JPH05183520A - 双方向伝送光モジュ−ル - Google Patents
双方向伝送光モジュ−ルInfo
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- JPH05183520A JPH05183520A JP3345471A JP34547191A JPH05183520A JP H05183520 A JPH05183520 A JP H05183520A JP 3345471 A JP3345471 A JP 3345471A JP 34547191 A JP34547191 A JP 34547191A JP H05183520 A JPH05183520 A JP H05183520A
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- semiconductor laser
- bidirectional transmission
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 双方向伝送光モジュ−ルの小型化、低クロス
ト−ク化を図る。 【構成】 光ファイバ1の端に接続される光分波器8
と、その光分波器8の第1の出力端に接続され光ファイ
バ1へ特定波長λ1 の光信号を送出する半導体レ−ザ−
2と、第2の出力端に接続され光ファイバ1からの前記
特定波長λ1 と異なる特定波長λ2 の光信号を増幅する
光増幅器6と、その光増幅器6の出力光信号を受信する
受光素子4とを備えて構成されたことを特徴としてい
る。
ト−ク化を図る。 【構成】 光ファイバ1の端に接続される光分波器8
と、その光分波器8の第1の出力端に接続され光ファイ
バ1へ特定波長λ1 の光信号を送出する半導体レ−ザ−
2と、第2の出力端に接続され光ファイバ1からの前記
特定波長λ1 と異なる特定波長λ2 の光信号を増幅する
光増幅器6と、その光増幅器6の出力光信号を受信する
受光素子4とを備えて構成されたことを特徴としてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、双方向伝送光モジュ−
ルおよび双方向伝送光モジュ−ルを光ファイバの両端に
接続してなる双方向伝送システムに関するものである。
ルおよび双方向伝送光モジュ−ルを光ファイバの両端に
接続してなる双方向伝送システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】2局間を一本の光ファイバで接続し、2
つの相異なった波長λ1 及びλ2 の光信号を用いて双方
向に情報伝送を行うシステムが経済化を実現できる点で
注目されるようになってきた。
つの相異なった波長λ1 及びλ2 の光信号を用いて双方
向に情報伝送を行うシステムが経済化を実現できる点で
注目されるようになってきた。
【0003】図3に従来の双方向伝送光モジュ−ルを用
いた双方向伝送システムの構成図を示す。このシステム
は、従来より本発明者が提案してきたものであり、光フ
ァイバ1の両端に双方向伝送光モジュ−ルA3 ,B3 を
それぞれ接続し、光モジュ−ルA3 からは波長λ1 の光
信号を用いて情報信号を双方向伝送光モジュ−ルB 3
側に送出し、逆に、双方向伝送光モジュ−ルB3 からは
波長λ2 の光信号を用いて情報信号を双方向伝送光モジ
ュ−ルA3 側に送出するよう構成したシステムである。
双方向伝送光モジュ−ルA3 においては、半導体レ−ザ
−2からの波長λ1 の光信号が方向性結合器型の光分波
器8−1,8−3を通して光ファイバ1内に送り込ま
れ、双方向伝送光モジュ−ルB3 に達する。そして方向
性結合器型の光分波器9−3,9−2を介して受光素子
5で受信される。一方、双方向伝送光モジュ−ルB3 に
おいては、半導体レ−ザ−3からの波長λ2 の光信号が
方向性結合器型の光分波器9−1,9−3を通して光フ
ァイバ1内に送り込まれ、双方向伝送光モジュ−ルA3
に達する。そして方向性結合器型の光分波器8−3,8
−2を介して受光素子4で受信される。参考文献とし
