JPH05163568A - マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタ装置Info
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- JPH05163568A JPH05163568A JP35201591A JP35201591A JPH05163568A JP H05163568 A JPH05163568 A JP H05163568A JP 35201591 A JP35201591 A JP 35201591A JP 35201591 A JP35201591 A JP 35201591A JP H05163568 A JPH05163568 A JP H05163568A
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- hole
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲットの表面外側に強い漏洩磁界を確保
する。 【構成】 ターゲット１２は中央部に穴１２ａを持つ。
この穴１２ａの内部に透磁率の高い金属材１７を配置す
る。カソードとなるリング状の磁石１４、１５をターゲ
ット１２の穴側部分および外周側部分のそれぞれ下側に
配置する。透磁率の高い金属材１７の存在により、ター
ゲット１２の中央側の磁石１４のＮ極近傍の磁界として
は垂直成分が強く水平成分が弱くなる。つまり、直ちに
ターゲット１２内に収束される成分が少なくなり漏洩磁
界（破線ロで示す）が多くなる。これにより、ターゲッ
ト１２の表面外側に強い漏洩磁界を確保することがで
き、高い電流密度の安定した放電を行うことが可能とな
り、一層の高速成膜が実現される。
する。 【構成】 ターゲット１２は中央部に穴１２ａを持つ。
この穴１２ａの内部に透磁率の高い金属材１７を配置す
る。カソードとなるリング状の磁石１４、１５をターゲ
ット１２の穴側部分および外周側部分のそれぞれ下側に
配置する。透磁率の高い金属材１７の存在により、ター
ゲット１２の中央側の磁石１４のＮ極近傍の磁界として
は垂直成分が強く水平成分が弱くなる。つまり、直ちに
ターゲット１２内に収束される成分が少なくなり漏洩磁
界（破線ロで示す）が多くなる。これにより、ターゲッ
ト１２の表面外側に強い漏洩磁界を確保することがで
き、高い電流密度の安定した放電を行うことが可能とな
り、一層の高速成膜が実現される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に薄膜形成を
行うマグネトロンスパッタ装置に関する。
行うマグネトロンスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜形成方法の一つであるマグネトロン
スパッタ法は、放電電界と直角な方向に磁界を加え、こ
の直交する電界と磁界との作用によりプラズマをターゲ
ット表面付近に閉じ込めることで高速成膜を可能にした
スパッタ成膜法で、光ディスクや光磁気ディスク製造時
の成膜、その他種々の成膜に広く実用化されている成膜
方法である。最も広く使用されているのがプレーナ型マ
グネトロンスパッタと称される平板状のターゲットを用
いる方法で、その従来の方法は、図５に示すように、例
えば円形のターゲット１の裏面中央にＮ極（またはＳ
極）を上向きにした磁石２とターゲット１裏面外周付近
にＳ極（またはＮ極）を上向きにしたリング状の磁石３
を埋設し、ターゲット１表面外側に漏洩磁界（破線イで
示す）を発生させ、その水平成分の最も高い領域にプラ
ズマを集中させ、高効率のスパッタ成膜を達成してい
る。なお、図５において符号４はバッキングプレート、
符号５はヨークである。
スパッタ法は、放電電界と直角な方向に磁界を加え、こ
の直交する電界と磁界との作用によりプラズマをターゲ
ット表面付近に閉じ込めることで高速成膜を可能にした
スパッタ成膜法で、光ディスクや光磁気ディスク製造時
の成膜、その他種々の成膜に広く実用化されている成膜
方法である。最も広く使用されているのがプレーナ型マ
グネトロンスパッタと称される平板状のターゲットを用
いる方法で、その従来の方法は、図５に示すように、例
えば円形のターゲット１の裏面中央にＮ極（またはＳ
極）を上向きにした磁石２とターゲット１裏面外周付近
にＳ極（またはＮ極）を上向きにしたリング状の磁石３
を埋設し、ターゲット１表面外側に漏洩磁界（破線イで
示す）を発生させ、その水平成分の最も高い領域にプラ
ズマを集中させ、高効率のスパッタ成膜を達成してい
る。なお、図５において符号４はバッキングプレート、
