JPH05178965A - Resin composition for sealing semiconductor - Google Patents

Resin composition for sealing semiconductor

Info

Publication number
JPH05178965A
JPH05178965A JP10741092A JP10741092A JPH05178965A JP H05178965 A JPH05178965 A JP H05178965A JP 10741092 A JP10741092 A JP 10741092A JP 10741092 A JP10741092 A JP 10741092A JP H05178965 A JPH05178965 A JP H05178965A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
resin
rubber
heat resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10741092A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0794531B2 (en
Inventor
Shiro Honda
史郎 本田
Hisashi Kondo
寿 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP4107410A priority Critical patent/JPH0794531B2/en
Publication of JPH05178965A publication Critical patent/JPH05178965A/en
Publication of JPH0794531B2 publication Critical patent/JPH0794531B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the title compsn. exhibiting a low stress and an excellent resistance to thermal shock and soldering heat by compounding an epoxy resin having a specified molecular structure and a specific rubber component as essential components. CONSTITUTION:An epoxy resin having a backbone of the formula (wherein R<1> to R<8> are each H, 1-4C alkyl, or halogen), an ethylene-propylene or ethylene- propylene-diene rubber, and a filter are compounded to obtain the title compsn.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は(1)低応力で耐熱衝撃
性に優れ、しかも(2)半導体実装時の半田付け工程に
おける半田耐熱性にも優れる半導体封止用樹脂組成物に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin composition for encapsulating a semiconductor, which is (1) low in stress and excellent in thermal shock resistance, and (2) excellent in heat resistance in soldering in a soldering step during semiconductor mounting.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子の封止方法としてはセラミッ
クなどを用いる気密封止や熱硬化性樹脂による封止が知
られているが、量産性に優れ、また安価であることから
樹脂封止が主流となっている。
2. Description of the Related Art As a method for sealing a semiconductor element, hermetic sealing using ceramics or the like or sealing with a thermosetting resin is known, but resin sealing is preferable because it is excellent in mass productivity and inexpensive. It is the mainstream.

【0003】この半導体封止用樹脂組成物は、たとえば
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂、脂肪族環状エポキシ樹脂などのエポ
キシ樹脂;フェノールノボラック樹脂などの硬化剤;3
級アミンやイミダゾール類などの硬化促進剤;シリカや
アルミナなどの無機微粉末からなる無機質充填剤;シラ
ンカップリング剤などのカップリング剤;カルナウバワ
ックスやステアリン酸などの離型剤;カーボンブラック
などの着色剤などから構成されている。
This semiconductor encapsulating resin composition comprises, for example, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, aliphatic cyclic epoxy resin and other epoxy resins; phenol novolac resin and other curing agents; 3
Curing accelerators such as primary amines and imidazoles; inorganic fillers composed of inorganic fine powders such as silica and alumina; coupling agents such as silane coupling agents; release agents such as carnauba wax and stearic acid; carbon black, etc. It is composed of a colorant and the like.

【0004】近年、半導体装置の高集積化が著しく進
み、素子サイズは大きくなり配線は微細化している。こ
のような半導体素子を熱硬化性樹脂で封止した場合、半
導体素子に直接樹脂が接触するため硬化時の硬化収縮お
よび冷却時の熱収縮によりひずみ応力が発生し、アルミ
配線のずれやボンディングワイヤーの切断、素子のクラ
ックなどのひずみ応力に由来する障害が見られた。
In recent years, the degree of integration of semiconductor devices has remarkably advanced, the element size has increased, and the wiring has become finer. When such a semiconductor element is sealed with a thermosetting resin, the resin directly contacts the semiconductor element, so that strain stress occurs due to curing contraction during curing and thermal contraction during cooling, resulting in displacement of aluminum wiring or bonding wire. Failures due to strain stress such as cutting of the element and cracking of the element were observed.

