の断面図、図3は本発明の他の実施例の斜
視図、図4は本発明のさらに他の実施例の斜視図であ
る。図1,図2において、アルミナ等のセラミックスよ
りなる多層構造の回路基板10には、複数の半導体チップ
1がダイボンディングされ、それぞれの半導体チップ1
の表面に配列した電源電極2は、回路基板10に配列した
対応するパッド30に、金線等のボンディングワイヤ4
(或いはTABのリード)を介して接続されている。ま
た信号電極3のそれぞれは、回路基板10に配列した対応
するパッドに、それぞれ金線等のボンディングワイヤ4
(或いはTABのリード)を介して接続されている。
【0029】回路基板10の表面には、パターンを介して
選択したパッド30に接続された第1のパッド31と、表面
電源パターン35を介して第1のパッド31に接続された第
2のパッド32と、第2の表面電源パターン36を介して第
2のパッド32に接続された第3のパッド33とが形成され
ている。なお、この選択したパッド30とは、回路基板10
の電源端子までの回路長が短いパッドである。或いはま
たこのパッド30は、電源端子に近い位置に搭載する半導
体チップのすべての電源電極2に対応するそれぞれのパ
ッドとする。
【0030】一方、表面電源パターン35に平行するバイ
パス電源パターン45を、回路基板10の内層に設け、この
バイパス電源パターン45の一方の端末を、所望の抵抗値
の第1のビアホール41を介して第1のパッド31に接続
し、バイパス電源パターン45の他方の端末を、所望の抵
抗値の第2のビアホール42を介して第2のパッド32に接
続されている。
【0031】前述のパターンの導体材料は、タングステ
ン, 銀等であり、パターンのシート抵抗は約8m Ω/□
である。また、第1のビアホール41,第2のビアホー
ル42の接続抵抗は9m Ω/ビアであって相等しい。
【0032】上述のような構造であるので、第1のパッ
ド31と第2のパッド32とを接続している表面電源パター
ン35をレーザー等を用いて、鎖線XーXの個所で切断す
ると、他の電源電極2通ずる単に表面電源パターンのみ
を備えた電源供給路の抵抗よりも、(第1のビアホール
の抵抗値+第2のビアホールの抵抗値)即ち約18 mΩだ
け大きくなる。
【0033】よって、半導体チップのそれぞれの電源電
極の電源供給路の抵抗値がほぼ等しくなり、半導体チッ
プ1に配列したすべての電源電極2に、ばらつきが小さ
い所定の電源電圧が供給される。
【0034】また、このようなバイパス電源パターンを
備えた電源供給路を、電源端子に近い位置に搭載する半
導体チップのすべての電源電極に適用することで、同一
の回路基板に搭載した複数の半導体チップのそれぞれの
電源電極の電源供給路の抵抗値がほぼ等しくなる。
【0035】図3に図示した電源パターンの配線構造
は、パターンを介して選択したパッド30に接続されパタ
ーンに直交する矩形状の第1のパッド51と、表面電源パ
ターン35を介して第1のパッド51に接続され表面電源パ
ターン35に直交する矩形状の第2のパッド52と、第2の
表面電源パターン36を介して第2のパッド52に接続され
た第3のパッドとを回路基板10の表面に形成している。
【0036】一方、表面電源パターン35に平行するバイ
パス電源パターン45を、回路基板10の内層に設け、この
バイパス電源パターン45の始端には、第1のパッド51に
対応する個所に同形状のほぼ矩形状のパッドを設け、バ
イパス電源パターン45の終端には、第2のパッド52に対
応する個所に同形状のほぼ矩形状のパッドを設けてい
る。
【0037】そして、第1のパッド51に横一列に3つの
第1のビアホール41-1(抵抗値が13m Ω) 、第1のビア
ホール41-2(抵抗値が9m Ω) 、第1のビアホール41-3
(抵抗値が5m Ω)を並列に設けて、バイパス電源パタ
ーン45の始端のパッドに接続している。
【0038】また、第2のパッド52に横一列に3つの、
第2のビアホール42-1(抵抗値が11m Ω) 、第1のビア
ホール42-2(抵抗値が8m Ω) 、第1のビアホール42-3
(抵抗値が5m Ω)を並列に設けて、バイパス電源パタ
ーン45の終端のパッドに接続している。
【0039】そして、表面電源パターン35を斜線Xのよ
うに切断するとともに、第1のパッド51を選択した第1
のビアホールが残り、他の第1のビアホールが第1のパ
ッド51と分離されるように切り離す。また、第2のパッ
ド52を選択した第2のビアホールが残り、他の第2のビ
アホールが第2のパッド52と分離されるように切り離
す。
【0040】例えば第1のパッド51を、図3の鎖線X1
のように切断して、第1のビアホール42を残し、第2の
パッド52を図3のX2 のように説して第2のビアホール
42-1を残すことで、他の電源電極に通ずる単に表面電源
パターンのみを備えた電源供給路の抵抗よりも、(9 m
Ω+11 mΩ)だけ大きくなる。
【0041】即ち、第1のビアホールと第2のビアホー
ルとを組み合わせることで、図示例では9種の異なる抵
抗値を有する電源供給路とすることができるので、さら
に微細に調整されたばらつきが小さい所定の電源電圧を
半導体チップ1に供給することができる。
【0042】図4に図示した電源パターンの配線構造
は、回路基板10の表面に、パターンを介して選択したパ
ッド30に接続された第1のパッド31と、表面電源パター
ン35を介して第1のパッド31に接続された第2のパッド
32と、第2の表面電源パターン36を介して第2のパッド
32に接続された第3のパッド33とを形成する。
【0043】一方、表面電源パターン35に平行するバイ
パス電源パターン45を、回路基板10の内層に設け、この
バイパス電源パターン45の一方の端末を、所望の抵抗値
