JPH05186232A - Apparatus for producing glass thin film - Google Patents

Apparatus for producing glass thin film

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JPH05186232A
JPH05186232A JP392392A JP392392A JPH05186232A JP H05186232 A JPH05186232 A JP H05186232A JP 392392 A JP392392 A JP 392392A JP 392392 A JP392392 A JP 392392A JP H05186232 A JPH05186232 A JP H05186232A
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JP
Japan
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substrates
cylindrical holder
glass
holder
thin film
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Application number
JP392392A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Ishikawa
真二 石川
Hiroo Kanamori
弘雄 金森
Akira Urano
章 浦野
Haruhiko Aikawa
晴彦 相川
Chizai Hirose
智財 広瀬
Masahide Saito
真秀 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1484Means for supporting, rotating or translating the article being formed

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
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  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the inhomogeneity caused in forming many porous glass films. CONSTITUTION:A cylindrical holder 14 housed in a reactional vessel 12 is rotated sound the shaft 24 relatively to the reactional vessel 12 and reciprocated in the direction of the shaft 24. Plural substrates 16 are supported on the side of this cylindrical holder 14. A burner 20 fixed on the side of the reactional vessel 12 is capable of feeding a raw material together with an oxyhydrogen flame onto the substrates 16 on the side of the cylindrical holder 14 to form glass fine particulate layers on the surfaces of the substrates. A heater member 26 housed in the inner space of the cylindrical holder 14 is capable of uniformly heating the plural substrates 16 while rotating relatively to the cylindrical holder 14 round the shaft 28 as the center. Thereby, the temperatures of the respective substrates can be kept constant and the glass fine particulate layers deposited on the respective substrates 16 can be homogenized and regulated to a constant thickness. The substrates 16 are then heated to a high temperature in a furnace and the deposited glass fine particulate layers are transparentized to provide oxide glass thin films.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光導波路等を形成する
ために用いることが可能なガラス薄膜の製造装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass thin film manufacturing apparatus which can be used for forming an optical waveguide or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は、酸化物ガラス薄膜の製造装置の
従来例を示す。反応容器6内には、トーチ3からのガラ
ス微粒子を堆積すべき複数の基板1が配置される。基板
1に堆積されなかったガラス微粒子や排気ガスは排気管
4に吸引される。基板1上にガラス微粒子を一様に堆積
するため、基板1を載置したターンテーブル2は、モー
タによって反応器6に対して回転駆動される。また、こ
のターンテーブル2には下部ヒータ5が設けられてい
て、ターンテーブル2上に載置された基板1を一様に加
熱する。なお、従来例の具体的内容については、特開昭
58−105111号公報等に記載されている。
2. Description of the Related Art FIG. 1 shows a conventional example of an apparatus for producing an oxide glass thin film. In the reaction vessel 6, a plurality of substrates 1 on which the glass particles from the torch 3 are to be deposited are arranged. The glass particles and exhaust gas not deposited on the substrate 1 are sucked into the exhaust pipe 4. In order to uniformly deposit glass particles on the substrate 1, the turntable 2 on which the substrate 1 is placed is rotationally driven by the motor with respect to the reactor 6. Further, the turntable 2 is provided with a lower heater 5 to uniformly heat the substrate 1 placed on the turntable 2. The specific contents of the conventional example are described in JP-A-58-105111.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の装置で
は、ターンテーブル2と下部ヒータ5とが一体になって
いたため、ターンテーブル2の半径方向および周方向に
温度分布が生じやすかった。このため、基板1上に形成
すべきコア層用及びバッファ層用の多孔質ガラス体の膜
厚に不均質が生じていた。また、基板1をターンテーブ
ル2上に1次元的に配置していたので、ターンテーブル
2の半径を増大させない限り、ガラス薄膜を同時に堆積
しうる基板の数に一定の限界があった。
However, in the conventional apparatus, since the turntable 2 and the lower heater 5 are integrated, temperature distribution is likely to occur in the radial direction and the circumferential direction of the turntable 2. For this reason, the film thickness of the porous glass body for the core layer and the buffer layer to be formed on the substrate 1 is nonuniform. Further, since the substrate 1 is arranged one-dimensionally on the turntable 2, there is a certain limit on the number of substrates on which the glass thin film can be simultaneously deposited unless the radius of the turntable 2 is increased.

