JPH0293623A - 反射型光増幅器 - Google Patents
反射型光増幅器Info
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- JPH0293623A JPH0293623A JP63247210A JP24721088A JPH0293623A JP H0293623 A JPH0293623 A JP H0293623A JP 63247210 A JP63247210 A JP 63247210A JP 24721088 A JP24721088 A JP 24721088A JP H0293623 A JPH0293623 A JP H0293623A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信などに用いられる光増幅器に関する。
従来、光増幅器としてファプリーペロー型半導体レーザ
の両端面の反射率を低減した構造のものが広く用いられ
ている。この構造の光増幅器は、例、ｔ ハ、エムージ
エイ・オマホニ（（Ｍ、Ｊ、Ｏ’Ｍａｈｏｎｙ ）によ
るセミコンダクタ レーザ オプティカル アンプリフ
ァイヤズ フォ ユース イン ツユ−チャー ファイ
バ システムズ（Ｓ ｅｍ −１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｌａ５ｅｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ
ｆｏｒｕｓｅ ｉｎ Ｆｕｔｕｒｅ Ｆｉｂｅｒ Ｓ
ｙｓｔｅｍｓ）と題するアイトリプルイー（ＩＥＥＥ）
７）１９８８年のジャーナルオプ ライトウニイブ テ
クノロジ（Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆＬｉｇｈｔｗａｖｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第６巻、第４号記載の論文
にあるように、構造は半導体レーザとほぼ同じ構造であ
るが、両端面の反射率を低減して発振閾値を高くし、そ
の発振閾値以下の注入電流領域において光増幅器として
用いるものである。この様な構造の光増幅器には従来の
半導体レーザで蓄積された製造技術をそのまま用いるこ
とが出来ると言う利点がある。
の両端面の反射率を低減した構造のものが広く用いられ
ている。この構造の光増幅器は、例、ｔ ハ、エムージ
エイ・オマホニ（（Ｍ、Ｊ、Ｏ’Ｍａｈｏｎｙ ）によ
るセミコンダクタ レーザ オプティカル アンプリフ
ァイヤズ フォ ユース イン ツユ−チャー ファイ
バ システムズ（Ｓ ｅｍ −１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｌａ５ｅｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ
ｆｏｒｕｓｅ ｉｎ Ｆｕｔｕｒｅ Ｆｉｂｅｒ Ｓ
ｙｓｔｅｍｓ）と題するアイトリプルイー（ＩＥＥＥ）
７）１９８８年のジャーナルオプ ライトウニイブ テ
クノロジ（Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆＬｉｇｈｔｗａｖｅ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第６巻、第４号記載の論文
にあるように、構造は半導体レーザとほぼ同じ構造であ
るが、両端面の反射率を低減して発振閾値を高くし、そ
の発振閾値以下の注入電流領域において光増幅器として
用いるものである。この様な構造の光増幅器には従来の
半導体レーザで蓄積された製造技術をそのまま用いるこ
とが出来ると言う利点がある。
しかし、上述のような構造の光増幅器においては通常Ｔ
ＥモードとＴＭモード間の利得に差があるから、光フア
イバ線路の途中に挿入して用いるような系においては、
光増幅器に入射する光の偏光状態が変動すると光増幅器
で増幅される光の利得も変動する。このように従来の光
増幅器には解決すべき課題があった。
ＥモードとＴＭモード間の利得に差があるから、光フア
イバ線路の途中に挿入して用いるような系においては、
光増幅器に入射する光の偏光状態が変動すると光増幅器
で増幅される光の利得も変動する。このように従来の光
増幅器には解決すべき課題があった。