て、例えば、「井本,他:導波路型光合分波器,電子情
報通信学会,OQE87-7,1987年 4月 8日」がある。
いた双方向伝送システムの構成図を示す。このシステム
は、従来より本発明者が提案してきたものであり、光フ
ァイバ1の両端に双方向伝送光モジュ−ルA3 ,B3 を
それぞれ接続し、光モジュ−ルA3 からは波長λ1 の光
信号を用いて情報信号を双方向伝送光モジュ−ルB 3
側に送出し、逆に、双方向伝送光モジュ−ルB3 からは
波長λ2 の光信号を用いて情報信号を双方向伝送光モジ
ュ−ルA3 側に送出するよう構成したシステムである。
双方向伝送光モジュ−ルA3 においては、半導体レ−ザ
−2からの波長λ1 の光信号が方向性結合器型の光分波
器8−1,8−3を通して光ファイバ1内に送り込ま
れ、双方向伝送光モジュ−ルB3 に達する。そして方向
性結合器型の光分波器9−3,9−2を介して受光素子
5で受信される。一方、双方向伝送光モジュ−ルB3 に
おいては、半導体レ−ザ−3からの波長λ2 の光信号が
方向性結合器型の光分波器9−1,9−3を通して光フ
ァイバ1内に送り込まれ、双方向伝送光モジュ−ルA3
に達する。そして方向性結合器型の光分波器8−3,8
−2を介して受光素子4で受信される。参考文献とし
て、例えば、「井本,他:導波路型光合分波器,電子情
報通信学会,OQE87-7,1987年 4月 8日」がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の双方向
伝送光モジュ−ルは、A3 ,B3 それぞれの双方向伝送
光モジュ−ルにおいて方向性結合器型の光分波器を3個
ずつ用い、波長λ1 の信号と波長λ2 の信号とを分波す
ることによりチャンネル間クロスト−クの低減を実現し
ている。しかし、方向性結合器型の光分波器は長さが10
mm近くもあるため、これを3個用いると双方向伝送光モ
ジュ−ルのサイズが大きくなり、低コスト化が難しいと
いう問題点があることがわかった。また、上記方向性結
合器型の光分波器をより小型にするため、これを導波路
型で構成する方法が検討されている。しかしこの方法に
おいても、半導体レ−ザ−と導波路との光結合ずれが生
ずると、漏洩した光信号が導波路のクラッド内、基板内
を伝搬して受光素子内に混入し、クロスト−ク特性を劣
化させるという問題点があった。
伝送光モジュ−ルは、A3 ,B3 それぞれの双方向伝送
光モジュ−ルにおいて方向性結合器型の光分波器を3個
ずつ用い、波長λ1 の信号と波長λ2 の信号とを分波す
ることによりチャンネル間クロスト−クの低減を実現し
ている。しかし、方向性結合器型の光分波器は長さが10
mm近くもあるため、これを3個用いると双方向伝送光モ
ジュ−ルのサイズが大きくなり、低コスト化が難しいと
いう問題点があることがわかった。また、上記方向性結
合器型の光分波器をより小型にするため、これを導波路
型で構成する方法が検討されている。しかしこの方法に
おいても、半導体レ−ザ−と導波路との光結合ずれが生
ずると、漏洩した光信号が導波路のクラッド内、基板内
を伝搬して受光素子内に混入し、クロスト−ク特性を劣
化させるという問題点があった。
【0005】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、小型サイズで低クロスト−ク特性を有する双
方向伝送光モジュ−ルを提供し、ひいては高性能、経済
的な双方向伝送システムを実現することにある。
を解消し、小型サイズで低クロスト−ク特性を有する双
方向伝送光モジュ−ルを提供し、ひいては高性能、経済
的な双方向伝送システムを実現することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の双方向伝送光モ
ジュ−ルには、次の3つの態様がある。
ジュ−ルには、次の3つの態様がある。
【0007】第1の態様の双方向伝送光モジュ−ルは、
光ファイバの端に接続される光分波器と、その光分波器
の第1の出力端に接続され光ファイバへ特定波長の光信