【0004】そこで、本発明は、基板上に形成すべき多
孔質ガラス体の膜厚に生じる不均質を低減することによ
って、より均質なガラス薄膜を同時に多数製造しうる装
置を提供することを目的とする。
Therefore, the object of the present invention is to provide an apparatus capable of simultaneously producing a large number of more homogeneous glass thin films by reducing the non-uniformity in the film thickness of the porous glass body to be formed on the substrate. And

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るガラス薄膜の製造装置は、(a)ガラ
ス薄膜を形成すべき複数の基板を所定の中心軸から略等
距離にある側面上に支持するとともに、反応容器内でこ
の反応容器に対して上記所定の中心軸を中心として回転
しかつこの中心軸の方向に往復移動する円筒状ホルダ
と、(b)反応容器側に固定されるとともに、回転しか
つ往復移動する円筒状ホルダの側面上に支持された複数
の基板上に酸水素炎とともに原料を供給してガラス微粒
子層を形成するバーナと、(c)円筒状ホルダの内部空
間に収容され、円筒状ホルダの上記所定の中心軸と略同
一の回転軸を中心として、円筒状ホルダに対して相対的
に回転するとともに、円筒状ホルダに支持される複数の
基板を加熱するヒータ部材とを備えることとしている。
In order to solve the above-mentioned problems, the glass thin film manufacturing apparatus according to the present invention comprises: (a) a plurality of substrates on which glass thin films are to be formed are equidistant from a predetermined central axis. A cylindrical holder that is supported on the side surface, rotates in the reaction container about the predetermined center axis with respect to the reaction container, and reciprocates in the direction of the center axis; and (b) is fixed to the reaction container side. And a burner for supplying a raw material together with an oxyhydrogen flame to form a glass fine particle layer on a plurality of substrates supported on the side surfaces of the cylindrical holder that rotates and reciprocates, and (c) the cylindrical holder. It heats a plurality of substrates that are housed in the internal space and rotate relative to the cylindrical holder about a rotation axis that is substantially the same as the predetermined center axis of the cylindrical holder, and that are supported by the cylindrical holder. Heater It is set to be provided with the wood.

【0006】[0006]

【作用】上記ガラス薄膜の製造装置によれば、ヒータ部
材が、円筒状ホルダの上記所定の中心軸と略同一の回転
軸を中心として、円筒状ホルダ内でこの円筒状ホルダに
対して相対的に回転している。これにより、円筒状ホル
ダの側面に支持された複数の基板の各位置における温度
分布を一様に保つことができる。この結果、基板上に堆
積されるガラス微粒子層の厚みを一様に保つことがで
き、さらにガラス微粒子層をより均質なものとすること
ができる。しかも、基板を円筒状ホルダの側面に2次元
的に支持することができるので、均質なガラス微粒子層
を多数の基板上に同時に形成することができる。
According to the above apparatus for manufacturing a glass thin film, the heater member is arranged in the cylindrical holder relative to the cylindrical holder about a rotation axis substantially the same as the predetermined central axis of the cylindrical holder. Is rotating. Thereby, the temperature distribution at each position of the plurality of substrates supported by the side surface of the cylindrical holder can be kept uniform. As a result, the thickness of the glass fine particle layer deposited on the substrate can be kept uniform, and the glass fine particle layer can be made more uniform. Moreover, since the substrate can be two-dimensionally supported on the side surface of the cylindrical holder, a homogeneous glass fine particle layer can be simultaneously formed on a large number of substrates.

【0007】[0007]

【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
EXAMPLES Examples of the present invention will be specifically described below.

