JPH05175660A - Manufacture of low temperature sintered multilayer ceramic board - Google Patents

Manufacture of low temperature sintered multilayer ceramic board

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JPH05175660A
JPH05175660A JP34301091A JP34301091A JPH05175660A JP H05175660 A JPH05175660 A JP H05175660A JP 34301091 A JP34301091 A JP 34301091A JP 34301091 A JP34301091 A JP 34301091A JP H05175660 A JPH05175660 A JP H05175660A
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JP
Japan
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multilayer ceramic
ceramic substrate
temperature sintered
sintered multilayer
low temperature
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JP34301091A
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Inventor
Shoichi Ueda
昭一 上田
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NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To prevent a microcrack, a crack, removal of a component and to improve yield of a product by covering the surface of a board with an organic film having a high insulation. CONSTITUTION:A green sheet is obtained from a ceramic mixture for forming a ceramic part 1, and a through hole is formed thereat. Filling a conductor to form a through hole 2 and forming of a wiring pattern 3 are conducted. Then, the sheets are superposed, integrated, binder is removed therefrom in a nonreducing atmosphere, and it is then baked. Thereafter, one surface of a low temperature sintered multilayer ceramic board formed in this manner is coated with polyimide adhesive to form a resin layer to become adhesive 5. Then, a Capton film of an organic film having a high insulation is placed on the adhesive 5, and heated to be adhered. Subsequently, a photoresist pattern is formed on the Capton film 4, and the film 4 is etched.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は多層セラミック基板の製
造方法に関し、特に低温焼結多層セラミック基板の製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate, and more particularly to a method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の低温焼結多層セラミック基板は、
一例を図5に示すような断面形状をしており、酸化アル
ミニウムを中心とし、フォルステライト、コージェライ
ト、石英粉末を用いてホウケイ酸系ガラスと組合わせた
セラミック部11と金、銀、銀−パラジウム、銅などの
金属によるスルーホール部2および配線パターン部3と
により構成されている。このような低温焼結多層セラミ
ック基板は下記の如き方法により製造されている。
2. Description of the Related Art A conventional low temperature sintered multilayer ceramic substrate is
An example has a cross-sectional shape as shown in FIG. 5, which is mainly composed of aluminum oxide, and is made of forsterite, cordierite, and quartz powder, and is used in combination with a borosilicate glass ceramic portion 11 and gold, silver, silver-- The through hole portion 2 and the wiring pattern portion 3 are made of a metal such as palladium or copper. Such a low temperature sintered multilayer ceramic substrate is manufactured by the following method.

【0003】まず、Al23 (酸化アルミニウム)粉
末にSiO2 (二酸化硅素)、PbO(酸化鉛)、B2
3 (酸化ホウ素)などの粉末を混合する。その後ブチ
ラール、ポリビニルアルコール等の有機バインダとトリ
クロルエチレン、アルコール類等の有機溶剤を混入させ
てスラリ状とする。このスラリから、ドクターブレード
法のキャスティングマシンにより、所望の厚さのセラミ
ックグリーンシートを製造する。このグリーンシートの
所望の位置に、ドリルまたはパンチによりスルーホール
とする穴を形成する。
First, Al 2 O 3 (aluminum oxide) powder is mixed with SiO 2 (silicon dioxide), PbO (lead oxide) and B 2
Mix powder such as O 3 (boron oxide). Then, an organic binder such as butyral or polyvinyl alcohol and an organic solvent such as trichloroethylene or alcohol are mixed to form a slurry. From this slurry, a ceramic green sheet having a desired thickness is manufactured by a doctor blade casting machine. A hole to be a through hole is formed at a desired position of this green sheet by a drill or a punch.