【0005】また、最近では電子部品の小型、薄型化の
ため、半導体の実装方式が従来のピン挿入方式から表面
実装方式へと移行しつつある。この場合、半導体は実装
の際に半田浴に浸漬されるなど高温で処理されるが、封
止樹脂にクラックが生じて耐湿性が低下するなど半田耐
熱性の問題が指摘されていた。
Further, recently, in order to reduce the size and thickness of electronic parts, the semiconductor mounting method is shifting from the conventional pin insertion method to the surface mounting method. In this case, the semiconductor is processed at a high temperature such as being immersed in a solder bath during mounting, but a problem of solder heat resistance such as cracking of the sealing resin and deterioration of moisture resistance has been pointed out.

【0006】このうち、ひずみ応力低減(低応力化)の
問題に対しては、従来種々の検討がなされ、たとえば、
無機充填剤の品種を選択する方法(特公昭58−191
36号公報、特開昭60−202145号公報)、無機
充填剤の形状を球形化したり、粒子径をコントロールす
ることにより応力、ひずみを均一化させる方法(特開昭
60−171750号公報、特開昭60−17937号
公報)などがある。
Of these, various studies have been made to solve the problem of strain stress reduction (reduction of stress).
Method of selecting the type of inorganic filler (Japanese Patent Publication No. 58-191
36, JP-A-60-202145), a method of making the stress and strain uniform by making the shape of the inorganic filler spherical or controlling the particle diameter (JP-A-60-171750, Japanese Patent Application Laid-Open). (Kaisho 60-17937) and the like.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】一方、半田耐熱性の問
題に関しての検討は始まったばかりで、半導体装置を高
温高湿下に放置した後に、半田浴に浸してクラックの有
無を調べるテスト(半田耐熱性テスト)が提案されてい
るが、このテストは、ひずみ応力をはじめとして耐熱性
や耐湿性など多くの物性の影響を同時に受けるため、従
来のクラック発生防止手段のみでは対応できなかった。
On the other hand, the examination of the problem of solder heat resistance has just begun, and after the semiconductor device is left under high temperature and high humidity, it is immersed in a solder bath to test for cracks (solder heat resistance). However, since this test is affected by many physical properties such as heat resistance and moisture resistance at the same time as strain stress, this test cannot be dealt with only by conventional crack generation preventing means.

【0008】以上記したように半導体装置の高集積化と
実装方式の変化により、従来の封止樹脂よりもさらに熱
応力が小さく、しかも実装時の半田耐熱性にも優れた樹
脂組成物の実現が望まれていた。
As described above, due to high integration of semiconductor devices and changes in mounting method, a resin composition having smaller thermal stress than conventional encapsulating resin and excellent solder heat resistance during mounting is realized. Was desired.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の問題は、下記式
(I)
The above-mentioned problems are caused by the following formula (I)

【化2】 (ただし、R1 〜R8 は水素原子、C1 〜C4 の低級ア
ルキル基またはハロゲン原子を示す。)で表わされる骨
格を有するエポキシ樹脂とエチレンプロピレンゴムまた
はエチレンプロピレンジエンゴムから選ばれたゴムとを
必須成分として含むことを特徴とする半導体封止用樹脂
組成物により解決することができる。
[Chemical 2] (Wherein R 1 to R 8 represent a hydrogen atom, a C 1 to C 4 lower alkyl group or a halogen atom) and a rubber selected from an ethylene propylene rubber or an ethylene propylene diene rubber. This can be solved by a resin composition for semiconductor encapsulation, which contains and as an essential component.

【0010】以下、本発明の構成を詳述する。The structure of the present invention will be described in detail below.

【0011】本発明におけるエポキシ樹脂は下記式
(I)
The epoxy resin in the present invention has the following formula (I)

【化3】 (ただし、R1 〜R8 は水素原子、C1 〜C4 の低級ア
ルキル基またはハロゲン原子を示す。)で表わされる骨
格を有するエポキシ樹脂を使用することが重要である。
[Chemical 3] (However, it is important to use an epoxy resin having a skeleton represented by R 1 to R 8 represents a hydrogen atom, a C 1 to C 4 lower alkyl group or a halogen atom.).

