JPH0517139A - アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法 - Google Patents
アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法Info
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- JPH0517139A JPH0517139A JP3197291A JP19729191A JPH0517139A JP H0517139 A JPH0517139 A JP H0517139A JP 3197291 A JP3197291 A JP 3197291A JP 19729191 A JP19729191 A JP 19729191A JP H0517139 A JPH0517139 A JP H0517139A
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims abstract description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 229910009580 YMnO Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 19
- 150000002603 lanthanum Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005620 antiferroelectricity Effects 0.000 abstract description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910009567 YMnO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Z r Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010469 Glycine max Nutrition 0.000 description 1
- 244000068988 Glycine max Species 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004098 selected area electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
- C01G1/02—Oxides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/06—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、薄膜型のコンデンサー素子、強誘
電体メモリー、電気光学デバイス等に適用しうる非晶質
(アモルファス)の強誘電性材料及びその製造方法を提
供する。 【構成】 遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化アルミニ
ウム(Al2 O3 )−YMnO3 型化合物(ABO3 )
を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物
がアモルファス構造を有することを特徴とする。(ただ
し、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、
Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、T
a、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群
から選ばれる少なくとも一種であり、ABO3 は強誘電
性、反強誘電性または常誘電性を示すYMnO3 型化合
物である。)
電体メモリー、電気光学デバイス等に適用しうる非晶質
(アモルファス)の強誘電性材料及びその製造方法を提
供する。 【構成】 遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化アルミニ
ウム(Al2 O3 )−YMnO3 型化合物(ABO3 )
を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物
がアモルファス構造を有することを特徴とする。(ただ
し、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、
Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、T
a、W、In及びランタン系列元素の酸化物からなる群
から選ばれる少なくとも一種であり、ABO3 は強誘電
性、反強誘電性または常誘電性を示すYMnO3 型化合
物である。)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜型のコンデンサー
素子、強誘電体メモリー、電気光学デバイス等が構成出
来る非晶質強誘電体酸化物材料及びその製造方法に関す
る。
素子、強誘電体メモリー、電気光学デバイス等が構成出
来る非晶質強誘電体酸化物材料及びその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術およびその問題点】従来、ペロブスカイト
誘電材料に代表される無機系強誘電体材料に於いては、
その強誘電特性が結晶対称性に於ける一定の規則に基づ
いて発現している。同じく強誘電性が発現することで知
られているYMnO3 誘電体材料においてもその強誘電
性の発現原因は結晶対称性に於ける一定の規則に起因し
ている。このために強誘電性を顕著にするためには材料
の結晶性を高めることが重要である。実際に、YMnO
3 結晶構造を有する材料では結晶性を高めるために焼成
温度の調整、あるいは焼結密度の向上など上述した事項
に関連して多くの努力がなされてきた。一方、このよう
な強誘電体を応用したコンデンサー、強誘電体メモリー
等では材料が多結晶体の場合、粒界の存在によって耐電
圧の低下が生じたり、粒界に添ってリーク電流が発生
し、コンデンサーにおいてはロスの原因となり、またメ
モリーにおいては情報の保持性が損なわれるという問題
があった。また、結晶粒界の存在によって各種デバイス
の微細化が困難となるということも、誘電特性を応用し
た種々デバイスが小型化に向かっている今日、大きな問
題となっている。また、誘電体材料を電気光学素子とし
て展開する場合にも結晶粒界の存在は光の散乱を招き、
光デバイスを機能させるうえで光信号強度の減少、ノイ
ズの増大など重大な問題を伴う。これらの問題に対し
て、強誘電体材料を薄膜で構成し、マイクロデバイス化
されたコンデンサーや強誘電体メモリー、あるいは電気
光学デバイスを構成しようとする試みがある。薄膜に於
いては、結晶粒界の発生を回避するために、単結晶誘電
体薄膜の作製やアモルファス誘電体薄膜の作製などが試
みられている。単結晶誘電体薄膜ではエピタキシャル成
長を促すために基板にサファイア、MgO、GGGなど
の単結晶基板が薄膜との格子定数の整合性を考慮し使い
分けられる。又、製膜にはスパッタリング法や液相エピ
タキシャル成長法(LPE法)等の方法が取られる。し
かしながら、何れの方法も基板に高価な単結晶基板を使
用し、エピタキシャル成長のために、種々の条件コント
ロールを厳しく制御しなければならず、また結晶の成長
する結晶軸が単結晶の方位に規制され、さらに単結晶基
板の格子定数と薄膜の格子定数の差があまり大きくなる
と単結晶薄膜の成長が困難になるなど、実際の薄膜作製
は容易なものではない。さらに、これまで述べてきたよ
うなエピタキシャル成長法では、薄膜の単結晶化に、お
よそ600℃以上の高い熱処理温度を必要とするため
に、膜の熱処理によって膜の表面性が損なわれるという
問題もあり、強誘電体材料のマイクロデバイス化を図る
場合の大きな障壁になっていた。
誘電材料に代表される無機系強誘電体材料に於いては、
その強誘電特性が結晶対称性に於ける一定の規則に基づ
いて発現している。同じく強誘電性が発現することで知
られているYMnO3 誘電体材料においてもその強誘電
性の発現原因は結晶対称性に於ける一定の規則に起因し
ている。このために強誘電性を顕著にするためには材料
の結晶性を高めることが重要である。実際に、YMnO