の第1のビアホール41を介して第1のパッド31に接続
し、バイパス電源パターン45の他方の端末を、所望の抵
抗値の第2のビアホール42を介して第2のパッド32に接
続する。
【0044】そして、表面電源パターン35と第2の表面
電源パターン36とを、第2のパッド32を迂回する第2の
バイパス表面パターン38で接続している。したがって、
第2のバイパス表面パターン38,表面電源パターン35の
いずれも切断しないこのような電源供給路は、第1のビ
アホール41,第2のビアホール42,バイパス電源パター
ン45よりなる接続路と、表面電源パターン35の接続路が
並列に挿入されているので、抵抗値が最小であることは
勿論である。いま、表面電源パターン35の第2のビアホ
ール42寄りの個所(図示した鎖線X1 )と、第2の表面
電源パターン36の第2のビアホール42寄りの個所(図示
した鎖線X2 )で切断することで、(表面電源パターン
35の抵抗値の1/2+第2のバイパスパターンの抵抗値)
に変わる。
【0045】また一方、表面電源パターン35を第1のパ
ッド31よりの個所で切断することで(第2のパッド32の
抵抗値+バイパス電源パターン45の抵抗値+第1のビア
ホール41の抵抗値)に変わる。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、表面層に
表面電源パターンを、内層にビアホールを介してバイパ
ス電源パターンを設けた電源パターンの配線構造とした
ことにより、半導体チップのそれぞれの電源電極に接続
される電源供給路の抵抗値を、ほぼ等しくすることがで
きる。或いは、同一の回路基板に搭載した複数の半導体
チップの電源供給路の抵抗値を、ほぼ等しくすることが
できる。
【0047】したがって、半導体チップに供給する電源
電圧のばらつきが小さくなり、半導体チップの特性の変
動が阻止され、或いはまた半導体チップの動作不良が阻
止されるという、実用上で優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の斜視図
【図2】 本発明の実施例の断面図
【図3】 本発明の他の実施例の斜視図
【図4】 本発明のさらに他の実施例の斜視図
【図5】 従来例の図で、(A) は回路基板の側面図 (B) は回路基板の要所斜視図
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 電源電極 3 信号電極 4 ボンディングワイヤ 8 電源端子 9 入出力信号端子 10 回路基板 11,12,17,30 パッド 13 ビアホール 31,51 第1のパッド 32、52 第2のパッド 33 第3のパッド 35 表面電源パターン 36 第2の表面電源パターン 38 第2のバイパス表面パターン 41,41-1,41-2,41-3 第1のビアホール 42,42-1,42-2,42-3 第2のビアホール

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面実装した半導体チップ(1) に、表面
    に設けたパッド(30)から電源を供給するよう構成した回
    路基板(10)において、 パターンを介して選択した該パッド(30)に接続された第
    1のパッド(31)、表面電源パターン(35)を介して該第1
    のパッド(31)に接続された第2のパッド(32)、及び第2
    の表面電源パターン(36)を介して該第2のパッド(32)に
    接続された第3のパッド(33)が、該回路基板(10)の表面
    に形成され、 該表面電源パターン(35)に平行するバイパス電源パター
    ン(45)が、該回路基板(10)の内層に形成され、 該バイパス電源パターン(45)の一方の端末が、所望の抵
    抗値の第1のビアホール(41)を介して該第1のパッド(3
    1)に接続され、 該バイパス電源パターン(45)の他方の端末が、所望の抵
    抗値の第2のビアホール(42)を介して該第2のパッド(3
    2)に接続されてなることを特徴とする電源パターンの配
    線構造。
  2. 【請求項2】 表面実装した半導体チップ(1) に、表面
    に設けたパッド(30)から電源を供給するよう構成した回
    路基板(10)において、 パターンを介して選択した該パッド(30)に接続され該パ
    ターンに直交する矩形状の第1のパッド(51)、表面電源
    パターン(35)を介して該第1のパッド(51)に接続され該
    表面電源パターン(35)に直交する矩形状の第2のパッド
    (52)、及び第2の表面電源パターン(36)を介して該第2
    のパッド(52)に接続された第3のパッドが、該回路基板
    (10)の表面に形成され、 該表面電源パターン(35)に平行するバイパス電源パター
    ン(45)が、該回路基板(10)の内層に形成され、 該第1のパッド(51)に横一列に配列したそれぞれが異な
    る所望の抵抗値の複数の第1のビアホール(41-1,41-2,・
    ・・・)が、該バイパス電源パターン(45)の一方の端末に接
    続され、 該第2のパッド(52)に横一列に配列したそれぞれが異な
    る所望の抵抗値の複数の第1のビアホール(42-1,42-2,・
    ・・・)が、該バイパス電源パターン(45)の他方の端末に接
    続されてなることを特徴とする電源パターンの配線構
    造。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の表面電源パターン(35)と
    第2の表面電源パターン(36)とが、第2のパッド(32)を