号を送出する半導体レ−ザ−と、第2の出力端に接続さ
れ光ファイバからの前記特定波長と異なる特定波長の光
信号を増幅する光増幅器と、その光増幅器の出力光信号
を受信する受光素子とを備えて構成される。
光ファイバの端に接続される光分波器と、その光分波器
の第1の出力端に接続され光ファイバへ特定波長の光信
号を送出する半導体レ−ザ−と、第2の出力端に接続さ
れ光ファイバからの前記特定波長と異なる特定波長の光
信号を増幅する光増幅器と、その光増幅器の出力光信号
を受信する受光素子とを備えて構成される。
【0008】第2の態様の双方向伝送光モジュ−ルは、
光ファイバの端に接続され、光ファイバへ特定波長の光
信号を送出し光ファイバからの光信号は通過させる半導
体レ−ザ−と、その半導体レ−ザ−を通過した前記特定
波長と異なる特定波長の光信号を増幅する光増幅器と、
その光増幅器の出力光信号を受信する受光素子とを備え
て構成される。
光ファイバの端に接続され、光ファイバへ特定波長の光
信号を送出し光ファイバからの光信号は通過させる半導
体レ−ザ−と、その半導体レ−ザ−を通過した前記特定
波長と異なる特定波長の光信号を増幅する光増幅器と、
その光増幅器の出力光信号を受信する受光素子とを備え
て構成される。
【0009】第3の態様の双方向伝送光モジュ−ルは、
光ファイバの端に接続され、光ファイバからの特定波長
の光信号を増幅しその後段に設けられた半導体レ−ザ−
からの光信号は通過させる光増幅器と、その光増幅器と
半導体レ−ザ−との間に設けられ、光増幅器の出力光信
号を受信し半導体レ−ザ−からの光信号は通過させる受
光素子とを備えて構成される。
光ファイバの端に接続され、光ファイバからの特定波長
の光信号を増幅しその後段に設けられた半導体レ−ザ−
からの光信号は通過させる光増幅器と、その光増幅器と
半導体レ−ザ−との間に設けられ、光増幅器の出力光信
号を受信し半導体レ−ザ−からの光信号は通過させる受
光素子とを備えて構成される。
【0010】
【作用】第1の態様の双方向伝送光モジュ−ルは、従来
各モジュ−ル毎に3個用いられていた光分波器を1個だ
けとし、その代わりに受光素子側の分岐路に光増幅器を
設けることにより小型化、低クロスト−ク特性を実現す
る。つまり、光増幅器として半導体レ−ザ−増幅器等を
用い、その波長依存性を利用することにより、双方向に
伝送される光信号の2つの波長間に少なくとも光増幅器
のゲイン程度(20〜30数dB)のアイソレ−ションを確保
することができ、低クロスト−ク特性を実現することが
できる。光分波器の代わりに3dBカプラを用いればさ
らに小形化を図ることができる。第1の態様の双方向伝
送光モジュ−ルを光ファイバの両端に接続することによ
り、高性能、経済的な双方向伝送システムが構築され
る。
各モジュ−ル毎に3個用いられていた光分波器を1個だ
けとし、その代わりに受光素子側の分岐路に光増幅器を
設けることにより小型化、低クロスト−ク特性を実現す
る。つまり、光増幅器として半導体レ−ザ−増幅器等を
用い、その波長依存性を利用することにより、双方向に
伝送される光信号の2つの波長間に少なくとも光増幅器
のゲイン程度(20〜30数dB)のアイソレ−ションを確保
することができ、低クロスト−ク特性を実現することが
できる。光分波器の代わりに3dBカプラを用いればさ
らに小形化を図ることができる。第1の態様の双方向伝
送光モジュ−ルを光ファイバの両端に接続することによ
り、高性能、経済的な双方向伝送システムが構築され
る。
【0011】第2,第3の態様の双方向伝送光モジュ−
ルは、光分波器をまったく用いずに構成されるので、さ
らに小形化、低コスト化を達成することができる。この
場合も光増幅器の波長依存性を利用することにより、双
方向に伝送される光信号の2つの波長間に少なくとも光
増幅器のゲイン程度(20〜30数dB)のアイソレ−ション
を確保することができ、低クロスト−ク特性を実現する
ことができる。第2,第3の態様の双方向伝送光モジュ
−ルを光ファイバの両端にそれぞれ接続することにより
高性能でさらに経済性に優れた双方向伝送システムが構
