JPH05166706A - 荷電ビーム描画データ作成方法 - Google Patents
荷電ビーム描画データ作成方法Info
- Publication number
- JPH05166706A JPH05166706A JP33512391A JP33512391A JPH05166706A JP H05166706 A JPH05166706 A JP H05166706A JP 33512391 A JP33512391 A JP 33512391A JP 33512391 A JP33512391 A JP 33512391A JP H05166706 A JPH05166706 A JP H05166706A
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- JP
- Japan
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- basic
- design
- divided
- aspect ratio
- charged beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 荷電ビーム描画データ作成方法において描画
パターンの品質を向上させる設計図形の分割方法を得
る。 【構成】 設計図形を縦方向及び横方向にそれぞれ分割
して複数の基本図形を形成するステップＳ２，Ｓ４と、
形成された各基本図形のアスペクト比（高さ／幅）を計
算すると共にそれらのアスペクト比の平均値を求めるス
テップＳ３と、これらのアスペクト比の平均値のうちで
１い近いものを選択し前記分割方向を決定するステップ
Ｓ５とを含む。
パターンの品質を向上させる設計図形の分割方法を得
る。 【構成】 設計図形を縦方向及び横方向にそれぞれ分割
して複数の基本図形を形成するステップＳ２，Ｓ４と、
形成された各基本図形のアスペクト比（高さ／幅）を計
算すると共にそれらのアスペクト比の平均値を求めるス
テップＳ３と、これらのアスペクト比の平均値のうちで
１い近いものを選択し前記分割方向を決定するステップ
Ｓ５とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路など
のパターンをマスクや半導体ウエアに描画するベクタス
キャン方式の荷電ビーム露光装置に使用される荷電ビー
ム描画データを作成する方法に関するものでとある。
のパターンをマスクや半導体ウエアに描画するベクタス
キャン方式の荷電ビーム露光装置に使用される荷電ビー
ム描画データを作成する方法に関するものでとある。
【０００２】
【従来の技術】荷電ビーム露光によってパターンを形成
する場合、一般に設計により得られる設計図形は多角形
により表現されているが、荷電ビーム描画データは矩形
と台形の基本図形で表現されている。したがって、荷電
ビーム露光によりパターンを形成するとき設計図形の設
計データをそのまま荷電ビーム描電データとして使用す
ることはできない。また、荷電ビーム描画データに基づ
く図形に重なりがあると多重露光になり、荷電ビーム描
画データの重複数除去処理も必要になる。したがって、
従来は、設計データに重複除去処理を施して多重露光に
なるデータを除去し、その後多角形の設計図形を、荷電
ビーム描画データとなる矩形と台形に分割していた。
する場合、一般に設計により得られる設計図形は多角形
により表現されているが、荷電ビーム描画データは矩形
と台形の基本図形で表現されている。したがって、荷電
ビーム露光によりパターンを形成するとき設計図形の設
計データをそのまま荷電ビーム描電データとして使用す
ることはできない。また、荷電ビーム描画データに基づ
く図形に重なりがあると多重露光になり、荷電ビーム描
画データの重複数除去処理も必要になる。したがって、
従来は、設計データに重複除去処理を施して多重露光に
なるデータを除去し、その後多角形の設計図形を、荷電
ビーム描画データとなる矩形と台形に分割していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、設計データ
に重複除去処理を施した後、設計データに基づく設計図
形を荷電ビーム描画データの基本図形（以下単に基本図
形と呼ぶ。）に分割する場合、従来は処理速度に重点を
を置いていたので、図３（ａ）に示すような多角形の設
計図形１が与えられたとき図３（ｂ）および図３（ｃ）
に示すように多角形の各頂点１ａから縦方向または横方
向に一律に分割していた。この場合、横方向に分割する
と図３（ｃ）に示すように、横方向に細長い基本図形１
ｂ〜１ｆが多数発生し、設計図形によっては幅０．５μ
ｍ以下の細長い図形が発生する場合がある。これらの図
形は、実際の描画段階では、更に描画装置の描画単位で
分割されて描画されるが、極微細な図形は描画パターン
の品質を劣化させるという問題点があった。一方、この
ため、図３の例では、図３（ｂ）の分割方法を選択すれ
ばよいと考えられるが、実際の半導体集積回路の設計図
形は多様であり縦方向に分割した方がよい図形や横方向