【0004】別途、金(Au)、銀(Ag)、パラジウ
ム(Pd)またはこれらの混合金属粉にエチルセルロー
スまたはニトロセルロースなどの有機バインダと、α−
テルピネオール、n−ブチルカルビトールアセテートな
どの高沸点有機溶剤を混合して、導体ペーストを製造し
ておく。この導体ペーストを用いて、上記した穴明け後
のグリーンシートに、スルーホール部2を形成するため
の導体充填と、各配線層に該当する配線パターン部3の
形成とをスクリーン印刷法にて行なう。このようにして
配線パターン部形成とスルーホール部充填を行なったグ
リーンシートを所望の数だけ位置合せして重ね合わせ、
これをグリーンシート内の有機バインダが軟化する温度
以上(一般に80℃〜150℃)で加圧し一体化する。
上記で得られたものを800℃〜1000℃の温度下に
て焼結して低温焼結多層セラミック基板が完成する。焼
結時の雰囲気は上記導体ペーストおよび有機バインダの
種類により、酸化雰囲気、還元雰囲気などが選択され
る。
Separately, gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), or a mixed metal powder thereof, and an organic binder such as ethyl cellulose or nitrocellulose, and α-
A high-boiling organic solvent such as terpineol or n-butyl carbitol acetate is mixed to prepare a conductor paste. Using this conductor paste, conductor filling for forming the through-hole portion 2 and formation of the wiring pattern portion 3 corresponding to each wiring layer are performed on the green sheet after punching by the screen printing method. .. In this way, the desired number of green sheets for which the wiring pattern portion has been formed and the through holes have been filled are aligned and overlapped,
This is pressed and integrated at a temperature (generally 80 ° C. to 150 ° C.) at which the organic binder in the green sheet is softened or higher to be integrated.
The material obtained above is sintered at a temperature of 800 ° C. to 1000 ° C. to complete a low temperature sintered multilayer ceramic substrate. As the atmosphere during sintering, an oxidizing atmosphere, a reducing atmosphere or the like is selected depending on the types of the conductor paste and the organic binder.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の方法で
製造された低温焼結多層セラミック基板は、アルミナに
よるモリブデン(Mo)、タングステン(W)を用いた
多層セラミック基板に比べ機械的強度が20%〜40%
劣っており、また、後工程で基板表面にめっきするとめ
っきの応力によってマイクロクラックが発生したり、I
/Oピンなどの部品をロウ付けすると、ロウ材近辺に歪
が残留し、基板の割れを生じたり、ロウ付けした部品が
脱落して取れてしまったりして歩留りが悪くなるという
欠点があった。
The low temperature sintered multilayer ceramic substrate manufactured by the above-mentioned conventional method has a mechanical strength of 20 compared with the multilayer ceramic substrate using alumina molybdenum (Mo) and tungsten (W). % -40%
It is inferior, and if the surface of the substrate is plated in a later process, microcracks may be generated due to the stress of the plating.
When brazing components such as / O pins, distortion remains near the brazing material, causing cracks in the board, and the brazed components may fall off and come off, resulting in poor yield. ..

【0006】本発明の目的は、表面にめっきをしてもマ
イクロクラックが発生せず、また部品をロウ付けしても
割れを生ぜず、かつ部品の脱落も生じない歩留りの良い
低温焼結多層セラミック基板の製造方法を提供すること
である。
An object of the present invention is to provide a low-temperature sintered multi-layer with good yield, in which microcracks do not occur even if the surface is plated, cracks do not occur even when parts are brazed, and parts do not drop out. A method of manufacturing a ceramic substrate is provided.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の低温焼結
多層セラミック基板の製造方法は、製造された基板の少
くとも一方の表面に少くとも1枚の高絶縁性有機物フィ
ルムを接着剤によって被着する段階を有する。
The first method for producing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate according to the present invention comprises at least one highly insulating organic film as an adhesive on at least one surface of the produced substrate. By depositing.

【0008】本発明の第2の低温焼結多層セラミック基
板の製造方法は、製造された基板の少くとも一方の表面
に高絶縁性有機物ワニスを塗布して高絶縁性有機物フィ
ルムを形成する段階を有する。
The second method for producing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate according to the present invention comprises the steps of applying a highly insulating organic varnish to at least one surface of the produced substrate to form a highly insulating organic film. Have.

【0009】本発明の第3の低温焼結多層セラミック基
板の製造方法は、製造された基板の表裏両面に高絶縁性
有機物フィルムを被着する段階を含む。
The third method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate of the present invention includes a step of depositing a highly insulating organic material film on both front and back surfaces of the manufactured substrate.