3 結晶構造を有する材料では結晶性を高めるために焼成
温度の調整、あるいは焼結密度の向上など上述した事項
に関連して多くの努力がなされてきた。一方、このよう
な強誘電体を応用したコンデンサー、強誘電体メモリー
等では材料が多結晶体の場合、粒界の存在によって耐電
圧の低下が生じたり、粒界に添ってリーク電流が発生
し、コンデンサーにおいてはロスの原因となり、またメ
モリーにおいては情報の保持性が損なわれるという問題
があった。また、結晶粒界の存在によって各種デバイス
の微細化が困難となるということも、誘電特性を応用し
た種々デバイスが小型化に向かっている今日、大きな問
題となっている。また、誘電体材料を電気光学素子とし
て展開する場合にも結晶粒界の存在は光の散乱を招き、
光デバイスを機能させるうえで光信号強度の減少、ノイ
ズの増大など重大な問題を伴う。これらの問題に対し
て、強誘電体材料を薄膜で構成し、マイクロデバイス化
されたコンデンサーや強誘電体メモリー、あるいは電気
光学デバイスを構成しようとする試みがある。薄膜に於
いては、結晶粒界の発生を回避するために、単結晶誘電
体薄膜の作製やアモルファス誘電体薄膜の作製などが試
みられている。単結晶誘電体薄膜ではエピタキシャル成
長を促すために基板にサファイア、MgO、GGGなど
の単結晶基板が薄膜との格子定数の整合性を考慮し使い
分けられる。又、製膜にはスパッタリング法や液相エピ
タキシャル成長法(LPE法)等の方法が取られる。し
かしながら、何れの方法も基板に高価な単結晶基板を使
用し、エピタキシャル成長のために、種々の条件コント
ロールを厳しく制御しなければならず、また結晶の成長
する結晶軸が単結晶の方位に規制され、さらに単結晶基
板の格子定数と薄膜の格子定数の差があまり大きくなる
と単結晶薄膜の成長が困難になるなど、実際の薄膜作製
は容易なものではない。さらに、これまで述べてきたよ
うなエピタキシャル成長法では、薄膜の単結晶化に、お
よそ600℃以上の高い熱処理温度を必要とするため
に、膜の熱処理によって膜の表面性が損なわれるという
問題もあり、強誘電体材料のマイクロデバイス化を図る
場合の大きな障壁になっていた。
【0003】アモルファス薄膜は単結晶薄膜と同様に、
結晶粒界が存在しないため、前述した強誘電体多結晶材
料に於いて発生する種々問題の解決のためにその実用化
が期待されている。しかしながら、従来YMnO3 型の
誘電体を使用し、アモルファス強誘電体薄膜を作製した
という例はない。
結晶粒界が存在しないため、前述した強誘電体多結晶材
料に於いて発生する種々問題の解決のためにその実用化
が期待されている。しかしながら、従来YMnO3 型の
誘電体を使用し、アモルファス強誘電体薄膜を作製した
という例はない。
【0004】
【発明の目的】本発明における材料はアモルファス構造
を有し、このために結晶粒界や焼結体に見られるような
ポアー等が無く、損失の小さいコンデンサーや情報保持
性の高い強誘電体メモリー、あるいは電気光学デバイス
などに応用できる材料を提供することを目的とする。
を有し、このために結晶粒界や焼結体に見られるような
ポアー等が無く、損失の小さいコンデンサーや情報保持
性の高い強誘電体メモリー、あるいは電気光学デバイス
などに応用できる材料を提供することを目的とする。
【0005】
【問題点を解決するための手段】本発明は、遷移金属酸
化物(M2 O3 )−酸化アルミニウム(Al2 O3 )−
YMnO3 型化合物(ABO3 )を主成分とした三元酸
化物を、真空蒸着、スパッタリング法などの非晶質膜形
成手段を用いて基板上に、基板温度を300℃以下に保
持しながら非晶質の薄膜として作製し、これに熱処理な
どを施すことなく、作製したそのままの状態で強誘電体
酸化物材料を得る方法を採用することにより、上記問題
の解決を図ったものである。即ち、本発明は、遷移金属
酸化物(M2 O3 )−酸化アルミニウム(Al2 O3 )
−YMnO3 型化合物(ABO3 )を主成分とした三元
酸化物からなり、かつ該三元酸化物がアモルファス構造
を有することを特徴とするアモルファス強誘電体材料
(ただし、M2 O3 はSc、Ti、V、Cr、Mn、F
e、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、
Ta、W、Inおよびランタン系列元素の酸化物からな
る群から選ばれる少なくとも一種であり、ABO3 強誘
電性を示すYMnO3 型化合物である。)を提供するも
のである。さらに、本発明は、上記三元酸化物を製膜手
段を用いて基板上に、基板温度を300℃以下に保持し
ながら非晶質の薄膜として作製し、作製したそのままの
状態で強誘電体酸化物材料を得ることを特徴とするアモ
ルファス強誘電体酸化物材料の製造法を提供するもので
ある。
化物(M2 O3 )−酸化アルミニウム(Al2 O3 )−
YMnO3 型化合物(ABO3 )を主成分とした三元酸
化物を、真空蒸着、スパッタリング法などの非晶質膜形
成手段を用いて基板上に、基板温度を300℃以下に保
持しながら非晶質の薄膜として作製し、これに熱処理な
どを施すことなく、作製したそのままの状態で強誘電体
酸化物材料を得る方法を採用することにより、上記問題
の解決を図ったものである。即ち、本発明は、遷移金属
酸化物(M2 O3 )−酸化アルミニウム(Al2 O3 )
−YMnO3 型化合物(ABO3 )を主成分とした三元
酸化物からなり、かつ該三元酸化物がアモルファス構造
を有することを特徴とするアモルファス強誘電体材料
(ただし、M2 O3 はSc、Ti、V、Cr、Mn、F
e、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、
Ta、W、Inおよびランタン系列元素の酸化物からな
る群から選ばれる少なくとも一種であり、ABO3 強誘
電性を示すYMnO3 型化合物である。)を提供するも
のである。さらに、本発明は、上記三元酸化物を製膜手
段を用いて基板上に、基板温度を300℃以下に保持し
ながら非晶質の薄膜として作製し、作製したそのままの
状態で強誘電体酸化物材料を得ることを特徴とするアモ
ルファス強誘電体酸化物材料の製造法を提供するもので
ある。
【0006】本発明のアモルファス強誘電体酸化物材料
は、遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化アルミニウム
(Al2 O3)−YMnO3 型化合物(ABO3 )を主
成分とした三元酸化物からなる。ここに、M2 O3 はS
c、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Z
r、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In、及びL
a、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb及びLuのランタン系列元
素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であ
り、ABO3 は強誘電性を示すYMnO3型化合物であ
る。本発明のアモルファス強誘電体酸化物材料は、上記
三元酸化物をアモルファス構造の形態に形成してなる。
前記薄膜がアモルファス構造を取りながら、強誘電性を
示す組成を図1に示す。同組成域は図1中においてα、
β、γ、δ、ε、φで囲まれた領域である。ここに於い
て、直線αβはaM2 O3 −(1−a)Al2 O3 で表
される直線であり、直線βγは0.90Al2 O3 −
0.10(bM2 O3 −(1−b)ABO3 )で表され
る直線であり、直線γδはcAl2 O3 −(1−c)A
BO3 で表される直線であり、直線δεは0.20(d
Al2 O3 −(1−d)M2 O3 )−0.80ABO3
で表される直線であり、直線εφはeABO3 −(1−
e)M2 O3 で表される直線であり、直線φαは0.9
0M2 O3 −0.10(fABO3 −(1−f)Al2
O3 )で表される直線であり、夫々の組成線において
0.10≦a≦0.90かつ0.00≦b≦1.00か
つ0.20≦c≦0.90かつ0.00≦d≦1.00
かつ0.20≦e≦0.90かつ0.00≦f≦1.0
0なる範囲に規定された組成線である。同図中において
ABO3 はYMnO3 型の種々誘電材料(YMnO3 、
ErMnO3 等の強誘電体材料)を表す。図1中、並び
に後出の三角組成図に於いて、三辺の刻みは1目盛0.