【0008】図2は、実施例にかかるの酸化物ガラス薄
膜の製造装置の構成を示した斜視図である。マッフル炉
内の反応容器12は円筒状の内部空間を有し、その内部
に円筒状のホルダドラム14を収容している。このホル
ダドラム14の側面には、ガラス微粒子層を堆積すべき
複数の基板16(例えば、Si基板、SiO2 基板等)
Iがねじ止めの固定板18によって支持されている。反
応容器12の側壁には、ホルダドラム14の側面に対向
するようにバーナ20のガス噴出口が固設されている。
バーナ20には燃料および原料ガスが供給される。バー
ナ20からは、燃料ガスによって生じた酸水素炎とこれ
によって原料ガスから合成された酸化物ガラス微粒子と
が各基板16上に供給される。これらの基板16上に堆
積されなかったガラス微粒子や排気ガスは、反応容器1
2の側壁にバーナ20に対向するように固設された排気
管22の吸入口に吸引される。
FIG. 2 is a perspective view showing the construction of an oxide glass thin film manufacturing apparatus according to an embodiment. The reaction vessel 12 in the muffle furnace has a cylindrical internal space, and a cylindrical holder drum 14 is housed inside the internal space. On the side surface of the holder drum 14, a plurality of substrates 16 (for example, Si substrate, SiO 2 substrate, etc.) on which a glass fine particle layer should be deposited.
I is supported by a fixing plate 18 which is screwed. A gas ejection port of the burner 20 is fixedly provided on the side wall of the reaction container 12 so as to face the side surface of the holder drum 14.
Fuel and source gas are supplied to the burner 20. From the burner 20, the oxyhydrogen flame generated by the fuel gas and the oxide glass fine particles synthesized from the raw material gas by this are supplied onto each substrate 16. The glass particles and the exhaust gas not deposited on these substrates 16 are removed from the reaction container 1
It is sucked into the suction port of the exhaust pipe 22 fixed to the side wall 2 of the burner 20 so as to face the burner 20.

【0009】各基板16上にガラス微粒子を均一に供給
し堆積させるため、基板16を支持するホルダドラム1
4は、その中心軸を中心として回転し、かつ、反応容器
12内で上下方向に往復移動する。すなわち、バーナ2
0はホルダドラム14の側面に対して結果的に2次元に
走査されることとなる。ホルダドラム14の回転と往復
移動は、ホルダドラム14上部に固定された支持軸24
を介してマッフル炉の外部から制御される。この場合、
支持軸24の周囲にパージガスを流すことで、反応容器
12内に外気が流入することを防止できる。
In order to uniformly supply and deposit glass particles on each substrate 16, a holder drum 1 for supporting the substrate 16 is provided.
4 rotates about its central axis and reciprocates vertically in the reaction vessel 12. Ie burner 2
0 results in two-dimensional scanning of the side surface of the holder drum 14. The rotation and reciprocal movement of the holder drum 14 are controlled by the support shaft 24 fixed to the upper portion of the holder drum 14.
It is controlled from outside the muffle furnace via. in this case,
By flowing the purge gas around the support shaft 24, it is possible to prevent outside air from flowing into the reaction container 12.

【0010】また、ホルダドラム14側面に支持された
各基板16の温度を一定に保つため、ホルダドラム14
の内部空間には、熱線を発生する発熱体を表面に形成し
た円柱状のヒータ部材が設けられている。図3は、この
ヒータ部材を示す側方向断面図である。ヒータ部材26
は、ホルダドラム14の内壁に近接するが、ホルダドラ
ム14とは接しておらず、ホルダドラム14に対して回
転可能になっている。この場合、ヒータ部材26は反応
容器12に対して相対的に回転しない。ただし、ホルダ
ドラム14の上下位置に応じてヒータ部材26を移動さ
せる必要がある。ホルダドラム14のかかる上下移動
は、ホルダドラム14下部に固定された支持軸28を介
してマッフル炉の外部から制御される。この場合、支持
軸28の周囲にパージガスを流すことで、反応容器12
とホルダドラム14の内部に外気が流入することを防止
できる。
Further, in order to keep the temperature of each substrate 16 supported on the side surface of the holder drum 14 constant, the holder drum 14
A cylindrical heater member having a heating element for generating heat rays formed on its surface is provided in the internal space of. FIG. 3 is a side sectional view showing this heater member. Heater member 26
Is close to the inner wall of the holder drum 14, but is not in contact with the holder drum 14, and is rotatable with respect to the holder drum 14. In this case, the heater member 26 does not rotate relative to the reaction container 12. However, it is necessary to move the heater member 26 according to the vertical position of the holder drum 14. The vertical movement of the holder drum 14 is controlled from the outside of the muffle furnace via a support shaft 28 fixed to the lower portion of the holder drum 14. In this case, by flowing the purge gas around the support shaft 28, the reaction container 12
It is possible to prevent outside air from flowing into the holder drum 14.