築される。このシステムにおいて、第2の態様の双方向
伝送光モジュ−ルからの送信波長をλ 1 、第2の態様
の双方向伝送光モジュ−ルからの送信波長をλ2 とする
と、これら2つの波長λ1 ,λ2 の間にはλ1 >λ2 の
関係が成り立っている必要がある。
ルは、光分波器をまったく用いずに構成されるので、さ
らに小形化、低コスト化を達成することができる。この
場合も光増幅器の波長依存性を利用することにより、双
方向に伝送される光信号の2つの波長間に少なくとも光
増幅器のゲイン程度(20〜30数dB)のアイソレ−ション
を確保することができ、低クロスト−ク特性を実現する
ことができる。第2,第3の態様の双方向伝送光モジュ
−ルを光ファイバの両端にそれぞれ接続することにより
高性能でさらに経済性に優れた双方向伝送システムが構
築される。このシステムにおいて、第2の態様の双方向
伝送光モジュ−ルからの送信波長をλ 1 、第2の態様
の双方向伝送光モジュ−ルからの送信波長をλ2 とする
と、これら2つの波長λ1 ,λ2 の間にはλ1 >λ2 の
関係が成り立っている必要がある。
【0012】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【0013】図1に、本発明に係る第1の態様の双方向
伝送光モジュ−ルを用いた双方向伝送システムの構成例
を示す。同図において、A1 ,B1 は第1の態様の双方
向伝送光モジュ−ルであり、双方向伝送システムはこれ
ら光モジュ−ルA1 ,B1 が1本の光ファイバ1の両端
にそれぞれ接続されて構成される。光モジュ−ルA 1
は光ファイバ1の一方の端に接続された1つの光分波器
8を有し、その光分波器8の第1の出力端側には、波長
λ1 の光信号を発振する半導体レ−ザ−2が接続され、
第2の出力端側には、波長λ2 の光信号を増幅する半導
体レ−ザ−光増幅器6とその出力光信号を受信する受光
素子4とがカスケ−ド接続されている。光モジュ−ルB
1 は光ファイバ1の他方の端に接続された1つの光分波
器9を有し、その光分波器9の第1の出力端側には、波
長λ2 の光信号を発振する半導体レ−ザ−3が接続さ
れ、第2の出力端側には、波長λ1 の光信号を増幅する
半導体レ−ザ−光増幅器7とその出力光信号を受信する
受光素子5とがカスケ−ド接続されている。なお、図1
には光分波器8,9として方向性結合器型のものが図示
されているが、干渉膜フィルタ型でもよく、また、光分
波器8,9に代えて3dBカプラ(方向性結合器、Y分
岐カプラなど)を用いてもよい。
伝送光モジュ−ルを用いた双方向伝送システムの構成例
を示す。同図において、A1 ,B1 は第1の態様の双方
向伝送光モジュ−ルであり、双方向伝送システムはこれ
ら光モジュ−ルA1 ,B1 が1本の光ファイバ1の両端
にそれぞれ接続されて構成される。光モジュ−ルA 1
は光ファイバ1の一方の端に接続された1つの光分波器
8を有し、その光分波器8の第1の出力端側には、波長
λ1 の光信号を発振する半導体レ−ザ−2が接続され、
第2の出力端側には、波長λ2 の光信号を増幅する半導
体レ−ザ−光増幅器6とその出力光信号を受信する受光
素子4とがカスケ−ド接続されている。光モジュ−ルB
1 は光ファイバ1の他方の端に接続された1つの光分波
器9を有し、その光分波器9の第1の出力端側には、波
長λ2 の光信号を発振する半導体レ−ザ−3が接続さ
れ、第2の出力端側には、波長λ1 の光信号を増幅する
半導体レ−ザ−光増幅器7とその出力光信号を受信する
受光素子5とがカスケ−ド接続されている。なお、図1
には光分波器8,9として方向性結合器型のものが図示
されているが、干渉膜フィルタ型でもよく、また、光分
波器8,9に代えて3dBカプラ(方向性結合器、Y分
岐カプラなど)を用いてもよい。
【0014】この双方向伝送システムにおいて伝送され
る光信号の波長は、例えばλ1 =1.55μm、λ2 =1.3
μmを適用することができる。半導体レ−ザ−光増幅器
6は波長λ2 の光信号に対してはゲインが20〜30dB程度
あるが波長λ1 に対してはゲインはなく、反対に半導体
レ−ザ−光増幅器7は波長λ1 の光信号に対してはゲイ
ンが20〜30dB程度あるが波長λ2 に対してはゲインはな
いので、それぞれ十分な波長選択素子として作用する。
すなわち、半導体レ−ザ−光増幅器6は、光分波器8で
分波されずに第2の出力端側に混入した波長λ1 の光信
号は増幅せず、波長λ2 の光信号のみを選択的に増幅
し、半導体レ−ザ−光増幅器7は、光分波器9で分波さ
れずに第2の出力端側に混入した波長λ2 の光信号は増
幅せず、波長λ1 の光信号のみを選択的に増幅する。し
たがって、受光素子4,5の受光レベルを大きくとるこ
とができ、結果的に光ファイバ1の長さを長くとること
ができるので伝送距離の拡大が可能となる。半導体レ−
ザ−2,3、半導体レ−ザ−光増幅器6,7、および受
光素子4,5はmmオ−ダ−の寸法であり、光分波器8,
9もモジュ−ル毎に1個しか用いていないので、従来の
ものに比し、1/2 以下の容積で光モジュ−ルA1 ,B1
を実現することができる。また、光分波器8,9の代わ
りに 3dBのカプラを用いれば、 3dBのカプラは長さが数
mm程度であるので光モジュ−ルをさらに小形化すること
ができる。 3dBカプラを使うと、半導体レ−ザ−2,3
の光信号も光ファイバに入射する際に 3dBの減衰を受け
るが、受信する際に光増幅器で十分に損失補償できるの
で問題はない。
る光信号の波長は、例えばλ1 =1.55μm、λ2 =1.3
μmを適用することができる。半導体レ−ザ−光増幅器
6は波長λ2 の光信号に対してはゲインが20〜30dB程度
あるが波長λ1 に対してはゲインはなく、反対に半導体
レ−ザ−光増幅器7は波長λ1 の光信号に対してはゲイ
ンが20〜30dB程度あるが波長λ2 に対してはゲインはな
いので、それぞれ十分な波長選択素子として作用する。
すなわち、半導体レ−ザ−光増幅器6は、光分波器8で
分波されずに第2の出力端側に混入した波長λ1 の光信
号は増幅せず、波長λ2 の光信号のみを選択的に増幅
し、半導体レ−ザ−光増幅器7は、光分波器9で分波さ
れずに第2の出力端側に混入した波長λ2 の光信号は増
幅せず、波長λ1 の光信号のみを選択的に増幅する。し
たがって、受光素子4,5の受光レベルを大きくとるこ
とができ、結果的に光ファイバ1の長さを長くとること
ができるので伝送距離の拡大が可能となる。半導体レ−
ザ−2,3、半導体レ−ザ−光増幅器6,7、および受
光素子4,5はmmオ−ダ−の寸法であり、光分波器8,
9もモジュ−ル毎に1個しか用いていないので、従来の
ものに比し、1/2 以下の容積で光モジュ−ルA1 ,B1
を実現することができる。また、光分波器8,9の代わ
りに 3dBのカプラを用いれば、 3dBのカプラは長さが数
mm程度であるので光モジュ−ルをさらに小形化すること
ができる。 3dBカプラを使うと、半導体レ−ザ−2,3
の光信号も光ファイバに入射する際に 3dBの減衰を受け
るが、受信する際に光増幅器で十分に損失補償できるの
で問題はない。
【0015】図2に、本発明に係る第2,第3の双方向
伝送光モジュ−ルを用いた双方向伝送システムの構成例
を示す。同図において、A2 は第3の態様の双方向伝送
光モジュ−ル、B2 は第2の態様の双方向伝送光モジュ
−ルであり、双方向伝送システムはこれら光モジュ−ル
A2 ,B2 が1本の光ファイバ1の両端に接続されて構
成される。すなわち、光モジュ−ルA2 においては、光
ファイバ1の一方の端に、波長λ2 の光信号を増幅し波
長λ1 の光信号は通過させる半導体レ−ザ−光増幅器6
と、その増幅された波長λ2 の出力光信号を受信し波長
λ1 の光信号は通過させる受光素子4と、波長λ1 の光
信号を発振する半導体レ−ザ−2とがカスケ−ド接続さ
れ、光モジュ−ルB2 においては、光ファイバ1の他方
の端に、波長λ2 の光信号を発振し波長λ1 の光信号は
通過させる半導体レ−ザ−3と、その半導体レ−ザ−3
を通過した波長λ1 の光信号を増幅する光増幅器7と、
その光増幅器7の出力光信号を受信する受光素子5とが