1(mol比)を表す。この図から解かるようにYMn
O3 型の誘電材料の濃度の高い領域ではアモルファス膜
は作製できていない。しかしながら、これにM2 O3 あ
るいはAl2 O3 を過剰に添加することにより、材料が
アモルファス化し、しかも強誘電性を呈するようにな
る。
は、遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化アルミニウム
(Al2 O3)−YMnO3 型化合物(ABO3 )を主
成分とした三元酸化物からなる。ここに、M2 O3 はS
c、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Z
r、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In、及びL
a、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb及びLuのランタン系列元
素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であ
り、ABO3 は強誘電性を示すYMnO3型化合物であ
る。本発明のアモルファス強誘電体酸化物材料は、上記
三元酸化物をアモルファス構造の形態に形成してなる。
前記薄膜がアモルファス構造を取りながら、強誘電性を
示す組成を図1に示す。同組成域は図1中においてα、
β、γ、δ、ε、φで囲まれた領域である。ここに於い
て、直線αβはaM2 O3 −(1−a)Al2 O3 で表
される直線であり、直線βγは0.90Al2 O3 −
0.10(bM2 O3 −(1−b)ABO3 )で表され
る直線であり、直線γδはcAl2 O3 −(1−c)A
BO3 で表される直線であり、直線δεは0.20(d
Al2 O3 −(1−d)M2 O3 )−0.80ABO3
で表される直線であり、直線εφはeABO3 −(1−
e)M2 O3 で表される直線であり、直線φαは0.9
0M2 O3 −0.10(fABO3 −(1−f)Al2
O3 )で表される直線であり、夫々の組成線において
0.10≦a≦0.90かつ0.00≦b≦1.00か
つ0.20≦c≦0.90かつ0.00≦d≦1.00
かつ0.20≦e≦0.90かつ0.00≦f≦1.0
0なる範囲に規定された組成線である。同図中において
ABO3 はYMnO3 型の種々誘電材料(YMnO3 、
ErMnO3 等の強誘電体材料)を表す。図1中、並び
に後出の三角組成図に於いて、三辺の刻みは1目盛0.
1(mol比)を表す。この図から解かるようにYMn
O3 型の誘電材料の濃度の高い領域ではアモルファス膜
は作製できていない。しかしながら、これにM2 O3 あ
るいはAl2 O3 を過剰に添加することにより、材料が
アモルファス化し、しかも強誘電性を呈するようにな
る。
【0007】本発明のアモルファス強誘電体薄膜の作製
方法によれば、上記三元酸化物を製膜手段を用いて基板
上に、基板温度を300℃以下に保持しながら非晶質の
薄膜として作製することにより、作製したそのままの状
態で強誘電体酸化物材料が得られる。製膜手段として
は、真空蒸着法、スパッタリング法など一般に用いられ
ている薄膜形成プロセスが用いられる。製膜中、基板温
度をアモルファス複合酸化物の結晶化温度(500〜6
00℃)以下、好ましくは300℃以下の基板温度に於
いて酸素雰囲気中で製膜することにより、強誘電性を有
するアモルファス酸化物薄膜が得られる。本発明に於い
ては、製膜時に単結晶基板などを用いて行なうエピタキ
シャル成長や製膜後、薄膜結晶化のための熱処理を施す
ことなく簡単に強誘電特性を呈する薄膜が得られる。こ
のために強誘電性薄膜作製に掛かる手間を大幅に軽減す
ると共に、非常に表面性のよい結晶粒界のない膜が作製
できるため強誘電体材料を応用した高密度強誘電体メモ
リー、超微細コンデンサーなどのマイクロデバイス、電
気光学デバイス等への展開が期待される。
方法によれば、上記三元酸化物を製膜手段を用いて基板
上に、基板温度を300℃以下に保持しながら非晶質の
薄膜として作製することにより、作製したそのままの状
態で強誘電体酸化物材料が得られる。製膜手段として
は、真空蒸着法、スパッタリング法など一般に用いられ
ている薄膜形成プロセスが用いられる。製膜中、基板温
度をアモルファス複合酸化物の結晶化温度(500〜6
00℃)以下、好ましくは300℃以下の基板温度に於
いて酸素雰囲気中で製膜することにより、強誘電性を有
するアモルファス酸化物薄膜が得られる。本発明に於い
ては、製膜時に単結晶基板などを用いて行なうエピタキ
シャル成長や製膜後、薄膜結晶化のための熱処理を施す
ことなく簡単に強誘電特性を呈する薄膜が得られる。こ
のために強誘電性薄膜作製に掛かる手間を大幅に軽減す
ると共に、非常に表面性のよい結晶粒界のない膜が作製
できるため強誘電体材料を応用した高密度強誘電体メモ
リー、超微細コンデンサーなどのマイクロデバイス、電
気光学デバイス等への展開が期待される。
【0008】
実施例1
薄膜作製にはRFマグネトロンスパッタリング装置を用
い、カソード板上に直径76mm、深さ4mmのステン
レス製シャーレを置き、その中に、Al2 O3 、Fe2
O3 、YMnO3 の混合粉末を充填したものをターゲッ
トとして用いた。Al2 O3 、Fe2 O3 、YMnO3
の各粉末はステンレス製のシャーレに充填するに先立
ち、各酸化物材料の粉末を調合したものをエタノールを
溶媒として30分間ペイントシェーカーにより、湿式混
合を行なった。その後、さらに、脱媒、乾燥後、ステン
レス製シャーレに充填し、スパッタリングターゲットと
して使用した。スパッタガスはAr:O2 =7:3の混
合ガスで、Ar、O2 それぞれのガスの純度は99.9
95%以上のものを使用した。基板には(111)方位
のSiウエハーを使用した。Siウエハーはn型であ
り、抵抗率はおよそ1(Ωcm)の物を使用した。Si
ウエハー上には予め酸化処理により、膜厚200nmの
SiO2 層を設けている。この層を設けた目的は主とし
て誘電性の評価時における電気絶縁性の確保のためであ
る。製膜に先だって基板温度を200℃まで上昇させ、
主に基板表面に吸着している水分の脱離処理を行なっ
た。さらに、製膜前に約30分ほどプリスパッタリング
を行ない、ターゲット表面の清浄化を図り、スパッタリ
ング製膜時における膜質と薄膜組成の安定化を図った。
スパッタリングガス導入前、真空度が2x10-7Tor
r以下に到達していることを確認した。スパッタ製膜
中、全ガス圧は25mTorrと一定にした。スパッタ
リング中は基板を固定している銅製のアノードを水冷
