JPH05175586A - 半導体波長可変素子 - Google Patents
半導体波長可変素子Info
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- JPH05175586A JPH05175586A JP34099391A JP34099391A JPH05175586A JP H05175586 A JPH05175586 A JP H05175586A JP 34099391 A JP34099391 A JP 34099391A JP 34099391 A JP34099391 A JP 34099391A JP H05175586 A JPH05175586 A JP H05175586A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、光通信等に用いられる半導体波長可
変素子に関し、波長チューニング層の注入電流を変化さ
せても、発振波長可変レーザとして用いる場合は一定の
光出力が得られ、選択波長可変フィルタとして用いた場
合は、閾値電流が変化しない半導体波長可変素子を提供
することを目的とする。 【構成】第２活性層１０は、半導体基板１６の回折格子
１２上に形成された、波長をマッチングさせる波長チュ
ーニング層８と波長チューニング層８上部の波長チュー
ニング層６との間に挟まれて形成されている。波長チュ
ーニング層６上に共通電極層４が形成され、共通電極層
４上に活性層２が形成されている。活性層２上にはクラ
ッド層１４が形成されているように構成する。
変素子に関し、波長チューニング層の注入電流を変化さ
せても、発振波長可変レーザとして用いる場合は一定の
光出力が得られ、選択波長可変フィルタとして用いた場
合は、閾値電流が変化しない半導体波長可変素子を提供
することを目的とする。 【構成】第２活性層１０は、半導体基板１６の回折格子
１２上に形成された、波長をマッチングさせる波長チュ
ーニング層８と波長チューニング層８上部の波長チュー
ニング層６との間に挟まれて形成されている。波長チュ
ーニング層６上に共通電極層４が形成され、共通電極層
４上に活性層２が形成されている。活性層２上にはクラ
ッド層１４が形成されているように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に用いられる
半導体波長可変素子に関する。
半導体波長可変素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信は実用期に入り、光及び光
ファイバを用いた大容量情報伝達が行われている。今
日、さらに情報伝達の大容量化を達成すべく様々な研究
が行われている。その研究の一つに波長多重化の方法が
ある。波長多重化は、多数の信号をそれぞれ波長の異な
る複数の光に変換し、一つの光ファイバに多重化して一
括伝送し、受信側では送られてきた光を波長選択し、各
々の信号として受信するものである。また、この波長多
重化方法は、情報伝達だけでなく交換などの信号処理に
用いることも考えられている。
ファイバを用いた大容量情報伝達が行われている。今
日、さらに情報伝達の大容量化を達成すべく様々な研究
が行われている。その研究の一つに波長多重化の方法が
ある。波長多重化は、多数の信号をそれぞれ波長の異な
る複数の光に変換し、一つの光ファイバに多重化して一
括伝送し、受信側では送られてきた光を波長選択し、各
々の信号として受信するものである。また、この波長多
重化方法は、情報伝達だけでなく交換などの信号処理に
用いることも考えられている。
【０００３】このようなシステムにおいて、特定の波長
を選択して発振する発振波長可変レーザや、選択する波
長を変えることのできる選択波長可変フィルタ等の半導
体波長可変素子の性能が重要になる。図４を用いて従来
の半導体波長可変素子について説明する。図４は、従来
の半導体波長可変素子の光導波方向の断面図である。
を選択して発振する発振波長可変レーザや、選択する波
長を変えることのできる選択波長可変フィルタ等の半導
体波長可変素子の性能が重要になる。図４を用いて従来
の半導体波長可変素子について説明する。図４は、従来
の半導体波長可変素子の光導波方向の断面図である。
【０００４】この従来の半導体波長可変素子の構造及び
動作について説明する。半導体基板１６上に回折格子１
２が形成され、回折格子１２上に波長をマッチングさせ
る波長チューニング層６が形成されている。波長チュー
ニング層６と波長チューニング層６上部に形成された活
性層２との間に共通電極層４が形成されている。活性層
２上にはクラッド層１４が形成されている。
動作について説明する。半導体基板１６上に回折格子１
２が形成され、回折格子１２上に波長をマッチングさせ
る波長チューニング層６が形成されている。波長チュー
ニング層６と波長チューニング層６上部に形成された活
性層２との間に共通電極層４が形成されている。活性層
２上にはクラッド層１４が形成されている。
【０００５】光の導波方向に活性層２と波長チューニン
