JPH05164559A - 電子方位計 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、複数の磁気センサ間の特性の
ばらつきを簡単に補正できるようにすることである。 【構成】バイアスコイルＬ１、Ｌ２に印加する電圧の
正、負を反転させる時負のピーク電圧がピークホールド
回路２１のコンデンサＣ₅ 、Ｃ₆ に保持される。また、
正、負のバイアス磁界が印加されたときの磁気抵抗素子
６の出力電圧はコンデンンサＣ₁ 、Ｃ₂ に保持され、磁
気抵抗素子７の出力電圧はコンデンサＣ₃ 、Ｃ₄ に保持
され、それらの電圧差がオペアンプ１４、１５で検出さ
れる。そして、演算／制御部が、磁界０のときの磁気抵
抗素子６、７の出力電圧で、正、負のバイアス磁界が印
加されたときのそれぞれの磁気抵抗素子６、７の出力電
圧差を正規化し、その正規化した出力電圧から地磁気の
Ｘ成分、Ｙ成分を求め方位を算出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子方位計に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗素子は、磁界の強さにより抵抗
値が変化する特性を利用して無接点スイッチ、変位セン
サ、方位計などに応用されている。磁気抵抗素子に印加
される磁界が微弱な範囲では磁気抵抗素子の抵抗値変化
が小さいので、一定のバイアス磁界を印加して微弱な磁
界を検出できるようにすることが行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】地磁気の方位を測定す
る為には、直交する２方向の磁界成分を検出する必要が
あるので、２個の磁気抵抗素子を用いそれらの磁気検出
方向が直交するように配置する。

【０００４】しかしながら、個々の磁気抵抗素子の抵抗
値のばらつきなどにより、同じ強さの磁界を印加しても
２個の磁気抵抗素子の出力に差が生じ、方位の測定に誤
差が発生するという問題点があった。

【０００５】その為、従来は各磁気抵抗素子の特性のば
らつきを補正する為に磁気抵抗素子に流す電流などを調
整する必要があり、調整に手間がかかるという問題点が
あった。

【０００６】本発明の課題は、複数の磁気センサ間の特
性のばらつきを簡単に補正できるようにすることであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】磁気センサは、磁界の強
さに応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子などであり、
地磁気の方向及び強さを検出する為に、例えば２個の磁
気抵抗素子が磁気検出方向を直交させて配置されてい
る。

【０００８】バイアス磁界印加手段は、複数の磁気セン
サに所定のバイアス磁界を印加する。基準値検出手段
は、バイアス磁界印加手段がバイアス磁界を変化させる
時、磁気センサの出力値のうちで基準となる値を検出す
る。

【０００９】この基準となる値は、バイアス印加手段が
バイアス磁界を変化させている状態における磁気センサ
の出力の極値であってもよく、又磁気センサが飽和状態
にある時の出力値であってもよい。

【００１０】補正手段は、所定のバイアス磁界が印加さ
れている状態における磁気センサの出力値を、基準値検
出手段が検出した基準となる値により補正する。算出手
段は、補正手段で補正された複数の磁気センサの出力か
ら方位を算出する。

【００１１】

【作用】本発明では、基準となる磁気センサの出力によ
り、所定のバイアス磁界が印加されたときのそれぞれの
磁気センサの出力を補正するようにしたので、磁気セン
サ個々の出力のばらつきにより生じる方位の測定誤差を
少なくすることができる。従って、磁気センサの特性の
ばらつき、バイアス磁界のばらつき等を補正する必要が
無くなるので調整作業が不要となる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は、本発明の第１実施例の電子方位計の
回路ブロック図である。

【００１３】検出部１は、直交して配置された２個の磁
気抵抗素子と磁気抵抗素子に所定のバイアス磁界を印加
したときの抵抗値変化を電圧変化として取り出す電圧検
出回路等で構成されている。

【００１４】この検出部１で検出されるアナログの電圧
値は、Ａ／Ｄ変換部２でディジタル値に変換され演算／
制御部３に出力される。演算／制御部３は、所定のバイ
アス磁界を印加したときの２個の磁気抵抗素子の出力電
圧と磁界を０としたときの２個の磁気抵抗素子の出力電
圧とを求め、それらのデータをＲＡＭ４のレジスタに格
納する。