し、製膜中の基板温度を20〜25℃に維持した。高周
波投入電力は110Wとし、30〜60分のスパッタリ
ング製膜を行なった。このようにして得られた薄膜はタ
ーゲットの組成によりスパッタリング速度が変動するた
めに膜厚に変動が見られたが、およそ夫々の薄膜におい
て500〜1000nmの膜厚を示した。
い、カソード板上に直径76mm、深さ4mmのステン
レス製シャーレを置き、その中に、Al2 O3 、Fe2
O3 、YMnO3 の混合粉末を充填したものをターゲッ
トとして用いた。Al2 O3 、Fe2 O3 、YMnO3
の各粉末はステンレス製のシャーレに充填するに先立
ち、各酸化物材料の粉末を調合したものをエタノールを
溶媒として30分間ペイントシェーカーにより、湿式混
合を行なった。その後、さらに、脱媒、乾燥後、ステン
レス製シャーレに充填し、スパッタリングターゲットと
して使用した。スパッタガスはAr:O2 =7:3の混
合ガスで、Ar、O2 それぞれのガスの純度は99.9
95%以上のものを使用した。基板には(111)方位
のSiウエハーを使用した。Siウエハーはn型であ
り、抵抗率はおよそ1(Ωcm)の物を使用した。Si
ウエハー上には予め酸化処理により、膜厚200nmの
SiO2 層を設けている。この層を設けた目的は主とし
て誘電性の評価時における電気絶縁性の確保のためであ
る。製膜に先だって基板温度を200℃まで上昇させ、
主に基板表面に吸着している水分の脱離処理を行なっ
た。さらに、製膜前に約30分ほどプリスパッタリング
を行ない、ターゲット表面の清浄化を図り、スパッタリ
ング製膜時における膜質と薄膜組成の安定化を図った。
スパッタリングガス導入前、真空度が2x10-7Tor
r以下に到達していることを確認した。スパッタ製膜
中、全ガス圧は25mTorrと一定にした。スパッタ
リング中は基板を固定している銅製のアノードを水冷
し、製膜中の基板温度を20〜25℃に維持した。高周
波投入電力は110Wとし、30〜60分のスパッタリ
ング製膜を行なった。このようにして得られた薄膜はタ
ーゲットの組成によりスパッタリング速度が変動するた
めに膜厚に変動が見られたが、およそ夫々の薄膜におい
て500〜1000nmの膜厚を示した。
【0009】以上のような薄膜形成プロセスにより、A
l2 O3、Fe2 O3 、YMnO3 を三元とするスパッ
タ薄膜を作製した。図2にNo.1〜25までの番号で
示した組成について作製し、夫々について膜構造の評価
ならびに誘電特性について測定した。尚、得られた薄膜
について誘導プラズマ発光分析法によりターゲット組成
と薄膜組成の対応を調べたところ、およそ3%の誤差
で、両者の組成が対応していることが解かった。従っ
て、以下では薄膜の組成としてターゲットの仕込み組成
を用いて説明する。誘電特性は同特性評価において一般
的に使用されるソヤ・タワー回路によって評価した。こ
の回路により、電束密度(D)の電界依存性を評価し自
発分極(Ps)の値を求めた。なお、誘電性の評価に於
いては図3に示したような電極構成とし、薄膜1に電界
を印加するための電極4を酸化物薄膜2側から出すこと
により等価的に2つのコンデンサーC1 、C2 を直列に
接続したような構成とし、Si3側から金属電極を出し
たときに金属電極とSiの界面に発生するショットキー
特性を防止し、正確な誘電性評価を行なった。尚、金属
電極は薄膜表面におよそ膜厚100nm、直径4mmの
Au電極をスパッタリング法によって形成した。
l2 O3、Fe2 O3 、YMnO3 を三元とするスパッ
タ薄膜を作製した。図2にNo.1〜25までの番号で
示した組成について作製し、夫々について膜構造の評価
ならびに誘電特性について測定した。尚、得られた薄膜
について誘導プラズマ発光分析法によりターゲット組成
と薄膜組成の対応を調べたところ、およそ3%の誤差
で、両者の組成が対応していることが解かった。従っ
て、以下では薄膜の組成としてターゲットの仕込み組成
を用いて説明する。誘電特性は同特性評価において一般
的に使用されるソヤ・タワー回路によって評価した。こ
の回路により、電束密度(D)の電界依存性を評価し自
発分極(Ps)の値を求めた。なお、誘電性の評価に於
いては図3に示したような電極構成とし、薄膜1に電界
を印加するための電極4を酸化物薄膜2側から出すこと
により等価的に2つのコンデンサーC1 、C2 を直列に
接続したような構成とし、Si3側から金属電極を出し
たときに金属電極とSiの界面に発生するショットキー
特性を防止し、正確な誘電性評価を行なった。尚、金属
電極は薄膜表面におよそ膜厚100nm、直径4mmの
Au電極をスパッタリング法によって形成した。
【0010】上記の薄膜形成法によって作製したスパッ
タリング薄膜について作製したままの状態(As−de
posit状態)の構造、誘電特性の評価を行なった。
まず、薄膜の構造について評価した結果について述べ
る。図2の点線A上において作製された種々組成のスパ
ッタ製膜後の膜のXRD回折結果を図4に示した。同図
中に示したNo.10、No.15、No.18は図2
中の番号に相当し、薄膜試料の組成を表している。XR
Dの線源にはCuのターゲットを使用し、さらにモノク
ロメーターを装着した。図4に示したXRDの結果には
基板として用いたSiの(111)面に相当する回折線
も薄膜の回折結果に重畳して見られている。YMnO3
薄膜No.7ではAs−deposit状態において薄
膜は結晶化していたが、Al2 O3 ならびにFe2 O3
が過剰になる組成(No.10、No.15、No.1
8)では薄膜の結晶化によるX線の回折線が全く認めら
れず、薄膜がアモルファス状態であることが解かる。さ
らに、図2の点線B上において作製された種々組成のス
パッタ製膜後の膜のXRD回折結果を図5に示す。同図
中に示したNo.3、No.16、No.22は図2中
の番号に相当し、薄膜試料の組成を表している。図5か
ら明らかなように、XRDの結果にはSiの(111)
面に相当する回折線の他には明瞭な回折線もなく、これ
らの組成の薄膜は全てアモルファス構造を有しているこ
とが解かる。さらに、図2に示したNo.1〜No.2
5の全ての膜についてXRD分析を行なった結果、同図
中において黒丸で示した薄膜においては、Siの(11
1)面に相当する回折線の他には明瞭な回折線もなく、
図2に於いてα、β、γ、δ、ε、φで囲まれた領域は
薄膜を作製した状態(As−deposit状態)で薄
膜がアモルファス構造を有することが解かった。
タリング薄膜について作製したままの状態(As−de
posit状態)の構造、誘電特性の評価を行なった。
まず、薄膜の構造について評価した結果について述べ
