JPH05166240A - 光磁気ヘツド - Google Patents
光磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH05166240A JPH05166240A JP35168791A JP35168791A JPH05166240A JP H05166240 A JPH05166240 A JP H05166240A JP 35168791 A JP35168791 A JP 35168791A JP 35168791 A JP35168791 A JP 35168791A JP H05166240 A JPH05166240 A JP H05166240A
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- JP
- Japan
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- magneto
- optical head
- light beam
- reflected light
- laser
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、レーザカツプラを流用して小型軽量
の光磁気ヘツドを形成する。 【構成】本発明は、レーザカツプラ及び対物レンズ間に
ビームスプリツタを介挿し、反射光ビームの一部を分離
して偏波面の変化を検出する。
の光磁気ヘツドを形成する。 【構成】本発明は、レーザカツプラ及び対物レンズ間に
ビームスプリツタを介挿し、反射光ビームの一部を分離
して偏波面の変化を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ヘツドに関し、特
にレーザカツプラを用いた光磁気ヘツドに適用して好適
なものである。
にレーザカツプラを用いた光磁気ヘツドに適用して好適
なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンパクトデイスクプレイヤ等の
光ヘツドにおいては、レーザカツプラを用いて光学系を
形成することにより、全体形状を小型化し得るようにな
されたものが提案されている（特開平1-273238号公
報）。
光ヘツドにおいては、レーザカツプラを用いて光学系を
形成することにより、全体形状を小型化し得るようにな
されたものが提案されている（特開平1-273238号公
報）。
【０００３】すなわち図５に示すように、レーザカツプ
ラ１においては、所定の基板２上に半導体レーザ４を搭
載し、当該半導体レーザ４と対向するように台形形状の
プリズム６を配置する。このときプリズム６は、半導体
レーザ４と対向する面が斜めに形成され、当該斜面にハ
ーフミラー面ＨＭが形成されるようになされている。こ
れによりレーザカツプラ１においては、半導体レーザ４
から射出された光ビームＬＡ１を当該ハーフミラー面Ｈ
Ｍで反射して所定の光学系に射出するようになされてい
る。
ラ１においては、所定の基板２上に半導体レーザ４を搭
載し、当該半導体レーザ４と対向するように台形形状の
プリズム６を配置する。このときプリズム６は、半導体
レーザ４と対向する面が斜めに形成され、当該斜面にハ
ーフミラー面ＨＭが形成されるようになされている。こ
れによりレーザカツプラ１においては、半導体レーザ４
から射出された光ビームＬＡ１を当該ハーフミラー面Ｈ
Ｍで反射して所定の光学系に射出するようになされてい
る。
【０００４】さらにレーザカツプラ１においては、コン
パクトデイスクから得られる反射光ビームＬＡ２を当該
斜面に受け、当該反射光ビームＬＡ２をプリズム６の内
部に導く。ここでプリズム６の基板側底面には受光素子
８及び１０が配列され、当該底面に対向する面にミラー
面Ｍ３が形成されるようになされている。これによりレ
ーザカツプラ１においては、斜面から入射した反射光ビ
ームＬＡ２を受光素子８に入射すると共に、このとき得
られる反射光ビームをミラー面Ｍ３で反射して受光素子
１０に入射する。
パクトデイスクから得られる反射光ビームＬＡ２を当該
斜面に受け、当該反射光ビームＬＡ２をプリズム６の内
部に導く。ここでプリズム６の基板側底面には受光素子
８及び１０が配列され、当該底面に対向する面にミラー