【0012】上記式(I)で表わされるエポキシ樹脂に
おいて、R1 〜R8 の好ましい具体例としては、水素原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル
酸、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。
In the epoxy resin represented by the above formula (I), preferred examples of R 1 to R 8 are hydrogen atom, methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl acid, butyl group and sec-butyl. Group, tert-butyl group, chlorine atom, bromine atom and the like.

【0013】本発明におけるエポキシ樹脂の好ましい具
体例としては、4,4´−ビス(2,3−エポキシプロ
ポキシ)ビフェニル、4,4´−ビス(2,3−エポキ
シプロポキシ)−3,3´,5,5´−テトラメチルビ
フェニル、4,4´−ビス(2,3−エポキシプロポキ
シ)−3,3´,5,5´−テトラメチル−2−クロロ
ビフェニル、4,4´−ビス(2,3−エポキシプロポ
キシ)−3,3´,5,5´−テトラメチル−2−ブロ
モビフェニル、4,4´−ビス(2,3−エポキシプロ
ポキシ)−3,3´,5,5´−テトラエチルビフェニ
ル、4,4´−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−
3,3´,5,5´−テトラブチルビフェニルなどが挙
げられる。
Preferred specific examples of the epoxy resin in the present invention include 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) biphenyl and 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 '. , 5,5'-tetramethylbiphenyl, 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5'-tetramethyl-2-chlorobiphenyl, 4,4'-bis ( 2,3-Epoxypropoxy) -3,3 ', 5,5'-tetramethyl-2-bromobiphenyl, 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3', 5,5 ' -Tetraethylbiphenyl, 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy)-
3,3 ', 5,5'-tetrabutylbiphenyl and the like can be mentioned.

【0014】上記式(I)で表わされるエポキシ樹脂は
他のエポキシ樹脂と併用して使用できる。併用できるエ
ポキシ樹脂としては、たとえば、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、下記式(II)
で表わされるノボラック型エポキシ樹脂
The epoxy resin represented by the above formula (I) can be used in combination with other epoxy resins. Examples of the epoxy resin that can be used together include, for example, cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and the following formula (II).
Novolak type epoxy resin represented by

【化4】 (ただし、nは0以上の整数を示す。)ビスフェノール
Aやレゾルシンなどから合成される各種ノボラック型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、線状脂
肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポ
キシ樹脂などが挙げられる。
[Chemical 4] (However, n represents an integer of 0 or more.) Various novolac type epoxy resins synthesized from bisphenol A or resorcin, bisphenol A type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic type Examples thereof include epoxy resin.

【0015】上記式(I)で表わされるエポキシ樹脂
は、全エポキシ樹脂中に、通常10wt%以上、好まし
くは25wt%以上含有せしめる必要があり、これ以下
の量では効果が十分でない。
The epoxy resin represented by the above formula (I) must be contained in the total epoxy resin in an amount of usually 10 wt% or more, preferably 25 wt% or more, and an amount less than this amount is not sufficient.

【0016】本発明において、組成物中での全エポキシ
樹脂の配合量は、通常5〜25wt%である。
In the present invention, the total epoxy resin content in the composition is usually 5 to 25 wt%.

【0017】本発明の組成物は、通常、硬化剤を含有す
る。硬化剤としてはエポキシ樹脂と反応して硬化させる
ものであれば特に限定されない。たとえば、フェノール
ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、下記式(I
II) で表わされるノボラック樹脂
The composition of the present invention usually contains a curing agent. The curing agent is not particularly limited as long as it reacts with the epoxy resin and is cured. For example, phenol novolac resin, cresol novolac resin, the following formula (I
Novolak resin represented by II)

【化5】 (ただし、nは0以上の整数を示す。)ビスフェノール
Aやレゾルシンなどから合成される各種ノボラック樹
脂、各種多価フェノール化合物、無水マレイン酸、無水
フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物、メタフ
ェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどが挙げら
れるが、特に限定されるものではない。
[Chemical 5] (However, n represents an integer of 0 or more.) Various novolac resins synthesized from bisphenol A, resorcin, and the like, various polyhydric phenol compounds, acid anhydrides such as maleic anhydride, phthalic anhydride, and pyromellitic anhydride, Examples thereof include aromatic amines such as metaphenylenediamine, diaminodiphenylmethane, and diaminodiphenylsulfone, but are not particularly limited.