【0010】本発明の第4の低温焼結多層セラミック基
板の製造方法は、製造された基板の表裏両面に高絶縁性
有機物ワニスを塗布して高絶縁性有機物フィルムを形成
する段階を含む。
A fourth method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate according to the present invention includes a step of forming a highly insulating organic film by applying a highly insulating organic varnish on both front and back surfaces of the manufactured substrate.

【0011】[0011]

【作用】基板の少くとも一方の表面に高絶縁性有機物フ
ィルムが形成されているので、表面にめっきをしてもマ
イクロクラックが発生せず、I/Oピンなどの部品をロ
ウ付けしても、割れを生じたり、またそれによって部品
が脱落することがない。
Since the highly insulating organic film is formed on at least one surface of the substrate, no microcracks are generated even if the surface is plated, and components such as I / O pins are brazed. , No cracks occur and no parts fall off due to it.

【0012】[0012]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明の低温焼結多層セラミック基
板の製造方法の第1実施例によって製造された多層セラ
ミック基板の縦断面図である。
FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of a multilayer ceramic substrate manufactured by a first embodiment of a method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate of the present invention.

【0014】この低温焼結多層セラミック基板の製造方
法は、まず、図5の多層セラミック基板の製造方法と同
様の工程によりセラミック部1を形成するためのAl2
360wt%、SiO2 30wt%、PbO 8w
t%、B23 2wt%のセラミック混合物に、ブチ
ラール、トリクロルエチレンを混入しスラリ状とした後
キャスティングして、0.2mm厚さのグリーンシート
を得、これにφ0.25mm、2.54mmピッチのス
ルーホールをパンチによって形成した。このグリーンシ
ートに従来と同じ工程によりスルーホール部2を形成す
る導体充填と、配線層に該当する配線パターン部3の形
成とをスクリーン印刷法にて行なった。スルーホール部
形成および配線パターン部形成には銀粉85wt%およ
びパラジウム粉15wt%の組成の銀パラジウムペース
トを使用した。その後、3枚のグリーンシートを図に示
すように位置合わせして重ね合わせ150℃で加圧し一
体化した。上記で得られたものを500℃の非還元性雰
囲気中で10時間保持して脱バインダーを充分に行なっ
たのち、900℃で1時間空気中で焼成した。次に、こ
の様にして形成した低温焼結多層セラミック基板の一方
の表面にポリイミド系接着剤のLARC−TPIを塗布
し、200℃〜220℃まで徐々に加熱し、接着剤5と
なるべき樹脂層を形成した。ついで接着剤5の上に、高
絶縁性有機物フィルムである膜厚25[μm]のカプト
ンフィルム4を載せ、40〜50kg/cm2 の加圧下
で350℃まで加熱して接着した。この実施例ではワニ
ス状のLARC−TPIを用いたが、フィルム状のLA
RC−TPIを使用することもできる。次に、カプトン
フィルム4上にフォトレジストのパターンを形成した。
この時、低温焼結セラミック基板のスルーホール部2の
上にはフォトレジストが被着しないようにするパターン
を用い、ヒドラジン溶液中でカプトンフィルム4をエッ
チングすることによって、図に示す低温焼結多層セラミ
ック基板を得た。
In the method of manufacturing the low temperature sintered multilayer ceramic substrate, first, Al 2 for forming the ceramic portion 1 is formed by the same steps as the method of manufacturing the multilayer ceramic substrate of FIG.
O 3 60wt%, SiO 2 30wt%, PbO 8w
A ceramic mixture of t% and B 2 O 3 2 wt% was mixed with butyral and trichlorethylene to form a slurry and then cast to obtain a 0.2 mm-thick green sheet, which had a diameter of 0.25 mm and 2.54 mm. Pitch through holes were formed by punching. The conductor filling for forming the through hole portion 2 and the formation of the wiring pattern portion 3 corresponding to the wiring layer were performed on this green sheet by the same process as the conventional method by the screen printing method. A silver-palladium paste having a composition of 85 wt% silver powder and 15 wt% palladium powder was used for forming the through holes and the wiring pattern. After that, the three green sheets were aligned with each other as shown in FIG. The material obtained above was held in a non-reducing atmosphere at 500 ° C. for 10 hours to sufficiently remove the binder, and then calcined in air at 900 ° C. for 1 hour. Next, LARC-TPI, a polyimide-based adhesive, is applied to one surface of the low-temperature sintered multi-layer ceramic substrate thus formed, and gradually heated to 200 ° C. to 220 ° C. to form the adhesive 5 resin. Layers were formed. Then, the Kapton film 4 having a thickness of 25 [μm], which is a highly insulating organic film, was placed on the adhesive 5 and heated to 350 ° C. under pressure of 40 to 50 kg / cm 2 for adhesion. In this example, a varnish-shaped LARC-TPI was used, but a film-shaped LARC-TPI was used.
RC-TPI can also be used. Next, a photoresist pattern was formed on the Kapton film 4.
At this time, a pattern that prevents the photoresist from being deposited on the through-hole portion 2 of the low-temperature sintered ceramic substrate is used, and the Kapton film 4 is etched in a hydrazine solution. A ceramic substrate was obtained.