【0011】さらに、図示していないが、ホルダドラム
14の側面に支持された各基板4の温度をより一定に保
つため、ヒータ部材26の周囲には櫛歯状の発熱体が一
様に形成されている。この発熱体は、支持軸28内を通
る配線30を介して外部の電源装置32によって発熱状
態を制御される。
Further, although not shown, in order to keep the temperature of each substrate 4 supported on the side surface of the holder drum 14 more constant, comb-shaped heating elements are uniformly formed around the heater member 26. Has been done. The heating state of this heating element is controlled by an external power supply device 32 via a wire 30 passing through the support shaft 28.

【0012】図2及び図3の製造装置の動作について簡
単に説明する。バーナ20に燃料および原料ガスを供給
することにより、酸化物ガラス微粒子を各基板16上に
堆積する。これと同時に、ホルダドラム14を回転さ
せ、かつ、その回転軸の上下方向に往復移動させている
ので、バーナ20からのガラス微粒子は各基板16上に
一様に供給される。さらに、ヒータ部材26がホルダド
ラム14に対して相対的に回転してこのホルダドラム1
4の側壁に支持された各基板16を一様に加熱している
ので、各基板16の温度を一定に保つことができる。す
なわち、各基板16が同様の熱履歴をたどるので、各基
板16上に堆積されるガラス微粒子層を、同一基板内あ
るいは基板相互間で均質かつ一定の厚みにすることがで
きる。
The operation of the manufacturing apparatus shown in FIGS. 2 and 3 will be briefly described. By supplying the fuel and the source gas to the burner 20, the oxide glass fine particles are deposited on each substrate 16. At the same time, since the holder drum 14 is rotated and reciprocally moved in the vertical direction of its rotation axis, the glass fine particles from the burner 20 are uniformly supplied onto each substrate 16. Further, the heater member 26 rotates relative to the holder drum 14 and the holder drum 1
Since each of the substrates 16 supported by the side walls of No. 4 is uniformly heated, the temperature of each substrate 16 can be kept constant. That is, since each substrate 16 follows a similar thermal history, the glass fine particle layer deposited on each substrate 16 can be made uniform and uniform in thickness within the same substrate or between the substrates.

【0013】この後、各基板16を別の炉内で1000
℃以上の高温に加熱し、堆積されたガラス微粒子層を透
明化すれば、ガラス薄膜を得ることがでる。また、上記
の動作を繰り返し、さらに、RIE等によるエッチング
を組み合わせれば、各基板16上に所定パターンの光導
波路を形成することもできる。
Thereafter, each substrate 16 is placed in another furnace for 1000
A glass thin film can be obtained by heating to a high temperature of ℃ or more to make the deposited glass fine particle layer transparent. Further, by repeating the above operation and combining etching by RIE or the like, an optical waveguide having a predetermined pattern can be formed on each substrate 16.

【0014】以下、図2の製造装置を用いたガラス薄膜
の製造例について説明する。ガラス微粒子のススを堆積
するにあたって、基板16として3インチのシリコンウ
ェハを用い、これらをホルダドラム14の表面に適宜配
置した。
An example of manufacturing a glass thin film using the manufacturing apparatus shown in FIG. 2 will be described below. When depositing soot of glass particles, a 3-inch silicon wafer was used as the substrate 16, and these were appropriately arranged on the surface of the holder drum 14.

【0015】ガラス微粒子の堆積条件は、ホルダドラム
14の回転速度を10rpm程度とし、ホルダドラム1
4の往復移動の速度を20mm/分とした。このとき、
ヒータ部材26はホルダドラム14すなわちシリコンウ
ェハが800℃になるように設定した。バッファ層とな
るべきスス層の原料は、SiCl4 (150cc/
分)、BCl3 (20cc/分)及びPoCl3 (1c
c/分)で、その形成時間は90分とした。また、コア
層となるべきスス層の原料は、SiCl4 (150cc
/分)、GeCl4 (30cc/分)、BCl3 (20
cc/分)及びPoCl3 (1cc/分)で、その形成
時間は30分とした。つまり、堆積されるスス層の組成
は、バッファ層となるべきススでB2 3 −P2 5
SiO2 となり、コア層となるべきスス層でB2 3
2 5 −SiO2 −GeO2 となる。
The deposition conditions of the glass fine particles are that the rotation speed of the holder drum 14 is about 10 rpm, and the holder drum 1
The reciprocating speed of 4 was 20 mm / min. At this time,
The heater member 26 was set so that the temperature of the holder drum 14, that is, the silicon wafer was 800 ° C. The raw material of the soot layer to be the buffer layer is SiCl 4 (150 cc /
Min), BCl 3 (20 cc / min) and PoCl 3 (1 c
c / min) and the formation time was 90 minutes. The raw material of the soot layer to be the core layer is SiCl 4 (150 cc
/ Min), GeCl 4 (30 cc / min), BCl 3 (20
cc / min) and PoCl 3 (1 cc / min) with a formation time of 30 minutes. In other words, the composition of the soot layer being deposited, B 2 O 3 -P 2 O 5 with soot to become the buffer layer -
SiO 2 becomes, B 2 O 3 in soot layer to become the core layer -
The P 2 O 5 -SiO 2 -GeO 2 .