【0018】本発明において、組成物中での硬化剤の配
合量は、通常2〜15wt%である。
In the present invention, the compounding amount of the curing agent in the composition is usually 2 to 15 wt%.

【0019】本発明で使用するエポキシ樹脂および硬化
剤は耐湿性の点からナトリウムイオン、塩素イオン、遊
離の酸、アルカリやそれらを生成する可能性のある不純
物はできるだけ除去したものを用いることが好ましい。
From the viewpoint of moisture resistance, it is preferable that the epoxy resin and the curing agent used in the present invention have sodium ions, chlorine ions, free acids, alkalis and impurities that may form them removed as much as possible. ..

【0020】エポキシ樹脂と硬化剤の配合比は、機械的
性質や耐熱性などの点からエポキシ樹脂に対する硬化剤
の化学当量比が0.5〜1.5、特に0.7〜1.2の
範囲にあることが好ましい。
The compounding ratio of the epoxy resin and the curing agent is such that the chemical equivalent ratio of the curing agent to the epoxy resin is 0.5 to 1.5, particularly 0.7 to 1.2 from the viewpoint of mechanical properties and heat resistance. It is preferably in the range.

【0021】本発明においては、前記式(I)で表わさ
れるエポキシ樹脂とともにエチレンプロピレンゴム(E
PM)またはエチレンプロピレンジエンゴム(EPD
M)から選ばれたゴムを必須成分として含むことが重要
である。
In the present invention, ethylene propylene rubber (E) is used together with the epoxy resin represented by the above formula (I).
PM) or ethylene propylene diene rubber (EPD
It is important to include a rubber selected from M) as an essential component.

【0022】特に、EPDMは、シリコーンゴム架橋物
と併用した場合に半田耐熱性の効果をさらに発揮するこ
とができる。
In particular, EPDM can further exhibit the effect of solder heat resistance when used in combination with a silicone rubber cross-linked product.

【0023】ゴムの配合量は、組成物全体に対して通常
0.5〜15wt%、好ましくは1〜10wt%で、量
が少ないと効果が小さく、量が多いと機械的強度の低下
が著しい。
The amount of rubber compounded is usually 0.5 to 15% by weight, preferably 1 to 10% by weight, based on the total amount of the composition. If the amount is small, the effect is small, and if the amount is large, the mechanical strength is significantly reduced. ..

【0024】本発明における充填材としてはたとえば溶
融シリカ、結晶シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭酸
マグネシウム、炭酸カルシウム、アルミナ、クレー、タ
ルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、アスベスト、ガ
ラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維などを用いることが
でき、これらは2種以上併用することができる。なかで
も、溶融シリカは、線膨脹係数を低下させる効果が大き
く、低応力化に有効なため好ましく用いられる。溶融シ
リカは、破砕状でも球状でも使用できるが、充填剤とし
て溶融シリカを用い、その40wt%以上を破砕状シリ
カとするのが、半田耐熱性向上のために有効なため特に
好ましい。
Examples of the filler in the present invention include fused silica, crystalline silica, silicon nitride, silicon carbide, magnesium carbonate, calcium carbonate, alumina, clay, talc, calcium silicate, titanium oxide, asbestos, glass fiber, carbon fiber, Aramid fiber or the like can be used, and these can be used in combination of two or more kinds. Of these, fused silica is preferably used because it has a large effect of lowering the linear expansion coefficient and is effective in reducing stress. The fused silica can be used in a crushed form or in a spherical form, but it is particularly preferable to use fused silica as a filler and to make 40 wt% or more of the fused silica into crushed silica because it is effective for improving solder heat resistance.

【0025】ここで充填材の量は組成物全体に対して5
0〜90wt%、好ましくは60〜80wt%であり、
量が少ないと信頼性が低下し、量が多いと成形性が低下
する。
The amount of filler here is 5 relative to the total composition.
0 to 90 wt%, preferably 60 to 80 wt%,
When the amount is small, the reliability is lowered, and when the amount is large, the formability is lowered.