る。図2の点線A上において作製された種々組成のスパ
ッタ製膜後の膜のXRD回折結果を図4に示した。同図
中に示したNo.10、No.15、No.18は図2
中の番号に相当し、薄膜試料の組成を表している。XR
Dの線源にはCuのターゲットを使用し、さらにモノク
ロメーターを装着した。図4に示したXRDの結果には
基板として用いたSiの(111)面に相当する回折線
も薄膜の回折結果に重畳して見られている。YMnO3
薄膜No.7ではAs−deposit状態において薄
膜は結晶化していたが、Al2 O3 ならびにFe2 O3
が過剰になる組成(No.10、No.15、No.1
8)では薄膜の結晶化によるX線の回折線が全く認めら
れず、薄膜がアモルファス状態であることが解かる。さ
らに、図2の点線B上において作製された種々組成のス
パッタ製膜後の膜のXRD回折結果を図5に示す。同図
中に示したNo.3、No.16、No.22は図2中
の番号に相当し、薄膜試料の組成を表している。図5か
ら明らかなように、XRDの結果にはSiの(111)
面に相当する回折線の他には明瞭な回折線もなく、これ
らの組成の薄膜は全てアモルファス構造を有しているこ
とが解かる。さらに、図2に示したNo.1〜No.2
5の全ての膜についてXRD分析を行なった結果、同図
中において黒丸で示した薄膜においては、Siの(11
1)面に相当する回折線の他には明瞭な回折線もなく、
図2に於いてα、β、γ、δ、ε、φで囲まれた領域は
薄膜を作製した状態(As−deposit状態)で薄
膜がアモルファス構造を有することが解かった。
【0011】次いで、アモルファス構造の微細組織を観
察するために、図2におけるNo.15の組成の膜につ
いて高分解能のTEM観察を行なった。TEM観察にお
いては薄膜の表面側ならびに基板側よりエッチングを行
ない、薄膜の厚さ方向に対してほぼ中点付近の組織を観
察している。これによれば、0.3nmの分解能に於い
ても、格子像を認めることが出来なかった。同薄膜試料
について、直径約200nmの領域において制限視野電
子線回折を行い、観測された回折リングは非常に幅の広
いハローパターンを示し、薄膜のアモルファス性が非常
に高いことを示している。
察するために、図2におけるNo.15の組成の膜につ
いて高分解能のTEM観察を行なった。TEM観察にお
いては薄膜の表面側ならびに基板側よりエッチングを行
ない、薄膜の厚さ方向に対してほぼ中点付近の組織を観
察している。これによれば、0.3nmの分解能に於い
ても、格子像を認めることが出来なかった。同薄膜試料
について、直径約200nmの領域において制限視野電
子線回折を行い、観測された回折リングは非常に幅の広
いハローパターンを示し、薄膜のアモルファス性が非常
に高いことを示している。
【0012】次に、誘電特性について説明する。まず、
図2の点線A上に於ける誘電性ヒステリシスループの変
化を図6に示す。同線上においてNo.7の膜は薄膜が
導電性となり、誘電特性を評価することが出来なかっ
た。図6のヒステリシスループの左肩に示した番号は、
図2中の組成を示す番号に対応している。この結果、な
らびに図4の構造解析の結果から明らかなように、N
o.10、No.15、No.18の薄膜ではアモルフ
ァス構造を取りながら強誘電性を示していることが解か
った。また、図2に於ける直線A上の薄膜組成をy
(0.5Fe2 O3 −0.5Al2 O3 )−(1−y)
YMnO3 と表したときに、yに対する薄膜の飽和電荷
密度(Ps)の依存性を表した。飽和電荷密度は図6に
示した誘電特性のヒステリシスループから電界300〜
500kV/cmに於ける電束密度(D)の電界依存性
をE=0軸に外挿し、同軸と交わった点に於ける電束密
度を飽和電荷密度と定義し求めた。図7より広い組成範
囲に亘って、Psが存在し、薄膜が強誘電性を示してい
ることが解かるが、同線上においてはYMnO3 に近い
組成領域で強誘電性が消失していることが解かる。この
組成領域において析出している相は強誘電相ではなく、
常誘電相であると考えている。また、図2、線上Bにお
いても各組成についてヒステリシスループの組成依存性
を示した(図8)。図8のヒステリシスループの左肩に
示した番号は、図2中の組成を示す番号に対応してい
る。これからも明らかなように全ての組成に薄膜におい
て強誘電性が観測されていることが解かる。このヒステ
リシスループより先に述べた方法で、飽和電荷密度(P
s)を求めた。直線Bの組成変化は0.80(xAl2
O3 −(1−x)Fe2 O3 )−0.20YMnO3 な
る表記で表される。xに対するPsの依存性を図9に示
した。同図からも解かるように全てのx値に対してPs
が存在し強誘電性を示していることが解かる。さらに、
前出の図2中に示した全ての薄膜の組成について誘電特
性とX線による構造の評価を行なった。これらの結果を
まとめて同図中に示した。即ち、同図中において黒丸は
アモルファス強誘電性を示した薄膜の組成を示し、斜線
を施した丸はアモルファス構造を取りながら常誘電性を
しめした組成を示している。さらに白丸は結晶質の薄膜
であり、同薄膜は導電性を示していた。同組成図上で検
討した種々組成の薄膜について構造と誘電特性について
まとめた。この図から明らかなように、アモルファス構
造を有しながら強誘電性を示す薄膜材料の組成は同図中
に広く分布しており、同図に於いて、α、β、γ、δ、
ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施した部分)をアモル
ファス構造を取りながら、強誘電性の発現する組成領域
と定義することが出来る。また、図2に示した全ての組
成について、薄膜組成と飽和電荷密度Psの対応を表1
に示す。強誘電性を示す薄膜では、およそ24(nC/
cm2 )以上の飽和電荷密度を有し、この電荷密度は最
大115(nC/cm2 )程度まで達していることが解
かり、強誘電体として十分な実用特性を有していると考
えられる。
図2の点線A上に於ける誘電性ヒステリシスループの変
化を図6に示す。同線上においてNo.7の膜は薄膜が
導電性となり、誘電特性を評価することが出来なかっ
た。図6のヒステリシスループの左肩に示した番号は、
図2中の組成を示す番号に対応している。この結果、な
らびに図4の構造解析の結果から明らかなように、N
o.10、No.15、No.18の薄膜ではアモルフ
ァス構造を取りながら強誘電性を示していることが解か
った。また、図2に於ける直線A上の薄膜組成をy
(0.5Fe2 O3 −0.5Al2 O3 )−(1−y)
YMnO3 と表したときに、yに対する薄膜の飽和電荷
密度(Ps)の依存性を表した。飽和電荷密度は図6に