本発明の目的は、上述の課題を解決し、光増幅器に入射
する光の偏光状態によらず一定の利得が得られる反射型
光増幅器を提供することにある。
する光の偏光状態によらず一定の利得が得られる反射型
光増幅器を提供することにある。
前述の課題を解決するために本発明が提供する手段は、
第１及び第２の端子を備え、該第１の端子に入力した光
を増幅して前記第２の端子から出力し、該第２の端子か
ら入力した光を増幅して前記第１の端子から出力する半
導体光増幅素子と、第３．第４及び第５の端子を備え、
該第３の端子から入力した光をＴＥモード成分及びＴＭ
モード成分に分離し、これらＴＥモード成分及びＴＭモ
ード成分を前記第４及び第５の端子からそれぞれ出力し
、これら第４及び第５の端子から入力した光を合成して
前記第３の端子から出力するＴＥ−ＴＭモード分離素子
と、 第６及び第７の端子を備え、該第６の端子から入力した
ＴＥモード光をＴＭモードに変換して前記第７の端子か
ら出力し、該第７の端子から入力したＴＭモード光をＴ
Ｅモード光に変換し前記第６の端子から出力するＴＥモ
ード−ＴＭモード変換素子と、 前記第２の端子と前記第３の端子とを接続する第１の偏
波面保存光導波路と、 前記第４の端子と前記第６の端子とを接続する第２の偏
波面保存光導波路と、 前記第５の端子と前記第７の端子とを接続する第３の偏
波面保存光導波路とからなる反射型光増幅器である。
を増幅して前記第２の端子から出力し、該第２の端子か
ら入力した光を増幅して前記第１の端子から出力する半
導体光増幅素子と、第３．第４及び第５の端子を備え、
該第３の端子から入力した光をＴＥモード成分及びＴＭ
モード成分に分離し、これらＴＥモード成分及びＴＭモ
ード成分を前記第４及び第５の端子からそれぞれ出力し
、これら第４及び第５の端子から入力した光を合成して
前記第３の端子から出力するＴＥ−ＴＭモード分離素子
と、 第６及び第７の端子を備え、該第６の端子から入力した
ＴＥモード光をＴＭモードに変換して前記第７の端子か
ら出力し、該第７の端子から入力したＴＭモード光をＴ
Ｅモード光に変換し前記第６の端子から出力するＴＥモ
ード−ＴＭモード変換素子と、 前記第２の端子と前記第３の端子とを接続する第１の偏
波面保存光導波路と、 前記第４の端子と前記第６の端子とを接続する第２の偏
波面保存光導波路と、 前記第５の端子と前記第７の端子とを接続する第３の偏
波面保存光導波路とからなる反射型光増幅器である。
本発明の構成によれば、増幅対象の光に同一の半導体光
増幅素子を２度にわたって通過させ、かつ、その際に増
幅対次光の直交する２つの偏光成分を１度目とで入れ換
えて該光半導体増幅素子へ入射させることになる。この
ような構成の採用により、どのような偏光状態の光も一
定の利得で増幅される。
増幅素子を２度にわたって通過させ、かつ、その際に増
幅対次光の直交する２つの偏光成分を１度目とで入れ換
えて該光半導体増幅素子へ入射させることになる。この
ような構成の採用により、どのような偏光状態の光も一
定の利得で増幅される。
第１図は本発明の反射型光増幅器の一実施例の構成およ
びそれに接続された伝送路の構成図である。伝送路であ
る第１の光ファイバ１を伝搬してきた波長１．３μｍの
信号光は３ｄＢ分岐素子２の第１の端子２１に入射し、
その信号光のパワーの半分が３ｄＢ分岐素子２の第２の
端子２２がら出力される。第２の出射端２２がら出射さ
れた信号光は第２の光ファイバ３を通って反射型光増幅
器１００に入射する。この反射型光増幅器１００ではま
ず半導体光増幅素子４の第１の端子４１へ入射する。
びそれに接続された伝送路の構成図である。伝送路であ
る第１の光ファイバ１を伝搬してきた波長１．３μｍの
信号光は３ｄＢ分岐素子２の第１の端子２１に入射し、
その信号光のパワーの半分が３ｄＢ分岐素子２の第２の
端子２２がら出力される。第２の出射端２２がら出射さ
れた信号光は第２の光ファイバ３を通って反射型光増幅
器１００に入射する。この反射型光増幅器１００ではま
ず半導体光増幅素子４の第１の端子４１へ入射する。
この半導体光増幅素子４は第２図に示すようにＩｎＧａ
Ａｓ層を活性層とし、通常良く用いられるファプリ・ペ
ロー型半導体レーザの両端面に反射率１０ の無反射コ
ーテイング膜を施した構造となっている。その構造の詳
細については、例えば、エム・ジェイ・オマホニ（（Ｍ