に分割した方が良い図形が混在し、処理が複雑になると
いう問題点があった。
に重複除去処理を施した後、設計データに基づく設計図
形を荷電ビーム描画データの基本図形（以下単に基本図
形と呼ぶ。）に分割する場合、従来は処理速度に重点を
を置いていたので、図３（ａ）に示すような多角形の設
計図形１が与えられたとき図３（ｂ）および図３（ｃ）
に示すように多角形の各頂点１ａから縦方向または横方
向に一律に分割していた。この場合、横方向に分割する
と図３（ｃ）に示すように、横方向に細長い基本図形１
ｂ〜１ｆが多数発生し、設計図形によっては幅０．５μ
ｍ以下の細長い図形が発生する場合がある。これらの図
形は、実際の描画段階では、更に描画装置の描画単位で
分割されて描画されるが、極微細な図形は描画パターン
の品質を劣化させるという問題点があった。一方、この
ため、図３の例では、図３（ｂ）の分割方法を選択すれ
ばよいと考えられるが、実際の半導体集積回路の設計図
形は多様であり縦方向に分割した方がよい図形や横方向
に分割した方が良い図形が混在し、処理が複雑になると
いう問題点があった。
【０００４】この発明は、上述したような問題点を解決
するためになされたもので、描画パターンの品質を劣化
させる図形を排除し、描画パターンの品質を向上させ得
る荷電ビーム描画データ作成方法を得ることを目的とし
ている。
するためになされたもので、描画パターンの品質を劣化
させる図形を排除し、描画パターンの品質を向上させ得
る荷電ビーム描画データ作成方法を得ることを目的とし
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る荷電ビー
ム描画データ作成方法は、設計図形を縦方向及び横方向
にそれぞれ分割して複数の基本図形を形成するステップ
と、形成された各基本図形の高さと幅の比であるアスペ
クト比を計算し、これらのアスペクト比の平均値をそれ
ぞれ求めるステップと、得られたアスペクト比の平均値
が１に近い方を分割方向として決定するステップとを含
むものである。
ム描画データ作成方法は、設計図形を縦方向及び横方向
にそれぞれ分割して複数の基本図形を形成するステップ
と、形成された各基本図形の高さと幅の比であるアスペ
クト比を計算し、これらのアスペクト比の平均値をそれ
ぞれ求めるステップと、得られたアスペクト比の平均値
が１に近い方を分割方向として決定するステップとを含
むものである。
【０００６】
【作用】この発明は、細長い基本図形の発明を排除し、
描画パターンの品質を向上させることができる。
描画パターンの品質を向上させることができる。
【０００７】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の荷電ビーム描画データ作成方法
を概略的に説明するフローチャート、図２はこの発明の
一実施例を簡単な数値例で説明する説明図で、（Ａ）は
設計図形、（Ｂ）はこの設計図形を縦方向に分割した
図、（Ｃ）は同様に横方向に分割した図である。
する。図１はこの発明の荷電ビーム描画データ作成方法
を概略的に説明するフローチャート、図２はこの発明の
一実施例を簡単な数値例で説明する説明図で、（Ａ）は
設計図形、（Ｂ）はこの設計図形を縦方向に分割した
図、（Ｃ）は同様に横方向に分割した図である。
【０００８】図１において、ステップＳ１で設計図形が
入力され、ステップＳ２でこの設計図形を縦方向に分割
して基本図形を形成する。ステップＳ３で分割したそれ
ぞれの基本図形についてアスペクト比（図形の高さ／図
形の幅）を計算し、さらにその平均値を計算する。同様
に、ステップＳ４で設計図形を横方向に分割して基本図
形を形成し、ステップＳ３でアスペクト比及びにそれら
の平均値を計算する。次に、ステップＳ５で縦方向分割
と横方向分割のそれぞれのアスペクト比の平均値を比較
し、これらのアスペクト比の平均値が１に近い方を選択
判定して設計図形の分割方向を決定する。ここでアスペ
クトが１とは、図形の高さと図形の幅が同じであること
を意味する。すなわち、細長い図形が存在しないことを
示している。図形が横長の場合アスペクト比は１より小
さくなり、縦長の場合は１より大きな値になる。
入力され、ステップＳ２でこの設計図形を縦方向に分割
して基本図形を形成する。ステップＳ３で分割したそれ
ぞれの基本図形についてアスペクト比（図形の高さ／図
形の幅）を計算し、さらにその平均値を計算する。同様
に、ステップＳ４で設計図形を横方向に分割して基本図
形を形成し、ステップＳ３でアスペクト比及びにそれら
の平均値を計算する。次に、ステップＳ５で縦方向分割
と横方向分割のそれぞれのアスペクト比の平均値を比較
し、これらのアスペクト比の平均値が１に近い方を選択
判定して設計図形の分割方向を決定する。ここでアスペ
クトが１とは、図形の高さと図形の幅が同じであること
を意味する。すなわち、細長い図形が存在しないことを
示している。図形が横長の場合アスペクト比は１より小
さくなり、縦長の場合は１より大きな値になる。
【０００９】上述したこの発明の荷電ビーム描画データ
作成方法を図２により数値例を用いて説明すると次のよ