示した誘電特性のヒステリシスループから電界300〜
500kV/cmに於ける電束密度(D)の電界依存性
をE=0軸に外挿し、同軸と交わった点に於ける電束密
度を飽和電荷密度と定義し求めた。図7より広い組成範
囲に亘って、Psが存在し、薄膜が強誘電性を示してい
ることが解かるが、同線上においてはYMnO3 に近い
組成領域で強誘電性が消失していることが解かる。この
組成領域において析出している相は強誘電相ではなく、
常誘電相であると考えている。また、図2、線上Bにお
いても各組成についてヒステリシスループの組成依存性
を示した(図8)。図8のヒステリシスループの左肩に
示した番号は、図2中の組成を示す番号に対応してい
る。これからも明らかなように全ての組成に薄膜におい
て強誘電性が観測されていることが解かる。このヒステ
リシスループより先に述べた方法で、飽和電荷密度(P
s)を求めた。直線Bの組成変化は0.80(xAl2
O3 −(1−x)Fe2 O3 )−0.20YMnO3 な
る表記で表される。xに対するPsの依存性を図9に示
した。同図からも解かるように全てのx値に対してPs
が存在し強誘電性を示していることが解かる。さらに、
前出の図2中に示した全ての薄膜の組成について誘電特
性とX線による構造の評価を行なった。これらの結果を
まとめて同図中に示した。即ち、同図中において黒丸は
アモルファス強誘電性を示した薄膜の組成を示し、斜線
を施した丸はアモルファス構造を取りながら常誘電性を
しめした組成を示している。さらに白丸は結晶質の薄膜
であり、同薄膜は導電性を示していた。同組成図上で検
討した種々組成の薄膜について構造と誘電特性について
まとめた。この図から明らかなように、アモルファス構
造を有しながら強誘電性を示す薄膜材料の組成は同図中
に広く分布しており、同図に於いて、α、β、γ、δ、
ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施した部分)をアモル
ファス構造を取りながら、強誘電性の発現する組成領域
と定義することが出来る。また、図2に示した全ての組
成について、薄膜組成と飽和電荷密度Psの対応を表1
に示す。強誘電性を示す薄膜では、およそ24(nC/
cm2 )以上の飽和電荷密度を有し、この電荷密度は最
大115(nC/cm2 )程度まで達していることが解
かり、強誘電体として十分な実用特性を有していると考
えられる。
【0013】
【表1】
【0014】実施例2
実施例1において説明した製膜法により基板をガラス基
板にかえて、薄膜を作製した。ガラス基板にはコーニン
グのNo.7059を使用した。図2に示したNo.1
5ならびにNo.20の組成の薄膜を作製した。スパッ
タ製膜された薄膜の膜厚はおよそ200nmであった。
作製された薄膜は琥珀色を呈していた。何れの薄膜も近
赤外領域では、反射防止膜を施し、光透過率の測定を行
なった。透過率の光波長依存性を図10に示す。この結
果から解かるようにアモルファス強誘電体薄膜は近赤外
領域に於いて90%以上の光透過率を有し、同薄膜の電
気光学素子への応用が考えられることが解かる。
板にかえて、薄膜を作製した。ガラス基板にはコーニン
グのNo.7059を使用した。図2に示したNo.1
5ならびにNo.20の組成の薄膜を作製した。スパッ
タ製膜された薄膜の膜厚はおよそ200nmであった。
作製された薄膜は琥珀色を呈していた。何れの薄膜も近
赤外領域では、反射防止膜を施し、光透過率の測定を行
なった。透過率の光波長依存性を図10に示す。この結
果から解かるようにアモルファス強誘電体薄膜は近赤外
領域に於いて90%以上の光透過率を有し、同薄膜の電
気光学素子への応用が考えられることが解かる。
【0015】実施例3
実施例1と同様の製膜法によりErMnO3 誘電体材料
として強誘電性のYMnO3 に変え、ErMnO3 を用
いて薄膜を作製した。作製した薄膜の組成は図11の三
角組成図にNo.1ならびに、No.25〜No.48
までの番号を付記した点として表した。As−depo
sit薄膜について誘電性とX線による構造解析を行な
った。その結果をまとめて図11に示す。同図中におい
て黒丸はアモルファス強誘電性を示した薄膜の組成を示
し、斜線を施した丸はアモルファス構造を取りながら常
誘電性を示した薄膜の組成を示している。さらに白丸は
結晶質の薄膜であり、導電性を示した薄膜の組成を示し
ている。この結果より、三角組成図に於いて、α、β、
γ、δ、ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施した部分)
薄墨を施した組成領域でアモルファスの強誘電性が発現
していることを見い出した。ここに於いて、単体では反
強誘電性を示すErMnO3 材料もFe2 O3 またはA
l2 O3 を過剰に添加することにより、顕著な強誘電性
を示すことが解かった。また、図11上に示した各組成
に対する飽和電荷密度の一覧を表2に示す。同表による
と、Al2 O3 −Fe2 O3 −ErMnO3 系アモルフ
ァス強誘電体薄膜では、最大で88(nC/cm2 )程
度の飽和電荷密度を観測した。
として強誘電性のYMnO3 に変え、ErMnO3 を用
いて薄膜を作製した。作製した薄膜の組成は図11の三
角組成図にNo.1ならびに、No.25〜No.48
までの番号を付記した点として表した。As−depo
sit薄膜について誘電性とX線による構造解析を行な
った。その結果をまとめて図11に示す。同図中におい
て黒丸はアモルファス強誘電性を示した薄膜の組成を示
し、斜線を施した丸はアモルファス構造を取りながら常
誘電性を示した薄膜の組成を示している。さらに白丸は
結晶質の薄膜であり、導電性を示した薄膜の組成を示し
ている。この結果より、三角組成図に於いて、α、β、
γ、δ、ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施した部分)
薄墨を施した組成領域でアモルファスの強誘電性が発現
していることを見い出した。ここに於いて、単体では反
強誘電性を示すErMnO3 材料もFe2 O3 またはA
l2 O3 を過剰に添加することにより、顕著な強誘電性
を示すことが解かった。また、図11上に示した各組成
に対する飽和電荷密度の一覧を表2に示す。同表による
と、Al2 O3 −Fe2 O3 −ErMnO3 系アモルフ
ァス強誘電体薄膜では、最大で88(nC/cm2 )程
度の飽和電荷密度を観測した。
【0016】
【表2】
【0017】実施例4
M2 O3 −Al2 O3 −YMnO3 系において、表3に
示す元素を用いて、夫々の薄膜を作製した。薄膜の作製
は実施例1に説明した方法により行なった。また、薄膜