カスケ−ド接続されている。このように構成された双方
向伝送システムにおいて、光モジュ−ルA2 側の半導体
レ−ザ−2の発振波長λ1 を1,55μm、光モジュ−ルB
2 側の半導体レ−ザ−3の発振波長λ2 を 1,3μmとし
た場合、光モジュ−ルA2 側の半導体レ−ザ−光増幅器
6は 1,3μm帯の波長でゲインが最大となるように、ま
た光モジュ−ルB2 側の半導体レ−ザ−光増幅器7は
1,55 μm帯の波長でゲインが最大となるように設計さ
れたものが用いられる。半導体レ−ザ−2,3には埋込
型レ−ザ−を使用することができる。半導体レ−ザ−光
増幅器6,7には例えば進行波型の半導体レ−ザ−光増
幅器が用いられる。受光素子4には導波路構造の受光素
子が用いられるか、あるいは1.3 μm帯の埋込型レ−ザ
−が受光素子として用いられる。受光素子5には導波路
構造、埋込型レ−ザ−以外に、PIN 型フォトダイオ−
ド、アバランシェフォトダイオ−ドを用いることができ
る。
伝送光モジュ−ルを用いた双方向伝送システムの構成例
を示す。同図において、A2 は第3の態様の双方向伝送
光モジュ−ル、B2 は第2の態様の双方向伝送光モジュ
−ルであり、双方向伝送システムはこれら光モジュ−ル
A2 ,B2 が1本の光ファイバ1の両端に接続されて構
成される。すなわち、光モジュ−ルA2 においては、光
ファイバ1の一方の端に、波長λ2 の光信号を増幅し波
長λ1 の光信号は通過させる半導体レ−ザ−光増幅器6
と、その増幅された波長λ2 の出力光信号を受信し波長
λ1 の光信号は通過させる受光素子4と、波長λ1 の光
信号を発振する半導体レ−ザ−2とがカスケ−ド接続さ
れ、光モジュ−ルB2 においては、光ファイバ1の他方
の端に、波長λ2 の光信号を発振し波長λ1 の光信号は
通過させる半導体レ−ザ−3と、その半導体レ−ザ−3
を通過した波長λ1 の光信号を増幅する光増幅器7と、
その光増幅器7の出力光信号を受信する受光素子5とが
カスケ−ド接続されている。このように構成された双方
向伝送システムにおいて、光モジュ−ルA2 側の半導体
レ−ザ−2の発振波長λ1 を1,55μm、光モジュ−ルB
2 側の半導体レ−ザ−3の発振波長λ2 を 1,3μmとし
た場合、光モジュ−ルA2 側の半導体レ−ザ−光増幅器
6は 1,3μm帯の波長でゲインが最大となるように、ま
た光モジュ−ルB2 側の半導体レ−ザ−光増幅器7は
1,55 μm帯の波長でゲインが最大となるように設計さ
れたものが用いられる。半導体レ−ザ−2,3には埋込
型レ−ザ−を使用することができる。半導体レ−ザ−光
増幅器6,7には例えば進行波型の半導体レ−ザ−光増
幅器が用いられる。受光素子4には導波路構造の受光素
子が用いられるか、あるいは1.3 μm帯の埋込型レ−ザ
−が受光素子として用いられる。受光素子5には導波路
構造、埋込型レ−ザ−以外に、PIN 型フォトダイオ−
ド、アバランシェフォトダイオ−ドを用いることができ
る。
【0016】光モジュ−ルA2 の半導体レ−ザ−2から
の波長λ1 の光信号は、受光素子4および半導体レ−ザ
−光増幅器6内を若干減衰しながら伝搬し、光ファイバ
1内を通って光モジュ−ルB2 に達する。そして、半導
体レ−ザ−3でわずかに減衰して半導体レ−ザ−光増幅
器7に入り、ここで100 〜数1000倍に増幅され、その後
受光素子5に入射して電気信号に変換される。他方、光
モジュ−ルB2 の半導体レ−ザ−3からの波長λ2 の光
信号は光ファイバ1内を伝搬し、光モジュ−ルA2 内に
入射する。そして、半導体レ−ザ−光増幅器6で100 〜
数1000倍に増幅されて受光素子4に入り電気信号に変換
される。このように半導体レ−ザ−光増幅器6,7の増
幅利得と波長依存性を有効に利用することにより、低ク
ロスト−ク特性を実現する。受光素子4に埋込型レ−ザ
−を用いた場合には、量子効率は低くなるが、その前段
の半導体レ−ザ−型光増幅器6で十分に増幅されるてい
るので問題はない。この方式の光モジュ−ルは、半導体
レ−ザ−2(3)、受光素子4(5)、および光増幅器
6(7)をチップ状でカスケ−ド接続すれば、長さが10