、Ｊ、Ｏ’Ｍａｈｏｎｙ）Ｋよるセミコンダクタ レー
ザ オプティヵルアンプリファイヤス フォ ユース
イン ツユ−チャー ファイバ システムズ（Ｓ ｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ａ
ｍｐｌｉｆｉｅｒｓ ｆｏｒ ｕｓｅ ｉｎ Ｆｕｔｕ
ｒｅＦ １ｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ）と題するアイトリ
プルイー（ＩＥＥＥ）の１９８８年のジャーナル オプ
ライトウニイブ テクノロジ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｌｆｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅ−ｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第
６巻、第４号の第５３１頁から第５４４頁記載の論文に
詳しい。
Ａｓ層を活性層とし、通常良く用いられるファプリ・ペ
ロー型半導体レーザの両端面に反射率１０ の無反射コ
ーテイング膜を施した構造となっている。その構造の詳
細については、例えば、エム・ジェイ・オマホニ（（Ｍ
、Ｊ、Ｏ’Ｍａｈｏｎｙ）Ｋよるセミコンダクタ レー
ザ オプティヵルアンプリファイヤス フォ ユース
イン ツユ−チャー ファイバ システムズ（Ｓ ｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒ ０ｐｔｉｃａｌ Ａ
ｍｐｌｉｆｉｅｒｓ ｆｏｒ ｕｓｅ ｉｎ Ｆｕｔｕ
ｒｅＦ １ｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ）と題するアイトリ
プルイー（ＩＥＥＥ）の１９８８年のジャーナル オプ
ライトウニイブ テクノロジ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｌｆｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅ−ｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第
６巻、第４号の第５３１頁から第５４４頁記載の論文に
詳しい。
さて、この構造の半導体光増幅素子４においては、ＴＥ
モードと７Ｍモードの間で利得差がアシ、注入電流７０
ｍＡにおいて、ＴＥモードで入射した信号光成分に対し
ては１５ｄＦＩの利得となっている。
モードと７Ｍモードの間で利得差がアシ、注入電流７０
ｍＡにおいて、ＴＥモードで入射した信号光成分に対し
ては１５ｄＦＩの利得となっている。
半導体光増幅素子４で増幅された信号光は、その第２の
端子４２から出力され第１の偏波面保存光ファイバ５に
結合される。このとき、半導体光増幅素子４のＴＥモー
ドと７Ｍモードの偏波面の方向が第１の偏波面保存ファ
イバ５の主軸の何れかと一致するように結合される。こ
の第１の偏波面保存光ファイバ５に結合された信号光は
同党ファイバ５を通ってＴ Ｅ −Ｔ Ｍモード分能素
子６の第１の端子６１に入射する。
端子４２から出力され第１の偏波面保存光ファイバ５に
結合される。このとき、半導体光増幅素子４のＴＥモー
ドと７Ｍモードの偏波面の方向が第１の偏波面保存ファ
イバ５の主軸の何れかと一致するように結合される。こ
の第１の偏波面保存光ファイバ５に結合された信号光は
同党ファイバ５を通ってＴ Ｅ −Ｔ Ｍモード分能素
子６の第１の端子６１に入射する。
このＴＥ−ＴＭモード分離素子６は第３図に示すようＫ
、ダブルモード光導波路とそれにつながるＹ分岐光導波
路で構成されておシ、ＬｉＮｂＯ５基板上に形成されて
いる。この詳細についてはアプライド・フィジックス・
レター（Ａｐｐ目ｃｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
）誌の第４４巻第６号の第５８３頁から第５８５頁記載
のデイーｅヤップ（Ｄ、Ｙａｐ）他による１パツ７ブＴ
ｉ ： Ｌ １Ｎｂ０３チヤネル ウニイブガイド
ＴＥ−ＴＭモードスプリッタ（ＰａｓｓｉｖｅＴｉ：Ｌ
ｉＮｂＯ３ｃｈａｎｎｅｌ ｗａｖｅｇｕｉｄ ＴＥ−
ＴＭ ｍｏｄｅｓｐｌｉｔｔｅｒ） ”と題する論文に
詳しい。
、ダブルモード光導波路とそれにつながるＹ分岐光導波