グ層６が平行して配置されており、光はこれらを含む導
波路上を導波される。このためこの構造は二重導波路構
造と呼ばれる。活性層２と波長チューニング層６はそれ
ぞれ独立に電流を注入できるようになっている。波長チ
ューニング層６に電流が注入されると、波長チューニン
グ層６の屈折率が変化することにより、導波光の導波路
内波長が変化し、回折格子１２で決定される選択波長を
変えることができる。
グ層６が平行して配置されており、光はこれらを含む導
波路上を導波される。このためこの構造は二重導波路構
造と呼ばれる。活性層２と波長チューニング層６はそれ
ぞれ独立に電流を注入できるようになっている。波長チ
ューニング層６に電流が注入されると、波長チューニン
グ層６の屈折率が変化することにより、導波光の導波路
内波長が変化し、回折格子１２で決定される選択波長を
変えることができる。
【０００６】この二重導波路構造の半導体波長可変素子
によれば、共通電極層４からの注入電流を変化させるこ
とにより連続的に波長を変化させることができ、波長可
変レーザとして使用する場合は発振波長を、また、波長
可変フィルタとして使用する場合は選択波長を制御する
ことができる。図中に示されたグラフは、導波路内の光
強度分布を示している。
によれば、共通電極層４からの注入電流を変化させるこ
とにより連続的に波長を変化させることができ、波長可
変レーザとして使用する場合は発振波長を、また、波長
可変フィルタとして使用する場合は選択波長を制御する
ことができる。図中に示されたグラフは、導波路内の光
強度分布を示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の波長可
変素子を用いた場合、波長チューニング層６に電流を注
入すると、発振波長または選択波長を変化させるための
波長チューニング層６の屈折率を変化させることができ
るが、同時に注入電流による自由キャリアの増大によ
り、光吸収も増加してしまう。従って、所定の波長を選
択するために波長チューニング層６に注入する電流を大
きくすればするほど光吸収が増加してしまうという問題
が生じてしまう。
変素子を用いた場合、波長チューニング層６に電流を注
入すると、発振波長または選択波長を変化させるための
波長チューニング層６の屈折率を変化させることができ
るが、同時に注入電流による自由キャリアの増大によ
り、光吸収も増加してしまう。従って、所定の波長を選
択するために波長チューニング層６に注入する電流を大
きくすればするほど光吸収が増加してしまうという問題
が生じてしまう。
【０００８】これにより、発振波長可変レーザとして用
いる場合は光出力の低下の問題が生じ、選択波長可変フ
ィルタとして用いた場合は、閾値電流が変わってしまう
ためその調整が必要であるという問題があった。本発明
の目的は、波長チューニング層の注入電流を変化させて
も、発振波長可変レーザとして用いる場合は一定の光出
力が得られ、選択波長可変フィルタとして用いた場合
は、閾値電流が変化しない半導体波長可変素子を提供す
ることにある。
いる場合は光出力の低下の問題が生じ、選択波長可変フ
ィルタとして用いた場合は、閾値電流が変わってしまう
ためその調整が必要であるという問題があった。本発明
の目的は、波長チューニング層の注入電流を変化させて
も、発振波長可変レーザとして用いる場合は一定の光出
力が得られ、選択波長可変フィルタとして用いた場合
は、閾値電流が変化しない半導体波長可変素子を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。本発明による半導体波長可変素子の構造を図
１（ａ）を用いて説明する。本発明による半導体波長可
変素子の構造上の特徴は、半導体基板１６上に、導波光
を増幅させるように機能する薄い層厚の第２活性層１０
が形成されていることである。第２活性層１０は、半導
体基板１６の回折格子１２上に形成された、波長をマッ
チングさせる波長チューニング層８と波長チューニング
層８上部の波長チューニング層６との間に挟まれて形成
されている。波長チューニング層６上に共通電極層４が
形成され、共通電極層４上に活性層２が形成されてい
る。活性層２上にはクラッド層１４が形成されている。
図である。本発明による半導体波長可変素子の構造を図
１（ａ）を用いて説明する。本発明による半導体波長可
変素子の構造上の特徴は、半導体基板１６上に、導波光
を増幅させるように機能する薄い層厚の第２活性層１０
が形成されていることである。第２活性層１０は、半導
体基板１６の回折格子１２上に形成された、波長をマッ
チングさせる波長チューニング層８と波長チューニング
層８上部の波長チューニング層６との間に挟まれて形成
されている。波長チューニング層６上に共通電極層４が
形成され、共通電極層４上に活性層２が形成されてい
る。活性層２上にはクラッド層１４が形成されている。
【００１０】このように、本発明による半導体波長可変
素子は、従来の波長チューニング層６を上下に別けて波
長チューニング層６、８とし、この波長チューニング層