【0016】上記のようにして堆積した2重構造のスス
層を、別に用意した加熱炉中において、He(ヘリウ
ム)およびO2 ガスの混合ガス雰囲気下、加熱温度12
80℃で透明ガラス化し、2重構造のガラス薄膜を得
た。このとき、He(ヘリウム)ガスとO2 ガスの供給
量はそれぞれ5l/分及び0.51/分で、その供給比
は10:1とした。得られたガラス薄膜の厚さは、ホル
ダドラム14上部で形成したものとその下部で形成した
ものとの間で0.5μmの差があった。なお、膜厚の差
は光干渉法で測定した。
The double layer soot layer deposited as described above is heated in a separately prepared heating furnace under a mixed gas atmosphere of He (helium) and O 2 gas at a heating temperature of 12
Transparent glass was formed at 80 ° C. to obtain a glass thin film having a double structure. At this time, the supply amounts of He (helium) gas and O 2 gas were 5 l / min and 0.51 / min, respectively, and the supply ratio was 10: 1. The thickness of the obtained glass thin film was different by 0.5 μm between the one formed on the upper portion of the holder drum 14 and the one formed on the lower portion thereof. The difference in film thickness was measured by an optical interference method.

【0017】次に、リソグラフィ技術とRIE等のエッ
チングとを組み合わせてコア層を加工し、バッファ層上
に直線状の導波路パターンを形成する。さらに再び図2
の製造装置を用いて導波路パターン上にスス層を堆積し
て透明化し、クラッドガラス層を形成する。クラッドガ
ラス層となるべきスス層の原料は、SiCl4 (150
cc/分)、BCl3 (20cc/分)及びPoCl3
(1cc/分)で、その形成時間は60分とした。つま
り、堆積されるスス層の組成は、バッファ層となるべき
ススでB2 3 −P2 5 −SiO2 となる。この場
合、スス層の透明化は上記バッファ層の場合と同様とし
た。以上の行程により、横幅×高さが5μm×6μm
で、比屈折率差が0.5%の直線導波路を組み込んだ導
波路型装置が得られた。
Next, the core layer is processed by combining the lithography technique and etching such as RIE to form a linear waveguide pattern on the buffer layer. Figure 2 again
The soot layer is deposited on the waveguide pattern and made transparent by using the manufacturing apparatus of 1. to form a clad glass layer. The raw material of the soot layer to be the clad glass layer is SiCl 4 (150
cc / min), BCl 3 (20 cc / min) and PoCl 3
(1 cc / min) and the formation time was 60 minutes. That is, the composition of the deposited soot layer is B 2 O 3 —P 2 O 5 —SiO 2 which is the soot that should form the buffer layer. In this case, the soot layer was made transparent as in the case of the buffer layer. By the above process, width x height is 5μm × 6μm
Thus, a waveguide type device incorporating a linear waveguide having a relative refractive index difference of 0.5% was obtained.

【0018】得られた導波路型装置の端面に光ファイバ
を付き合わせるバットカップリング(Butt-Coupling )
によってその損失を測定したところ、0.08dB/c
mと比較的良好なものであった。
Butt-Coupling for attaching an optical fiber to the end face of the obtained waveguide type device
The loss was measured by 0.08 dB / c
m was relatively good.