mm以下、幅および厚みが5mm 以下の小型サイズで実現す
ることができ、従来の光モジュ−ルの1/3 以下の容積と
なる。
の波長λ1 の光信号は、受光素子4および半導体レ−ザ
−光増幅器6内を若干減衰しながら伝搬し、光ファイバ
1内を通って光モジュ−ルB2 に達する。そして、半導
体レ−ザ−3でわずかに減衰して半導体レ−ザ−光増幅
器7に入り、ここで100 〜数1000倍に増幅され、その後
受光素子5に入射して電気信号に変換される。他方、光
モジュ−ルB2 の半導体レ−ザ−3からの波長λ2 の光
信号は光ファイバ1内を伝搬し、光モジュ−ルA2 内に
入射する。そして、半導体レ−ザ−光増幅器6で100 〜
数1000倍に増幅されて受光素子4に入り電気信号に変換
される。このように半導体レ−ザ−光増幅器6,7の増
幅利得と波長依存性を有効に利用することにより、低ク
ロスト−ク特性を実現する。受光素子4に埋込型レ−ザ
−を用いた場合には、量子効率は低くなるが、その前段
の半導体レ−ザ−型光増幅器6で十分に増幅されるてい
るので問題はない。この方式の光モジュ−ルは、半導体
レ−ザ−2(3)、受光素子4(5)、および光増幅器
6(7)をチップ状でカスケ−ド接続すれば、長さが10
mm以下、幅および厚みが5mm 以下の小型サイズで実現す
ることができ、従来の光モジュ−ルの1/3 以下の容積と
なる。
【0017】
【発明の効果】以上要するに本発明双方向伝送光モジュ
−ルは、次の如き優れた効果を有するものである。
−ルは、次の如き優れた効果を有するものである。
【0018】(1) 光分波器を光ファイバとの接続部のみ
に使用し、その光分波器の受光素子側の分岐路に特定波
長の光信号を増幅する光増幅器を設けたことにより、小
型化、低クロスト−ク特性を実現することができる。
に使用し、その光分波器の受光素子側の分岐路に特定波
長の光信号を増幅する光増幅器を設けたことにより、小
型化、低クロスト−ク特性を実現することができる。
【0019】(2) 光分波器をまったく用いず、受光素子
の前段に設けた光増幅器で選択的に特定波長の光信号を
光増幅する構成としたことにより、さらに小形化を実現
することができる。
の前段に設けた光増幅器で選択的に特定波長の光信号を
光増幅する構成としたことにより、さらに小形化を実現
することができる。
【0020】(3) 光増幅器の採用により、伝送距離の拡
大を図ることができる。
大を図ることができる。
【0021】(4) 高性能で経済的な双方向伝送システム
を構築することができる。
を構築することができる。
【図1】本発明に係る双方向伝送光モジュ−ルを用いた
双方向伝送システムの一実施例を示す図である。
双方向伝送システムの一実施例を示す図である。
【図2】本発明に係る双方向伝送光モジュ−ルを用いた
双方向伝送システムの他の実施例を示す図である。
双方向伝送システムの他の実施例を示す図である。
【図3】従来の双方向伝送光モジュ−ルを用いた双方向
伝送システムを示す図である。
伝送システムを示す図である。
1 光ファイバ 2 半導体レ−ザ− 3 半導体レ−ザ− 4 受光素子 5 受光素子 6 半導体レ−ザ−光増幅器(光増幅器) 7 半導体レ−ザ−光増幅器(光増幅器) 8 光分岐器 9 光分岐器 A1 請求項1に係る双方向伝送光モジュ−ル B1 請求項1に係る双方向伝送光モジュ−ル A2 請求項2に係る双方向伝送光モジュ−ル B2 請求項2に係る双方向伝送光モジュ−ル
Claims (7)
- 【請求項1】 光ファイバの端に接続される光分波器
と、該光分波器の第1の出力端に接続され光ファイバへ
特定波長の光信号を送出する半導体レ−ザ−と、第2の
出力端に接続され光ファイバからの前記特定波長と異な
る特定波長の光信号を増幅する光増幅器と、該光増幅器
の出力光信号を受信する受光素子とを備えていることを
特徴とする双方向伝送光モジュ−ル。 - 【請求項2】 光ファイバの端に接続され、光ファイバ
へ特定波長の光信号を送出し光ファイバからの光信号は
通過させる半導体レ−ザ−と、該半導体レ−ザ−を通過