６、８の間に新たに別の半導体層である第２活性層１０
を挟み込んだ構造になっている。図中示された曲線は、
導波路中の光の強度分布を示している。この第２活性層
１０の組成は、電流を注入することによって導波する光
を増幅できるような組成である必要がある。図１（ｂ）
は、図１（ａ）に示した本発明の半導体波長可変素子の
Ａ−Ａ′断面における禁制帯のバンドギャップを示す図
である。横軸はＡ−Ａ′断面の各層を示し、縦軸はバン
ドギャップエネルギを示している。活性層２及び波長チ
ューニング層６、８に挟まれた第２活性層１０のエネル
ギレベルはほぼ同じであり、光のエネルギレベルとほぼ
一致している。波長チューニング層６が量子構造の場合
は、第１準位間に実効的バンドギャップをとるものとす
る。
素子は、従来の波長チューニング層６を上下に別けて波
長チューニング層６、８とし、この波長チューニング層
６、８の間に新たに別の半導体層である第２活性層１０
を挟み込んだ構造になっている。図中示された曲線は、
導波路中の光の強度分布を示している。この第２活性層
１０の組成は、電流を注入することによって導波する光
を増幅できるような組成である必要がある。図１（ｂ）
は、図１（ａ）に示した本発明の半導体波長可変素子の
Ａ−Ａ′断面における禁制帯のバンドギャップを示す図
である。横軸はＡ−Ａ′断面の各層を示し、縦軸はバン
ドギャップエネルギを示している。活性層２及び波長チ
ューニング層６、８に挟まれた第２活性層１０のエネル
ギレベルはほぼ同じであり、光のエネルギレベルとほぼ
一致している。波長チューニング層６が量子構造の場合
は、第１準位間に実効的バンドギャップをとるものとす
る。
【００１１】次に、本発明による半導体波長可変素子の
波長可変動作を図１（ｃ）を用いて説明する。図１
（ｃ）の横軸は波長チューニング層６、８に注入する電
流値であり、縦軸は光吸収を示している。図中Ａで示す
曲線は波長チューニング層６の自由キャリアによる光吸
収の増大を示している。図中Ｂで示す曲線は第２活性層
１０で得られる光増幅を示している。図中Ｃは、本発明
の半導体波長可変素子全体の光吸収を示している。
波長可変動作を図１（ｃ）を用いて説明する。図１
（ｃ）の横軸は波長チューニング層６、８に注入する電
流値であり、縦軸は光吸収を示している。図中Ａで示す
曲線は波長チューニング層６の自由キャリアによる光吸
収の増大を示している。図中Ｂで示す曲線は第２活性層
１０で得られる光増幅を示している。図中Ｃは、本発明
の半導体波長可変素子全体の光吸収を示している。
【００１２】波長チューニング層６、８に電流を注入す
ると、第２活性層１０に電子・正孔が注入され、それと
共にキャリアオーバフロー等により波長チューニング層
６、８に電子・正孔が注入される。波長チューニング層
６、８に電子・正孔が注入されると自由キャリア吸収が
増加する。一方、第２活性層１０ではキャリア注入によ
り光吸収の減少もしくは増幅が生じる。従って、光吸収
の増大（図中Ａ）と光吸収の減少（図中Ｂ）をバランス
させることにより、自由キャリア吸収による光吸収の増
加を補償することができ、光吸収を常にほぼ一定の値
（図中Ｃ）にしておくことができる。
ると、第２活性層１０に電子・正孔が注入され、それと
共にキャリアオーバフロー等により波長チューニング層
６、８に電子・正孔が注入される。波長チューニング層
６、８に電子・正孔が注入されると自由キャリア吸収が
増加する。一方、第２活性層１０ではキャリア注入によ
り光吸収の減少もしくは増幅が生じる。従って、光吸収
の増大（図中Ａ）と光吸収の減少（図中Ｂ）をバランス
させることにより、自由キャリア吸収による光吸収の増
加を補償することができ、光吸収を常にほぼ一定の値
（図中Ｃ）にしておくことができる。
【００１３】即ち、第２活性層１０は、波長チューニン
グ層６、８で生じる光吸収による損失を補償し、本発明
による半導体波長可変素子を選択波長レーザとして用い
る場合には光出力を一定強度に保つことができ、また、
選択波長可変フィルタとして用いる場合には閾値電流を
一定の値に保つことのできる損失補償層として機能する
ことになる。
グ層６、８で生じる光吸収による損失を補償し、本発明
による半導体波長可変素子を選択波長レーザとして用い
る場合には光出力を一定強度に保つことができ、また、
選択波長可変フィルタとして用いる場合には閾値電流を
一定の値に保つことのできる損失補償層として機能する
ことになる。
【００１４】
【作用】本発明によれば、第２活性層が波長チューニン
グ層６、８で生じる光吸収による損失を補償する損失補
償層として機能するので、波長チューニング層の注入電
流を変化させても、発振波長可変レーザとして用いる場
合は一定の光出力が得られ、選択波長可変フィルタとし
て用いた場合は、閾値電流が変化しない半導体波長可変
素子を実現できる。
グ層６、８で生じる光吸収による損失を補償する損失補
償層として機能するので、波長チューニング層の注入電
流を変化させても、発振波長可変レーザとして用いる場
合は一定の光出力が得られ、選択波長可変フィルタとし
