JPH05158022A

JPH05158022A - 液晶ディスプレイの製造方法、および画像表示装置

Info

Publication number: JPH05158022A
Application number: JP32460091A
Authority: JP
Inventors: 正一郎 ▲高▼山; Shoichiro Takayama
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1991-12-09
Filing date: 1991-12-09
Publication date: 1993-06-25

Abstract

(57)【要約】【目的】小型で、見かけ上充分な大きさの画像を提供
する画像表示装置を実現する。【構成】シリコンウェハー１８に複数枚のガラス基板
２を組み込み、ＬＣＤのパターン形成と周辺回路のパタ
ーン作成を統合し、さらにこの作業を同一のシリコンウ
ェハー１８上のすべてのガラス基板２に対して同時に行
なうようにした。また、ＬＣＤモジュール３３によって
形成された画像を、光源３１、レンズ３２等からなる光
学系を通して見るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイ（以
下、ＬＣＤと略称する）表示装置に関し、特に、小型の
ＬＣＤ上に形成された画像を拡大して表示する装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＬＣＤは、陰極線管ディスプレイ
と比べて薄型、軽量であり、さらに防爆処理が不要であ
ること、フォーカスの問題が無いこと、消費電力が小さ
いことなどの利点により、腕時計や携帯用コンピュータ
をはじめとして、種々の用途に応用されており、近年の
市場の拡大と共に、これらＬＣＤを表示装置として採用
した製品が急激に増加している。

【０００３】これらの表示装置には、通常アクティブ・
マトリクス型のＬＣＤが用いられ、中でも一般的なもの
は、薄膜トランジスタ（以下、単にＴＦＴと略称する）
型と呼ばれるものである。このＴＦＴ型ＬＣＤの構成の
一例を、図１０に示す。図において、１は下部偏光板、
２はガラス基板、３は画素電極、４は配向膜、５は対向
電極、６は上部偏光板、７はソースバスライン、８はゲ
ートバスラインである。

【０００４】下部偏光板１と上部偏光板６は、偏光角が
相等しくなるように設けられている。画素電極３と対向
電極５の間には、図示しない液晶が封入されている。ソ
ースバスライン７およびゲートバスライン８は、マトリ
クス状に並んだ画素電極３に対応して複数本並んでい
る。

【０００５】また、ソースバスライン７とゲートバスラ
イン８が交差する位置の近傍には、ＴＦＴ９が設けられ
ており、このＴＦＴ９の端子は、ソース端子がソースバ
スライン７に、ゲート端子がゲートバスライン８に、ド
レイン端子が画素電極３にそれぞれ電気的に接続されて
いる。各々のソースバスライン７には、図示しないドラ
イバ回路から、パルス状の第１の駆動信号が入力されて
いる。この駆動信号は、一定の周期を持ち、かつ複数の
ソースバスライン７に同時に入力されることはない。ま
た、ゲートバスライン８には、やはり図示しないドライ
バ回路から、第２の駆動信号が入力される。この第２の
駆動信号は、第１の駆動信号と異なり、一定の周期を持
つものではなく、表示すべき画像に応じてドライバ回路
によって切り替えられるものである。具体的には、特定
のソースバスライン７とゲートバスライン８に同時に駆
動信号が入力されると、これらに接続されたＴＦＴ９の
スイッチング作用により、接続されたＴＦＴ９につなが
る画素電極３と対向電極５の間に電流が流れる。

【０００６】このとき、ソースバスライン７およびゲー
トバスライン８の各々一本のみに駆動信号が入力される
と、電流が流れる画素電極３は必ずひとつである。この
ようにして、画素電極３が選択され、通電される。実際
には、第１の駆動信号を流すべきソースバスライン７を
高速で切り替え、これに対応して第２の駆動信号を流す
べきゲートバスライン８をも切り替えることにより、二
次元的に並んだ画素電極３の中から、任意のものを選択
し、肉眼には、あたかも複数の画素電極が同時に選択さ
れているかのような視覚的効果を、発生させることがで
きる。