した前記特定波長と異なる特定波長の光信号を増幅する
光増幅器と、該光増幅器の出力光信号を受信する受光素
子とを備えていることを特徴とする双方向伝送光モジュ
−ル。 - 【請求項3】 光ファイバの端に接続され、光ファイバ
からの特定波長の光信号を増幅しその後段に設けられた
半導体レ−ザ−からの光信号は通過させる光増幅器と、
該光増幅器と半導体レ−ザ−との間に設けられ、光増幅
器の出力光信号を受信し半導体レ−ザ−からの光信号は
通過させる受光素子とを備えていることを特徴とする双
方向伝送光モジュ−ル。 - 【請求項4】 上記光増幅器として半導体レ−ザ−光増
幅器を用いた請求項1,2,3のいずれかに記載の双方
向伝送光モジュ−ル。 - 【請求項5】 上記光分波器の代わりに3dBカプラを
用いた請求項1記載の双方向伝送光モジュ−ル。 - 【請求項6】 請求項1記載の双方向伝送光モジュ−ル
を光ファイバの両端にそれぞれ接続してなる双方向伝送
システム。 - 【請求項7】 請求項2記載の双方向伝送光モジュ−ル
を光ファイバの一方の端に、請求項3記載の双方向伝送
光モジュ−ルを他方の端に接続してなる双方向伝送シス
テム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3345471A JPH05183520A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 双方向伝送光モジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3345471A JPH05183520A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 双方向伝送光モジュ−ル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05183520A true JPH05183520A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18376825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3345471A Pending JPH05183520A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 双方向伝送光モジュ−ル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05183520A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6731881B2 (en) | 1999-12-01 | 2004-05-04 | Nec Corporation | Device for transmitting and receiving optical signals |
JP2017073669A (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 株式会社フジクラ | アクティブ光ケーブル |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3345471A patent/JPH05183520A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6731881B2 (en) | 1999-12-01 | 2004-05-04 | Nec Corporation | Device for transmitting and receiving optical signals |
JP2017073669A (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 株式会社フジクラ | アクティブ光ケーブル |
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