【0026】また、本発明において、エポキシ樹脂と硬
化剤の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用いても
よい。硬化促進剤としては硬化反応を促進させるものな
らば特に限定されない。たとえば、2−メチルイミダゾ
ール、2−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール
類、ベンジルジメチルアミン、1,8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7(DBUと略す)などの
アミン類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホ
スホニウム、テトラフェニルボレートなどの有機リン化
合物などが好ましく用いられる。
In the present invention, a curing accelerator may be used to accelerate the curing reaction between the epoxy resin and the curing agent. The curing accelerator is not particularly limited as long as it accelerates the curing reaction. For example, imidazoles such as 2-methylimidazole and 2-phenylimidazole, benzyldimethylamine, amines such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (abbreviated as DBU), triphenylphosphine, tetra Organic phosphorus compounds such as phenylphosphonium and tetraphenylborate are preferably used.

【0027】本発明の樹脂組成物には、離型剤、着色
剤、カップリング剤、難燃剤などを必要に応じて用いる
ことができる。
In the resin composition of the present invention, a release agent, a coloring agent, a coupling agent, a flame retardant and the like can be used if necessary.

【0028】本発明の樹脂組成物は溶融混練することが
好ましく、溶融混練は公知の方法を用いることができ
る。たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロール、
1軸もしくは2軸の押出機、コニーダ−などを用い、溶
融混練することができる。
The resin composition of the present invention is preferably melt-kneaded, and a known method can be used for melt-kneading. For example, Banbury mixer, kneader, roll,
Melt-kneading can be performed using a uniaxial or biaxial extruder, a co-kneader, or the like.

【0029】[0029]

【作用】本発明者らの検討によれば、上記式(I)で表
わされる骨格を有するエポキシ樹脂とEPMまたはEP
DMから選ばれたゴムとを必須成分として含む樹脂組成
物を用いることによって、(1)低応力で耐熱衝撃性に
優れ、しかも(2)実装時の半田耐熱性にも優れた半導
体封止用樹脂組成物を実現できる。
According to the studies by the present inventors, the epoxy resin having the skeleton represented by the above formula (I) and EPM or EP
By using a resin composition containing a rubber selected from DM as an essential component, (1) low stress and excellent thermal shock resistance, and (2) excellent solder heat resistance during mounting, for semiconductor encapsulation. A resin composition can be realized.

【0030】本発明の樹脂組成物が上記のような優れた
特性を示す理由は定かではないが、EPMまたはEPD
Mによってひずみ応力と正比例する弾性率が低下したこ
と、ビフェニル骨格をもつエポキシ樹脂が、硬化物の架
橋密度を低下させ、靭性と耐湿性を向上させたこと、ビ
フェニル骨格が耐熱性であることなどの相乗効果による
ものと考えられる。
The reason why the resin composition of the present invention exhibits the above-mentioned excellent properties is not clear, but it is EPM or EPD.
Due to M, the elastic modulus that is directly proportional to the strain stress has decreased, the epoxy resin having a biphenyl skeleton has reduced the crosslink density of the cured product, has improved toughness and moisture resistance, and that the biphenyl skeleton has heat resistance. It is thought to be due to the synergistic effect of.

【0031】[0031]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples.

【0032】実施例1〜3、比較例1〜3 表1に示す試薬を用いて、表2に示す配合処方の組成比
で試薬をミキサーによりドライブレンドした。これをロ
ール表面温度110℃のミキシングロールを用いて5分
間加熱混練後、冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。
Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 Using the reagents shown in Table 1, the reagents were dry-blended with a mixer in the composition ratios shown in Table 2. This was heated and kneaded for 5 minutes using a mixing roll having a roll surface temperature of 110 ° C., then cooled and pulverized to obtain a resin composition.