うになる。まず、図２（Ａ）に示したような設計図形２
を仮定し、頂点２ａより縦方向にこの設計図形２を分割
する場合を考えると、設計図形２は図２（Ｂ）のように
幅ｗ１、高さｈ１の矩形の基本図形２ｂと幅ｗ２、高さ
ｈ２の矩形の基本図形２ｃに分割される。図２（Ｂ）の
場合のアスペクト比の平均は
作成方法を図２により数値例を用いて説明すると次のよ
うになる。まず、図２（Ａ）に示したような設計図形２
を仮定し、頂点２ａより縦方向にこの設計図形２を分割
する場合を考えると、設計図形２は図２（Ｂ）のように
幅ｗ１、高さｈ１の矩形の基本図形２ｂと幅ｗ２、高さ
ｈ２の矩形の基本図形２ｃに分割される。図２（Ｂ）の
場合のアスペクト比の平均は
【００１０】（ｈ1／ｗ2＋ｈ2／ｗ2）／２
【００１１】で表される。同様に、横方向に分割する場
合を考えると、図２（Ｃ）のような矩形の基本図形２
ｄ，２ｅに分割され、アスペクト比の平均値は
合を考えると、図２（Ｃ）のような矩形の基本図形２
ｄ，２ｅに分割され、アスペクト比の平均値は
【００１２】（ｈ2／ｗ3＋ｈ4／ｗ4）／２
【００１３】となる。一般にｎ個の基本図形に分割され
た場合は
た場合は
【００１４】（ｈ1／ｗ1＋・・・・＋ｈn／ｗn）／ｎ
【００１５】によりアスペクト比を計算すればよい。い
ま、ｗ１＝２μｍ，ｗ２＝３μｍ，ｈ１＝１．５μｍ，
ｈ２＝２．４μｍとすると、ｗ３＝ｗ１＋ｗ２，ｈ３＝
ｈ１，ｗ４＝ｗ２，ｈ４＝ｈ２−ｈ１なので、アスペク
ト比の平均値は図２（Ｂ）に示される縦方向分割の場合
で０．７７５、横方向分割の場合で０．２となり、縦方
向分割のアスペクト比の平均値の方が１に近くなる。し
たがって、図２（Ａ）のような図形の場合は図２（Ｂ）
の分割を行えばよいことになる。
ま、ｗ１＝２μｍ，ｗ２＝３μｍ，ｈ１＝１．５μｍ，
ｈ２＝２．４μｍとすると、ｗ３＝ｗ１＋ｗ２，ｈ３＝
ｈ１，ｗ４＝ｗ２，ｈ４＝ｈ２−ｈ１なので、アスペク
ト比の平均値は図２（Ｂ）に示される縦方向分割の場合
で０．７７５、横方向分割の場合で０．２となり、縦方
向分割のアスペクト比の平均値の方が１に近くなる。し
たがって、図２（Ａ）のような図形の場合は図２（Ｂ）
の分割を行えばよいことになる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明は、設計図形を
縦方向及び横方向にそれぞれ分割して複数の基本図形を
形成するステップと、形成された各基本図形の高さと幅
の比であるアスペクト比を計算し、これらのアスペクト
比の平均値をそれぞれ求めるステップと、得られたアス
ペクト比の平均値が１に近い方を分割方向として決定す
るステップとを含むので、描画パターンの品質を劣化さ
せる図形の発生を排除し得、描画パターンの品質を向上
させ得る効果を奏する。
縦方向及び横方向にそれぞれ分割して複数の基本図形を
形成するステップと、形成された各基本図形の高さと幅
の比であるアスペクト比を計算し、これらのアスペクト
比の平均値をそれぞれ求めるステップと、得られたアス
ペクト比の平均値が１に近い方を分割方向として決定す
るステップとを含むので、描画パターンの品質を劣化さ
せる図形の発生を排除し得、描画パターンの品質を向上
させ得る効果を奏する。
【図１】この発明の荷電ビーム描画データ作成方法を概
略的に説明するフローチャートである。
略的に説明するフローチャートである。
【図２】図１の実施例を数値例で示す説明図である。
【図３】従来の設計図形の分割方法を説明する説明図で
ある。
ある。
２ 設計図形 ２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ 基本図形 ｗ１〜ｗ４ 基本図形の幅 ｈ１〜ｈ４ 基本図形の高さ
Claims (1)
- 【請求項１】 設計図形を縦方向及び横方向にそれぞれ
分割して複数の基本図形を形成するステップと、形成さ
れた各基本図形の高さと幅の比であるアスペクト比を計
算し、これらのアスペクト比の平均値をそれぞれ求める
ステップと、得られたアスペクト比の平均値が１に近い
方を分割方向として決定するステップとを含むことを特
徴とする荷電ビーム描画データ作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33512391A JP2725927B2 (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 荷電ビーム描画データ作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33512391A JP2725927B2 (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 荷電ビーム描画データ作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166706A true JPH05166706A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2725927B2 