面Ｍ３が形成されるようになされている。これによりレ
ーザカツプラ１においては、斜面から入射した反射光ビ
ームＬＡ２を受光素子８に入射すると共に、このとき得
られる反射光ビームをミラー面Ｍ３で反射して受光素子
１０に入射する。
【０００５】このときレーザカツプラ１においては、受
光素子８及び１０がそれぞれ前ピン及び後ピンの位置に
保持されるようになされ、これにより受光素子８及び１
０上のスポツト形状を検出してフオーカスエラー信号を
検出し得るようになされている。さらに各受光素子８及
び１０の出力信号に基づいてトラツキングエラー信号を
形成し得ると共に、その信号レベルに基づいて記録情報
を再生し得るようになされている。
光素子８及び１０がそれぞれ前ピン及び後ピンの位置に
保持されるようになされ、これにより受光素子８及び１
０上のスポツト形状を検出してフオーカスエラー信号を
検出し得るようになされている。さらに各受光素子８及
び１０の出力信号に基づいてトラツキングエラー信号を
形成し得ると共に、その信号レベルに基づいて記録情報
を再生し得るようになされている。
【０００６】これに対して図６に示すように、光ヘツド
２０においては、所定の支持部材２２でレーザカツプラ
１を支持し、レーザカツプラ１の射出光ビームＬＡ１を
ミラー２３及び２４で折り曲げて対物レンズ２６に導
く。これにより当該光ヘツド２０においては、対物レン
ズ２６で射出光ビームＬＡ１を焦光し、コンパクトデイ
スク２８を照射する。
２０においては、所定の支持部材２２でレーザカツプラ
１を支持し、レーザカツプラ１の射出光ビームＬＡ１を
ミラー２３及び２４で折り曲げて対物レンズ２６に導
く。これにより当該光ヘツド２０においては、対物レン
ズ２６で射出光ビームＬＡ１を焦光し、コンパクトデイ
スク２８を照射する。
【０００７】さらにコンパクトデイスク２８から得られ
る反射光ビームＬＡ２を対物レンズ２６を介して受光
し、当該反射光ビームＬＡ２をミラー２３及び２４で折
り曲げてレーザカツプラ１に導く。これにより光ヘツド
２０においては、全体を上下左右に可動してフオーカシ
ング及びトラツキングサーボし得、このときレーザカツ
プラ１を用いることにより、全体形状を小型化し得る。
る反射光ビームＬＡ２を対物レンズ２６を介して受光
し、当該反射光ビームＬＡ２をミラー２３及び２４で折
り曲げてレーザカツプラ１に導く。これにより光ヘツド
２０においては、全体を上下左右に可動してフオーカシ
ング及びトラツキングサーボし得、このときレーザカツ
プラ１を用いることにより、全体形状を小型化し得る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種レー
ザカツプラ１を流用して光磁気デイスク用の光磁気ヘツ
ドを形成することができれば、便利であると考えられ
る。また光磁気ヘツド自体の全体形状も小型化し得ると
考えられる。
ザカツプラ１を流用して光磁気デイスク用の光磁気ヘツ
ドを形成することができれば、便利であると考えられ
る。また光磁気ヘツド自体の全体形状も小型化し得ると
考えられる。
【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、レーザカツプラを流用することができる光磁気ヘツ
ドを提案しようとするものである。
で、レーザカツプラを流用することができる光磁気ヘツ
ドを提案しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、発光素子４と第１及び第２の受光
素子８及び１０と所定のプリズム６とを所定の基板２上
に配置し、発光素子４の射出光ビームＬＡ１をプリズム
６の斜面ＨＭで反射して射出し、斜面ＨＭに入射する反
射光ビームＬＡ３をプリズム６内に導き、反射光ビーム
ＬＡ３を順次第１及び第２の受光素子８及び１０に入射
させるレーザカツプラ１と、レーザカツプラ１から射出
される射出光ビームＬＡ１を光磁気デイスク３４に焦光
すると共に、光磁気デイスク３４から得られる反射光ビ
ームＬＡ３をレーザカツプラ１の斜面ＨＭに導く対物レ
ンズ２６と、対物レンズ２６及びレーザカツプラ１間に
介挿され、反射光ビームＬＡ３の一部を分離するビーム
スプリツタ３２と、ビームスプリツタ３２で分離した反
射光ビームＬＡ３を受光する受光素子３６とを備え、受
光素子３６は反射光ビームＬＡ３の偏波面の変化＋θK