【0015】この低温焼結多層セラミック基板は、後工
程においてめつきや部品のロウ付けを行なったときに発
生する応力や熱膨張係数の差による歪を、被着したカプ
トンフィルム4が吸収、緩和し、セラミック部1にかか
る応力や歪が小さくなるので、マイクロクラックが発生
したり、ロウ付けした部品が脱落したりすることがな
い。
In this low-temperature sintered multilayer ceramic substrate, the Kapton film 4 which has been applied absorbs and relaxes the stress caused by the later process of brazing and brazing of components and the strain caused by the difference in the coefficient of thermal expansion. However, since the stress and strain applied to the ceramic part 1 are reduced, microcracks do not occur and brazed parts do not fall off.

【0016】こうして得られた製品のカプトンフィルム
が被着された面にスパッタリングによって金属薄膜を被
着し、フォトリソグラフィ技術によってフォトレジスト
のパターンを形成したのち、電解めっきを施した。この
カプトンフィルムが被着された面にI/Oピンをロウ付
けし0℃〜190℃の熱衝撃試験40回を行なったとこ
ろ、従来方法による低温焼結多層セラミック基板の場合
は10〜15%のI/Oピンが基板の割れによって取れ
てしまったのに対し、本製品は割れが0.01%以下と
きわめて良好な結果が得られた。
A metal thin film was deposited on the surface of the product thus obtained, on which the Kapton film was deposited, by sputtering, a photoresist pattern was formed by photolithography, and then electrolytic plating was performed. I / O pins were brazed to the surface on which the Kapton film was adhered, and a thermal shock test at 0 ° C. to 190 ° C. was performed 40 times. While the I / O pin of No. 1 was removed by the crack of the substrate, this product had a crack of 0.01% or less, which was a very good result.

【0017】図2は本発明の低温焼結多層セラミック基
板の製造方法の第2実施例によって製造された多層セラ
ミック基板の縦断面図である。
FIG. 2 is a vertical sectional view of a multilayer ceramic substrate manufactured by a second embodiment of the method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate of the present invention.

【0018】第1実施例では、高絶縁性有機物フィルム
を用いたが、本実施例では高絶縁性有機物ワニスを使用
した。すなわち、セラミックグリーンシートを積層して
一括焼成した低温焼結多層セラミック基板の表面の1つ
に、ポリイミド前駆体ワニスをスピンコート法などを用
いて均一にコーティングしたのち、350℃〜450℃
で30分加熱してポリイミド層6を形成した。ポリイミ
ド前駆体ワニスとしては例えばデュポン社のパイラリ
ン、東レ社のセミコファイン、フォトニースなどが使用
できる。その他は第1実施例と同じである。
In the first embodiment, a highly insulating organic material film was used, but in this embodiment, a highly insulating organic material varnish was used. That is, one of the surfaces of a low temperature sintered multilayer ceramic substrate obtained by laminating and co-firing ceramic green sheets is uniformly coated with a polyimide precursor varnish by a spin coating method or the like, and then 350 ° C to 450 ° C.
And heated for 30 minutes to form a polyimide layer 6. As the polyimide precursor varnish, for example, Pyralin manufactured by DuPont, Semicofine manufactured by Toray Industries, or Photo Nice can be used. Others are the same as those in the first embodiment.

