JPH05175076A - フィルムコンデンサ - Google Patents
フィルムコンデンサInfo
- Publication number
- JPH05175076A JPH05175076A JP35492691A JP35492691A JPH05175076A JP H05175076 A JPH05175076 A JP H05175076A JP 35492691 A JP35492691 A JP 35492691A JP 35492691 A JP35492691 A JP 35492691A JP H05175076 A JPH05175076 A JP H05175076A
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- JP
- Japan
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- film
- hard carbon
- film capacitor
- thickness
- electrode foil
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】良好なる再生音を得るフィルムコンデンサを提
供する。 【構成】電極箔に硬質炭素皮膜を形成する。
供する。 【構成】電極箔に硬質炭素皮膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基材の表面に硬質炭素皮
膜を形成した電極箔を使用したフィルムコンデンサに関
するものである。
膜を形成した電極箔を使用したフィルムコンデンサに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フィルムコンデンサにおいては、
有機プラスチックフィルムや紙などが誘電体材料として
用いられている。そして、フィルムコンデンサは、例え
ばアルミニウム箔からなる一対の電極箔と、２枚の誘電
体フィルムとを交互に重ねて巻回し、その各々の電極箔
からリード端子を引き出し、樹脂モールド外装すること
によって構成される。
有機プラスチックフィルムや紙などが誘電体材料として
用いられている。そして、フィルムコンデンサは、例え
ばアルミニウム箔からなる一対の電極箔と、２枚の誘電
体フィルムとを交互に重ねて巻回し、その各々の電極箔
からリード端子を引き出し、樹脂モールド外装すること
によって構成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】フィルムコンデンサは
そのインピーダンスが小さいことから低周波用コンデン
サとして使用されるほか、音響用コンデンサとしても使
用される。音響用に使用されるフィルムコンデンサはア
ンプ間のカップリング用コンデンサ、負帰還回路の時定
数用コンデンサ、あるいはスピーカネットワーク用コン
デンサとして使用されるが、特に優れた再生音質が得ら
れることが要求される。しかし、従来の音響用として使
用されているフィルムコンデンサは、必ずしも優れた再
生音質が得られているとは言えなかった。
そのインピーダンスが小さいことから低周波用コンデン
サとして使用されるほか、音響用コンデンサとしても使
用される。音響用に使用されるフィルムコンデンサはア
ンプ間のカップリング用コンデンサ、負帰還回路の時定
数用コンデンサ、あるいはスピーカネットワーク用コン
デンサとして使用されるが、特に優れた再生音質が得ら
れることが要求される。しかし、従来の音響用として使
用されているフィルムコンデンサは、必ずしも優れた再
生音質が得られているとは言えなかった。
【０００４】本発明は優れた音質特性を有した音響用の
フィルムコンデンサを提供することを目的としている。
フィルムコンデンサを提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明者らは種々の実験および検討を行なっ
た結果、電極箔として硬質炭素皮膜を形成した電極箔を
使用すると、優れた再生音を得ることができるフィルム
コンデンサを提供することができることが判明した。
るために、本発明者らは種々の実験および検討を行なっ
た結果、電極箔として硬質炭素皮膜を形成した電極箔を
使用すると、優れた再生音を得ることができるフィルム
コンデンサを提供することができることが判明した。
【０００６】本発明に係る硬質炭素皮膜とは基材表面に
化学気相法（ＣＶＤ法）や物理蒸着法（ＰＶＤ法）によ
り得られる機械的に硬い炭素皮膜を言い、非晶質構造、
硬質炭素皮膜中にダイヤモンド粒子が存在するもの、多
結晶質のダイヤモンド膜状のものなどを含む。
化学気相法（ＣＶＤ法）や物理蒸着法（ＰＶＤ法）によ
り得られる機械的に硬い炭素皮膜を言い、非晶質構造、
硬質炭素皮膜中にダイヤモンド粒子が存在するもの、多
結晶質のダイヤモンド膜状のものなどを含む。
【０００７】硬質炭素皮膜の合成法には熱的な原料ガス
の分解と放電プラズマを利用したＣＶＤ法と、スパッタ
リング、イオンプレ−ティング、真空蒸着などのＰＶＤ
法とがあるが、テ−プに熱衝撃を与えないという点では
放電プラズマＣＶＤ法が最も好ましい。
の分解と放電プラズマを利用したＣＶＤ法と、スパッタ
リング、イオンプレ−ティング、真空蒸着などのＰＶＤ
法とがあるが、テ−プに熱衝撃を与えないという点では
放電プラズマＣＶＤ法が最も好ましい。
【０００８】プラズマＣＶＤ法による場合は、電源に直
流電源を使用するＤＣプラズマＣＶＤ法と、電源に高周
波電源を使用するＲＦプラズマＣＶＤ法とがある。原料
ガスにはメタン、エタンなどの炭化水素ガスと、アルコ
−ル、アセトンなどの有機化合物が好適に使用される。
これらのガスは単独に、またはＨ2 、Ｎ2 、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどのガスと混合して使用され
る。ガス圧力は１０-4Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲が
好ましい。
流電源を使用するＤＣプラズマＣＶＤ法と、電源に高周
波電源を使用するＲＦプラズマＣＶＤ法とがある。原料
ガスにはメタン、エタンなどの炭化水素ガスと、アルコ
