JPH05160055A - 炉芯管 - Google Patents
炉芯管Info
- Publication number
- JPH05160055A JPH05160055A JP34416891A JP34416891A JPH05160055A JP H05160055 A JPH05160055 A JP H05160055A JP 34416891 A JP34416891 A JP 34416891A JP 34416891 A JP34416891 A JP 34416891A JP H05160055 A JPH05160055 A JP H05160055A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- quartz
- tubes
- flange
- quartz tube
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炉芯管外からの汚染を防ぐ。
【構成】 一端が開放状態で、他端が閉成状態である３
本以上の石英管で構成した炉芯管。３本以上の石英管を
重ねて三重管以上の多重管構造にする。
本以上の石英管で構成した炉芯管。３本以上の石英管を
重ねて三重管以上の多重管構造にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェーハ処理
に使用する炉芯管に関する。
に使用する炉芯管に関する。
【０００２】
【従来の技術】縦型の炉芯管を例にとって説明すると、
全体が透明石英管で構成されていて、上端が閉成状態
で、下端が開放状態になっており、管内で半導体ウェー
ハを処理するようになっている。
全体が透明石英管で構成されていて、上端が閉成状態
で、下端が開放状態になっており、管内で半導体ウェー
ハを処理するようになっている。
【０００３】従来、２本の石英管（外管と内管）を重ね
て二重管構造とし、まず、それらの外管と内管との間の
空隙に処理ガスを流すことにより、徐々に加熱し、しか
るのち炉内に流入させ、その結果、炉内でウェーハ表面
に酸化膜を形成する酸化速度を増加させていた。
て二重管構造とし、まず、それらの外管と内管との間の
空隙に処理ガスを流すことにより、徐々に加熱し、しか
るのち炉内に流入させ、その結果、炉内でウェーハ表面
に酸化膜を形成する酸化速度を増加させていた。
【０００４】このような従来の二重管構造の縦型炉芯管
は、内管と外管が溶接で一体物として構成されていた。
は、内管と外管が溶接で一体物として構成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】石英は、特にＦｅやＣ
ｕの不純物を通しやすい材料であるので、従来の二重管
構造の炉芯管は、炉外のＦｅやＣｕの汚染物が石英管を
通過して炉芯管内のウェーハを汚染する欠点がある。
ｕの不純物を通しやすい材料であるので、従来の二重管
構造の炉芯管は、炉外のＦｅやＣｕの汚染物が石英管を
通過して炉芯管内のウェーハを汚染する欠点がある。
【０００６】また、内管と外管を溶接で一体化した場
合、取扱いが困難になる。
合、取扱いが困難になる。
【０００７】本発明は、ＦｅやＣｕの汚染物が石英管を
通過して炉芯管内のウェーハを汚染することを防止する
ことを目的としている。
通過して炉芯管内のウェーハを汚染することを防止する
ことを目的としている。
【０００８】本発明の別の目的は取扱いの容易な炉芯管
を提供することである。
を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、一端が開放状
態で、他端が閉成状態である複数の石英管によって多重
管構造に構成した半導体ウェーハ処理用の炉芯管におい
て、３本以上の石英管を重ねて三重管以上の多重管構造
にしたことを特徴とする炉芯管を要旨としている。
態で、他端が閉成状態である複数の石英管によって多重
管構造に構成した半導体ウェーハ処理用の炉芯管におい
て、３本以上の石英管を重ねて三重管以上の多重管構造
にしたことを特徴とする炉芯管を要旨としている。
【００１０】
【作用】３本以上の石英管を重ねるので、空隙が２層以
上形成される。そのうちの少くとも一層の空隙は処理ガ
スをウェーハ処理管内に流す前にその導入ガスを徐々に
加熱するのに使用し、他の空隙を汚染の防止に使用す
る。
上形成される。そのうちの少くとも一層の空隙は処理ガ
スをウェーハ処理管内に流す前にその導入ガスを徐々に
加熱するのに使用し、他の空隙を汚染の防止に使用す
る。
【００１１】
【実施例】図１は以下に述べる第１，第２及び第４実施
例に共通する本発明の縦型炉芯管の平面図である。炉芯
管以外の手段は従来公知の縦型炉のものをそのまま又は
少し修正して利用できるので、図示及び説明を省略す
る。
例に共通する本発明の縦型炉芯管の平面図である。炉芯
管以外の手段は従来公知の縦型炉のものをそのまま又は
少し修正して利用できるので、図示及び説明を省略す
る。