【0019】本実施例の製造方法で得られた低温焼結多
層セラミック基板も第1実施例の場合と同様の効果が得
られた。
The low-temperature sintered multilayer ceramic substrate obtained by the manufacturing method of this embodiment also provided the same effects as in the case of the first embodiment.

【0020】図3は本発明の低温焼結多層セラミック基
板の製造方法の第3実施例によって製造された多層セラ
ミック基板の縦断面図である。
FIG. 3 is a vertical sectional view of a multilayer ceramic substrate manufactured by a third embodiment of the method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate of the present invention.

【0021】この低温焼結多層セラミック基板の製造方
法では、第1実施例で積層されたグリーンシートを焼成
して製造された多層セラミック基板に接着剤5を形成す
るときに、基板の表裏両面にLARC−TPIを塗布し
て樹脂層である接着剤51 と52 を形成し、その上にそ
れぞれカプトンフィルム41 と42 を載せ、加熱して接
着した。その他の工程は第1実施例の場合と同様であ
る。
In this method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate, when the adhesive 5 is formed on the multilayer ceramic substrate manufactured by firing the laminated green sheets in the first embodiment, the adhesive is applied to both front and back surfaces of the substrate. the LARC-TPI is applied to form an adhesive 5 1 and 5 2 is a resin layer, thereon carrying the Kapton film 4 1 and 4 2, respectively, and adhered by heating. The other steps are the same as those in the first embodiment.

【0022】本実施例の低温焼結多層セラミック基板の
製造方法により製造された多層セラミック基板は表裏両
面について第1実施例における基板の高絶縁性有機物フ
ィルムが被着された面におけると同様の効果が得られ
た。
The multilayer ceramic substrate manufactured by the method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate of this embodiment has the same effect on both front and back surfaces as the surface of the substrate of the first embodiment to which the highly insulating organic film is applied. was gotten.

【0023】図4は本発明の低温焼結多層セラミック基
板の製造方法の第4実施例によって製造された多層セラ
ミック基板の縦断面図である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view of a multilayer ceramic substrate manufactured by a fourth embodiment of the method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate of the present invention.

【0024】この低温焼結多層セラミック基板の製造方
法では、第2実施例でセラミックグリーンシートを積層
して焼成した低温焼結多層セラミック基板の表面に、ポ
リイミド層6を形成するとき、基板の表裏両面にポリイ
ミド前駆体ワニスをコーティングして加熱してポリイミ
ド層61 と62 を形成した。その他は第2実施例の工程
と同様である。
In this method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate, when the polyimide layer 6 is formed on the surface of the low temperature sintered multilayer ceramic substrate obtained by stacking and firing the ceramic green sheets in the second embodiment, the front and back surfaces of the substrate are Both sides were coated with a polyimide precursor varnish and heated to form polyimide layers 6 1 and 6 2 . Others are the same as the steps of the second embodiment.

【0025】本実施例の低温焼結多層セラミック基板の
製造方法により製造された多層セラミック基板は表裏両
面について第2実施例における高絶縁性有機物フィルム
が形成された面におけると同様の効果が得られた。
The multilayer ceramic substrate manufactured by the method for manufacturing a low-temperature sintered multilayer ceramic substrate of this embodiment has the same effect on both front and back surfaces as the surface on which the highly insulating organic film is formed in the second embodiment. It was

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、低温焼結
多層セラミック基板の少くとも一方の表面に高絶縁性有
機物フィルムを被着することにより、基板表面にめっき
をしてもマイクロクラックが発生したり、また、I/O
ピンなどの部品をロウ付けしても基板に割れを生じた
り、かつロウ付けした部分が脱落して取れてしまうこと
がないので、製品の歩留りが良好となる効果がある。
As described above, according to the present invention, by depositing a highly insulating organic material film on at least one surface of a low temperature sintered multilayer ceramic substrate, microcracks are generated even if the substrate surface is plated. Occurrence or I / O
Even if a component such as a pin is brazed, the substrate is not cracked and the brazed portion does not fall off and is removed, so that the product yield is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の低温焼結多層セラミック基板の製造方
法の第1実施例によって製造された多層セラミック基板
の縦断面図である。
FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of a multilayer ceramic substrate manufactured according to a first embodiment of a method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate of the present invention.