−ル、アセトンなどの有機化合物が好適に使用される。
これらのガスは単独に、またはＨ2 、Ｎ2 、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどのガスと混合して使用され
る。ガス圧力は１０-4Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲が
好ましい。
【０００９】スパッタリング法は、プラズマ中のイオン
種の衝撃によって蒸発した炭素原子が基材に物理的に付
着して膜が形成される方法である。原料には炭素板が用
いられる。ガスとしてはＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒなどの
ガスを単独に、またはＨ2 、Ｎ2 、炭化水素ガスなどと
混合して用いられる。ガス圧力は１０-4Ｔｏｒｒ〜１０
Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。
種の衝撃によって蒸発した炭素原子が基材に物理的に付
着して膜が形成される方法である。原料には炭素板が用
いられる。ガスとしてはＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒなどの
ガスを単独に、またはＨ2 、Ｎ2 、炭化水素ガスなどと
混合して用いられる。ガス圧力は１０-4Ｔｏｒｒ〜１０
Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。
【００１０】イオンプレ−ティング法の場合は、炭化水
素ガス、有機化合物あるいは炭素の蒸気を高周波コイル
で放電させてプラズマを作り、そのうちのイオン種を直
流電界で引き付けて基材上に膜を形成する。この場合、
上述の二法と同様にＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｈ2 、Ｎ
2 などのガスと混合させるのが好ましい。ガス圧力は１
０-4Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。
素ガス、有機化合物あるいは炭素の蒸気を高周波コイル
で放電させてプラズマを作り、そのうちのイオン種を直
流電界で引き付けて基材上に膜を形成する。この場合、
上述の二法と同様にＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｈ2 、Ｎ
2 などのガスと混合させるのが好ましい。ガス圧力は１
０-4Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。
【００１１】真空蒸着法の場合は、炭素を熱的に蒸着さ
せて基材上に膜を形成する。１０-4Ｔｏｒｒ〜１０-7Ｔ
ｏｒｒの範囲の高真空領域で蒸着するが、Ｈ2 ガスを導
入するのが好ましい。
せて基材上に膜を形成する。１０-4Ｔｏｒｒ〜１０-7Ｔ
ｏｒｒの範囲の高真空領域で蒸着するが、Ｈ2 ガスを導
入するのが好ましい。
【００１２】このような硬質炭素皮膜はＣＶＤ法または
ＰＶＤ法により、特にはＣＶＤ法により基材である電極
箔に付着形成するのが好ましい。この硬質炭素皮膜は電
極箔の表面上に１０オングストローム〜１００μｍの範
囲で付着形成するのが好ましい。より好ましくは５０オ
ングストロ−ム〜５０００オングストロ−ムの範囲で付
着形成するのがよい。硬質炭素皮膜は電極箔の一方の面
のみに形成してもよいが、両面に形成してもよい。電極
箔は金、銀、銅、アルミニウムなど金属箔やその合金箔
が好ましい。金属の加工性や経済性を考えると、アルミ
ニウム箔やその合金箔が好ましい。電極箔の厚さは５μ
ｍ〜２０μｍの範囲のものを適宜使用することができ
る。
ＰＶＤ法により、特にはＣＶＤ法により基材である電極
箔に付着形成するのが好ましい。この硬質炭素皮膜は電
極箔の表面上に１０オングストローム〜１００μｍの範
囲で付着形成するのが好ましい。より好ましくは５０オ
ングストロ−ム〜５０００オングストロ−ムの範囲で付
着形成するのがよい。硬質炭素皮膜は電極箔の一方の面
のみに形成してもよいが、両面に形成してもよい。電極
箔は金、銀、銅、アルミニウムなど金属箔やその合金箔
が好ましい。金属の加工性や経済性を考えると、アルミ
ニウム箔やその合金箔が好ましい。電極箔の厚さは５μ
ｍ〜２０μｍの範囲のものを適宜使用することができ
る。
【００１３】有機誘電体フィルムとしては、公知のフィ
ルムが用いられる。例えば、紙、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテル
ケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ弗化ビニリデン（ＰＶｄＦ）
あるいはスチレンのグロー放電重合フィルムなどが使用
される。フィルムの厚さは２μｍ〜５０μｍの範囲、好
ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ〜１μｍ
が用いられる。
ルムが用いられる。例えば、紙、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフェ
ニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテル
ケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ弗化ビニリデン（ＰＶｄＦ）
あるいはスチレンのグロー放電重合フィルムなどが使用
される。フィルムの厚さは２μｍ〜５０μｍの範囲、好
ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ〜１μｍ
が用いられる。
【００１４】
【００１５】＜実施例１＞厚さが５μｍのアルミニウム
電極箔（純度９９．３％）の両面にＣＶＤ法により膜厚
が８０オングストロームの硬質炭素皮膜を形成した。一
方、厚さが４μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルムを用意した。硬質炭素皮膜を形成した一対
の電極箔と、２枚のフィルムとを交互に重ねて巻回し、
フェノール系樹脂にて樹脂モールド外装を施して定格５