【０００７】画素電極３に通電すると、液晶の配列が変
化し、偏光角が変わる。通電前には、液晶の偏光角は、
下部偏光板１および上部偏光板６と平行であるが、画素
電極３に通電することによって、液晶の偏光角が下部偏
光板１および上部偏光板６とは平行でなくなる。このた
め、画素電極３に通電した部分においては、光線が透過
不可能となる。このため、たとえばＬＣＤの一側面に図
示しない光源を設ければ、光源の反対側からは、画素電
極３に通電していない部分のみ、明るく光って見えるこ
とになる。また、光源に代えて、やはり図示しない反射
鏡を設ければ、やはり同様の効果を得ることができる。

【０００８】ところで、このＬＣＤにおいては、現在多
結晶シリコン型と呼ばれるものが主流を占めている。こ
れは、主としてテレビや携帯用コンピュータの分野で画
面を大きくしたいとする要請に応えようとするものであ
る。

【０００９】図１１に、多結晶シリコン型ＬＣＤのパタ
ーンの製法の一例を示す。図において、１０は多結晶シ
リコン膜、１１はゲート絶縁膜、１２はゲート電極、１
３はソース領域、１４はドレイン領域、１５は層間絶縁
膜１５、１６はコンタクトホールである。その他の符号
は、図１０と同じものを示す。

【００１０】図１１（ａ）に示すごとく、まず気相化学
析出法によって、ガラス基板２上に多結晶シリコン膜１
０をデポジットし、フォトリソグラフィによって、所定
のパターンを形成する。続いて熱酸化法により、多結晶
シリコン膜１０上にゲート絶縁膜１１を形成する。次い
で、図１１（ｂ）に示すごとく、再度気相化学析出法と
フォトリソグラフィによって、ゲート絶縁膜１１上に多
結晶シリコンのゲート電極１２を形成し、さらにゲート
絶縁膜１１の内部に燐イオンを打ち込んで、多結晶シリ
コン膜１０内の所定の位置に、ソース領域１３およびド
レイン領域１４を形成する。

【００１１】その後、図１１（ｃ）に示すごとく、再度
気相化学析出法によって、二酸化硅素の層間絶縁膜１５
をデポジットし、フォトリソグラフィによってコンタク
トホール１６を開口させ、ソース領域１３およびドレイ
ン領域１４を一部露出させる。パターン形成の最後の工
程として、図１１（ｄ）に示すごとく、スパッタリング
によって透明膜電極を形成し、フォトリソグラフィによ
って画素電極３とビデオ信号線１７を形成する。

【００１２】このようにしてパターンおよびＴＦＴをガ
ラス基板上に形成した後に、基盤を洗浄し、ポリイミド
の配向膜を塗布し、配向膜にラビングを行なって液晶の
配向に必要な特定の方向の擦り傷をつけ、偏光板を圧着
し、液晶を封入して、最後にドライバＩＣを実装する。
また、最近では、パターン形成時に、ドライバＩＣを同
一のガラス基板上に同時に形成することも行なわれてい
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の多結晶
シリコン型ＬＣＤは、対角線長が５インチ程度と大きい
ものが多く、たとえばパターン形成の工程で、通常のＩ
Ｃなどと異なり、一枚ずつパターンを形成することを余
儀なくされ、生産スループットの向上が困難であり、生
産設備そのものも大規模になりがちであった。このこと
は、ＬＣＤのコストを削減するうえでの大きな障害のひ
とつであった。本発明は、以上に述べた課題を解決し、
低コストのＬＣＤを提供すると共に、従来のごとくサイ
ズの大きなＬＣＤに頼ることなく、大画面化の要請に応
えられる高速のＬＣＤ表示装置を提供することを目的と
する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このため、本発明のＬＣ
Ｄ製造方法においては、シリコンウェハー上にガラス基
板を挿入するための孔を設ける工程と、この孔にガラス
基板を挿入する工程と、シリコンウェハー上に電子回路
を構成する工程と、ガラス基板上にＬＣＤを形成する工
程と、シリコンウェハー上の電子回路とＬＣＤとの間で
配線を行なう工程とを設けた。また、本発明のＬＣＤ表
示装置においては、ＬＣＤによって作られた虚像を光学
的に拡大して見るための光学系を設けた。