【図2】本発明の低温焼結多層セラミック基板の製造方
法の第2実施例によって製造された多層セラミック基板
の縦断面図である。
FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of a multi-layer ceramic substrate manufactured by a second embodiment of the method for manufacturing a low-temperature sintered multi-layer ceramic substrate of the present invention.

【図3】本発明の低温焼結多層セラミック基板の製造方
法の第3実施例によって製造された多層セラミック基板
の縦断面図である。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of a multi-layer ceramic substrate manufactured according to a third embodiment of the method for manufacturing a low-temperature sintered multi-layer ceramic substrate of the present invention.

【図4】本発明の低温焼結多層セラミック基板の製造方
法の第4実施例によって製造された多層セラミック基板
の縦断面図である。
FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of a multilayer ceramic substrate manufactured by a fourth embodiment of the method of manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate of the present invention.

【図5】低温焼結多層セラミック基板の製造方法の従来
例によって製造された多層セラミック基板の縦断面図で
ある。
FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of a multilayer ceramic substrate manufactured by a conventional example of a method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミック部 2 スルーホール部 3 配線パターン部 4,41 ,42 カプトンフィルム 5,51 ,52 接着剤 6,61 ,62 ポリイミド層1 ceramic portion 2 through holes 3 wiring pattern portions 4 1, 4 2 Kapton films 5,5 1, 5 2 adhesive 6,6 1, 6 2 polyimide layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミックグリーンシートを積層したの
ち一括焼成して多層セラミック基板を製造する低温焼結
多層セラミック基板の製造方法において、前記製造され
た基板の少くとも一方の表面に少くとも1枚の高絶縁性
有機物フィルムを被着する段階を有することを特徴とす
る低温焼結多層セラミック基板の製造方法。
1. A method for manufacturing a low-temperature sintered multilayer ceramic substrate, comprising laminating ceramic green sheets and then firing them together to produce a multilayer ceramic substrate, wherein at least one surface of at least one surface of the manufactured substrate is at least one sheet. A method of manufacturing a low-temperature sintered multilayer ceramic substrate, comprising the step of depositing a highly insulating organic film.
【請求項2】 セラミックグリーンシートを積層したの
ち一括焼成して多層セラミック基板を製造する低温焼結
多層セラミック基板の製造方法において、前記製造され
た基板の少くとも一方の表面に高絶縁性有機物ワニスを
塗布して高絶縁性有機物フィルムを形成する段階を有す
ることを特徴とする低温焼結多層セラミック基板の製造
方法。
2. A method for producing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate, comprising laminating ceramic green sheets and then firing them together to produce a multilayer ceramic substrate, comprising a highly insulating organic varnish on at least one surface of the produced substrate. A method of manufacturing a low-temperature sintered multilayer ceramic substrate, which comprises the step of applying the above to form a highly insulating organic film.
【請求項3】 請求項1記載の低温焼結多層セラミック
基板の製造方法において、製造された基板の表裏両面に
高絶縁性有機物フィルムを被着する段階を含むことを特
徴とする低温焼結多層セラミック基板の製造方法。
3. The method for producing a low-temperature sintered multilayer ceramic substrate according to claim 1, comprising a step of depositing a highly insulating organic material film on both front and back surfaces of the produced substrate. Manufacturing method of ceramic substrate.
【請求項4】 請求項2記載の低温焼結多層セラミック
基板の製造方法において、製造された基板の表裏両面に
高絶縁性有機物ワニスを塗布して高絶縁性有機物フィル
ムを形成する段階を含むことを特徴とする低温焼結多層
セラミック基板の製造方法。
4. The method for manufacturing a low temperature sintered multilayer ceramic substrate according to claim 2, further comprising the step of applying a highly insulating organic varnish on both front and back surfaces of the manufactured substrate to form a highly insulating organic film. A method for manufacturing a low-temperature sintered multilayer ceramic substrate, comprising:
JP34301091A 1991-12-25 1991-12-25 Manufacture of low temperature sintered multilayer ceramic board Pending JPH05175660A (en)

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JP34301091A Pending JPH05175660A (en) 1991-12-25 1991-12-25 Manufacture of low temperature sintered multilayer ceramic board

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