JP2725927B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=18285034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33512391A Expired - Lifetime JP2725927B2 (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 荷電ビーム描画データ作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725927B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796408A (en) * | 1995-06-02 | 1998-08-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Charged particle beam drawing data production apparatus and charged particle beam drawing system |
| US5812412A (en) * | 1995-04-28 | 1998-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Charged beam pattern data generating method and a charged beam pattern data generating apparatus |
| JP2006202867A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 領域分割装置、パターン描画装置、領域分割方法およびプログラム |
| JP2019117961A (ja) * | 2019-04-25 | 2019-07-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置 |
| US10646850B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-05-12 | Toray Industries, Inc. | Material for blood purification |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP33512391A patent/JP2725927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5812412A (en) * | 1995-04-28 | 1998-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Charged beam pattern data generating method and a charged beam pattern data generating apparatus |
| GB2300281B (en) * | 1995-04-28 | 1999-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | Method and apparatus for producing a patterned mask, a patterned substrate or a semiconductor device having a patterned substrate, or control signals therefor |
| US5796408A (en) * | 1995-06-02 | 1998-08-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Charged particle beam drawing data production apparatus and charged particle beam drawing system |
| JP2006202867A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 領域分割装置、パターン描画装置、領域分割方法およびプログラム |
| US10646850B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-05-12 | Toray Industries, Inc. | Material for blood purification |
| JP2019117961A (ja) * | 2019-04-25 | 2019-07-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2725927B2 (ja) | 1998-03-11 |
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