の構造評価は、X線回折法により、その条件は実施例1
に述べたとおりであった。さらに、薄膜の誘電性評価法
についても実施例1と同様である。ただし、スパッタリ
ング製膜においてMがZr、Mo、Pd、Hf、Ta、
Wの場合には、ターゲットとしてM2 O3 の替わりに、
各元素の金属微粉を使用した。その他のSc、Ti、
V、Cr、Mn、Co、Ni、Y、Nb、In、La、
Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H
o、Er、Tm、Yb、LuについてはM2 O3 型の酸
化物材料をターゲットに用いた。また、Ni2 O3 につ
いては結晶水を含むためにターゲットとして使用する前
に、200℃程度まで加熱し、結晶水をとばし、無水物
化した。全てのM元素に対応して、図12に丸点で示し
た組成の膜を作製し、As−deposit状態で膜の
構造ならびに誘電特性を評価した。同図中において黒丸
はアモルファス強誘電性を示した薄膜の組成を示し、斜
線を施した丸はアモルファス構造を取りながら常誘電性
を示した薄膜の組成を示している。さらに白丸は結晶質
の薄膜であり、導電性になった薄膜の組成を示してい
る。この結果より、三角組成図に於いて、α、β、γ、
δ、ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施した部分)薄墨
を施した組成領域でアモルファスの強誘電性が発現して
いることを見い出した。同組成図中にNo.49と付記
した組成の膜について種々のMにおいて測定された飽和
電荷密度(Ps)を表3に示した。これからも、同表に
示した全ての薄膜に於いてPsが観測され、夫々の薄膜
において強誘電性が発現していることが解かる。
示す元素を用いて、夫々の薄膜を作製した。薄膜の作製
は実施例1に説明した方法により行なった。また、薄膜
の構造評価は、X線回折法により、その条件は実施例1
に述べたとおりであった。さらに、薄膜の誘電性評価法
についても実施例1と同様である。ただし、スパッタリ
ング製膜においてMがZr、Mo、Pd、Hf、Ta、
Wの場合には、ターゲットとしてM2 O3 の替わりに、
各元素の金属微粉を使用した。その他のSc、Ti、
V、Cr、Mn、Co、Ni、Y、Nb、In、La、
Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H
o、Er、Tm、Yb、LuについてはM2 O3 型の酸
化物材料をターゲットに用いた。また、Ni2 O3 につ
いては結晶水を含むためにターゲットとして使用する前
に、200℃程度まで加熱し、結晶水をとばし、無水物
化した。全てのM元素に対応して、図12に丸点で示し
た組成の膜を作製し、As−deposit状態で膜の
構造ならびに誘電特性を評価した。同図中において黒丸
はアモルファス強誘電性を示した薄膜の組成を示し、斜
線を施した丸はアモルファス構造を取りながら常誘電性
を示した薄膜の組成を示している。さらに白丸は結晶質
の薄膜であり、導電性になった薄膜の組成を示してい
る。この結果より、三角組成図に於いて、α、β、γ、
δ、ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施した部分)薄墨
を施した組成領域でアモルファスの強誘電性が発現して
いることを見い出した。同組成図中にNo.49と付記
した組成の膜について種々のMにおいて測定された飽和
電荷密度(Ps)を表3に示した。これからも、同表に
示した全ての薄膜に於いてPsが観測され、夫々の薄膜
において強誘電性が発現していることが解かる。
【0018】
【表3】
【0019】
【発明の効果】以上の様に、M2 O3 −Al2 O3 −A
BO3 (ABO3 はYMnO3 型誘電体)系の薄膜をR
Fスパッタリング法などにより低い基板温度、例えば2
5℃程度の基板温度により薄膜化することにより、アモ
ルファス構造を有する透光性の高い強誘電性薄膜が得ら
れ、強誘電性を応用したセンサ、メモリ、電気光学素子
に応用できるようになる。
BO3 (ABO3 はYMnO3 型誘電体)系の薄膜をR
Fスパッタリング法などにより低い基板温度、例えば2
5℃程度の基板温度により薄膜化することにより、アモ
ルファス構造を有する透光性の高い強誘電性薄膜が得ら
れ、強誘電性を応用したセンサ、メモリ、電気光学素子
に応用できるようになる。
【図1】図1は、本発明を説明するための組成系図であ
る。
る。
【図2】図2は、本発明の一実施例を説明するための組
成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図である。
成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図である。
【図3】図3は、本発明の誘電特性評価法を説明するた
めの薄膜の構造図である。
めの薄膜の構造図である。
【図4】図4は、本発明の一実施例を説明するためのX
線回折図形である。
線回折図形である。
【図5】図5は、同実施例を説明するためのX線回折図
形である。
形である。
【図6】図6は、同実施例を説明するための誘電特性の
電界依存性を表した図である。
電界依存性を表した図である。
【図7】図7は、同実施例を説明するための飽和電荷密
度の組成依存性を表した図である。
度の組成依存性を表した図である。
【図8】図8は、同実施例を説明するための誘電特性の
電界依存性を表した図である。
電界依存性を表した図である。
【図9】図9は、同実施例を説明するための飽和電荷密
度の組成依存性を表した図である。
度の組成依存性を表した図である。
【図10】図10は、同実施例を説明するための光透過
率の波長異存特性を示す図である。
率の波長異存特性を示す図である。
【図11】図11は、本発明の他の実施例を説明するた
めの組成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図で
ある。
めの組成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図で
ある。
【図12】図12は、本発明の他の実施例を説明するた
めの組成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図で
ある。
めの組成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図で
ある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所
H01G 7/06 7924−5E
(72)発明者 二井 裕之
山口県宇部市大字小串1978番地の5 宇部
興産株式会社宇部研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化アル
ミニウム(Al2 O3 )−YMnO3 型化合物(ABO
3 )を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸
化物がアモルファス構造を有することを特徴とするアモ
ルファス強誘電体酸化物材料。(ただし、M2 O3 は、
Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、
Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、In及びラ
ンタン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なく
とも一種であり、ABO3 は強誘電性を示すYMnO3
型化合物である。) - 【請求項2】 三元酸化物がM2 O3 、Al2 O3 、A
BO3 の3成分の組成図において、aM2 O3 −(1−
a)Al2 O3 ならびに、0.90Al2 O3 −0.1
0(bM2 O3 −(1−b)ABO3 )ならびに、cA
l2 O3 −(1−c)ABO3 ならびに、0.20(d
Al2 O3 −(1−d)M2 O3 )−0.80ABO3
ならびに、eABO3 −(1−e)M2 O3 ならびに、
0.90M2 O3 −0.10(fABO3 −(1−f)
Al2 O3 )で表される夫々の組成線において0.10
≦a≦0.90かつ0.00≦b≦1.00かつ0.2
0≦c≦0.90かつ0.00≦d≦1.00かつ0.
20≦e≦0.90かつ0.00≦f≦1.00なる範
囲に規定された6本の組成線で囲まれた組成を有するこ
とを特徴とする請求項1のアモルファス強誘電体酸化物
材料。 - 【請求項3】 三元酸化物が、薄膜の形態に形成されて
いることを特徴とする請求項1又は請求項2のアモルフ
ァス強誘電体酸化物材料。 - 【請求項4】 三元酸化物を製膜手段を用いて基板上
に、基板温度を300℃以下に保持しながら非晶質の薄
膜として作製し、作製したそのままの状態で強誘電体酸
化物材料を得ることを特徴とする請求項3のアモルファ
ス強誘電体酸化物材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3197291A JPH0517139A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3197291A JPH0517139A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0517139A true JPH0517139A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=16372023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3197291A Pending JPH0517139A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0517139A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0743685A2 (en) * | 1995-05-18 | 1996-11-20 | Nec Corporation | Nonvolatile semiconductor memory utilizing polarization of ferroelectric material |
US6645779B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-11-11 | Hynix Semiconductor Inc. | FeRAM (ferroelectric random access memory) and method for forming the same |
WO2015015953A1 (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | 株式会社村田製作所 | 誘電体薄膜材料および可変容量素子 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP3197291A patent/JPH0517139A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0743685A2 (en) * | 1995-05-18 | 1996-11-20 | Nec Corporation | Nonvolatile semiconductor memory utilizing polarization of ferroelectric material |
EP0743685A3 (en) * | 1995-05-18 | 1997-01-29 | Nec Corp | Non-volatile semiconductor memory that needs the polarization of a ferroelectric material |
US6515322B1 (en) | 1995-05-18 | 2003-02-04 | Nec Corporation | Nonvolatile semiconductor memory utilizing polarization of ferroelectric material |
US6645779B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-11-11 | Hynix Semiconductor Inc. | FeRAM (ferroelectric random access memory) and method for forming the same |
WO2015015953A1 (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | 株式会社村田製作所 | 誘電体薄膜材料および可変容量素子 |
JPWO2015015953A1 (ja) * | 2013-07-30 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | 誘電体薄膜材料および可変容量素子 |
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