【００１２】第１実施例 図２〜３は本発明の好適な１つの実施例を示している。
【００１３】３本の石英管１、２、３を重ねて配置して
三重管構造を形成している。これらの石英管１、２、３
は全体が透明な円管であり、同心に配置されている。各
石英管１、２、３は、上端がドーム状の閉成状態で、下
端が完全な開放状態になっている。
三重管構造を形成している。これらの石英管１、２、３
は全体が透明な円管であり、同心に配置されている。各
石英管１、２、３は、上端がドーム状の閉成状態で、下
端が完全な開放状態になっている。
【００１４】各石英管１、２、３の下端には第１フラン
ジ４、５、６が外向きに一体に形成されている。内側の
石英管１の第１フランジ４の少し上方に同様の第２フラ
ンジ７が外向きに一体に形成されていて、そこに中間の
石英管２の第１フランジ５が載置されている。その中間
の石英管２の第１フランジ５の少し上方に同様の第２フ
ランジ８が外向きに一体に形成されていて、そこに外側
の石英管３の第１フランジ６が載置されている。
ジ４、５、６が外向きに一体に形成されている。内側の
石英管１の第１フランジ４の少し上方に同様の第２フラ
ンジ７が外向きに一体に形成されていて、そこに中間の
石英管２の第１フランジ５が載置されている。その中間
の石英管２の第１フランジ５の少し上方に同様の第２フ
ランジ８が外向きに一体に形成されていて、そこに外側
の石英管３の第１フランジ６が載置されている。
【００１５】前述のフランジ４〜８はすべて透明な石英
である。
である。
【００１６】３本の石英管１、２、３はフランジ５〜８
によって互いに上下で受ける形で着脱自在に組み立てら
れており、上方に引上げれば簡単に取り外しが行える。
によって互いに上下で受ける形で着脱自在に組み立てら
れており、上方に引上げれば簡単に取り外しが行える。
【００１７】３本の石英管１、２、３の間には２層の空
隙が所定の間隔で形成されている。
隙が所定の間隔で形成されている。
【００１８】内側の石英管１の第１フランジ４と第２フ
ランジ７との間には１本の細い円管状の透明石英製のパ
イプ１０が内部に通じるように固定されている。中間の
石英管２の第１フランジ５と第２フランジ８との間にも
１本の細い円管状の透明石英製のパイプ１１が内部に通
じるように固定されている。このパイプ１１の外端部は
例えばラッパ状に拡がっている。外側の石英管３の側面
には対向する上下位置に２本の細い円管状の透明石英製
のパイプ１２、１３が内部に通じるように固定されてい
る。これらのパイプ１２、１３の外端には、例えばそれ
ぞれ小さなフランジが付いている。
ランジ７との間には１本の細い円管状の透明石英製のパ
イプ１０が内部に通じるように固定されている。中間の
石英管２の第１フランジ５と第２フランジ８との間にも
１本の細い円管状の透明石英製のパイプ１１が内部に通
じるように固定されている。このパイプ１１の外端部は
例えばラッパ状に拡がっている。外側の石英管３の側面
には対向する上下位置に２本の細い円管状の透明石英製
のパイプ１２、１３が内部に通じるように固定されてい
る。これらのパイプ１２、１３の外端には、例えばそれ
ぞれ小さなフランジが付いている。
【００１９】内側の石英管１と中間の石英管２との間の
空隙には従来と同様に炉内での酸化速度を増すために処
理ガスを流す。すなわち、パイプ１１からウェーハ表面
に酸化膜を形成するための処理ガスを例えば１０〜２０
ｍｌ／ｍｉｎの速度で流す。処理ガスは、その空隙を石
英管１，２の上端に向けて流れていき、内側の石英管１
の上端に形成された多数の小孔（図示せず）から炉芯管
内に流入する。さらに、処理ガスは炉芯管内を下方に流
れ、その間にウェーハ表面に酸化膜を形成させる。その
後、処理ガスはパイプ１０から排出される。
空隙には従来と同様に炉内での酸化速度を増すために処
理ガスを流す。すなわち、パイプ１１からウェーハ表面
に酸化膜を形成するための処理ガスを例えば１０〜２０
ｍｌ／ｍｉｎの速度で流す。処理ガスは、その空隙を石
英管１，２の上端に向けて流れていき、内側の石英管１
の上端に形成された多数の小孔（図示せず）から炉芯管
内に流入する。さらに、処理ガスは炉芯管内を下方に流
れ、その間にウェーハ表面に酸化膜を形成させる。その
後、処理ガスはパイプ１０から排出される。
【００２０】なお、内側の石英管１の上端に形成する小
孔の個数は約３００個にし、各小孔の直径は２〜５ｍｍ
に設定するのが好ましい。これらの小孔は、同心円状又
は格子状に所定間隔毎に配置する。
孔の個数は約３００個にし、各小孔の直径は２〜５ｍｍ
に設定するのが好ましい。これらの小孔は、同心円状又
は格子状に所定間隔毎に配置する。
【００２１】外側の石英管３と中間の石英管２との間の
空隙にはＮ2 やＡｒ等の汚染防止ガスを流し、それによ
って外側の石英管３外からの汚染を防止して、内側の石
英管１内のクリーン度を高める。すなわち、パイプ１２
から空隙内にＮ2 やＡｒ等の汚染防止ガスを１０〜５０
ｍｌ／ｍｉｎの速度で流入させる。汚染防止ガスは石英