【００１５】また、演算／制御部３は、ＲＡＭ４に格納
した上記のデータから外部磁界が印加されたときの磁気
抵抗素子の出力電圧を補正し、その補正した出力電圧か
ら地磁気の方位を算出し、方位計が向いている方向の磁
北に対する角度、あるいは磁北の向きを示す矢印を液晶
表示装置などからなる表示部５に表示する。なお、検出
部１、Ａ／Ｄ変換部２等の動作は演算／制御部３により
制御されている。

【００１６】図２は、検出部１の磁気抵抗素子基板の構
成の一例を示す図であり、パーマロイ等の磁気抵抗素子
６、７が、磁気検出方向が直交するように基板上に形成
されている。

【００１７】次に、図３は上記検出部３の具体的な回路
構成図である。磁気抵抗素子７の周りに巻かれたバイア
ス用コイルＬ２の一端にはバイアス電圧Ｖ_bが直接印加
され、磁気抵抗素子６の周りに巻かれたバイアス用コイ
ルＬ１の一端には抵抗Ｒ１、インバータＩＮＶ１を介し
てバイアス電圧Ｖ_b が印加されており、バイアス用コイ
ルＬ１、Ｌ２の他端は互いに接続されている。なお、バ
イアス電圧Ｖ_b はハイレベルとローレベルとを交互に繰
り返す一定周期の電圧である。

【００１８】磁気抵抗素子６、７の一端には、それぞれ
直流電流源８、９から一定電流が供給されており、その
他端は接地されている。磁気抵抗素子６と直流電流源８
との接続点には、ゲート１０、１１を介してコンデンサ
Ｃ₁ 、Ｃ₂ が接続されており、ゲート１０、１１とコン
デンサＣ₁ 、Ｃ₂ との接続点には、抵抗Ｒ２、Ｒ３を介
してオペアンプ１３の−入力端子、＋入力端子がそれぞ
れ接続されている。

【００１９】同様に磁気抵抗素子７と直流電流源９との
接続点には、ゲート１２、１３を介してコンデンサ
Ｃ₃ 、Ｃ₄ が接続されており、ゲート１２、１３とコン
デンサＣ ₃ 、Ｃ₄ との接続点には、抵抗Ｒ４、Ｒ５を介
してオペアンプ１４の−入力端子、＋入力端子がそれぞ
れ接続されている。

【００２０】ゲート１０、１２とゲート１１、１３との
制御端子には、図４に示すような１８０°の位相差を持
った信号Ｉ、ＮＩが与えられており、信号Ｉがハイレベ
ルのときゲート１０、１２がオンして、正のバイアス磁
界が印加されたときの磁気抵抗素子６、７の出力電圧が
コンデンサＣ₁ 、Ｃ₃ に保持される。また、信号ＮＩが
ハイレベルのときゲート１１、１３がオンして、負のバ
イアス磁界が印加されたときの磁気抵抗素子６、７の出
力電圧がコンデンサＣ₂ 、Ｃ₄ に保持される。なお、バ
イアス電圧Ｖ_b が正のとき発生する磁界を正のバイアス
磁界とする。

【００２１】これらのコンデンサＣ₁ 、Ｃ₂ の電圧差、
すなわち正、負のバイアス磁界が印加されたときの磁気
抵抗素子６の出力電圧差は、オペアンプ１４で増幅され
電圧Ｖ_X としてＡ／Ｄ変換部２に出力される。

【００２２】また、コンデンサＣ₃ 、Ｃ₄ の電圧差、す
なわち正、負のバイアス磁界が印加されたときの磁気抵
抗素子７の出力電圧差は、オペアンプ１５で増幅されて
電圧Ｖ_y としてＡ／Ｄ変換部２に出力される。

【００２３】さらに、磁気抵抗素子６、７の出力電圧
は、それぞれオペアンプ１６、１７の＋入力端子に入力
しており、オペアンプ１６、１７の出力はダイオードＤ
１、Ｄ２を介してそれぞれの−入力端子にフィードバッ
クされている。

【００２４】また、オペアンプ１６の出力端子にはダイ
オードＤ１のカソードが接続され、そのダイオードＤ１
のアノードにはオペアンプ１８の＋入力端子が接続され
ている。さらに、オペアンプ１８の＋入力端子と電源電
圧＋Ｖとの間には、抵抗Ｒ１０とコンデンサＣ₅ が直列
に接続されており、その抵抗Ｒ１０とコンデンサＣ₅ と
に並列にトランジスタＴＲ１が接続されている。