て用いた場合は、閾値電流が変化しない半導体波長可変
素子を実現できる。
【００１５】
【実施例】本発明の一実施例による半導体波長可変素子
を図２及び図３を用いて説明する。図２は本発明の一実
施例による半導体波長可変素子の断面図である。本発明
の一実施例による半導体波長可変素子の構造について説
明する。
を図２及び図３を用いて説明する。図２は本発明の一実
施例による半導体波長可変素子の断面図である。本発明
の一実施例による半導体波長可変素子の構造について説
明する。
【００１６】ｐ−ＩｎＰ基板３０上に、導波光を増幅さ
せるための厚さ約２．５ｎｍの薄いＩｎ0.7 Ｇａ0.3 Ａ
ｓ歪活性層３６が形成されている。この歪活性層３６
が、上記の本発明の原理を説明した図１の第２活性層１
０に対応している。歪活性層３６は、歪活性層３６上に
形成された波長チューニング層３４と、ｐ−ＩｎＰ基板
３０の歪活性層３６近傍に形成された回折格子５０上部
の波長チューニング層３２とに挟まれた構造となってい
る。波長チューニング層３２は、組成波長１．４μｍの
ＩｎＧａＡｓＰ層であり、層厚は０．１μｍである。波
長チューニング層３４は、組成波長１．４μｍのＩｎＧ
ａＡｓＰ層であり、層厚は０．１５μｍである。
せるための厚さ約２．５ｎｍの薄いＩｎ0.7 Ｇａ0.3 Ａ
ｓ歪活性層３６が形成されている。この歪活性層３６
が、上記の本発明の原理を説明した図１の第２活性層１
０に対応している。歪活性層３６は、歪活性層３６上に
形成された波長チューニング層３４と、ｐ−ＩｎＰ基板
３０の歪活性層３６近傍に形成された回折格子５０上部
の波長チューニング層３２とに挟まれた構造となってい
る。波長チューニング層３２は、組成波長１．４μｍの
ＩｎＧａＡｓＰ層であり、層厚は０．１μｍである。波
長チューニング層３４は、組成波長１．４μｍのＩｎＧ
ａＡｓＰ層であり、層厚は０．１５μｍである。
【００１７】波長チューニング層３４上に共通電極層３
８が形成され、共通電極層３８上に活性層４０が形成さ
れている。活性層４０上にはｐ−ＩｎＰクラッド層４２
が形成されている。クラッド層４２上には、ｐ+ −Ｉｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層４４を介して活性層側電極４８
が形成されている。ｐ−ＩｎＰ基板３０裏面には波長チ
ューニング層側電極４６が形成されている。
８が形成され、共通電極層３８上に活性層４０が形成さ
れている。活性層４０上にはｐ−ＩｎＰクラッド層４２
が形成されている。クラッド層４２上には、ｐ+ −Ｉｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層４４を介して活性層側電極４８
が形成されている。ｐ−ＩｎＰ基板３０裏面には波長チ
ューニング層側電極４６が形成されている。
【００１８】図３に本発明の一実施例による半導体波長
可変素子のＢ−Ｂ′断面図を示す。図３を用いて、本発
明の一実施例による半導体波長可変素子の埋込み構造及
び電極構造を説明する。ｐ−ＩｎＰ基板３０上にｎ−Ｉ
ｎＰ埋込み層６０が形成されている。ｎ−ＩｎＰ埋込み
層６０のＩｎＧａＡｓＰ層３４とＩｎＧａＡｓＰ活性層
４０に挟まれた部分がｎ−ＩｎＰ共通電極３８である。
ＩｎＧａＡｓＰ活性層４０の周囲からｎ−ＩｎＰ埋込み
層６０の上面に、エッチングストップ層として機能する
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層６２が形成されてい
る。ＩｎＧａＡｓＰ活性層４０の周囲でｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層６２上にｎ−ＩｎＰ層６４が形成さ
れ、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４０上及びｎ−ＩｎＰ層６４
上にｐ−ＩｎＰクラッド層４２が形成されている。ｐ−
ＩｎＰクラッド層４２上にはｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層４４が形成されている。上部全面にＳｉＯ2 層
６６が形成され、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４
４の上部とｎ−ＩｎＰ埋込み層６０の上部が一部開口さ
れ、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４４とコンタク
トする活性層側電極４８、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層６２及びｎ−ＩｎＰ埋込み層６０を介してｎ−Ｉｎ
Ｐ共通電極３８にコンタクトする共通電極６８が形成さ
れている。
可変素子のＢ−Ｂ′断面図を示す。図３を用いて、本発
明の一実施例による半導体波長可変素子の埋込み構造及
び電極構造を説明する。ｐ−ＩｎＰ基板３０上にｎ−Ｉ
ｎＰ埋込み層６０が形成されている。ｎ−ＩｎＰ埋込み
層６０のＩｎＧａＡｓＰ層３４とＩｎＧａＡｓＰ活性層