【0033】この樹脂組成物を用い、低圧トランスファ
ー成形法により175℃×4分の条件で成形して曲げ試
験片(5″×1/2″×1/4″)および模擬素子を封
止した16pinDIP(デュアルインラインパッケー
ジ)と44pinFPP(フラットプラスチックパッケ
ージ)を得、175℃で5時間ポストキュアーした。ポ
ストキュアー後、次の物性測定法により各樹脂組成物の
物性を測定した。
Using this resin composition, a bending test piece (5 ″ × 1/2 ″ × 1/4 ″) and a simulated element were molded by molding under low pressure transfer molding at 175 ° C. for 4 minutes. 16 pin DIP (dual in-line package) and 44 pin FPP (flat plastic package) were obtained and post cured for 5 hours at 175 ° C. After the post cure, the physical properties of each resin composition were measured by the following physical property measuring methods.

【0034】曲げ強度、弾性率:曲げ試験片を用いてA
STM D−790規格に従い測定した。
Bending strength, elastic modulus: A using a bending test piece
It was measured according to the STM D-790 standard.

【0035】サーマルショック:16pin DIP20個
Thermal shock: 20 pieces of 16-pin DIP

【0036】[0036]

【式1】 のサーマルサイクルを与え、10個にクラックが発生す
るサイクル数を求めた。
[Formula 1] Then, the number of cycles in which 10 cracks occurred was determined.

【0037】半田耐熱性:44pin FPP16個を85
℃、85%RHで168時間処理後、ベーパーフェーズ
リフロー215℃で、90秒処理し、クラックの発生し
たFPPの個数の割合を求めた。
Solder heat resistance: 85 of 16 44-pin FPPs
After treatment at 85 ° C. and 85% RH for 168 hours, vapor phase reflow treatment was performed at 215 ° C. for 90 seconds, and the ratio of the number of cracked FPPs was calculated.

【0038】これらの結果を表2に示す。The results are shown in Table 2.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【表2】 実施例1〜2にみられるようにビフェニル骨格をもつエ
ポキシ樹脂とEPMまたはEPDMから選ばれたゴムを
必須成分とする本発明の樹脂組成物は、曲げ弾性率が低
く、低応力化されており、サーマルショックのサイクル
数が多く耐熱衝撃性に優れていることがわかる。また、
半田耐熱性もクラック発生率が小さく優れている。さら
に実施例3にみられるようにシリコーンゴムを併用する
と、一段と耐熱衝撃性および半田耐熱性が向上する。一
方、比較例1〜2にみられるようにゴムを含まない系で
は、ビフェニル骨格をもつエポキシ樹脂の有無にかかわ
らず、曲げ弾性率が高く低応力化されておらず、耐熱衝
撃性が非常に悪い。また、半田耐熱性も劣っている。ま
た、比較例3にみられるようにゴムのみを添加した系で
は耐熱衝撃性は不十分であり、半田耐熱性はむしろ低下
してしまう。
[Table 2] As shown in Examples 1 and 2, the resin composition of the present invention containing an epoxy resin having a biphenyl skeleton and a rubber selected from EPM or EPDM as essential components has a low flexural modulus and a low stress. It can be seen that the number of thermal shock cycles is large and the thermal shock resistance is excellent. Also,
Soldering heat resistance is also excellent with a small crack occurrence rate. Furthermore, as seen in Example 3, when silicone rubber is used in combination, thermal shock resistance and solder heat resistance are further improved. On the other hand, as seen in Comparative Examples 1 and 2, in the system containing no rubber, regardless of the presence or absence of the epoxy resin having the biphenyl skeleton, the flexural modulus was high, the stress was not lowered, and the thermal shock resistance was very high. bad. Also, the solder heat resistance is inferior. In addition, as seen in Comparative Example 3, the system in which only rubber is added has insufficient thermal shock resistance, and the solder heat resistance is rather lowered.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明によれば、(1)低応力で耐熱衝
撃性に優れ、しかも(2)半田耐熱性にも優れた樹脂組
成物が得られるので、熱応力によるアルミ配線ずれや実
装時の半田付け工程における樹脂クラックの問題をも解
消した優れた半導体封止用樹脂組成物を提供することが
できる。
According to the present invention, a resin composition having (1) low stress and excellent thermal shock resistance and (2) excellent solder heat resistance can be obtained. It is possible to provide an excellent resin composition for semiconductor encapsulation, which also solves the problem of resin cracks in the soldering process.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 エポキシ樹脂と充填材とを主成分とする
半導体封止用樹脂組成物において、下記式(I) 【化1】 (ただし、R1 〜R8 は水素原子、C1 〜C4 の低級ア
ルキル基またはハロゲン原子を示す。)で表わされる骨
格を有するエポキシ樹脂とエチレンプロピレンゴムまた
はエチレンプロピレンジエンゴムから選ばれたゴムとを
必須成分として含むことを特徴とする半導体封止用樹脂
組成物。
1. A semiconductor encapsulating resin composition comprising an epoxy resin and a filler as main components, wherein the following formula (I): (Wherein R 1 to R 8 represent a hydrogen atom, a C 1 to C 4 lower alkyl group or a halogen atom) and a rubber selected from an ethylene propylene rubber or an ethylene propylene diene rubber. A resin composition for semiconductor encapsulation, which comprises and as an essential component.
JP4107410A 1992-04-27 1992-04-27 Resin composition for semiconductor encapsulation Expired - Lifetime JPH0794531B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4107410A JPH0794531B2 (en) 1992-04-27 1992-04-27 Resin composition for semiconductor encapsulation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4107410A JPH0794531B2 (en) 1992-04-27 1992-04-27 Resin composition for semiconductor encapsulation