【００２５】トランジスタＴＲ１のベースには、図４に
示すようにバイアス電圧Ｖ_b の立ち上がり、立ち下がり
に先立ってローレベルとなる信号Ｖ_r が与えられてお
り、この信号Ｖ_r がローレベルのときトランジスタＴＲ
１がオンしてコンデンサＣ₅ の電圧を放電するようにな
っている。

【００２６】これらオペアンプ１６、１８及びコンデン
サＣ₅ 等からなる回路は、磁気抵抗素子６の出力電圧の
最小値を保持する回路であり、ホールドした最小電圧Ｖ
_myをＡ／Ｄ変換部２に出力する。

【００２７】同様にオペアンプ１７の出力端子にはダイ
オードＤ２のカソードが接続され、そのダイオードＤ２
のアノードにはオペアンプ１９の＋入力端子が接続され
ている。さらに、オペアンプ１９の＋入力端子と電源電
圧＋Ｖとの間には、抵抗Ｒ１１とコンデンサＣ₆ とが直
列に接続されており、その抵抗Ｒ１１とコンデンサＣ ₆
とに並列にトランジスタＴＲ２が接続されている。トラ
ンジスタＴＲ２のベースには信号Ｖ_r が与えられてい
る。

【００２８】上記のオペアンプ１６〜１９、コンデンサ
Ｃ₅ 、Ｃ₆ 、トランジスタＴＲ１、ＴＲ２等により磁気
抵抗素子６、７の出力電圧の負のピーク値を検出するピ
ークホルド回路２１を構成している。

【００２９】次に上記回路の動作を図４のタイムチャー
ト及び図５の磁気抵抗素子と磁界との関係を示した図を
参照して説明する。本実施例の磁気抵抗素子６、７は、
図５に示すように磁界の減少と共に出力電圧、すなわち
磁気抵抗が減少する特性を持っている。

【００３０】バイアス電圧Ｖ_b がローレベルからハイレ
ベルに変化するとき、磁気抵抗素子６、７に印加される
バイアス磁界が負から正に変化する。このとき、磁気抵
抗素子６、７の出力電圧Ｅは、図５に示すように最小値
を経て正のバイアス磁界Ｂとそのときの外部磁界とによ
る決まる一定値となる。

【００３１】そして、正のバイアス磁界が印加されてい
るときの磁気抵抗素子６、７の出力電圧Ｅは、信号Ｉが
ハイレベルとなってゲート１０、１２がオンしたときコ
ンデンサＣ₁ 、Ｃ₃ に充電され、信号Ｉがローレベルと
なってゲート１０、１２がオフしている期間そのまま保
持される。

【００３２】バイアス電圧Ｖ_b がローベルとなる一定時
間前に信号Ｖ_r がローレベルとなると、トランジスタＴ
Ｒ１、ＴＲ２がオンしてコンデンサＣ₅ 、Ｃ₆ が放電さ
れてピークホールド回路２１は待機状態となる。その
後、信号Ｖ_r がハイレベルとなると、トランジスタＴＲ
１、ＴＲ２がオフし、磁気抵抗素子６、７の出力電圧が
負のピークホールド回路２１に入力する。

【００３３】バイアス電圧Ｖ_b がハイレベルからローレ
ベルに変化するとき、磁気抵抗素子６、７に印加される
バイアス磁界が正から負に変化し、その過程で磁気抵抗
素子６、７の出力電圧が最小となるので、その最小値が
それぞれコンデンサＣ₅ 、Ｃ ₆ に保持される。

【００３４】また、バイアス電圧Ｖ_b がローレベルのと
き、すなわち負のバイアス磁界が印加されているときの
磁気抵抗素子６、７の出力電圧Ｅは、図５に示すように
負のバイアス磁界−Ｂとそのときの外部磁界とにより決
まる一定値となる。

【００３５】負のバイアス磁界が印加されたときの磁気
抵抗素子６、７の出力電圧Ｅは、信号ＮＩがハイレベル
となってゲート１１、１３がオンしたときコンデンサＣ
₂ 、Ｃ₄ に充電され、信号ＮＩがローレベルとなってゲ
ート１１、１３がオフしている期間そのまま保持され
る。