４０に挟まれた部分がｎ−ＩｎＰ共通電極３８である。
ＩｎＧａＡｓＰ活性層４０の周囲からｎ−ＩｎＰ埋込み
層６０の上面に、エッチングストップ層として機能する
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層６２が形成されてい
る。ＩｎＧａＡｓＰ活性層４０の周囲でｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層６２上にｎ−ＩｎＰ層６４が形成さ
れ、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４０上及びｎ−ＩｎＰ層６４
上にｐ−ＩｎＰクラッド層４２が形成されている。ｐ−
ＩｎＰクラッド層４２上にはｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層４４が形成されている。上部全面にＳｉＯ2 層
６６が形成され、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４
４の上部とｎ−ＩｎＰ埋込み層６０の上部が一部開口さ
れ、ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４４とコンタク
トする活性層側電極４８、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層６２及びｎ−ＩｎＰ埋込み層６０を介してｎ−Ｉｎ
Ｐ共通電極３８にコンタクトする共通電極６８が形成さ
れている。
【００１９】本実施例による半導体波長可変素子は、本
発明の原理説明図（図１）における第２活性層１０とし
て機能する歪活性層３６に、厚さ約２．５ｎｍの井戸層
幅の小さい歪量子井戸を用いることにより、波長チュー
ニング層３２、３４の注入電流が小さい場合の光吸収を
小さく抑え、かつ自由キャリア吸収を補償できる構造と
している。これにより、波長チューニング層３２、３４
に電流を注入したときの光吸収増加を補償でき特性向上
が図られる。
発明の原理説明図（図１）における第２活性層１０とし
て機能する歪活性層３６に、厚さ約２．５ｎｍの井戸層
幅の小さい歪量子井戸を用いることにより、波長チュー
ニング層３２、３４の注入電流が小さい場合の光吸収を
小さく抑え、かつ自由キャリア吸収を補償できる構造と
している。これにより、波長チューニング層３２、３４
に電流を注入したときの光吸収増加を補償でき特性向上
が図られる。
【００２０】本発明は、上記実施例に限らず種々の変形
が可能である。例えば、本実施例においては、第２活性
層１０として歪活性層３６を用いたが、第２活性層１０
はこれに限られることはなく、無歪活性層である例えば
厚さ６．５ｎｍのＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、或いはバル
クである例えば厚さ２０〜５０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ
（λg ＝１．５５μｍ）層を用いてもよい。
が可能である。例えば、本実施例においては、第２活性
層１０として歪活性層３６を用いたが、第２活性層１０
はこれに限られることはなく、無歪活性層である例えば
厚さ６．５ｎｍのＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層、或いはバル
クである例えば厚さ２０〜５０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ
（λg ＝１．５５μｍ）層を用いてもよい。
【００２１】また、本実施例の半導体波長可変素子には
一定周期の回折格子を用いたが、位相シフト回折格子を
用いても本発明を適用することはもちろん可能である。
一定周期の回折格子を用いたが、位相シフト回折格子を
用いても本発明を適用することはもちろん可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、第２活性
層が波長チューニング層で生じる光吸収による損失を補
償する損失補償層として機能するので、波長チューニン
グ層の注入電流を変化させても、一定の光出力が得られ
る発振波長可変レーザ、または閾値電流が変化しない選
択波長可変フィルタを実現することができる。
層が波長チューニング層で生じる光吸収による損失を補
償する損失補償層として機能するので、波長チューニン
グ層の注入電流を変化させても、一定の光出力が得られ
る発振波長可変レーザ、または閾値電流が変化しない選
択波長可変フィルタを実現することができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例による半導体波長可変素子の
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の一実施例による半導体波長可変素子の
Ｂ−Ｂ′断面図である。
Ｂ−Ｂ′断面図である。
【図４】従来の半導体波長可変素子の断面図である。