〜−θK に応じて出力信号の信号レベルが変化するよう
に、受光面に所定の偏光板を配置する。
め本発明においては、発光素子４と第１及び第２の受光
素子８及び１０と所定のプリズム６とを所定の基板２上
に配置し、発光素子４の射出光ビームＬＡ１をプリズム
６の斜面ＨＭで反射して射出し、斜面ＨＭに入射する反
射光ビームＬＡ３をプリズム６内に導き、反射光ビーム
ＬＡ３を順次第１及び第２の受光素子８及び１０に入射
させるレーザカツプラ１と、レーザカツプラ１から射出
される射出光ビームＬＡ１を光磁気デイスク３４に焦光
すると共に、光磁気デイスク３４から得られる反射光ビ
ームＬＡ３をレーザカツプラ１の斜面ＨＭに導く対物レ
ンズ２６と、対物レンズ２６及びレーザカツプラ１間に
介挿され、反射光ビームＬＡ３の一部を分離するビーム
スプリツタ３２と、ビームスプリツタ３２で分離した反
射光ビームＬＡ３を受光する受光素子３６とを備え、受
光素子３６は反射光ビームＬＡ３の偏波面の変化＋θK
〜−θK に応じて出力信号の信号レベルが変化するよう
に、受光面に所定の偏光板を配置する。
【００１１】
【作用】対物レンズ２６及びレーザカツプラ１間にビー
ムスプリツタ３２を介挿して反射光ビームＬＡ３の一部
を分離し、分離した反射光ビームＬＡ３を受光素子３６
で受光して偏波面の変化＋θK 〜−θK を検出すれば、
レーザカツプラ１を流用して光磁気ヘツドを形成し得
る。
ムスプリツタ３２を介挿して反射光ビームＬＡ３の一部
を分離し、分離した反射光ビームＬＡ３を受光素子３６
で受光して偏波面の変化＋θK 〜−θK を検出すれば、
レーザカツプラ１を流用して光磁気ヘツドを形成し得
る。
【００１２】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１３】図６との対応部分に同一符号を付して示す
図１において、３０は全体として光磁気ヘツドを示し、
ミラー２３に代えて偏光ビームスプリツタ３２を配置す
る。
図１において、３０は全体として光磁気ヘツドを示し、
ミラー２３に代えて偏光ビームスプリツタ３２を配置す
る。
【００１４】これにより光磁気ヘツド３０においては、
対物レンズ２６を介して光ビームＬＡ１を光磁気デイス
ク３４に照射すると共に、その結果得られる反射光ビー
ムＬＡ３をレーザカツプラ１に導く。これにより当該光
磁気ヘツド３０においては、レーザカツプラ１を介し
て、トラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号を
検出し得るようになされている。
対物レンズ２６を介して光ビームＬＡ１を光磁気デイス
ク３４に照射すると共に、その結果得られる反射光ビー
ムＬＡ３をレーザカツプラ１に導く。これにより当該光
磁気ヘツド３０においては、レーザカツプラ１を介し
て、トラツキングエラー信号、フオーカスエラー信号を
検出し得るようになされている。
【００１５】このとき偏光ビームスプリツタ３２は、Ｐ
波に対する透過率が100 ％に選定されるのに対し、Ｓ波
に対する透過率が20％に選定されるようになされてい
る。さらに光磁気ヘツド３０においては、偏光ビームス
プリツタ３２の下方に受光素子３６を配置し、偏光ビー
ムスプリツタ３２で反射光ビームＬＡ３の一部を分離し
て受光素子３６に導き、これにより当該受光素子３６の
出力に基づいて記録情報を再生し得るようになされてい
る。
波に対する透過率が100 ％に選定されるのに対し、Ｓ波
に対する透過率が20％に選定されるようになされてい
る。さらに光磁気ヘツド３０においては、偏光ビームス
プリツタ３２の下方に受光素子３６を配置し、偏光ビー
ムスプリツタ３２で反射光ビームＬＡ３の一部を分離し
て受光素子３６に導き、これにより当該受光素子３６の
出力に基づいて記録情報を再生し得るようになされてい
る。
【００１６】すなわち図２に示すように、受光素子３６
においては、受光面を４つの領域ＳＡ〜ＳＤに４分割
し、紫外線硬化樹脂を用いて各受光面ＳＡ〜ＳＤ上に偏
光板が配置されるようになされている。このとき各偏光
板においては、偏光面が斜めに中心を向くように配置さ
れ（矢印で示す）、これにより図３に示すように、反射
光ビームＬＡ３の偏波面が角度＋θK から角度−θK の
範囲で変化すると、隣接する受光面間において、出力信
号の信号レベルが相補的に変化するようになされてい