【００３６】そして、オペアンプ１４、１５によりそれ
らのコンデンサＣ₁、Ｃ₂ 及びＣ₃ 、Ｃ₄ の電圧差が検
出され、正、負のバイアス磁界が印加されたときの磁気
抵抗素子６、７それぞれの出力電圧差が電圧Ｖ_X 、Ｖ_y
としてＡ／Ｄ変換部２に出力される。

【００３７】これらの電圧Ｖ_X 、Ｖ_y はＡ／Ｄ変換部２
でディジタル値に変換され、バイアス電圧Ｂ_b がハイレ
ベルからローレベルに、あるいはローレベルからハイレ
ベルに変化するタイミングで（図４のＴ₀ 、Ｔ₃ ）ＲＡ
Ｍ４のレジスタＨ₀ 、Ｈ₁に格納される。

【００３８】さらに、コンデンサＣ₅ 、Ｃ₆ に保持され
る磁界０のときの磁気抵抗素子６、７の出力電圧Ｖ_mx、
Ｖ_myは、信号Ｉ、ＮＩがハイレベルの期間にＡ／Ｄ変換
部２でディジタル値に変換され、それぞれの信号がハイ
レベルからローレベルに変化するタイミングでＲＡＭ４
のレジスタＲ₀ 、Ｒ₁ に格納される。

【００３９】演算／制御部３は、ＲＡＭ４の上記レジス
タにそれぞれのデータが揃ったときに、外部磁界に比例
する電圧Ｖ_X 、Ｖ_y を磁界０のときの磁気抵抗素子６、
７の出力電圧Ｖ_mx、Ｖ_myで正規化して、それらから方位
を算出する。これらの演算を繰り返すことにより、常に
そのときの方位を算出して表示することができる。

【００４０】これにより２個の磁気抵抗素子６、７の特
性がばらついている場合にも、両者の出力電圧を補正し
て正確な方位を算出することができる。次に、本発明の
第２実施例を説明する。この実施例は、磁気抵抗素子に
飽和磁界を印加したときの出力電圧で、任意の外部磁界
が印加されたときの磁気抵抗素子の出力電圧を補正する
ものである。

【００４１】図６は、第２実施例の電子方位計の回路ブ
ロック図である。基板上に磁気検出方向が直交するよう
パターニングされた２個の磁気抵抗素子６、７には、共
通のバイアス用コイルＬ３が巻かれており、そのバイア
ス用コイルＬ３の一端はオペアンプ４１の出力に接続さ
れ、他端は抵抗Ｒ１４を介して接地されている。

【００４２】オペアンプ４１の＋入力端子は、ゲート４
２、４３を介して基準電圧発生回路４４の２つの出力端
子に接続され、−入力端子は抵抗Ｒ１４とバイアス用コ
イルＬ３との接続点に接続されており、オペアンプ４１
は＋入力端子に入力する電圧とほぼ等しい電圧をバイア
ス用コイルＬ３に供給するようになっている。

【００４３】基準電圧発生回路４４の２つの出力端子か
らは、バイアス用コイルＬ３に磁気抵抗素子６、７を飽
和させる磁界を発生させる電圧Ｖ_ref1と、所定のバイア
ス磁界を発生させる電圧Ｖ_ref2とがそれぞれ出力され、
これらの出力電圧の一方がゲート４２、４３で選択され
てオペアンプ４１の＋入力端子に出力される。

【００４４】ゲート切り替え回路４５は、後述する演算
／制御部５７から出力される信号ａに基づいてゲート４
２、４３をオン、オフさせる信号ｂ、ｃを生成する回路
である。なお、信号ｂは、図７に示すように信号ａと同
じ位相の信号であり、信号ｃは信号ｂの逆位相の信号で
ある。

【００４５】従って、信号ｂがハイレベルのときは、ゲ
ート４２がオンしてオペアンプ４１の＋入力端子に電圧
Ｖ_ref1が与えられ、バイアス用コイルＬ３には飽和磁界
が発生する。他方、信号ｃがハイレベルのときは、ゲー
ト４３がオンしてオペアンプ４１の＋入力端子に電圧Ｖ
_ref2が与えられ、バイアス用コイルＬ３には所定のバイ
アス磁界が発生する。

【００４６】磁気抵抗素子６、７の一端は、それぞれＶ
_DDに接続され、他端はそれぞれ定電流回路４６、４７を
介してＶ_SSに接続されている。定電流回路４６、４７
は、磁気抵抗素子６、７に一定電流を供給する回路であ
る。