符号５はヨークである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の成膜方法には次のような問題がある。すなわち、
強磁性体ターゲットを使用した場合には、ターゲット１
そのものがヨークの働きをしてしまい、漏洩磁界が極端
に弱くなって、マグネトロンスパッタ法の効果が十分得
られない。漏洩磁界をターゲット１の外側に出すために
はターゲット１の厚みを薄くするとよいが、ターゲット
１の厚みが薄いと、ターゲットの交換頻度が多くなり生
産能率が低下するので望ましくない。このため、強磁性
体ターゲットの厚みをある程度厚くすると、使用する磁
石２、３にはサマリウムコバルト系といった稀土類系の
強力なものを採用せざるを得ず、通常のフェライト系の
磁石を使用することはできない。また、ターゲットが
強磁性体であると、漏洩磁界がターゲット表面の特に狭
い領域に集中し易いことから、エロージョン（矢印ａで
示す）が一箇所で進行するという問題がある。エロージ
ョンが一箇所で一定以上進行すると、それ以外の場所で
は十分な厚みがあってもそのターゲットは使用不可とな
るので、ターゲットの利用効率が極端に低下する。この
ため、高価なターゲットを用いる場合には経済的不利益
が大きい上、さらにエロージョンの局所的な進行は成膜
速度の低下、組成の変化といった大きな問題を引き起こ
す。
来の成膜方法には次のような問題がある。すなわち、
強磁性体ターゲットを使用した場合には、ターゲット１
そのものがヨークの働きをしてしまい、漏洩磁界が極端
に弱くなって、マグネトロンスパッタ法の効果が十分得
られない。漏洩磁界をターゲット１の外側に出すために
はターゲット１の厚みを薄くするとよいが、ターゲット
１の厚みが薄いと、ターゲットの交換頻度が多くなり生
産能率が低下するので望ましくない。このため、強磁性
体ターゲットの厚みをある程度厚くすると、使用する磁
石２、３にはサマリウムコバルト系といった稀土類系の
強力なものを採用せざるを得ず、通常のフェライト系の
磁石を使用することはできない。また、ターゲットが
強磁性体であると、漏洩磁界がターゲット表面の特に狭
い領域に集中し易いことから、エロージョン（矢印ａで
示す）が一箇所で進行するという問題がある。エロージ
ョンが一箇所で一定以上進行すると、それ以外の場所で
は十分な厚みがあってもそのターゲットは使用不可とな
るので、ターゲットの利用効率が極端に低下する。この
ため、高価なターゲットを用いる場合には経済的不利益
が大きい上、さらにエロージョンの局所的な進行は成膜
速度の低下、組成の変化といった大きな問題を引き起こ
す。
【０００４】前記の局所的なエロージョンを回避する手
段として、ターゲット裏面に１対の磁石を取り付け、こ
の磁石をモータ等で回転させることで、ターゲット表面
に発生する漏洩磁界を一箇所に集中しないようにする方
法も提案されている。
段として、ターゲット裏面に１対の磁石を取り付け、こ
の磁石をモータ等で回転させることで、ターゲット表面
に発生する漏洩磁界を一箇所に集中しないようにする方
法も提案されている。
【０００５】しかし、上記のように磁石をモータで回転
させる方式は、ターゲットが小サイズの場合、機構的に
複雑になりすぎるという問題があり、また、ターゲット
裏面は通常冷却水で冷却するが、冷却水中で磁石が回転
する構造上、その動作の長期的信頼性、あるいはメンテ
ナンスに関して問題がある。
させる方式は、ターゲットが小サイズの場合、機構的に
複雑になりすぎるという問題があり、また、ターゲット
裏面は通常冷却水で冷却するが、冷却水中で磁石が回転
する構造上、その動作の長期的信頼性、あるいはメンテ
ナンスに関して問題がある。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、中央に穴のあいたターゲットを用いてマグネトロン
スパッタ成膜を行う場合に、ターゲット表面に強い漏洩
磁界を確保して一層の高速成膜を実現することを目的と
し、また、ターゲット表面の広い領域にわたり均一な漏
洩磁界を確保して、エロージョンが局所的に進行するこ
とを防止し、ターゲットの利用効率を向上させることを
目的とする。
で、中央に穴のあいたターゲットを用いてマグネトロン
スパッタ成膜を行う場合に、ターゲット表面に強い漏洩
磁界を確保して一層の高速成膜を実現することを目的と
し、また、ターゲット表面の広い領域にわたり均一な漏
洩磁界を確保して、エロージョンが局所的に進行するこ
とを防止し、ターゲットの利用効率を向上させることを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１の発明は、中央部に穴のあいた形状のターゲットを
用い、このターゲットの穴部分および外周部分の下側に
それぞれ設ける磁石の磁極の向きがターゲット面と垂直
であるマグネトロンスパッタ装置において、前記ターゲ
ットの穴の内部に透磁率の高い金属材を配置したことを
特徴とする。
項１の発明は、中央部に穴のあいた形状のターゲットを
用い、このターゲットの穴部分および外周部分の下側に
それぞれ設ける磁石の磁極の向きがターゲット面と垂直
であるマグネトロンスパッタ装置において、前記ターゲ
ットの穴の内部に透磁率の高い金属材を配置したことを
特徴とする。
【０００８】請求項４の発明は、中央部に穴のあいた形
状のターゲットを用いるマグネトロンスパッタ装置にお
いて、ターゲットの穴側面と外周側面との間でＮ極、Ｓ
極が対向するように磁石を配置したことを特徴とする。
状のターゲットを用いるマグネトロンスパッタ装置にお
いて、ターゲットの穴側面と外周側面との間でＮ極、Ｓ
極が対向するように磁石を配置したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１において、ターゲットの穴部分に透磁
率の高い金属材が存在するので、このターゲットの穴の
内部に高透磁率の金属材が存在するので、ターゲットの
中央側の磁石の高透磁率金属材近傍の磁界としては垂直
成分が強く水平成分が弱くなる。つまり、直ちにターゲ
ット内に収束される成分が少なく漏洩磁界が強くなる。
したがって、ターゲットの表面外側の広い領域にわたり
強い漏洩磁界を確保することができ、これにより、高い
電流密度の安定した放電を行うことが可能となり、一層
の高速成膜が実現される。
率の高い金属材が存在するので、このターゲットの穴の
内部に高透磁率の金属材が存在するので、ターゲットの
中央側の磁石の高透磁率金属材近傍の磁界としては垂直
成分が強く水平成分が弱くなる。つまり、直ちにターゲ
ット内に収束される成分が少なく漏洩磁界が強くなる。
したがって、ターゲットの表面外側の広い領域にわたり
強い漏洩磁界を確保することができ、これにより、高い
電流密度の安定した放電を行うことが可能となり、一層
の高速成膜が実現される。
【００１０】請求項４において、磁石の磁界がターゲッ
トの穴側から外周側へ向かうので、磁石をターゲット表
面より突出させることにより、ターゲットの表面外側の
広い領域にわたり均一な漏洩磁界を確保することがで
き、エロージョンが局所的に進行することが防止され
る。
トの穴側から外周側へ向かうので、磁石をターゲット表
面より突出させることにより、ターゲットの表面外側の
広い領域にわたり均一な漏洩磁界を確保することがで
き、エロージョンが局所的に進行することが防止され
る。
【００１１】
【実施例】図１、図２は請求項１の発明の一実施例を示
す。真空槽１１内に中央部に穴１２ａのあいたドーナツ
状のターゲット１２がカソード１３上に設けられてい
る。カソード１３は、ターゲット１２の穴１２ａ部分の
下側に位置するリング状の磁石１４、ターゲット１２の
外周部分の下側に位置する同じくリング状の磁石１５、
両磁石１４、１５の下端部を接続するヨーク１６などか
らなり、前記ターゲット１は磁石１４、１５上に乗って
いる。図示例ではターゲット１２を磁石１４、１５の上
に直接乗せているが、別部材の導体上にターゲットを乗
せ、磁石はターゲットから離して配置してもよい。この
ターゲット１２の穴１２ａの内部に、透磁率の高い金属
材１７を配置している。この金属材１７は、ターゲット
１２の穴１２ａに合わせた円板状をなし、磁石１４の上
に一部が乗っている。符号１８はアノードであり、この
アノード１８とカソード１３との間に図示のように直流
電源１９（または高周波電源）の電圧を印加する。成膜
しようとする基板（例えば光磁気ディスクのプラスチッ
クのディスク）２０は、ターゲット１２の上方におい
て、例えば、多数の基板を保持可能な回転テーブル等の
搬送系２１の基板載置用穴２１ａに保持され、昇降可能
な軸２２の上端に設けた内周マスク２３が基板２０の中
心部の非成膜領域を被覆している。
す。真空槽１１内に中央部に穴１２ａのあいたドーナツ
状のターゲット１２がカソード１３上に設けられてい
る。カソード１３は、ターゲット１２の穴１２ａ部分の
下側に位置するリング状の磁石１４、ターゲット１２の
外周部分の下側に位置する同じくリング状の磁石１５、
両磁石１４、１５の下端部を接続するヨーク１６などか
らなり、前記ターゲット１は磁石１４、１５上に乗って
いる。図示例ではターゲット１２を磁石１４、１５の上
に直接乗せているが、別部材の導体上にターゲットを乗
せ、磁石はターゲットから離して配置してもよい。この
ターゲット１２の穴１２ａの内部に、透磁率の高い金属
材１７を配置している。この金属材１７は、ターゲット
１２の穴１２ａに合わせた円板状をなし、磁石１４の上
に一部が乗っている。符号１８はアノードであり、この
アノード１８とカソード１３との間に図示のように直流
電源１９（または高周波電源）の電圧を印加する。成膜
しようとする基板（例えば光磁気ディスクのプラスチッ
クのディスク）２０は、ターゲット１２の上方におい
て、例えば、多数の基板を保持可能な回転テーブル等の
搬送系２１の基板載置用穴２１ａに保持され、昇降可能
な軸２２の上端に設けた内周マスク２３が基板２０の中
心部の非成膜領域を被覆している。
【００１２】上記のマグネトロンスパッタ装置におい
て、アノード１８、カソード１３間に直流電圧が印加さ
れると、放電が生じて真空槽１１内に導入されている例
えばＡｒガス等の不活性ガスが高エネルギのプラズマと
なり、ターゲット１２の表面に衝撃を加えて原子をたた
き出し、基板２０上に成膜する。この場合に、ターゲッ
ト１２の表面外側に磁石１４、１５による漏洩磁界（破
線ロで示す）を生じ、この漏洩磁界は、プラズマをター
ゲット１２の表面近傍に閉じ込める作用をするので、ス
パッタリングが効率的に行われ、高速成膜が可能にな
る。この場合、このターゲット１２の穴１２ａの内部に
高透磁率の金属材１７が存在するので、ターゲット１２
の中央側の磁石１４のＮ極近傍の磁界としては垂直成分
が強く水平成分が弱くなり、直ちにターゲット１２内に
収束される成分が少なく漏洩磁界が強くなる。したがっ
て、ターゲット１２の表面外側の広い領域にわたり強い
漏洩磁界を確保することができ、これにより、高い電流
密度の安定した放電を行うことが可能となり、一層の高
速成膜が実現される。なお、ターゲットが強磁性体であ
る場合に漏洩磁界が特に弱くなるので、ターゲット１２
が強磁性体である場合に本発明の効果が特に顕著である
が、ターゲットが非磁性体である場合にも当然有効であ
る。
て、アノード１８、カソード１３間に直流電圧が印加さ
れると、放電が生じて真空槽１１内に導入されている例
えばＡｒガス等の不活性ガスが高エネルギのプラズマと
なり、ターゲット１２の表面に衝撃を加えて原子をたた
き出し、基板２０上に成膜する。この場合に、ターゲッ
ト１２の表面外側に磁石１４、１５による漏洩磁界（破
線ロで示す）を生じ、この漏洩磁界は、プラズマをター
ゲット１２の表面近傍に閉じ込める作用をするので、ス
パッタリングが効率的に行われ、高速成膜が可能にな
る。この場合、このターゲット１２の穴１２ａの内部に
高透磁率の金属材１７が存在するので、ターゲット１２
の中央側の磁石１４のＮ極近傍の磁界としては垂直成分
が強く水平成分が弱くなり、直ちにターゲット１２内に
収束される成分が少なく漏洩磁界が強くなる。したがっ
て、ターゲット１２の表面外側の広い領域にわたり強い
漏洩磁界を確保することができ、これにより、高い電流
密度の安定した放電を行うことが可能となり、一層の高
速成膜が実現される。なお、ターゲットが強磁性体であ
る場合に漏洩磁界が特に弱くなるので、ターゲット１２
が強磁性体である場合に本発明の効果が特に顕著である
が、ターゲットが非磁性体である場合にも当然有効であ
る。
【００１３】前記高透磁率の金属としては、パーマロ
イ、またはセンダスト、またはニッケル、あるいはこれ
らの金属の合金を用いると、これらの金属は透磁率が十
分高いので、上記の強い漏洩磁界を得る上で有効であ
る。
イ、またはセンダスト、またはニッケル、あるいはこれ
らの金属の合金を用いると、これらの金属は透磁率が十
分高いので、上記の強い漏洩磁界を得る上で有効であ
る。
【００１４】次に、請求項４の発明の一実施例を図３、
図４に示す。ターゲット３２は前述と同様に中央部に穴
３２ａのあいたドーナツ形状であり、このターゲット３
２の穴側面と外周側面との間で図示のようにＮ極、Ｓ極
が対向するように磁石３４、３５を配置している。この
磁石３４、３５は、ターゲット３２の厚みより厚く（図
の高さ寸法が大）、ターゲット３２の表面より上に突出
している。また、磁石３４、３５の放電の行われないタ
ーゲット裏面側にターゲット面と平行なヨーク３６を設
けている。磁石３４、３５およびヨーク３６はカソード
を構成する。符号３７はターゲット３２を一体に固定し
ている銅やステンレス等によるバッキングプレートであ
る。アノード１８その他は図１、図２の場合と同様であ
り、同じ符号を付して説明を省略する。
図４に示す。ターゲット３２は前述と同様に中央部に穴
３２ａのあいたドーナツ形状であり、このターゲット３
２の穴側面と外周側面との間で図示のようにＮ極、Ｓ極
が対向するように磁石３４、３５を配置している。この
磁石３４、３５は、ターゲット３２の厚みより厚く（図
の高さ寸法が大）、ターゲット３２の表面より上に突出
している。また、磁石３４、３５の放電の行われないタ
ーゲット裏面側にターゲット面と平行なヨーク３６を設
けている。磁石３４、３５およびヨーク３６はカソード
を構成する。符号３７はターゲット３２を一体に固定し
ている銅やステンレス等によるバッキングプレートであ
る。アノード１８その他は図１、図２の場合と同様であ
り、同じ符号を付して説明を省略する。
【００１５】上記のマグネトロンスパッタ装置におい
て、磁石３４、３５の磁界は、ターゲット３２の穴３２
ａ側から外周側へと向う。したがって、磁石３４、３５
をターゲット３２の表面より突出させることにより、タ
ーゲット３２表面外側でターゲット面と平行な漏洩磁界
（破線ハで示す）が得られ、ターゲット３２の表面外側
の広い領域に均一な漏洩磁界を確保することができる。
この場合に、ヨーク３６により両磁石３４、３５の下側
部分では閉じた磁気回路となるので、ターゲット３２の
表面外側における漏洩磁界を強める作用を果たす。
て、磁石３４、３５の磁界は、ターゲット３２の穴３２
ａ側から外周側へと向う。したがって、磁石３４、３５
をターゲット３２の表面より突出させることにより、タ
ーゲット３２表面外側でターゲット面と平行な漏洩磁界
（破線ハで示す）が得られ、ターゲット３２の表面外側
の広い領域に均一な漏洩磁界を確保することができる。
この場合に、ヨーク３６により両磁石３４、３５の下側
部分では閉じた磁気回路となるので、ターゲット３２の
表面外側における漏洩磁界を強める作用を果たす。
【００１６】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、ターゲットの
穴部分に透磁率の高い金属材が存在するので、ターゲッ
トの表面の広い領域にわたり強い漏洩磁界を確保するこ
とができ、これにより高い放電電流密度による安定した
放電が行われ、一層の高速成膜が可能となる。この効果
は、ターゲットが強磁性体である場合に特に顕著である
が、ターゲットが非磁性体である場合にも有効である。
穴部分に透磁率の高い金属材が存在するので、ターゲッ
トの表面の広い領域にわたり強い漏洩磁界を確保するこ
とができ、これにより高い放電電流密度による安定した
放電が行われ、一層の高速成膜が可能となる。この効果
は、ターゲットが強磁性体である場合に特に顕著である
が、ターゲットが非磁性体である場合にも有効である。
【００１７】請求項３のように、ターゲットの穴部分に
配置する金属材としてパーマロイ、センダスト、ニッケ
ル、あるいはこれらの金属の合金を用いると、これらは
透磁率が十分高いので、強い漏洩磁界を確保する上で効
果的である。
配置する金属材としてパーマロイ、センダスト、ニッケ
ル、あるいはこれらの金属の合金を用いると、これらは
透磁率が十分高いので、強い漏洩磁界を確保する上で効
果的である。
【００１８】請求項４によれば、磁石の磁界がターゲッ
トの穴側から外周側へ向かうので、請求項５のごとく磁
石をターゲット表面より突出させることにより、ターゲ
ット表面外側でターゲット面と平行な磁界が得られ、タ
ーゲットの表面外側の広い領域に均一な漏洩磁界を確保
することができる。これにより、漏洩磁界の集中が防止
され、エロージョンが局所的に進行することが防止され
るので、ターゲットの利用効率が高まる。したがって、
高価なターゲットを用いる場合に、経済的効果が大き
い。また、エロージョンの局所的な進行による成膜速度
の低下、成膜組性の変化という問題をなくすことができ
る。
トの穴側から外周側へ向かうので、請求項５のごとく磁
石をターゲット表面より突出させることにより、ターゲ
ット表面外側でターゲット面と平行な磁界が得られ、タ
ーゲットの表面外側の広い領域に均一な漏洩磁界を確保
することができる。これにより、漏洩磁界の集中が防止
され、エロージョンが局所的に進行することが防止され
るので、ターゲットの利用効率が高まる。したがって、
高価なターゲットを用いる場合に、経済的効果が大き
い。また、エロージョンの局所的な進行による成膜速度
の低下、成膜組性の変化という問題をなくすことができ
る。
【００１９】請求項７によれば、磁石のターゲット裏面
側のヨークの存在により、ターゲット表面外側において
ターゲット面と平行する磁界を強めることができる。
側のヨークの存在により、ターゲット表面外側において
ターゲット面と平行する磁界を強めることができる。
【図１】本発明の一実施例を示すマグネトロンスパッタ
装置における要部の正面図である。
装置における要部の正面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ矢視の平面図である。
【図３】請求項４の発明の一実施例を示すマグネトロン
スパッタ装置における要部の正面図である。
スパッタ装置における要部の正面図である。
【図４】図３におけるＢ−Ｂ矢視の平面図である。
【図５】従来のマグネトロンスパッタ装置のカソード部
分の正面図である。
分の正面図である。
１２、３２ ターゲット １２ａ、３２ａ 中央部の穴 １３、３３ カソード １４、１５、３４、３５ 磁石 １６、３６ ヨーク １７ 透磁率の高い金属材 ２０ 基板 ２１ 搬送系 ２２ 軸 ２３ 内周マスク
Claims (7)
- 【請求項１】 中央部に穴のあいた形状のターゲットを
用い、このターゲットの穴部分および外周部分の下側に
それぞれ設ける磁石の磁極の向きがターゲット面と垂直
であるマグネトロンスパッタ装置において、 前記ターゲットの穴の内部に透磁率の高い金属材を配置
したことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。 - 【請求項２】 前記ターゲットが強磁性体もしくは強磁
性体を含む磁性体からなることを特徴とする請求項１記
載のマグネトロンスパッタ装置。 - 【請求項３】 前記透磁率の高い金属材が、パーマロ
イ、またはセンダスト、またはニッケル、あるいはこれ
らの金属の合金からなることを特徴とする請求項１記載
のマグネトロンスパッタ装置。 - 【請求項４】 中央部に穴のあいた形状のターゲットを
用いるマグネトロンスパッタ装置において、ターゲット
の穴側面と外周側面との間でＮ極、Ｓ極が対向するよう
に磁石を配置したことを特徴とするマグネトロンスパッ
タ装置。 - 【請求項５】 前記磁石がターゲット厚み以上の厚みを
持ち、ターゲット表面より突出していることを特徴とす
る請求項４記載のマグネトロンスパッタ装置。 - 【請求項６】 前記ターゲットが円形または角形であ
り、前記磁石がこの円形または角形に対応する形状を持
つことを特徴とする請求項４記載のマグネトロンスパッ
タ装置。 - 【請求項７】 前記対向する磁石の放電の行われないタ
ーゲット裏面側に、ターゲット面と平行なヨークを設け
たことを特徴とする請求項４記載のマグネトロンスパッ
タ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35201591A JPH05163568A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | マグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35201591A JPH05163568A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | マグネトロンスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05163568A true JPH05163568A (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=18421199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35201591A Pending JPH05163568A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | マグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05163568A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009228011A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Shinmaywa Industries Ltd | シートプラズマ成膜装置、及びシートプラズマ調整方法 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP35201591A patent/JPH05163568A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009228011A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Shinmaywa Industries Ltd | シートプラズマ成膜装置、及びシートプラズマ調整方法 |
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