【0019】本発明は上記実施例に限られるものではな
い。例えば、上下方向の温度分布の均質性を高めるた
め、ホルダドラム14中のヒータ部材26を上下に往復
動させてもよい。また、ホルダドラム14を固定し、そ
の周囲でバーナ20を反応容器12ごと回転かつ上下動
させてもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the heater member 26 in the holder drum 14 may be vertically reciprocated in order to increase the homogeneity of the temperature distribution in the vertical direction. Alternatively, the holder drum 14 may be fixed, and the burner 20 may be rotated and moved up and down together with the reaction container 12 around the holder drum 14.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のガラス薄
膜の製造装置によれば、ヒータ部材が、円筒状ホルダ内
でこの円筒状ホルダに対して相対的に回転しているの
で、円筒状ホルダの側面に支持された複数の基板の各位
置における温度分布を一様に保つことができる。この結
果、基板上に堆積されるガラス微粒子層の厚みを一様に
保つことができ、さらにガラス微粒子組成をより均質な
ものとすることができる。しかも、基板を円筒状ホルダ
の側面に2次元的に支持することができるので、均質な
ガラス微粒子層を多数の基板上に同時に形成することが
できる。
As described above, according to the glass thin film manufacturing apparatus of the present invention, since the heater member is rotated in the cylindrical holder relative to the cylindrical holder, The temperature distribution at each position of the plurality of substrates supported on the side surface of the holder can be kept uniform. As a result, the thickness of the glass fine particle layer deposited on the substrate can be kept uniform, and the glass fine particle composition can be made more uniform. Moreover, since the substrate can be two-dimensionally supported on the side surface of the cylindrical holder, a homogeneous glass fine particle layer can be simultaneously formed on a large number of substrates.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来の酸化物ガラス薄膜の製造装置を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a conventional apparatus for producing an oxide glass thin film.

【図2】実施例のガラス薄膜の製造装置を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an apparatus for manufacturing a glass thin film of an example.

【図3】図2の製造装置の断面図。3 is a sectional view of the manufacturing apparatus in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12…反応容器、14…円筒状ホルダ、16…基板、2
0…バーナ、26…ヒータ部材。
12 ... Reaction container, 14 ... Cylindrical holder, 16 ... Substrate, 2
0 ... Burner, 26 ... Heater member.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 相川 晴彦 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 広瀬 智財 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 斎藤 真秀 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Haruhiko Aikawa 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Sumitomo Electric Industries, Ltd. Yokohama Works (72) Satoshi Hirose 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, Kanagawa Sumitomo Denki Kogyo Co., Ltd. Yokohama Works (72) Inventor Masahide Saito 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Sumitomo Denki Kogyo Co., Ltd. Yokohama Works

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス薄膜を形成すべき複数の基板を所
定の中心軸から略等距離にある側面上に支持するととも
に、反応容器内で該反応容器に対して前記所定の中心軸
を中心として回転しかつ該所定の中心軸の方向に往復移
動する円筒状ホルダと、 前記反応容器側に固定されるとともに、回転しかつ往復
移動する前記円筒状ホルダの側面上に支持された前記複
数の基板上に酸水素炎とともに原料を供給してガラス微
粒子層を形成するバーナと、 前記円筒状ホルダの内部空間に収容され、前記円筒状ホ
ルダの所定の中心軸と略同一の回転軸を中心として、前
記円筒状ホルダに対して相対的に回転するとともに、前
記円筒状ホルダに支持された前記複数の基板を加熱する
ヒータ部材と、を備えるガラス薄膜の製造装置。
1. A plurality of substrates on which a glass thin film is to be formed are supported on side surfaces that are substantially equidistant from a predetermined central axis, and the predetermined central axis is centered in the reaction vessel with respect to the reaction vessel. A cylindrical holder that rotates and reciprocates in the direction of the predetermined central axis, and the plurality of substrates that are fixed to the reaction container side and that are supported on the side surfaces of the cylindrical holder that rotates and reciprocates. A burner that supplies a raw material together with an oxyhydrogen flame to form a glass fine particle layer, and is housed in the internal space of the cylindrical holder, and about a rotation axis substantially the same as a predetermined central axis of the cylindrical holder, An apparatus for manufacturing a glass thin film, comprising: a heater member that rotates relative to the cylindrical holder and that heats the plurality of substrates supported by the cylindrical holder.
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