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62084849A Division JPH06104712B2 (en) 1987-04-08 1987-04-08 Resin composition for semiconductor encapsulation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05178965A true JPH05178965A (en) 1993-07-20
JPH0794531B2 JPH0794531B2 (en) 1995-10-11

Family

ID=14458447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4107410A Expired - Lifetime JPH0794531B2 (en) 1992-04-27 1992-04-27 Resin composition for semiconductor encapsulation

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0794531B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017033279A1 (en) * 2015-08-25 2017-03-02 Dic株式会社 Poly(arylene sulfide) resin composition and molded object thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58108220A (en) * 1981-12-21 1983-06-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor
JPS6147725A (en) * 1984-08-16 1986-03-08 Yuka Shell Epoxy Kk Epoxy resin composition for sealing semiconductor
JPS6198726A (en) * 1984-10-19 1986-05-17 Mitsubishi Petrochem Co Ltd Epoxy resin composition for sealing electronic parts

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58108220A (en) * 1981-12-21 1983-06-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor
JPS6147725A (en) * 1984-08-16 1986-03-08 Yuka Shell Epoxy Kk Epoxy resin composition for sealing semiconductor
JPS6198726A (en) * 1984-10-19 1986-05-17 Mitsubishi Petrochem Co Ltd Epoxy resin composition for sealing electronic parts

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017033279A1 (en) * 2015-08-25 2017-03-02 Dic株式会社 Poly(arylene sulfide) resin composition and molded object thereof
CN107922735A (en) * 2015-08-25 2018-04-17 Dic株式会社 Poly (arylene sulfide) resin composition and its formed body

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0794531B2 (en) 1995-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06104712B2 (en) Resin composition for semiconductor encapsulation
US6521354B1 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
US5854316A (en) Epoxy resin composition
JP3649535B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP3850098B2 (en) Epoxy resin composition
JP4348775B2 (en) Epoxy resin composition
US7122587B2 (en) Semiconductor encapsulating flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device
JP3649524B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP3418875B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JPH05178965A (en) Resin composition for sealing semiconductor
JPH07242799A (en) Epoxy resin composition for semiconductor sealing
JP2501143B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JPH0668010B2 (en) Resin composition for semiconductor encapsulation
JP2963260B2 (en) Epoxy resin composition
JP2001114994A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPH05206331A (en) Resin composition for sealing semiconductor
KR100529258B1 (en) Epoxy Molding Compound for Excapsulation of Semiconductor
JPH01263112A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor
JPH02218735A (en) Epoxy resin composition
JP2003138097A (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using it
JP2643547B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP2002284961A (en) Epoxy-based resin composition and semiconductor device using the same
JPH08245753A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device
JP2001031842A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2985864B2 (en) Resin composition for semiconductor encapsulation