管３の上端に向かって流れていき、その間にその石英管
３を通過した汚染物（ＦｅやＣｕ）をとりこんで、最終
的にパイプ１３から排出される。
空隙にはＮ2 やＡｒ等の汚染防止ガスを流し、それによ
って外側の石英管３外からの汚染を防止して、内側の石
英管１内のクリーン度を高める。すなわち、パイプ１２
から空隙内にＮ2 やＡｒ等の汚染防止ガスを１０〜５０
ｍｌ／ｍｉｎの速度で流入させる。汚染防止ガスは石英
管３の上端に向かって流れていき、その間にその石英管
３を通過した汚染物（ＦｅやＣｕ）をとりこんで、最終
的にパイプ１３から排出される。
【００２２】フランジ４〜８は表面を鏡面仕上げにし
て、面シールの効果をあげるのが好ましい。フランジ４
〜８にテーパをつけてもよい。さらに、Ｏリング等のパ
ッキン類を使用してシールしたり、互いに接するフラン
ジ５と７、６と８をクランプ手段（図示せず）で締めた
りしてシール作用を高めることもできる。
て、面シールの効果をあげるのが好ましい。フランジ４
〜８にテーパをつけてもよい。さらに、Ｏリング等のパ
ッキン類を使用してシールしたり、互いに接するフラン
ジ５と７、６と８をクランプ手段（図示せず）で締めた
りしてシール作用を高めることもできる。
【００２３】パッキン類としてテフロン部材のものを使
用するときは、その近くだけ石英管１，２，３は不透明
石英で形成し、炉内温度（通常８００〜１０００℃）を
外部に伝達しないようにするのが好ましい。さらに、そ
の付近に冷却手段（図示せず）を設けてもよい。
用するときは、その近くだけ石英管１，２，３は不透明
石英で形成し、炉内温度（通常８００〜１０００℃）を
外部に伝達しないようにするのが好ましい。さらに、そ
の付近に冷却手段（図示せず）を設けてもよい。
【００２４】第２実施例 図４〜５の実施例は、３本の石英管１、２、３の上端が
すべて平坦になっている。上端以外の構造は図２〜３の
実施例と同一である。
すべて平坦になっている。上端以外の構造は図２〜３の
実施例と同一である。
【００２５】第３実施例 図６〜８の実施例は、３本の石英管１、２、３の上端が
縦断面凸形になっている。凸部はすべて小さな円管状
で、同心に配置されており、内側から外側に向かって少
しずつ直径が大きくなっていて所定の隙間が形成されて
いる。上端以外の構造は図２〜３の実施例と同一であ
る。
縦断面凸形になっている。凸部はすべて小さな円管状
で、同心に配置されており、内側から外側に向かって少
しずつ直径が大きくなっていて所定の隙間が形成されて
いる。上端以外の構造は図２〜３の実施例と同一であ
る。
【００２６】実施例４ 図９〜１０の実施例は、３本の石英管１、２、３の上端
がほぼ円錐状をしていて、全体的に丸みをもっている。
上端以外の構造は、図２〜３の実施例と同一である。
がほぼ円錐状をしていて、全体的に丸みをもっている。
上端以外の構造は、図２〜３の実施例と同一である。
【００２７】変形例 前述の４つの実施例は縦型の三重管のみであったが、本
発明は横型でもよく、また四重管等の多重管構造も含む
ものである。
発明は横型でもよく、また四重管等の多重管構造も含む
ものである。
【００２８】複数の石英管は組み立て及び取り外しを容
易にするために前述のようにフランジ載置形式が好まし
いが、本発明はそれに限定されるものではない。例え
ば、内側の石英管１と中間の石英管２は溶接して固定
し、外側の石英管３のみをフランジ載置方式にしてもよ
い。場合によっては、３本の石英管１、２、３をすべて
溶接で固定してもよい。
易にするために前述のようにフランジ載置形式が好まし
いが、本発明はそれに限定されるものではない。例え
ば、内側の石英管１と中間の石英管２は溶接して固定
し、外側の石英管３のみをフランジ載置方式にしてもよ
い。場合によっては、３本の石英管１、２、３をすべて
溶接で固定してもよい。
【００２９】
【発明の効果】本発明による炉芯管は三重管以上の多重
管構造になっているので、１つの空隙にウェーハ処理ガ
スを流して炉内に流入する前に徐々に加熱することがで
きると同時に、汚染防止ガスを別の空隙に流して外側の
石英管を通過してきた汚染物が炉芯管内へ侵入すること
を防止することができる。
管構造になっているので、１つの空隙にウェーハ処理ガ
スを流して炉内に流入する前に徐々に加熱することがで
きると同時に、汚染防止ガスを別の空隙に流して外側の
石英管を通過してきた汚染物が炉芯管内へ侵入すること
を防止することができる。
【００３０】また、複数の石英管をフランジ載置方式で
組み立てる場合は、組立てと取り外しが容易であり、取
り扱いが簡便となり、しかも一部の石英管が破損したと
き、それだけを取り換えることが可能となり、修理が安
価かつ簡単になる。
組み立てる場合は、組立てと取り外しが容易であり、取
り扱いが簡便となり、しかも一部の石英管が破損したと
き、それだけを取り換えることが可能となり、修理が安
価かつ簡単になる。
【図１】本発明による縦型炉芯管の平面図。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿った第１実施例の断面図。
【図３】図１のＹ−Ｙ線に沿った第１実施例の断面図。
【図４】図１のＸ−Ｘ線に沿った第２実施例の断面図。
【図５】図１のＹ−Ｙ線に沿った第２実施例の断面図。
【図６】第３実施例による縦型炉芯管の平面図。
【図７】図６のＸ−Ｘ線に沿った第３実施例の断面図。
【図８】図６のＹ−Ｙ線に沿った第３実施例の断面図。
【図９】図１のＸ−Ｘ線に沿った第４実施例の断面図。
【図１０】図１のＹ−Ｙ線に沿った第４実施例の断面
図。
図。
１ 内側の石英管 ２ 中間の石英管 ３ 外側の石英管 ４ 第１フランジ ５ 第１フランジ ６ 第１フランジ ７ 第２フランジ ８ 第２フランジ １０ パイプ １１ パイプ １２ パイプ １３ パイプ
Claims (1)
- 【請求項１】 一端が開放状態で、他端が閉成状態であ
る複数の石英管によって多重管構造に構成した半導体ウ
ェーハ処理用の炉芯管において、３本以上の石英管を重
ねて三重管以上の多重管構造にしたことを特徴とする炉
芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34416891A JPH05160055A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 炉芯管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34416891A JPH05160055A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 炉芯管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160055A true JPH05160055A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18367151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34416891A Pending JPH05160055A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 炉芯管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160055A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343722A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 減圧ｃｖｄ用石英ガラス炉心管 |
| JP2005072386A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US20140123897A1 (en) * | 2011-09-08 | 2014-05-08 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Plasma generation apparatus, cvd apparatus, and plasma-treated particle generation apparatus |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP34416891A patent/JPH05160055A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343722A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 減圧ｃｖｄ用石英ガラス炉心管 |
| JP2005072386A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US20140123897A1 (en) * | 2011-09-08 | 2014-05-08 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Plasma generation apparatus, cvd apparatus, and plasma-treated particle generation apparatus |
| US10297423B2 (en) * | 2011-09-08 | 2019-05-21 | Toshiba Mitsubishi—Electric Industrial Systems Corporation | Plasma generation apparatus, CVD apparatus, and plasma-treated particle generation apparatus |
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