路で構成されておシ、ＬｉＮｂＯ５基板上に形成されて
いる。この詳細についてはアプライド・フィジックス・
レター（Ａｐｐ目ｃｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
）誌の第４４巻第６号の第５８３頁から第５８５頁記載
のデイーｅヤップ（Ｄ、Ｙａｐ）他による１パツ７ブＴ
ｉ ： Ｌ １Ｎｂ０３チヤネル ウニイブガイド
ＴＥ−ＴＭモードスプリッタ（ＰａｓｓｉｖｅＴｉ：Ｌ
ｉＮｂＯ３ｃｈａｎｎｅｌ ｗａｖｅｇｕｉｄ ＴＥ−
ＴＭ ｍｏｄｅｓｐｌｉｔｔｅｒ） ”と題する論文に
詳しい。
とのＴＥ−ＴＭモード分＃１素子６でＴＥモードと７Ｍ
モードに分離された信号光は、それぞれ第２の端子６２
と第３の端子６３から出力される。
モードに分離された信号光は、それぞれ第２の端子６２
と第３の端子６３から出力される。
ＴＥ−７Ｍモード分ｉ隊索子６の第２の端子６２と第３
の端子６３はそれぞれＴＥ−ＴＭモード変換索子７の第
１の端子７１と第２の端子７２に接続さｔている。ここ
で、これらの接続にはそれぞれ第２の偏波面保存ファイ
バ８と第３の偏波面保存ファイバ９が用いられている。
の端子６３はそれぞれＴＥ−ＴＭモード変換索子７の第
１の端子７１と第２の端子７２に接続さｔている。ここ
で、これらの接続にはそれぞれ第２の偏波面保存ファイ
バ８と第３の偏波面保存ファイバ９が用いられている。
また、その際、偏波面保存ファイバ８，９の主軸のいず
れかがＴＥ−ＴＭモード分離素子６の第２の端子６２と
第３の端子６３からの出力光の偏波面と一致するように
接続されている。ＴＥ−７Ｍモード変換素子７の第１の
端子７１からＴＥモードとしてＴＥ−７Ｍモード変換素
子７に入射した信号光は、該ＴＥ−ＴＭモード変換素子
７において７Ｍモードに変換され、同変換素子７の第２
の端子７２から出力される。同櫟に、ＴＥ−７Ｍモード
変換素子７の第２の９シ１子７２から７Ｍモードとして
ＴＥ−ＴＭモード変換紫子７に入射した信号光は、該Ｔ
Ｅ−ＴＭモード変換を子７においてＴ Ｆ、モードに変
換され、同変換素子７の第１の端子７１から出力される
。
れかがＴＥ−ＴＭモード分離素子６の第２の端子６２と
第３の端子６３からの出力光の偏波面と一致するように
接続されている。ＴＥ−７Ｍモード変換素子７の第１の
端子７１からＴＥモードとしてＴＥ−７Ｍモード変換素
子７に入射した信号光は、該ＴＥ−ＴＭモード変換素子
７において７Ｍモードに変換され、同変換素子７の第２
の端子７２から出力される。同櫟に、ＴＥ−７Ｍモード
変換素子７の第２の９シ１子７２から７Ｍモードとして
ＴＥ−ＴＭモード変換紫子７に入射した信号光は、該Ｔ
Ｅ−ＴＭモード変換を子７においてＴ Ｆ、モードに変
換され、同変換素子７の第１の端子７１から出力される
。
ここで、ＴＥ−７Ｍモード変換素子７は第４図に示すよ
うに入力端と出力端で主軸の方向を９０度回転させた偏
波面保存ファイバで構成されている。
うに入力端と出力端で主軸の方向を９０度回転させた偏
波面保存ファイバで構成されている。
偏波面を変換されたこれらＴＥ、７Ｍモードに分離され
ていた信号光は再びｔｘ２の偏波面保存ファイバ８と第
３の偏波面保存ファイバ９を通ってＴＥ−ＴＭモード分
離素子６にその第２の端子６２と第３の端子６３から入
射し、ＴＥ、７Ｍモードが合波されて該ＴＥ−ＴＭモー
ド分離素子６の第１の端子６１から出力される。さらに
、第１の偏波面保存ファイバ５を通ってＴＥ／ＴＭの偏
波面を保ったまま再び半導体光増幅素子４に入射する。
ていた信号光は再びｔｘ２の偏波面保存ファイバ８と第
３の偏波面保存ファイバ９を通ってＴＥ−ＴＭモード分
離素子６にその第２の端子６２と第３の端子６３から入
射し、ＴＥ、７Ｍモードが合波されて該ＴＥ−ＴＭモー
ド分離素子６の第１の端子６１から出力される。さらに
、第１の偏波面保存ファイバ５を通ってＴＥ／ＴＭの偏
波面を保ったまま再び半導体光増幅素子４に入射する。
半導体増幅素子４に入射した信号光は前述のようにＴＥ
モードで入射した信号光成分に対してはパワーが２０ｄ
Ｂ増幅され、７Ｍモードで入射した信号光成分に対して
はパワーが１５ｄＢ増幅される。ここで、信号光のパワ
ーが半導体増幅素子４において第１回目に増幅されたと
きＴＥモードであった信号光成分は第２回目においては
７Ｍモードとなっている。また、第１回目の増幅時に７
Ｍモードであった信号光成分は第２回目においてはＴＥ
モードとなっている。この２回の増幅により、信号光の
パワーは偏光状態の如伺によらず３５ｄＢ（＝２０ｄＢ
＋１５ｄＢ）増幅される。
モードで入射した信号光成分に対してはパワーが２０ｄ
Ｂ増幅され、７Ｍモードで入射した信号光成分に対して
はパワーが１５ｄＢ増幅される。ここで、信号光のパワ
ーが半導体増幅素子４において第１回目に増幅されたと
きＴＥモードであった信号光成分は第２回目においては
７Ｍモードとなっている。また、第１回目の増幅時に７
Ｍモードであった信号光成分は第２回目においてはＴＥ
モードとなっている。この２回の増幅により、信号光の
パワーは偏光状態の如伺によらず３５ｄＢ（＝２０ｄＢ
＋１５ｄＢ）増幅される。
以上の如くにして反射型光増幅器１００で増幅された信
号光は、第２の光ファイバ３を通って再び３ｄＢ分岐素
子２に第２の端子２２から入射し、そのパワーの半分が
３ｄＢ分岐素子２の第３の端子２３から、伝送路である
第３の光ファイバ１０に結合される。ここで、伝送路で
ある第１の光７アイパ１を伝搬してきた信号光は、３ｄ
Ｂ分岐素子２および反射型光増幅器１００を通って伝送
路である第３の光ファイバに結合される段階で２９ｄＢ
増幅されたことになる。
号光は、第２の光ファイバ３を通って再び３ｄＢ分岐素
子２に第２の端子２２から入射し、そのパワーの半分が
３ｄＢ分岐素子２の第３の端子２３から、伝送路である
第３の光ファイバ１０に結合される。ここで、伝送路で
ある第１の光７アイパ１を伝搬してきた信号光は、３ｄ
Ｂ分岐素子２および反射型光増幅器１００を通って伝送
路である第３の光ファイバに結合される段階で２９ｄＢ
増幅されたことになる。
以上、本発明の一実施例について説明した。ここで、半
導体光増幅素子４として１ｎＧａＡｓＰ層を活性層とす
るものを用いたが、増幅すべき波長が異なる場合、例え
ば波長０．８５μｍの場合にはＧａＡｓ層を活性層とす
る半導体光増幅素子など、他の組成の活性層を有する半
導体光−増幅素子を用いても良いことは言うまでもない
。また、本実施例においては、ＴＥ−ＴＭモード分離素
子６にＬｉＮｂ０ｊ基板上に形成された光導波路素子を
用いたが、誘電体多層膜を用いたＴＥ−ＴＭモード分離
素子などを用いても良い。さらに、ＴＥ−ＴＭモード変
換素子７には入力端と出力端で主軸の方向を９０度回転
させた偏波面保存ファイバで構成されたものをもちいた
が、ＬｉＮｂ０．基板上に形成された光導波路間でのＴ
Ｅ−ＴＭモード間の結合を利用したＴＥ−ＴＭモード変
換素子などを用いても良い。
導体光増幅素子４として１ｎＧａＡｓＰ層を活性層とす
るものを用いたが、増幅すべき波長が異なる場合、例え
ば波長０．８５μｍの場合にはＧａＡｓ層を活性層とす
る半導体光増幅素子など、他の組成の活性層を有する半
導体光−増幅素子を用いても良いことは言うまでもない
。また、本実施例においては、ＴＥ−ＴＭモード分離素
子６にＬｉＮｂ０ｊ基板上に形成された光導波路素子を
用いたが、誘電体多層膜を用いたＴＥ−ＴＭモード分離
素子などを用いても良い。さらに、ＴＥ−ＴＭモード変
換素子７には入力端と出力端で主軸の方向を９０度回転
させた偏波面保存ファイバで構成されたものをもちいた
が、ＬｉＮｂ０．基板上に形成された光導波路間でのＴ
Ｅ−ＴＭモード間の結合を利用したＴＥ−ＴＭモード変
換素子などを用いても良い。
上述のように、本発明の反射型光幅器によれば、増幅す
べき信号光の偏光状態の如何にかかわらず一定の利得が
得られる。
べき信号光の偏光状態の如何にかかわらず一定の利得が
得られる。
第１図は本発明の反射型光増幅器の一実施例の構成およ
びそれに接続された伝送路の構成図、第２図は第１図に
おける半導体光増幅素子４の構成図、第３図は第１図に
おけるＴＥ−ＴＭモード分離素子６の構成図、第４図は
第１図におけるＴＥ＝ＴＭモード変換素子７の構成図で
ある。 １．３．１０ ・・・・・・光ファイバ、２・・・・・
・３ｄＢ分岐素子、４・・・・・・半導体光増幅素子、
５，８．９・・・・・・偏波面保存ファイバ、６・・・
・・・ＴＥ−ＴＭモード分離素子、７・・・・・・ＴＥ
−ＴＭモード変換素子、１００・・・・・・反射型光増
幅器。
びそれに接続された伝送路の構成図、第２図は第１図に
おける半導体光増幅素子４の構成図、第３図は第１図に
おけるＴＥ−ＴＭモード分離素子６の構成図、第４図は
第１図におけるＴＥ＝ＴＭモード変換素子７の構成図で
ある。 １．３．１０ ・・・・・・光ファイバ、２・・・・・
・３ｄＢ分岐素子、４・・・・・・半導体光増幅素子、
５，８．９・・・・・・偏波面保存ファイバ、６・・・
・・・ＴＥ−ＴＭモード分離素子、７・・・・・・ＴＥ
−ＴＭモード変換素子、１００・・・・・・反射型光増
幅器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１及び第２の端子を備え、該第１の端子に入力した光
を増幅して前記第２の端子から出力し、該第２の端子か
ら入力した光を増幅して前記第１の端子から出力する半
導体光増幅素子と、 第３、第４及び第５の端子を備え、該第３の端子から入
力した光をＴＥモード成分及びＴＭモード成分に分離し
、これらＴＥモード成分及びＴＭモード成分を前記第４
及び第５の端子からそれぞれ出力し、これら第４及び第
５の端子から入力した光を合成して前記第３の端子から
出力するＴＥ−ＴＭモード分離素子と、 第６及び第７の端子を備え、該第６の端子から入力した
ＴＥモード光をＴＭモードに変換して前記第７の端子か
ら出力し、該第７の端子から入力したＴＭモード光をＴ
Ｅモード光に変換し前記第６の端子から出力するＴＥモ
ード−ＴＭモード変換素子と、 前記第２の端子と前記第３の端子とを接続する第１の偏
波面保存光導波路と、 前記第４の端子と前記第６の端子とを接続する第２の偏
波面保存光導波路と、 前記第５の端子と前記第７の端子とを接続する第３の偏
波面保存光導波路とからなる反射型光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63247210A JPH0293623A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 反射型光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63247210A JPH0293623A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 反射型光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0293623A true JPH0293623A (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=17160083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63247210A Pending JPH0293623A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 反射型光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0293623A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02933A (ja) * | 1988-03-25 | 1990-01-05 | Fujitsu Ltd | 光増幅器 |
| US5295016A (en) * | 1991-07-15 | 1994-03-15 | Koninklijke Ptt Nederland, N.V. | Polarization insensitive amplification device |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63247210A patent/JPH0293623A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02933A (ja) * | 1988-03-25 | 1990-01-05 | Fujitsu Ltd | 光増幅器 |
| US5295016A (en) * | 1991-07-15 | 1994-03-15 | Koninklijke Ptt Nederland, N.V. | Polarization insensitive amplification device |
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