【００４７】磁気抵抗素子６、７と定電流回路４６、４
７との接続点には、ゲート５０、５１を介してＡ／Ｄ変
換器５２が接続されており、ゲート５０、５１で選択さ
れた磁気抵抗素子６、７の出力電圧がＡ／Ｄ変換器５２
でディジタル値に変換されて演算／制御部５７に出力さ
れる。

【００４８】ゲート切り替え回路５５は、演算／制御部
５７から出力される信号ｄに基づいてゲート５０、５１
をオン、オフさせる信号ｅ、ｆを生成する回路である。
なお、信号ｅ、ｆは図７に示すように演算／制御部５７
の出力する信号ｄの２倍の周期の信号であり、信号ｅと
信号ｆは互いに１８０°位相が異なる。

【００４９】また、磁気抵抗素子６、７と定電流回路４
６、４７との接続点には、磁気抵抗素子６、７の抵抗値
のピーク値、すなわちこの場合、飽和磁界が印加された
ときの磁気抵抗素子６、７の出力電圧の正のピーク値を
検出する抵抗値検出回路４８、４９が接続されており、
これら抵抗値検出回路４８、４９の出力電圧はゲート５
３、５４を介してＡ／Ｄ変換器５２に出力されている。
尚抵抗値検出回路４８、４９は、図３においてピークホ
ールド回路２１が信号Ｖ_r により制御されるのと同様
に、演算／制御部５７が出力する信号ｊにより制御され
る。

【００５０】図８は、磁界の強さと磁気抵抗素子の出力
電圧との関係を示す図である。出力電圧Ｕはバイアス磁
界Ｂを印加した状態で、ある外部磁界が印加されたとき
の磁気抵抗素子の出力電圧を示しており、磁気抵抗素子
が飽和する飽和磁界Ｈ以上では出力電圧はほぼ一定値と
なる。

【００５１】ゲート切り替え回路５６は、演算制御部５
７から出力される信号ｇに基づいてゲート５３、５４を
オン、オフさせる信号ｉ、ｈを生成する回路である。な
お、信号ｉ、ｆは、図７に示すように演算／制御部５７
の出力する信号ｇの２倍の周期の信号であり、信号ｉと
信号ｈは互いに１８０°位相が異なる。

【００５２】演算／制御部５７は、飽和磁界を印加した
ときの２個の磁気抵抗素子６、７の出力電圧で、外部磁
界を測定したときの磁気抵抗素子６、７の出力電圧を補
正し、個々の磁気抵抗素子６、７の特性のばらつき等に
より生じる出力電圧の誤差を補正して正確な地磁気の方
位を算出する。そして、その算出した方位を磁北の方向
を示す矢印などで表示部５８に表示する。

【００５３】次に、上記回路の動作を図７のタイムチャ
ートを参照して説明する。演算／制御部５７から図７に
示すような信号ａが出力されると、ゲート切り替え回路
４５から信号ａと同位相の信号ｃと逆位相の信号ｂとが
ゲート４２、４３の制御端子に出力される。

【００５４】信号ｃがハイレベルのときゲート４３がオ
ンしてバイアス用コイルＬ３に電圧Ｖ_ref2が供給され
る。この電圧Ｖ_ref2によりバイアス用コイルＬ３には所
定のバイアス磁界が発生し、そのときの地磁気の強さに
比例した電圧が磁気抵抗素子６、７から出力される。

【００５５】信号ｃがハイレベルのとき、ゲート切り替
え回路５５からは信号ｃの２倍の周期で、かつ信号ｃが
ハイレベルのとき一定期間ハイレベルとなる信号ｅ、ｆ
が出力されるので、所定のバイアス磁界が印加されたと
きの２個の磁気抵抗素子６、７の出力電圧がゲート５
０、５１により交互に選択されてＡ／Ｄ変換器５２に出
力される。

【００５６】次に、信号ｂがハイレベルとなると、その
間ゲート４２がオンしてバイアス用コイルＬ３に電圧Ｖ
_ref1が供給される。この電圧Ｖ_ref1によりバイアス用コ
イルＬ３には飽和磁界が発生し、磁気抵抗素子６、７か
ら一定電圧が出力される。