    迂回する第2のバイパス表面パターン(38)で接続されて
    なることを特徴とする電源パターンの配線構造。
JP4001865A 1992-01-09 1992-01-09 電源パターンの配線構造 Withdrawn JPH05190752A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4001865A JPH05190752A (ja) 1992-01-09 1992-01-09 電源パターンの配線構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4001865A JPH05190752A (ja) 1992-01-09 1992-01-09 電源パターンの配線構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05190752A true JPH05190752A (ja) 1993-07-30

Family

ID=11513445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4001865A Withdrawn JPH05190752A (ja) 1992-01-09 1992-01-09 電源パターンの配線構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05190752A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017212966A1 (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 三菱電機株式会社 フレキシブルプリント基板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017212966A1 (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 三菱電機株式会社 フレキシブルプリント基板
GB2565453A (en) * 2016-06-09 2019-02-13 Mitsubishi Electric Corp Flexible printed board
JPWO2017212966A1 (ja) * 2016-06-09 2019-02-21 三菱電機株式会社 フレキシブルプリント基板
GB2565453B (en) * 2016-06-09 2021-09-08 Mitsubishi Electric Corp Flexible printed circuit board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2509027B2 (ja) 半導体装置
US7501709B1 (en) BGA package with wiring schemes having reduced current loop paths to improve cross talk control and characteristic impedance
JPS63131561A (ja) 電子パツケージ
JP2010192680A (ja) 半導体装置
JP2951573B2 (ja) 分離されたダイパッドを有する半導体パッケージ
US6047467A (en) Printed circuit board layout to minimize the clock delay caused by mismatch in length of metal lines and enhance the thermal performance of microelectronics packages via conduction through the package leads
US6340839B1 (en) Hybrid integrated circuit
JP2001156251A (ja) 半導体装置
JPH04273451A (ja) 半導体装置
JP2001168233A (ja) 多重回線グリッド・アレイ・パッケージ
US7102211B2 (en) Semiconductor device and hybrid integrated circuit device
JPS5915183B2 (ja) マトリツクス配線基板
US6225690B1 (en) Plastic ball grid array package with strip line configuration
JPH05190752A (ja) 電源パターンの配線構造
KR20020028474A (ko) 멀티 칩 패키지에서의 칩들과 기판간의 전기적 연결방법
JP2004047715A (ja) 半導体接続中継部材及び半導体装置
JP3831173B2 (ja) 半導体モジュール
JP2990120B2 (ja) 半導体装置
JP3259217B2 (ja) ノイズ低減パッケージ
US20030034559A1 (en) Ball grid array package with electrically-conductive bridge
JP2000269376A (ja) 半導体装置
JP2677087B2 (ja) 半導体集積回路
KR100206975B1 (ko) 반도체 패키지
JP2004047781A (ja) 混成集積回路装置およびその製造方法
JPH0669405A (ja) 半導体集積回路

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990408