る。これにより光磁気ヘツド３０においては、対角線方
向の受光面ＳＡ、ＳＣ及びＳＢ、ＳＤ間で出力信号を加
算した後、両者の差信号を得ることにより、反射光ビー
ムＬＡ３の偏波面に応じて信号レベルが変化する再生信
号を得ることができ、これにより記録情報を再生するこ
とができる。
においては、受光面を４つの領域ＳＡ〜ＳＤに４分割
し、紫外線硬化樹脂を用いて各受光面ＳＡ〜ＳＤ上に偏
光板が配置されるようになされている。このとき各偏光
板においては、偏光面が斜めに中心を向くように配置さ
れ（矢印で示す）、これにより図３に示すように、反射
光ビームＬＡ３の偏波面が角度＋θK から角度−θK の
範囲で変化すると、隣接する受光面間において、出力信
号の信号レベルが相補的に変化するようになされてい
る。これにより光磁気ヘツド３０においては、対角線方
向の受光面ＳＡ、ＳＣ及びＳＢ、ＳＤ間で出力信号を加
算した後、両者の差信号を得ることにより、反射光ビー
ムＬＡ３の偏波面に応じて信号レベルが変化する再生信
号を得ることができ、これにより記録情報を再生するこ
とができる。
【００１７】かくしてミラー２４に代えて偏光ビームス
プリツタ３２及び受光素子３６を配置するだけの簡易な
変更でコンパクトデイスクプレイヤの光ヘツドを光磁気
ヘツドに流用し得、その分使い勝手を向上し得ると共
に、小型軽量の光磁気ヘツドを得ることができる。
プリツタ３２及び受光素子３６を配置するだけの簡易な
変更でコンパクトデイスクプレイヤの光ヘツドを光磁気
ヘツドに流用し得、その分使い勝手を向上し得ると共
に、小型軽量の光磁気ヘツドを得ることができる。
【００１８】以上の構成によれば、対物レンズ及びレー
ザカツプラ間に偏向ビームスプリツタを介挿し、当該偏
向ビームスプリツタの透過光について偏波面の変化を検
出することにより、コンパクトデイスクプレイヤ用の光
ヘツドを流用して小型軽量の光磁気ヘツドを得るとがで
きる。
ザカツプラ間に偏向ビームスプリツタを介挿し、当該偏
向ビームスプリツタの透過光について偏波面の変化を検
出することにより、コンパクトデイスクプレイヤ用の光
ヘツドを流用して小型軽量の光磁気ヘツドを得るとがで
きる。
【００１９】なお上述の実施例においては、受光素子３
６を偏光ビームスプリツタ３２と離間して配置する場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、図４に示す
ように偏光ビームスプリツタ３２と密接するように配置
してもよく、このとき偏光ビームスプリツタ３２に接着
してもよい。
６を偏光ビームスプリツタ３２と離間して配置する場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、図４に示す
ように偏光ビームスプリツタ３２と密接するように配置
してもよく、このとき偏光ビームスプリツタ３２に接着
してもよい。
【００２０】さらに上述の実施例においては、偏光ビー
ムスプリツタを用いて反射光ビームＬＡ３の一部を分離
する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ミ
ラー２６に代えて所定のコーテイングを施した透明平行
平板を配置してもよく、さらには位相ビームスプリツタ
を配置するようにしてもよい。
ムスプリツタを用いて反射光ビームＬＡ３の一部を分離
する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ミ
ラー２６に代えて所定のコーテイングを施した透明平行
平板を配置してもよく、さらには位相ビームスプリツタ
を配置するようにしてもよい。
【００２１】さらに上述の実施例においては、ミラー３
６に代えて偏光ビームスプリツタを配置する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、ミラー２３側に配
置するようにしてもよい。
６に代えて偏光ビームスプリツタを配置する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、ミラー２３側に配
置するようにしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、レーザカ
ツプラ及び対物レンズ間にビームスプリツタを介挿し、
反射光ビームの一部を分離して偏波面の変化を検出する
ことより、レーザカツプラを流用して小型軽量の光磁気
ヘツドを得ることができる。
ツプラ及び対物レンズ間にビームスプリツタを介挿し、
反射光ビームの一部を分離して偏波面の変化を検出する
ことより、レーザカツプラを流用して小型軽量の光磁気
ヘツドを得ることができる。
【図１】本発明の一実施例による光磁気ヘツドを示す略
線図である。
線図である。
【図２】受光素子を示す略線図である。
【図３】その動作の説明に供する略線図である。
【図４】他の実施例による光磁気ヘツドを示す略線図で
ある。
ある。
【図５】レーザカツプラを示す略線図である。
【図６】光ヘツドを示す略線図である。
１……レーザカツプラ、４……半導体レーザ、６……プ
リズム、８、１０、３６……受光素子、３２……偏光ビ
ームスプリツタ、３４……光磁気デイスク。
リズム、８、１０、３６……受光素子、３２……偏光ビ
ームスプリツタ、３４……光磁気デイスク。
Claims (1)
- 【請求項１】発光素子と第１及び第２の受光素子と所定
のプリズムとを所定の基板上に配置し、上記発光素子の
射出光ビームを上記プリズムの斜面で反射して射出し、
上記斜面に入射する反射光ビームを上記プリズム内に導
き、上記反射光ビームを順次上記第１及び第２の受光素
子に入射させるレーザカツプラと、 上記レーザカツプラから射出される上記射出光ビームを
光磁気デイスクに焦光すると共に、上記光磁気デイスク
から得られる上記反射光ビームを上記レーザカツプラの
上記斜面に導く対物レンズと、 上記対物レンズ及び上記レーザカツプラ間に介挿され、
上記反射光ビームの一部を分離するビームスプリツタ
と、 上記ビームスプリツタで分離した上記反射光ビームを受
光する受光素子とを具え、上記受光素子は上記反射光ビ
ームの偏波面の変化に応じて出力信号の信号レベルが変
化するように、受光面に所定の偏光板を配置したことを
特徴とする光磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35168791A JPH05166240A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35168791A JPH05166240A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166240A true JPH05166240A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18418946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35168791A Pending JPH05166240A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166240A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6290134B1 (en) | 1994-07-19 | 2001-09-18 | Psc Scanning, Inc. | Compact scanner module mountable to pointing instrument |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP35168791A patent/JPH05166240A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6290134B1 (en) | 1994-07-19 | 2001-09-18 | Psc Scanning, Inc. | Compact scanner module mountable to pointing instrument |
| US6572019B1 (en) | 1994-07-19 | 2003-06-03 | Psc Scanning, Inc. | Compact scanner module mountable to pointing instrument |
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