【００１５】

【作用】通常のＩＣ製造に用いられるシリコンウェハー
に複数枚のガラス基板を組み込み、ＬＣＤのパターン形
成と周辺回路のパターン作成を統合し、さらにこの作業
を同一のシリコンウェハー上のすべてのガラス基板に対
して同時に行なうようにした。また、小型のＬＣＤによ
って大画面化の要請に応えるために、ＬＣＤの画像を光
学的に拡大して見るようにした。

【００１６】

【実施例】以下、適宜図面を参照しつつ、本発明の一実
施例について説明を行う。図２は、シリコンウェハーの
下加工を示す説明図である。図において、１８はシリコ
ンウェハー、１９はシリコンウェハー１８に開けられた
ＬＣＤ保持用の孔である。孔１９の大きさは、後述する
透明ガラス基板よりもわずかに大きいものが望ましい。
その理由は、透明ガラス基板の寸法公差などを吸収する
必要があるからである。また、孔１９の開け方として
は、要求される大きさよりもやや小さめの下穴を切削な
どの方法によって開けておき、エッチングによって所定
の大きさにするなどの方法がある。

【００１７】図３ないし図６は、シリコンウェハー１８
上の素子分離工程の概略を示す断面図である。各図にお
いて、２０は熱酸化膜、２１は窒化硅素膜、２２はフォ
トレジストである。また、図２に既出の参照符号につい
ては、図２と同じ意味に用いるものとして、その説明を
省略する。以下についても、既出の図面に用いられた参
照符号については、同様に扱うものとする。

【００１８】熱酸化法により、図３に示すように、シリ
コンウェハー１８の表面上に、二酸化硅素の熱酸化膜２
０を形成する。次いで、この熱酸化膜２０の上に窒化硅
素膜２１を気相化学成長法により形成する。続いて、熱
酸化膜２０上の全面にスピンコータなどにより均一にフ
ォトレジスト２２をかけ、この上に所定の電子回路パタ
ーンを印刷したガラスマスク２３を重ね、図示しない光
源を用いて、ガラスマスク２３を通してフォトレジスト
２２に紫外線を照射する。

【００１９】この後、エッチングを行なう。即ち、紫外
線照射後のシリコンウェハー１８を現像液に浸すと、紫
外線に感光した部分のフォトレジスト２２が溶解し、熱
酸化膜２０が露出する。ここで、シリコンウエハー１８
を酸化硅素の腐食性溶液に漬けると、露出した部分の窒
化硅素膜２１および熱酸化膜２０が除去される。こうし
て、シリコンウェハー１８上には、ガラスマスク２３上
に印刷されたパターンに対応する形状に、熱酸化膜２０
が残留する。

【００２０】また、酸化硅素の腐食性溶液を用いる代わ
りに、プラズマ状態の反応性ガス雰囲気の中に、電界を
シリコンウエハー１８に垂直に形成し、この電解の作用
によってイオンをシリコンウエハー１８の表面に垂直に
ぶつけることによって、熱酸化膜２０を除去する方法も
知られている。これは反応性イオンエッチングと呼ばれ
るもので、エッチング中にパターンが腐食しないという
長所を持つため、超ＬＳＩなどの高密度パターンを作成
するときに多用される。

【００２１】次いで、図４に示すごとくに、矢印Ａの向
きにチャネルストップイオン注入を行なう。これは、図
６に示されるトランジスタのソース領域１３及びドレイ
ン領域１４をシリコンウェハー１８上に形成する工程で
ある。この時点で、フォトレジスト２２は不要となるの
で、酸素プラズマを用いてアッシング処理を行ない、フ
ォトレジスト２２を完全に取り除く。この後、シリコン
ウェハー１８を高温の水蒸気雰囲気中で酸化し、窒化硅
素膜２１で覆われていない部分に熱酸化膜２４を成長さ
せる。その後、図５に示すように、窒化硅素膜２１、お
よび窒化硅素膜２１の下の熱酸化膜２４を除去する。

【００２２】次に、再び表面に熱酸化膜２０を形成す
る。この熱酸化膜２０は、ゲート酸化膜２０ａとして、
後述するゲート電極１２をシリコンウェハー１８上のソ
ース領域１３及びドレイン領域１４から絶縁する働きを
持つ。次いで、再びスピンコータによって図示しないフ
ォトレジストをかけて、フォトリソグラフィにより、窒
化硅素膜２１を除去した領域のフォトレジストに穴を開
け、チャネルイオン注入を行なう。この後、フォトレジ
ストを完全に除去し、シリコンウェハー１８の全面を洗
浄してから、気相化学成長法により、全面に多結晶シリ
コンを堆積させる。また、この多結晶シリコンに代え
て、電気抵抗を低減するために、シリサイドをスパッタ
リングによって堆積させることもある。

【００２３】次に、前述の工程と同様に表面にフォトレ
ジストをかけて紫外線を照射し、さらに表面に堆積した
多結晶シリコンあるいはシリサイドにエッチングを施し
て、図６に示すごとく、ゲート電極１２を形成する。そ
の後、ソース領域１３及びドレイン領域１４にイオン注
入を行なう。その後、化学気相成長法により、酸化硅素
に燐を追加した材質の層間絶縁膜１５を形成する。層間
絶縁膜１５の形成後、高温のリフロー処理を行なって絶
縁膜の表面を平滑化する。

【００２４】この後、フォトリソグラフィにより、配線
の取り出し口にコンタクトホールを形成し、さらに全面
にアルミ合金をスパッタリングし、エッチングによって
アルミ合金の配線パターンを形成する。最後に、窒化硅
素膜を気相化学成長法により形成するなどの方法によ
り、表面にパシベーション膜２５を形成する。

【００２５】図７は、パシベーション膜２５を形成した
後の、シリコンウェハー１８上の半導体素子の一例を示
す断面図である。図において、２０ａはゲート酸化膜、
２０ｂはフィールド酸化膜であり、これらはいずれも前
述の熱酸化法により最初に形成された熱酸化膜２０の一
部である。

【００２６】パシベーション膜２５の形成後、ＬＣＤを
形成するための透明ガラス基板２を、シリコンウエハー
１８上の孔１９に挿入し、固定する。この固定のために
は、孔１９の周囲と透明ガラス基板２との間に、エポキ
シ系樹脂などの耐熱性のポリマーを注入して固めるのが
良い。また、本実施例においてシリコンウェハー１８上
にパシベーション膜を形成してから透明ガラス基板を挿
入するのは、シリコンウェハー１８上の電子回路パター
ンをパシベーション膜２５によって保護するためであ
る。従って、パシベーション膜２５以外の手段によっ
て、シリコンウェハー１８上の電子回路パターンあるい
はシリコンウェハー１８そのものを有効に保護すること
が可能であれば、この順序を入れ替えても差しつかえな
い。

【００２７】次に、この透明ガラス基板２上にＴＦＴ９
及び画素電極３を形成し、同時にマトリクス状にゲート
バスライン８及びソースバスライン７を配線する。この
時、シリコンウェハー１８に複数の透明ガラス基板２が
挿入されていれば、これらのすべてについて同時に作業
を行なうことが望ましい。また、従来の技術の項におい
て述べたごとく、透明ガラス基板２上にＴＦＴ９を形成
するプロセスは、基本的にシリコンウェハー１８上に電
子回路パターンを形成するプロセスと同様のものである
ので、これらの作業を同一の生産ライン上において行な
っても、何ら問題を生じない。また、ＴＦＴ９は、高精
細のＬＣＤにおいてもなお、通常のＩＣに比べて低い集
積度および精度で構わないので、ＴＦＴ９の製造に際し
ては、シリコンウェハー１８上に電子回路パターンを形
成する生産ラインと同程度の加工性能を持つものであれ
ばよく、精度あるいは集積度の点で、とくに配慮を要す
るものではない。

【００２８】現在では、ＬＣＤの歩留まり向上の目的
で、ひとつの画素電極に対して複数のＴＦＴ９を形成
し、完成後に生産ライン内部で動作試験を行ない、正常
なＴＦＴ９のみを残して、不良のＴＦＴ９を動作させな
いように配線を切断するという技術が用いられている
が、このような技術の採用の如何にかかわらず、ＴＦＴ
９の製造に要求される精度あるいは集積度が、通常のＩ
Ｃに比べて低いレベルで構わないことは変わりない。

【００２９】次いで、透明ガラス基板２の裏側に、下部
偏光板１を接着する。さらにＴＦＴ９の上に保護膜２
７、および下部配向膜２８を塗布する。このうち下部配
向膜２８は、後述する液晶分子の向きを特定方向に強制
的に揃え、半固定状態にするものである。下部配向膜２
８としては、ポリイミドを用い、また塗布後に下部配向
膜２８に上記の作用を持たせるために、特定の材料を用
いてラビングを行なう。このラビング工程においては、
シリコンウェハー１８の保護のために、特に孔１９の周
囲を適切な材質でマスキングすることが望ましい。この
マスキングの目的に前述のパシベーション膜２５を充て
ても特に問題は無いが、この場合には、シリコンウェハ
ー１８上の電子回路パターンへの影響の有無を充分に評
価することが必要である。

【００３０】次に、透明ガラス基板２と同一寸法の上部
ガラス基板２９の表面に、対向電極５を形成し、さらに
その上に上部配向膜３０を塗布する。この上部配向膜３
０に対しても、同様にラビングを行なうが、このラビン
グによって付けられる擦り傷の向きは、ＬＣＤが完成し
た時点において、下部偏光板１と下部配向膜２８、およ
び後述する上部偏光板３７と上部配向膜３０の間で、そ
れぞれ平行でなければならない。また、下部偏光板１と
上部偏光板６との間では、偏光角はツイスティッド・ネ
マティック型であれば９０度、スーパー・ツイスティッ
ド・ネマティック型であればそれ以上となる。

【００３１】次に、上部ガラス基板２９の表面上、上部
配向膜３０の反対側に、上部偏光板６を接着する。この
時、偏光角は、上述の条件を満足しなければならない。
次に、上部ガラス基板２９を孔１９に挿入する。この
時、上部配向膜３０と下部配向膜２８の間に、図示しな
い棒状、あるいは球状のグラスファイバやプラスティッ
クボールなどのギャップ材を撒いて、一定の間隔と平行
度を確保する。この時、上部配向膜３０と下部配向膜２
８の間隔は、通常１μｍ程度である。

【００３２】この後、上部配向膜３０と下部配向膜２８
との間に、液晶を封入し、ソースバスライン、ゲートバ
スライン、および対向電極５と、シリコンウェハー１８
上の所定の位置との間で、ワイヤボンディングを行な
う。この後、シリコンウェハー１８を所定の位置で切断
して、ＬＣＤモジュールが完成する。

【００３３】次に、このようにして形成された小型のＬ
ＣＤモジュールを用いたＬＣＤ表示装置の構成について
説明する。図１は、前述のＬＣＤモジュールを用いたＬ
ＣＤ表示装置の光学系の構成の概略を示す断面図であ
る。図において、３１は光源、３２はレンズ、３３は透
過式のＬＣＤモジュール、３４はレンズ群、３５はカラ
ー・フィルタ、３６はダイクロイック・ミラー、３７は
接眼部である。光源３１は白色光源とする。また、カラ
ー・フィルタ３５ａ、３５ｂ、および３５ｃは、それぞ
れ赤、緑、青の光線を選択的に透過する働きを持つ。

【００３４】光源３１は、ＬＣＤ表示装置の使用中常時
点灯しており、レンズ３２を介して、ＬＣＤモジュール
３３ａ、３３ｂ、および３３ｃをそれぞれ照らす。この
ＬＣＤモジュール３３ａ、３３ｂ、および３３ｃは、そ
れぞれ赤、緑、青の画像成分を生成する。このＬＣＤモ
ジュール３３ａ、３３ｂ、および３３ｃ、次いでレンズ
群３４を透過した段階では、光線は可視領域の総ての波
長成分を含む白色光であるが、次にカラー・フィルタ３
５ａ、３５ｂ、および３５ｃを透過する際に、それぞ
赤、緑、青の波長成分のみが取り出される。

【００３５】カラー・フィルタ３５ａを透過した赤色光
は、ダイクロイック・ミラー３６ａを、向きを変えない
まま透過する。これに対し、カラー・フィルタ３５ｂを
透過した緑色光は、ダイクロイック・ミラー３６ａによ
って９０度向きを変えられ、ダイクロイック・ミラー３
６ａの透過後、赤色光と重なって、平行に進む。同様
に、赤色光および緑色光は、ダイクロイック・ミラー３
６ｃを、向きを変えないまま透過するが、カラー・フィ
ルタ３５ｃを透過した青色光は、ダイクロイック・ミラ
ー３６ｂによって９０度向きを変えられ、ダイクロイッ
ク・ミラー３６ｂの透過後、赤色光および緑色光と重な
って、平行に進み、接眼部３７に到達する。こうして、
赤、緑、青それぞれの波長成分が合成され、カラーの可
視画像ができる。ここで、接眼部３７を覗くと、カラー
の可視画像が見える。

【００３６】次に、本発明のいまひとつの実施例とし
て、反射型のＬＣＤの製造プロセスと、この反射型ＬＣ
Ｄを用いたＬＣＤ表示装置の構成について、簡単に説明
する。図８は、反射型ＬＣＤの構造の一例を示す断面図
である。図において、３８はアルミドット電極である。
かかる反射型ＬＣＤが先に述べた透過型ＬＣＤと最も大
きく異なる点は、アルミドット電極３８が光線を反射す
る働きを兼ねていることである。この反射型ＬＣＤにお
いては、図においてアルミドット電極３８より下には、
光線が透過する必要が無いため、図に示すごとく、ＬＣ
Ｄ全体がシリコンウェハー１８の上に重なる形を採って
いる。このような構成にすれば、先に第１の実施例にお
いて述べた孔１９を設ける機械加工は、当然不要にな
る。このようなＬＣＤを製造するためには、図１２に示
すように、アルミドット電極３８を貫通するように高さ
３ミクロン程度の二酸化硅素の突起３９を設けるように
する方法を採ることが考えられる。

【００３７】図９は、図８に示された反射型ＬＣＤを用
いた画像表示装置の概要を示す断面図である。基本的に
は、図１に示した透過型ＬＣＤを用いた画像表示装置
と、大きく変わるところはない。図において、３１は光
源、３２はレンズ、３３は透過式のＬＣＤモジュール、
３４はレンズ群、３５はカラー・フィルタ、３６はダイ
クロイック・ミラー、３７は接眼部である。光源３１は
白色光源とする。また、カラー・フィルタ３５ａ、３５
ｂ、および３５ｃは、それぞれ赤、緑、青の光線を選択
的に透過する働きを持つ。

【００３８】光源３１は、ＬＣＤ表示装置の使用中常時
点灯しており、レンズ３２を介して、ＬＣＤモジュール
３３ａ、３３ｂ、および３３ｃをそれぞれ照らす。この
ＬＣＤモジュール３３ａ、３３ｂ、および３３ｃは、そ
れぞれ赤、緑、青の画像成分を生成する。このＬＣＤモ
ジュール３３ａ、３３ｂ、および３３ｃ、次いでレンズ
群３４を透過した段階では、光線は可視領域の総ての波
長成分を含む白色光であるが、次にカラー・フィルタ３
５ａ、３５ｂ、および３５ｃを透過する際に、それぞれ
赤、緑、青の波長成分のみが取り出される。

【００３９】カラー・フィルタ３５ａを透過した赤色光
は、ダイクロイック・ミラー３６ａを、向きを変えない
まま透過する。これに対し、カラー・フィルタ３５ｂを
透過した緑色光は、ダイクロイック・ミラー３６ａによ
って９０度向きを変えられ、ダイクロイック・ミラー３
６ａの透過後、赤色光と重なって、平行に進む。同様
に、赤色光および緑色光は、ダイクロイック・ミラー３
６ｃを、向きを変えないまま透過するが、カラー・フィ
ルタ３５ｃを透過した青色光は、ダイクロイック・ミラ
ー３６ｂによって９０度向きを変えられ、ダイクロイッ
ク・ミラー３６ｂの透過後、赤色光および緑色光と重な
って、平行に進み、接眼部３７に到達する。こうし
て、赤、緑、青それぞれの波長成分が合成され、カラー
の可視画像ができる。ここで、接眼部３７を覗くと、カ
ラーの可視画像が見える。また、カラー・フィルタ３５
の位置は、これに制限されるものではなく、たとえば図
１３に示すように、レンズ群３４の中間に設けられるよ
うにしてもよい。また、透過型のＬＣＤを製造する場
合、図１４に示すように、ＬＣＤ駆動回路をシリコンウ
ェハー１８上に一括して製造し、シリコンウェハー１８
を図示の形状に切削し、凹部４０にガラス基板２を挿入
して、シリコンウェハー１８とガラス基板２との間に低
温融解性のガラスを注入して隙間を埋め、ガラス基板２
上にＴＦＴ９をはじめとする素子をポリシリコンによっ
て形成することも考えられる。また、本願発明は上記
の実施例に限定されるものではなく、発明の本旨を逸脱
しない範囲内で、種々の変形が可能である。上記の実施
例は、これらの変形例を本願の範囲から排除するもので
はない。

【００４０】

【発明の効果】以上に詳細に説明したように、本発明に
よれば、反射型、あるいは透過型のＬＣＤを多数、一枚
のシリコンウェハー上に一度に形成し、しかもこのシリ
コンウェハー上に、ＬＣＤ駆動回路などの周辺回路をも
同時に形成し、配線まで行なうことができ、通常の半導
体集積回路を製造するのと同様の装置で、ＬＣＤを多数
製造することができ、ＬＣＤの生産コストを低下させる
ことができる。

【００４１】また、小型のＬＣＤを用いて、小型であり
ながら視覚的に充分に迫力のある画像を提供できる、優
れた画像表示装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光学系の構成の概略を示す断面図

【図２】シリコンウェハーの下加工を示す説明図

【図３】素子分離工程の概略を示す断面図

【図４】素子分離工程の概略を示す断面図

【図５】素子分離工程の概略を示す断面図

【図６】素子分離工程の概略を示す断面図

【図７】シリコンウェハー上の半導体素子を示す断面図

【図８】反射型ＬＣＤの構成を示す断面図

【図９】反射型ＬＣＤを用いた装置を示す断面図

【図１０】ＴＦＴ型ＬＣＤの構成の一例を示す説明図

【図１１】多結晶シリコン型ＬＣＤの製法の一例を示す
説明図

【図１２】二酸化硅素の突起を示す説明図

【図１３】カラー・フィルタの位置を示す説明図

【図１４】透過型ＬＣＤ用のウェハーを示す説明図

【符号の説明】

１下部偏光板２ガラス基板３画素電極５対向電極６上部偏光板９ＴＦＴ１０多結晶シリコン膜１１ゲート絶縁膜１２ゲート電極１３ソース領域１４ドレイン領域１５層間絶縁膜１８シリコンウェハー１９孔２０熱酸化膜２０ａゲート酸化膜２０ｂフィールド酸化膜２１窒化硅素膜２２フォトレジスト２３ガラスマスク２４熱酸化膜２６透明ガラス基板２８下部配向膜２９上部ガラス基板３０上部配向膜３３ＬＣＤモジュール３８アルミドット電極３９二酸化硅素の突起４０凹部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単一のシリコンウェハーに固定された液晶
ディスプレイと、前記シリコンウェハー上に形成され、
前記液晶ディスプレイと電気的に接続された、前記液晶
ディスプレイを駆動するための駆動回路とから成る、液
晶ディスプレイ装置。
【請求項２】単一のシリコンウェハー上に複数の基板を
固定し、該基板上に液晶ディスプレイを形成し、前記シ
リコンウェハー上に、前記液晶ディスプレイに接続すべ
き電気回路を形成し、配線した後に、前記シリコンウェ
ハーを切断して、液晶ディスプレイをひとつずつに切り
離すことを特徴とする、液晶ディスプレイの製造方法。
【請求項３】請求項１に記載の液晶ディスプレイと、光
源と、光源から出て前記液晶ディスプレイを透過もしく
は反射した光線を屈折させる少なくとも一枚のレンズ
と、該レンズを透過した光を集める接眼部とを有するこ
とを特徴とする、画像表示装置。