【００５７】信号ｂがハイレベルのとき、ゲート切り替
え回路５６からは信号ｇの２倍の周期で、信号ｇがハイ
レベルのとき一定期間ハイレベルとなる信号ｈ、ｉが出
力されるので、飽和磁界が印加されたときの２個の磁気
抵抗素子６、７の出力電圧がゲート５３、５４で交互に
選択されてＡ／Ｄ変換器５２に出力される。

【００５８】演算／制御部５７は、飽和磁界が印加され
たときの磁気抵抗素子６、７の出力電圧により、測定電
圧、すなわちバイアス磁界が印加されたときのそれぞれ
の磁気抵抗素子６、７の出力電圧を補正している。これ
により個々の磁気抵抗素子６、７の出力電圧のばらつき
に依存しない正確な方位を算出することができる。

【００５９】この場合、磁気抵抗素子６、７の出力電圧
のばらつきが、演算処理の実行時に自動的に補正される
ので、製造時に磁気抵抗素子６、７の出力電圧のばらつ
きを調整する必要が無く、さらに経年変化等による精度
の低下も防止できる。

【００６０】なお、上記実施例では、演算処理時に磁気
抵抗素子６、７の出力電圧のばらつきを補正するように
したが、例えば磁気抵抗素子６、７が飽和したときの出
力電圧Ｖ_X 、Ｖ_y を差動増幅して定電流回路４６又は４
７の一方を負帰還制御することにより、２個の磁気抵抗
素子６、７の出力電圧のばらつきを補正するようにして
もよい。この場合、測定サイクル毎に磁気抵抗素子の出
力電圧の補正をする必要がなくなるので、演算／制御部
３の処理負担が軽減される。

【００６１】また、磁気抵抗素子６、７の出力電圧の補
正の為の抵抗値４８、４９の出力の採集は、１サイクル
毎ではなく、電源投入時のみ、あるいは一定時間毎に行
うようにしても良い。

【００６２】さらに、実施例に述べた特性の磁気抵抗素
子に限らず、磁界が強くなったとき抵抗値が小さくなる
特性を持つ磁気抵抗素子、あるいは磁気抵抗素子以外の
他の磁気センサにも本発明は適用できる。

【００６３】さらに、本発明は方位計の専用装置に限ら
ず、電子腕時計、高度計等に組み込むこともでき、自動
車用のナビゲーション装置に利用することもできる。

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば、複数の磁気センサの基
準となる磁気抵抗素子の出力により、外部磁界を測定し
たときの磁気センサの出力電圧を補正することで、個々
の磁気センサの出力のばらつきを補正することができ
る。これにより、複数の磁気センサの出力を調整する作
業が不要となり、経年変化による出力のばらつきも防止
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の回路ブロック図である。

【図２】磁気抵抗素子基板の構造を示す図である。

【図３】検出部の回路構成図である。

【図４】検出部の各部の動作を示すタイムチャートであ
る。

【図５】第１実施例の磁気抵抗素子の出力電圧と磁界と
の関係を示す図である。

【図６】第２実施例の回路構成図である。

【図７】第２実施例の回路各部の動作を示すタイムチャ
ートである。

【図８】第２実施例の磁気抵抗素子の出力電圧と磁界と
の関係を示す図である。

【符号の説明】

１ 検出部 ２ Ａ／Ｄ変換部 ３ 演算／制御部 ５ 表示部 ６、７ 磁気抵抗素子

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の磁気センサと、 これらの磁気センサにバイアス磁界を印加するバイアス
   磁界印加手段と、 前記バイアス磁界印加手段がバイアス磁界を変化させる
   時、前記磁気センサの出力値のうちで基準となる値を検
   出する基準値検出手段と、 前記バイアス磁界印加手段が所定のバイアス磁界を印加
   している状態における前記磁気センサの出力値を、前記
   基準値検出手段が検出した基準となる値により補正する
   補正手段と、 この補正手段が補正した前記磁気センサの出力から方位
   を算出する方位算出手段と、 を備えることを特徴とする電子方位計。
2. 【請求項２】前記基準値検出手段が検出する基準となる
   値は、前記バイアス印加手段がバイアス磁界を変化させ
   ている状態における前記磁気センサの出力の極値である
   ことを特徴とする請求項１記載の電子方位計。
3. 【請求項３】前記基準値検出手段が検出する基準となる
   値は、前記磁気センサが飽和状態にある時の該磁気セン
   サの出力値であることを特徴とする請求項１記載の電子
   方位計。