２…活性層 ４…共通電極層 ６、８…波長チューニング層 １０…第２活性層 １２…回折格子 １４…クラッド層 １６…半導体基板 ３０…ｐ−ＩｎＰ基板 ３２、３４…ＩｎＧａＡｓＰ層 ３６…ＩｎＧａＡｓ歪活性層 ３８…ｎ−ＩｎＰ共通電極 ４０…ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ４２…ｐ−ＩｎＰクラッド層 ４４…ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ４６…波長チューニング層側電極 ４８…活性層側電極 ５０…回折格子 ６０…ｎ−ＩｎＰ埋込み層 ６２…ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ６４…ｎ−ＩｎＰ層 ６６…ＳｉＯ2 層 ６８…共通電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成
された回折格子と、前記回折格子上に形成され、波長を
マッチングさせる波長チューニング層と、前記波長チュ
ーニング層上に形成された共通電極層と、前記共通電極
層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された
クラッド層とを有する半導体波長可変素子において、 前記波長チューニング層には、電流注入時に導波光を増
幅させる半導体層が挟み込まれていることを特徴とする
半導体波長可変素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34099391A JPH05175586A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体波長可変素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34099391A JPH05175586A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体波長可変素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175586A true JPH05175586A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18342213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34099391A Withdrawn JPH05175586A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体波長可変素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175586A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5568311A (en) * | 1994-05-30 | 1996-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wavelength tunable semiconductor laser device |
| GB2369492A (en) * | 2000-11-28 | 2002-05-29 | Kamelian Ltd | (Ga,In)(N,As) Laser structures using distributed feedback |
| JP2003234540A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型レーザ装置、半導体光装置および分布帰還型レーザ装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP34099391A patent/JPH05175586A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5568311A (en) * | 1994-05-30 | 1996-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wavelength tunable semiconductor laser device |
| GB2369492A (en) * | 2000-11-28 | 2002-05-29 | Kamelian Ltd | (Ga,In)(N,As) Laser structures using distributed feedback |
| JP2003234540A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型レーザ装置、半導体光装置および分布帰還型レーザ装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |