JPH05160318A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JPH05160318A JPH05160318A JP32560091A JP32560091A JPH05160318A JP H05160318 A JPH05160318 A JP H05160318A JP 32560091 A JP32560091 A JP 32560091A JP 32560091 A JP32560091 A JP 32560091A JP H05160318 A JPH05160318 A JP H05160318A
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- Japan
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- mold
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細なパターンを有するリードフレームを製
造する方法を提供する。 【構成】 基板１上にレジスト層２を形成し、所望のリ
ードフレームのマスクパターンを有する吸収材３とマス
ク膜４を用い、シンクロトロン放射光によるリソグラフ
ィを行なって、所望のレジストパターン５を形成する。
次にレジストパターン５に従い、電気メッキにより金属
構造体６を形成する。次に前記金属構造体６を型として
射出成形によりプラスチック型１０を形成した後、前記
プラスチック型１０をもとに所望の形状のリードフレー
ム１１を得る。
造する方法を提供する。 【構成】 基板１上にレジスト層２を形成し、所望のリ
ードフレームのマスクパターンを有する吸収材３とマス
ク膜４を用い、シンクロトロン放射光によるリソグラフ
ィを行なって、所望のレジストパターン５を形成する。
次にレジストパターン５に従い、電気メッキにより金属
構造体６を形成する。次に前記金属構造体６を型として
射出成形によりプラスチック型１０を形成した後、前記
プラスチック型１０をもとに所望の形状のリードフレー
ム１１を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレームの製
造方法に関し、特に、より微細なリードフレームを形成
する方法に関する。
造方法に関し、特に、より微細なリードフレームを形成
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームは、０．１２５ｍ
ｍ〜０．２５ｍｍ程度の厚さを有する金属板をプレス加
工あるいはエッチング加工することにより、その内部の
リードパターンを形成していた。
ｍ〜０．２５ｍｍ程度の厚さを有する金属板をプレス加
工あるいはエッチング加工することにより、その内部の
リードパターンを形成していた。
【０００３】しかしながら、プレス加工の場合、リード
フレームの板厚の８０％というリード間のスキマは、
０．１ｍｍ〜０．１２ｍｍとなるため、このスキマを打
ち抜くためのパンチがプレス圧に耐えきれずに折れてし
まったり、また、折れなくても大きな加工歪みが生じ
る。その結果、リードフレームの板厚の８０％程度しか
リードを細かく加工することができず、半導体のサイズ
が小さく多ピンのものについては対応がとれないという
欠点を有していた。
フレームの板厚の８０％というリード間のスキマは、
０．１ｍｍ〜０．１２ｍｍとなるため、このスキマを打
ち抜くためのパンチがプレス圧に耐えきれずに折れてし
まったり、また、折れなくても大きな加工歪みが生じ
る。その結果、リードフレームの板厚の８０％程度しか
リードを細かく加工することができず、半導体のサイズ
が小さく多ピンのものについては対応がとれないという
欠点を有していた。
【０００４】また、エッチング加工の場合、効率のよい
両面からのエッチングを行なっても、断面方向の中央部
が残って繋がったり、または、それを無理にエッチング
分離させようとすれば、両横のリード部が必要以上にエ
ッチングされ形状不良となり、安定した形成方法とはい
えなかった。
両面からのエッチングを行なっても、断面方向の中央部
が残って繋がったり、または、それを無理にエッチング
分離させようとすれば、両横のリード部が必要以上にエ
ッチングされ形状不良となり、安定した形成方法とはい
えなかった。
【０００５】係る問題を解決する方法として、特開平３
−１２３０６３に示されるように、リードフレームをプ
レス加工またはエッチング加工した後、レーザービーム
の加工工程により、さらに微細加工を施す技術が知られ
ている。特開平３−１２３０６３に示される発明により
リード間のスキマをリードフレームの板厚の７０％以下
にすることができる。
−１２３０６３に示されるように、リードフレームをプ
レス加工またはエッチング加工した後、レーザービーム
の加工工程により、さらに微細加工を施す技術が知られ
ている。特開平３−１２３０６３に示される発明により
リード間のスキマをリードフレームの板厚の７０％以下
にすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のプレス加工またはエッチング加工による技術では、リ
ードフレームの板厚の８０％以下でリード間のスキマを
形成するのは困難であった。
のプレス加工またはエッチング加工による技術では、リ
ードフレームの板厚の８０％以下でリード間のスキマを
形成するのは困難であった。
【０００７】また、特開平３−１２３０６３に従う、レ
ーザービームの加工工程を用いる方法は、レーザービー
ムにより加工される対象が、プレス加工またはエッチン
グ加工の限界によってある程度決まってしまうので、リ
ードフレームをさらに微細化し多ピン化するには制約が
あった。また、レーザービームを用いて加工するのは、
加工時間が長くなり、コスト的にも得策とはいえなかっ
た。
ーザービームの加工工程を用いる方法は、レーザービー
ムにより加工される対象が、プレス加工またはエッチン
グ加工の限界によってある程度決まってしまうので、リ
ードフレームをさらに微細化し多ピン化するには制約が
あった。また、レーザービームを用いて加工するのは、
加工時間が長くなり、コスト的にも得策とはいえなかっ
た。
【０００８】本発明の目的は、上述した従来の方法より
も、より微細な構造、例えば、インナーリード幅やリー
ド間スキマが数μｍの構造を有するリードフレームを容
易に大量に製造することができる方法を提供することに
ある。また、本発明の他の目的は、リードフレームの板
厚に関係なく、より微細な構造を有するリードフレーム
を容易に大量に製造することができる方法を提供するこ
とにある。
も、より微細な構造、例えば、インナーリード幅やリー
ド間スキマが数μｍの構造を有するリードフレームを容
易に大量に製造することができる方法を提供することに
ある。また、本発明の他の目的は、リードフレームの板
厚に関係なく、より微細な構造を有するリードフレーム
を容易に大量に製造することができる方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に従うリードフ
レームの製造方法は、基板上にレジスト層を形成した
後、レジスト層についてシンクロトロン放射光によるリ
ソグラフィを用いてレジストパターンを形成する工程
と、レジストパターンに従って基板上に金属構造体を電
気メッキにより堆積させる工程と、金属構造体を型とし
て射出成形でプラスチック型を形成する工程と、プラス
チック型をもとにして、所定の形状の導電体（リードフ
レーム）を形成する工程とを備える。
レームの製造方法は、基板上にレジスト層を形成した
後、レジスト層についてシンクロトロン放射光によるリ
ソグラフィを用いてレジストパターンを形成する工程
と、レジストパターンに従って基板上に金属構造体を電
気メッキにより堆積させる工程と、金属構造体を型とし
て射出成形でプラスチック型を形成する工程と、プラス
チック型をもとにして、所定の形状の導電体（リードフ
レーム）を形成する工程とを備える。
【００１０】プラスチック型を用いて導電体を形成する
方法には、次の場合には限定されないが、例えば、電鋳
または焼結法などを用いることができる。
方法には、次の場合には限定されないが、例えば、電鋳
または焼結法などを用いることができる。
【００１１】電鋳により導電体を形成する場合は、誘電
性プラスチックと導電性プラスチックを用いて形成した
原型に、電気メッキ等により金属構造体を析出させた
後、原型を取り除くことにより所望の形状の導電体を得
ることができる。
性プラスチックと導電性プラスチックを用いて形成した
原型に、電気メッキ等により金属構造体を析出させた
後、原型を取り除くことにより所望の形状の導電体を得
ることができる。
【００１２】また、導電体の組成は、電鋳の際、合金メ
ッキにより、所望の組成の合金とすることができる。
ッキにより、所望の組成の合金とすることができる。
【００１３】焼結により導電体を形成する場合は、導電
体の粉末を所望の形状を有する型に入れ成形した後、焼
結させることにより所望の組織の合金からなる導電体を
形成することができる。
体の粉末を所望の形状を有する型に入れ成形した後、焼
結させることにより所望の組織の合金からなる導電体を
形成することができる。
【００１４】
【作用】シンクロトロン放射光は、直進性、指向性が強
く、ほとんど平行光に近い。したがって、所望のリード
フレームのマスクパターンを有する吸収材とマスク膜を
用い、シンクロトロン放射光でレジスト層を露光するこ
とにより、前記マスク上のリードフレームのパターンを
レジスト層に高解像度に転写することができる。
く、ほとんど平行光に近い。したがって、所望のリード
フレームのマスクパターンを有する吸収材とマスク膜を
用い、シンクロトロン放射光でレジスト層を露光するこ
とにより、前記マスク上のリードフレームのパターンを
レジスト層に高解像度に転写することができる。
【００１５】また、シンクロトロン放射光は直進性、透
過性に優れているので、レジスト層の膜厚を厚く用いて
露光した場合、垂直方向に深部まで露光することができ
る。
過性に優れているので、レジスト層の膜厚を厚く用いて
露光した場合、垂直方向に深部まで露光することができ
る。
【００１６】したがって、前記露光したレジスト層を現
像することにより、μｍのオーダーの高解像度を有する
高アスペクト（縦／横）比のレジストパターンを形成す
ることができる。
像することにより、μｍのオーダーの高解像度を有する
高アスペクト（縦／横）比のレジストパターンを形成す
ることができる。
【００１７】次に、前記レジストパターンにしたがって
電気メッキにより金属構造体を堆積させた後、この金属
構造体を型として射出成形すれば、高解像度で高アスペ
クト比のプラスチック型を形成することができる。
電気メッキにより金属構造体を堆積させた後、この金属
構造体を型として射出成形すれば、高解像度で高アスペ
クト比のプラスチック型を形成することができる。
【００１８】この工程において、一回のシンクロトロン
放射光により形成された金属構造体を原型として何個も
のプラスチック型を作ることができる。
放射光により形成された金属構造体を原型として何個も
のプラスチック型を作ることができる。
【００１９】したがって、得られた複数個のプラスチッ
ク型をもとにして、電鋳などにより同一形状のリードフ
レームを大量に製造することができる。
ク型をもとにして、電鋳などにより同一形状のリードフ
レームを大量に製造することができる。
【００２０】また、リードフレームの板厚は電鋳の際の
電流密度と時間により制御できるので、微細な形状を有
する導電体を所望の板厚とすることができる。
電流密度と時間により制御できるので、微細な形状を有
する導電体を所望の板厚とすることができる。
【００２１】また、この発明にしたがう方法において、
プラスチック型をもとに形成された導電体は、アニーリ
ングすることにより、強度、延びなどの物性を向上させ
ることができる。
プラスチック型をもとに形成された導電体は、アニーリ
ングすることにより、強度、延びなどの物性を向上させ
ることができる。
【００２２】
【実施例】この発明にしたがってリードフレームを形成
する方法について、図を参照しながら以下に説明する。
する方法について、図を参照しながら以下に説明する。
【００２３】図１（ａ）を参照して、まず基板１上にＰ
ＭＭＡをベースとするレジスト層２を形成した後、所望
のリードフレームのマスクパターンに加工した吸収材３
を有するマスク膜４を用いて、シンクロトロン放射装置
（電総研ＴＥＲＡＳ）により、前記レジスト層２をシン
クロトロン放射光により露光する。次に、前記レジスト
層２を有する基板１を現像し、基板１上にレジストパタ
ーン５を形成する（図１（ｂ））。
ＭＭＡをベースとするレジスト層２を形成した後、所望
のリードフレームのマスクパターンに加工した吸収材３
を有するマスク膜４を用いて、シンクロトロン放射装置
（電総研ＴＥＲＡＳ）により、前記レジスト層２をシン
クロトロン放射光により露光する。次に、前記レジスト
層２を有する基板１を現像し、基板１上にレジストパタ
ーン５を形成する（図１（ｂ））。
【００２４】次に前記レジストパターン５を有する基板
１をメッキ液に浸け、電気メッキを行ない、レジストパ
ターンの谷間にＮｉ構造体６を堆積させる（図１
（ｃ））。この工程において、他に銅または金などを堆
積させることができる。続いて、図１（ｄ）に示すよう
に基板１とレジストパターン５を除いて得られたＮｉ構
造体６を鋳型として、誘電プラスチックのモールド材７
をＮｉ構造体６に充填する。さらに図１（ｅ）に示すよ
うにモールド材７にしたがい、誘電性プラスチック８と
導電性プラスチックシート９からプラスチック型１０を
形成する。続いて、図１（ｆ）に示すように、モールド
材７を分離してプラスチック型１０を準備する。プラス
チック型１０の谷間に電鋳によりＦｅ−４２Ｎｉ合金か
らなる金属構造体１１を堆積させる（図１（ｇ））。次
にプラスチック型１０を取り除いて、所望のリードフレ
ームのパターンを有する導電体１１を得る（図１
（ｈ））。次に導電体１１を１１０℃以上の温度下でア
ニーリングし、所望の強度、延びなどの物性の向上した
リードフレームを得る。
１をメッキ液に浸け、電気メッキを行ない、レジストパ
ターンの谷間にＮｉ構造体６を堆積させる（図１
（ｃ））。この工程において、他に銅または金などを堆
積させることができる。続いて、図１（ｄ）に示すよう
に基板１とレジストパターン５を除いて得られたＮｉ構
造体６を鋳型として、誘電プラスチックのモールド材７
をＮｉ構造体６に充填する。さらに図１（ｅ）に示すよ
うにモールド材７にしたがい、誘電性プラスチック８と
導電性プラスチックシート９からプラスチック型１０を
形成する。続いて、図１（ｆ）に示すように、モールド
材７を分離してプラスチック型１０を準備する。プラス
チック型１０の谷間に電鋳によりＦｅ−４２Ｎｉ合金か
らなる金属構造体１１を堆積させる（図１（ｇ））。次
にプラスチック型１０を取り除いて、所望のリードフレ
ームのパターンを有する導電体１１を得る（図１
（ｈ））。次に導電体１１を１１０℃以上の温度下でア
ニーリングし、所望の強度、延びなどの物性の向上した
リードフレームを得る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明にした
がえばシンクロトロン放射光を使った深いリソグラフィ
と電気メッキで高アスペクト比を有する微細な金属構造
体が得られるので、これを型として用いることで高解像
度でかつ高アスペクト比を有する導伝体を一括形成する
ことができる。したがって、この発明は、従来の金属板
をプレス加工し、エッチング加工しまたはレーザビーム
加工しリードフレームを形成する方法とまったく異な
る。
がえばシンクロトロン放射光を使った深いリソグラフィ
と電気メッキで高アスペクト比を有する微細な金属構造
体が得られるので、これを型として用いることで高解像
度でかつ高アスペクト比を有する導伝体を一括形成する
ことができる。したがって、この発明は、従来の金属板
をプレス加工し、エッチング加工しまたはレーザビーム
加工しリードフレームを形成する方法とまったく異な
る。
【００２６】本発明に従えば、プレス加工を用いないの
で、プレス加工時のリードフレーム板の加工歪が生じ
ず、また、エッチング加工時またはレーザビーム加工時
の損傷が生じないため、所望の微細なリードフレームの
パターンを忠実にまた精密に形成することができる。
で、プレス加工時のリードフレーム板の加工歪が生じ
ず、また、エッチング加工時またはレーザビーム加工時
の損傷が生じないため、所望の微細なリードフレームの
パターンを忠実にまた精密に形成することができる。
【００２７】本発明に従う微細加工は、数μｍまで可能
であり、また、リードフレームの板厚は電鋳時の電流密
度と時間により制御できるので、従来製造が困難とされ
ていたリードフレームの板厚の８０％以下のインナーリ
ード幅、リード間スペースを有するリードフレームを容
易に製造することができる。また、このようにして、リ
ードフレームの板厚に関係なく、インナーリード幅、リ
ード間スペースを数μｍまで微細化することが可能であ
る。
であり、また、リードフレームの板厚は電鋳時の電流密
度と時間により制御できるので、従来製造が困難とされ
ていたリードフレームの板厚の８０％以下のインナーリ
ード幅、リード間スペースを有するリードフレームを容
易に製造することができる。また、このようにして、リ
ードフレームの板厚に関係なく、インナーリード幅、リ
ード間スペースを数μｍまで微細化することが可能であ
る。
【００２８】また、一回のシンクロトロン放射光により
形成した金属構造体を鋳型として用いることによりプラ
スチック型を多数作ることができるので、同一形状のリ
ードフレームを大量に製造することができる。
形成した金属構造体を鋳型として用いることによりプラ
スチック型を多数作ることができるので、同一形状のリ
ードフレームを大量に製造することができる。
【００２９】本発明によりサイズの小さい、多ピンのリ
ードフレームを大量に製造することができるので、サイ
ズの小さい半導体素子の多ピン化が実現できるという効
果がある。
ードフレームを大量に製造することができるので、サイ
ズの小さい半導体素子の多ピン化が実現できるという効
果がある。
【図１】この発明の実施例において、リードフレームを
形成する工程を示す模式図である。
形成する工程を示す模式図である。
１ 基板 ２ レジスト層 ３ 吸収材 ４ マスク膜 ５ レジストパターン ６ Ｎｉ構造体 ７ モールド材 ８ 誘電性プラスチック ９ 導電性プラスチックシート １０ プラスチック型 １１ 導電体
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にレジスト層を形成した後、前記
レジスト層についてシンクロトロン放射光によるリソグ
ラフィを用いてレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンにしたがって、前記基板上に金属
構造体を電気メッキにより堆積させる工程と、 前記金属構造体を型として、射出成形でプラスチック型
を形成する工程と、 前記プラスチック型をもとにして、所定の形状の導電体
を形成する工程とを備える、リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3325600A JP3006243B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3325600A JP3006243B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160318A true JPH05160318A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3006243B2 JP3006243B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=18178694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3325600A Expired - Fee Related JP3006243B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006243B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-10 JP JP3325600A patent/JP3006243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3006243B2 (ja) | 2000-02-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991026 |
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