０Ｖ０．２２μＦのフィルムコンデンサを製作した。
電極箔（純度９９．３％）の両面にＣＶＤ法により膜厚
が８０オングストロームの硬質炭素皮膜を形成した。一
方、厚さが４μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルムを用意した。硬質炭素皮膜を形成した一対
の電極箔と、２枚のフィルムとを交互に重ねて巻回し、
フェノール系樹脂にて樹脂モールド外装を施して定格５
０Ｖ０．２２μＦのフィルムコンデンサを製作した。
【００１６】＜比較例＞厚さが４μｍのポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルムと厚さが５μｍのアル
ミニウム電極箔（純度９９．３％）を用意した。一対の
電極箔と、２枚のフィルムとを交互に重ねて巻回し、フ
ェノール系樹脂にて樹脂モールド外装を施して定格５０
Ｖ０．２２μＦのフィルムコンデンサを製作した。
レフタレート（ＰＥＴ）フィルムと厚さが５μｍのアル
ミニウム電極箔（純度９９．３％）を用意した。一対の
電極箔と、２枚のフィルムとを交互に重ねて巻回し、フ
ェノール系樹脂にて樹脂モールド外装を施して定格５０
Ｖ０．２２μＦのフィルムコンデンサを製作した。
【００１７】次に、実施例１および比較例のフィルムコ
ンデンサをアンプ間のカップリングコンデンサとして使
用し、これらのコンデンサを取り替えて、ＣＤ（コンパ
クトディスク）を試聴した。
ンデンサをアンプ間のカップリングコンデンサとして使
用し、これらのコンデンサを取り替えて、ＣＤ（コンパ
クトディスク）を試聴した。
【００１８】実施例１の試聴結果では、音の全体のバラ
ンスが改善し、楽器の分離が良くなった。
ンスが改善し、楽器の分離が良くなった。
【００１９】比較例の試聴結果では、中高域が甲高く、
音像が薄くなり、ノイズ感があった。
音像が薄くなり、ノイズ感があった。
【００２０】
【発明の効果】上述したように本発明ではフィルムコン
デンサにおいて、電極箔に硬質炭素皮膜を形成したこと
により良好なる再生音を得ることができる。
デンサにおいて、電極箔に硬質炭素皮膜を形成したこと
により良好なる再生音を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水月 洋 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナ−株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】電極箔の少なくとも一方の面に硬質炭素皮
膜を形成したことを特徴とするフィルムコンデンサ。 - 【請求項２】硬質炭素皮膜はＣＶＤ法またはＰＶＤ法に
より電極箔の表面に形成されていることを特徴とする請
求項１に記載のフィルムコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354926A JP2770277B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | フィルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3354926A JP2770277B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | フィルムコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175076A true JPH05175076A (ja) | 1993-07-13 |
| JP2770277B2 JP2770277B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=18440837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3354926A Expired - Fee Related JP2770277B2 (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | フィルムコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770277B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010516171A (ja) * | 2007-01-12 | 2010-05-13 | ラトショー、クリフォード、ダブリュー． | 低音電子楽器用真空管プリアンプ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59502005A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-11-29 | ユニバ−サル マヌユフアクチヤリング コ−ポレ−シヨン | 集積形放電抵抗器を有するコンデンサとその製造法 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3354926A patent/JP2770277B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59502005A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-11-29 | ユニバ−サル マヌユフアクチヤリング コ−ポレ−シヨン | 集積形放電抵抗器を有するコンデンサとその製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010516171A (ja) * | 2007-01-12 | 2010-05-13 | ラトショー、クリフォード、ダブリュー． | 低音電子楽器用真空管プリアンプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2770277B2 (ja) | 1998-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |