JPH05145184A - 波長可変分布帰還型半導体レーザおよびその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、波長チューニング幅が連続的で
広く、光出力変動も少なく、かつ容易に製作できる波長
可変分布帰還型半導体レーザおよびその駆動方法を提供
しようとするものである。 【構成】 波長可変分布帰還型半導体レーザにおいて、
複数の位相シフト領域を設け、かつこれらの位相シフト
領域を、ストップバンドの端から端までを単一縦モード
を維持しながら有効に波長のチューニングを行うもので
ある。具体的にはｐ側の電極を、中央電極(21)および両
レーザ端面から全共振器長Ｌの１／６の距離だけ離れた
位置に各々設けられた２つの小電極(24)に分離し、これ
らの電極直下の共振器領域に位相シフト領域をそれぞれ
出現させる。このような構造で、中央電極(21)および２
つの小電極(24)を独立に制御することによってストップ
バンドの端から端までを単一縦モードを維持しながら波
長のチューニングを調整するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光導波路に沿って形成
された回折格子によって光帰還を行う分布帰還型半導体
レーザ、特に一本の発振線の波長を変化できる波長可変
分布帰還型半導体レーザとその駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信用の光源として、分布帰還
型半導体レーザ（ＤＦＢ（Distributed Feedback）lase
r ）が使用されている。この素子は光導波路に沿って周
期的摂動（回折格子）を設け、その波長選択性により単
一の発振線（単一縦モード）での動作が実現できる。特
に、長距離高速光通信用の光源としてＧａＩｎＡｓＰ／
ＩｎＰ系材料を用いこのＤＦＢレーザの実用化が進んで
いる。また、この発振線の波長を一定の範囲で自由にチ
ューニングできる波長可変半導体レーザは、コヒーレン
ト光通信における同調器用として注目されている。

【０００３】本発明はこの波長可変分布帰還型半導体レ
ーザに関するものであるが、従来の波長可変技術を説明
する前に予備知識として従来のＤＦＢレーザについて説
明する。一般に、半導体レーザは、その両方の端面を反
射鏡として光のフィードバックをかけている（ＦＰ型；
Fabry −Perot （ファブリ・ペロー）型）。

【０００４】これに対して、分布帰還型（ＤＦＢ）半導
体レーザは、波長選択性のある回折格子によって光のフ
ィードバックを行っているのが特徴と言える。従って、
基本的には端面の反射はなくてもよい。

【０００５】しかし、このレーザでは、回折格子の形状
や深さ及び必然的に形成されてしまう端面での反射の大
きさと回折格子の位相とによって、単一縦モード発振の
実現性が決まる。この端面の位相は、劈開等による現状
の端面形成技術では制御できない。

【０００６】これに対し、位相シフト型のＤＦＢレーザ
がある。これは両劈開端面の反射率を低下させ、かつ共
振器中央に回折格子の周期の不連続部（管内波長λの１
／４に相当する位相だけシフトしている）を有する構造
である。但し、両劈開端面の反射率は少なくとも２％以
下でなければ、端面位相により次に述べる効果が小さ
い。

【０００７】このλ／４シフト構造の素子は、縦モード
の発振閾値のゲイン差が大きいため、単−縦モード動作
に極めて有利である。しかし、この素子にも問題があ
る。軸方向の空間的ホールバーニングである（ホールバ
ーニングについての参考文献としては、例えば雙田他、
電子情報通信学会、光量子エレクトロニクス研究会、OQ
E 87-7 pp. 49-56、1986年）がある）。つまり、規格化
結合係数κＬの値が1.25より大きい場合には、λ／４位
相シフト位置に導波光が集中する。この様な、共振器軸
方向の光強度分布の大きな偏りは、活性層内のキャリア
密度を変化させる。さらにはこの分布に対応して導波路
の屈折率が変化する。この導波路構造の変化により、大
きい値であった縦モード間のゲイン差Δα（ミラー損
分）が小さくなって単−縦モード性が大きく損なわれ
る。つまり、特性の不安定性を内包している。次に、波
長チューニング機構の従来例について述べる。

【０００８】最初に、ＤＦＢレーザタイプの波長可変半
導体レーザについて説明する。これは、前述した位相シ
フト型ＤＦＢレーザの位相シフト量を電流注入により変
化させるものである。これをＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系
埋込み型ＤＦＢレーザに適用した例について、以下、図
面を参照して説明する。まず、製作工程を以下に説明す
る。

【０００９】図４〜図６はそれぞれ、製作工程順に示し
た斜視図である。図７は最終形状を示す図で、図７
（ａ）はレーザ・チップをｐ側電極側から見た平面図、
（ｂ）は、図７（ａ）中の７ｂ−７ｂ線に沿う共振器軸
方向のストライプ断面図である。

【００１０】まず、図４に示す様に、ｎ型ＩｎＰ基板１
１上に二光束干渉露光法で１次の回折格子１２を形成
し、その上にｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層１３（λ＝1.
3 μｍ帯組成）、アンドープＧａＩｎＡｓＰ活性層１４
（1.55μｍ帯組成）、ｐ型ＩｎＰクラッド層１５、ｐ⁺
型ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクト層１６（μ＝1.
15μｍ帯組成）を順次積層する。その後、図５に示す様
に、エッチングにより逆メサ状のストライプ部５を形成
する。

【００１１】次に、図６に示す様に、その周囲を、ｐ型
ＩｎＰ層１７、ｎ型ＩｎＰ層１８、アンドープＧａＩｎ
ＡｓＰキャップ層１９（λ＝1.15μｍ帯組成）を連続成
長して埋め込む（ＢＨ構造）。このとき、埋め込み領域
ではｐ−ｎ逆バイアス接合２０によって電流がブロック
されるため、活性層ストライプ１４にのみ、電流が効率
良く注入される。また、両劈開端面の反射端はＡＲ（An
ti-reflection ）コート等により低下させる。

【００１２】最終的な形状は、図７（ａ）および（ｂ）
に示すようなものとなる。ｐ側電極は中央電極２１とそ
れ以外の部分２２にそれぞれ分離されている。これらの
電極２１および２２それぞれには、独立に電流を注入で
きる。また、ｎ側電極３０は共通である。端面上にはＡ
Ｒコート膜１が形成されており、このＡＲコート膜１に
よって両劈開端面の反射率を低下させている。電極２１
および２２における円形の部分は、ワイア・ボンディン
グのためのパッドである。この素子の動作原理及び駆動
方法は、次の様なのものである。

【００１３】まず、中央電極２１への注入電流量をそれ
以外の電極部分２２に比べて相対的に変化させると、電
極２１直下の活性層内のキャリア密度が相対的に変化す
る。これにより前述のホールバーニングの原因と同様に
自由キャリアのプラズマ効果によって対応する導波路領
域の屈折率が変化する。等価屈折率の変化は導波光の伝
搬定数を変えるため、結局、回折格子と導波光の相対位
相が変化し位相シフトが生じる。中央電極２１を制御し
て起こるこの位相シフトが波長を可変にする。

【００１４】図８は、この中央部での位相シフト量φ_c
を横軸にとり、ＤＦＢレーザの発振パラメータであるδ
Ｌ、αＬ、ΔαＬをプロットしたものである。ここで、
δＬは発振する縦モードの伝搬定数のブラグ条件からの
ずれを示す量δと共振器長Ｌとの積である。波長差に換
算するには、Δλ＝−（λΛ／πＬ）・δＬを用いて計
算する。λは発振波長、Λは回折格子の周期である。例
えば、λ＝1.55μｍ、Λ＝2400オングストロ−ムとし、
Ｌ＝400 μｍであれば、δＬ＝１は約0.3 ｎｍとなる。
αＬはミラー損換算分の閾値ゲインαとＬの積、ΔαＬ
は次の副モードとの閾値ゲイン差である。ΔαＬ＞0.2
であれば単一縦モードの安定性は良い。なお、κＬ＝２
である。

【００１５】図８によれば、ΔαＬ＞0.2 を満足するδ
Ｌのチューニング幅Δ_V は5.4 程度である。つまり、中
央部での位相シフト量φ_c をいくら調整しても前述の構
造で1.6 ｎｍの範囲でしか波長は動かない。

【００１６】また、図９の断面図に示すような２電極構
造の波長可変分布帰還型半導体レーザも提案されてい
る。これは、不均一な電流注入によって等価屈折率を変
化させる点では図７の例と同様である。この場合は、光
出力の変動が激しいという欠点がある。

【００１７】また、波長のチューニング範囲を広くとる
ために、波長可変分布反射型半導体レーザも提案されて
いる。（注、分布反射型：ＤＢＲ：Distributed Bragg
Reflctor）。

【００１８】この典型例を図１０、図１１の断面図に示
す。波長可変分布反射型半導体レーザでは、活性層１４
には回折格子が無く、これとは別なパッシブな導波路５
０に沿ってのみ回折格子１２が形成されている。このパ
ッシブな導波路５０上の独立電極２１によって電流を注
入して屈折率を変え等価的に回折格子の周期を変えるわ
けである。従って、波長可変分布帰還型半導体レーザの
ようにストップバンド幅に制約されず広い波長チューニ
ング範囲が得られる。

【００１９】しかし、図１０の例の様に、単純に活性層
とパッシブな導波路を形成しただけでは次のような問題
が生じる。つまり、活性層とパッシブな導波路との間の
相対位相が変わっていくため、連続的な波長チューニン
グができず、とびとびのチューニングとなる。換言すれ
ば、狭いチューニング幅がとびとびに存在することにな
る。

【００２０】これを回避するために、図１１の構造が提
案されている。これは活性層１４とパッシブな導波路５
０との間に、別のパッシブな導波路６０を設け、さらに
その上に制御用電極２３を設けている。新設した領域
は、活性層とパッシブ導波路の間の相対位相を調整する
ためのものであり、位相制御領域と呼ばれる。この構造
によって広い連続的な波長チューニング範囲が得られ
る。

【００２１】しかし、これら波長可変分布帰還型半導体
レーザは活性層はパッシブな導波路を別々に形成しなけ
ればならず、その製作工程は非常に複雑多岐となる。つ
まり、結晶成長回数やパターニング回数の増加である。
また、回折格子形成部とパッシブ導波路との位置合わせ
や活性層とパッシブ導波路の位置合わせが、非常に微妙
であり、その生産性は著しく低いものである。以上の従
来例は、例えば、K.Kobayashi 他、Journal of Lightwa
ve Technology 誌、vol.６、pp.1623-1633、（1988年）
にまとめてレヴューされている。

【００２２】これらの例の他に、広い連続的な波長チュ
ーニング範囲が得られる構造として、最近、ＴＴＧ（tu
nable twin-guide）なる構造で７ｎｍというチューニン
グ範囲の報告がある。（S.lllek 他、Electronics Lett
ers 誌、vol.26、p.46、1990年） この構造は、活性層の上にチューニング層を設けるもの
であり、製作は比較的容易である。しかし、当然のこと
として波長チューニングの際に光出力が大きく変動する
という欠点がある。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな点に鑑みて為されたものでその目的は、波長チュー
ニング幅が連続的で広く、光出力変動も少なく、かつ容
易に製作できる波長可変分布帰還型半導体レーザおよび
その駆動方法を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の克服すべ
き課題を、次のような方法で解決するものである。

【００２５】波長可変分布帰還型半導体レーザにおい
て、そのストップバンドの端から端までを単一縦モード
を維持しながら有効に波長のチューニングができるよう
に、複数の位相シフト領域を設けるものである。

【００２６】具体的には、導波路に沿って周期構造を有
する分布帰還型半導体レーザにおいて、端面の反射率が
少なくとも２％以下とし、共振器を、その軸方向に関し
て、中央領域と、この共振器の中央部から両端面の方向
に全共振器長の１／４以上の距離だけ離れた二つの小領
域と、これらの領域以外の領域とで構成する。複数の位
相シフト領域は、中央領域および二つの小領域である。
そして、中央領域の等価屈折率と二つの小領域の等価屈
折率とをそれぞれ独立に制御可能な機構を設けるように
している。また、その駆動方法は、ある領域を通過した
前後での導波光と前記周期構造の周期の位相との相対的
差を位相シフトと定義し、

【００２７】（ａ） 前記二つの小領域の等価屈折率を
それぞれ等価的に−λ／８±ｎλ／２（λは管内波長、
ｎは整数）相当の位相シフトを生じるように固定すると
ともに、前記中央領域の等価屈折率を−λ／８±ｎλ／
２シフトから＋λ／８±ｎλ／２シフトまで変化させて
発振波長を変化させる第１の波長チューニング過程、

【００２８】（ｂ） 前記二つの小領域の等価屈折率を
それぞれ等価的に＋λ／８±ｎλ／２相当の位相シフト
を生じるように固定するとともに、前記中央領域の等価
屈折率を−λ／８±ｎλ／２シフトから＋λ／８±ｎλ
／２シフトまで変化させて発振波長を変化させる第２の
波長チューニング過程、

【００２９】（ｃ） 前記二つの小領域の等価屈折率を
それぞれ等価的に位相シフトを生じないように固定する
とともに、前記中央領域の等価屈折率を＋λ／８±ｎλ
／２シフトから３λ／８±ｎλ／２シフトまで変化させ
て発振波長を変化させる第３の波長チューニング過程、

【００３０】（ｄ） 前記中央領域の等価屈折率を等価
的に＋λ／８±ｎλ／２相当の位相シフトを生じるよう
に固定するとともに、前記二つの小領域の等価屈折率を
それぞれ−λ／８±ｎλ／２シフトから０±ｎλ／２シ
フトまで変化させて発振波長を変化させる第４の波長チ
ューニング過程、

【００３１】（ｅ） 前記中央領域の等価屈折率を等価
的に−λ／８±ｎλ／２相当の位相シフトを生じるよう
に固定するとともに、前記二つの小領域の等価屈折率を
それぞれ＋λ／８±ｎλ／２シフトから０±ｎλ／２シ
フトまで変化させて発振波長を変化させる第５の波長チ
ューニング過程、以上（ａ）〜（ｅ）の過程を少なくと
も含むようにしている。

【００３２】

【作用】本発明は、等価的な位相シフト領域の数を３個
に限定し、かつその位置にも限定を加えている。その駆
動方法において等価的な位相シフト量をも具体的に限定
している。上記限定によって、（１） 連続的で広い波
長チューニング幅、（２） 製作の容易さ、（３） 少
ない光出力変動、以上の作用が得られるようになる。な
お、端面位相の影響を避けるためには、両面の反射率を
２％以下にする必要がある。

【００３３】

【実施例】以下、図７に示した従来例をベースに、本発
明をＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系埋込み型構造を持つ波長
可変分布帰還型半導体レーザとして実施した例につい
て、以下、図面を参照して詳細に説明する。

【００３４】図１（ａ）は、本発明の一実施例に係わる
ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系埋込み型ＤＦＢレーザ・チッ
プをｐ側電極側から見た平面図、図１（ｂ）は、図１
（ａ）中の１ｂ−１ｂ線に沿う共振器軸方向のストライ
プ断面図である。

【００３５】図１（ａ）および図１（ｂ）に示すよう
に、ｐ側電極は、中央電極２１とそれ以外の部分２２、
および両レーザ端面から全共振器長Ｌの１／６の距離だ
け離れた位置に小電極２４をそれぞれ形成して分離させ
た。小電極２４は左右二つあり、同時に制御する。それ
ぞれの電極２１、２２および２４には独立に電流が注入
できる。他の構造、並びに製作工程は図７に示した従来
例とほぼ同様であるので、その説明については割愛す
る。次に、図２および図３を参照し、上記素子の駆動方
法について説明する。

【００３６】図２は、この素子を駆動したときの中央電
極２１で制御する位相シフト量φ_c、もしくは小電極２
４が制御する位相シフト量φ_p を横軸に、ＤＦＢレーザ
の発振パラメータであるδＬ、αＬ、ΔαＬをプロット
したものである。図２は、図７の例では図８に対応す
る。図３は、素子を動作させる際、調整すべき位相シフ
ト量を表す模式図である。

【００３７】まず、二つの小電極２４直下の位相シフト
量を等価的に−λ／８相当の位相シフトを生じるように
固定する。そして、中央領域の等価屈折率を−λ／８か
ら０を通ってλ／８シフトまで電極２１を制御して変化
させる（図３（ａ）〜（ｃ）、図２の領域Ｉに対応）。

【００３８】次に、中央領域の等価屈折率を等価的にλ
／８相当の位相シフトを生じるように固定する。そして
二つの小電極２４直下の位相シフト量を−λ／８から０
まで変化させる（図３（ｄ）〜（ｅ）、図２の領域IIに
対応）。

【００３９】次に、二つの小電極２４直下の位相シフト
量を等価的に０相当の位相シフトを生じるように固定す
る。そして中央領域の等価屈折率をλ／８からλ／４を
通って３λ／８シフト（−λ／８と等価）まで中央電極
２１を制御して変化させる（図３（ｆ）〜（ｈ）、図２
の領域III に対応）。尚、この部分だけは図８の例と同
様の動作である。

【００４０】以後は、図２の領域Ｉおよび領域IIと対称
となるが、中央領域の等価屈折率を等価的に−λ／８相
当の位相シフトを生じるように固定する。そして、二つ
の小電極２４直下の位相シフト量を０からλ／８まで変
化させる（図３（ｉ）〜（ｊ）、図２の領域IVに対
応）。

【００４１】最後に、二つの小電極２４直下の位相シフ
ト量を等価的にλ／８相当の位相シフトを生じるように
固定する。そして、中央領域の等価屈折率を−λ／８か
ら０を通ってλ／８シフトまで中央電極２１を制御して
変化させる（図３（ｋ）〜（ｍ）、図２の領域Ｖに対
応）。

【００４２】この結果は、図２のδＬの変化を見れば明
らかなように、ΔαＬ＞0.2 を満足するδＬの連続チュ
ーニング幅Δ_V は１１程度となる。つまり、図７の従来
例の約２倍のチューニング幅が得られる。例えば、λ＝
1.55μｍ、Λ＝2400オングストロ−ムとし、Ｌ＝400 μ
ｍであれば、3.3 ｎｍの波長チューニング幅となる。

【００４３】調整すべき電極が二つとなるため、制御が
困難に思えるが、動作の流れが連続しているため、比較
的容易に制御できる。また、最近のマイコン技術の発展
を考えると、予め動作をプログラムしておけば、範囲内
の所望の発振波長で即座に動作させることが可能であ
る。このように、上記一実施例にて説明した波長可変分
布帰還型半導体レーザによれば、連続的で広い波長チュ
ーニング幅が得られる。また、通常の分布帰還型半導体
レーザの電極部だけを加工すれば実現できるため、その
製作が非常に容易である。さらに、図２から明らかなよ
うに閾値ゲインαＬの変化が少ないため光出力変動も少
なくなる。

【００４４】

【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、波長チューニング幅が連続的で広く、光出力変動も
少なく、かつ容易に製作できる波長可変分布帰還型半導
体レーザおよびその駆動方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施例に係わる波長可変分
布帰還型半導体レ−ザのチップを示す図で、図１（ａ）
はレーザ・チップをｐ側電極側から見た平面図、図１
（ｂ）は、図１（ａ）中の１ｂ−１ｂ線に沿う共振器軸
方向のストライプ断面図である。

【図２】図２は、図１の素子を駆動したときの、中央電
極２１で制御する位相シフト量φ_c 、もしくは小電極２
３で制御する位相シフト量φ_p を横軸に、ＤＦＢレーザ
の発振パラメータであるδＬ、αＬ、ΔαＬをプロット
した図である。

【図３】図３は、図１の素子を動作させる際、調整する
位相シフト量を表す模式図である。

【図４】図４は、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系埋込み型Ｄ
ＦＢレーザの製作工程を示すための斜視図で、一回めの
結晶成長後の状態を示す図である。

【図５】図５は、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系埋込み型Ｄ
ＦＢレーザの製作工程を示すための斜視図で、逆メサ状
のストライプ部を形成した状態を示す図である。

【図６】図６は、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系埋込み型Ｄ
ＦＢレーザの製作工程を示すための斜視図で、埋め込み
結晶成長後の状態を示す図である。

【図７】図７は、従来の波長可変分布帰還型半導体レ−
ザのチップを示す図で、図７（ａ）はレーザ・チップを
ｐ側電極側から見た平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）
中の７ｂ−７ｂ線に沿う共振器軸方向のストライプ断面
図である。

【図８】図８は、図７の素子を駆動したときの、中央電
極２１で制御する位相シフト量φc を横軸に、ＤＦＢレ
ーザの発振パラメータであるδＬ、αＬ、ΔαＬをプロ
ットした図である。

【図９】図９は、２電極構造の波長可変分布帰還型半導
体レーザの共振器軸方向のストライプ断面図である。

【図１０】図１０は、２電極構造の波長可変分布反射型
半導体レーザの共振器軸方向のストライプ断面図であ
る。

【図１１】図１１は、３電極構造の波長可変分布反射型
半導体レーザの共振器軸方向のストライプ断面図であ
る。

【符号の説明】

１…ＡＲ（Anti-reflection ）コート、５…逆メサ状の
ストライプ部、１１…ｎ型ＩｎＰ基板、１２…１次の回
折格子、１３…ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層（λ＝1.3
μｍ帯組成）、１４…アンドープＧａＩｎＡｓＰ活性層
（λ＝1.55μｍ帯組成）、１５…ｐ型ＩｎＰクラッド
層、１６…ｐ⁺ 型ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクト
層（λ＝1.15μｍ帯組成）、１７…ｐ型ＩｎＰ層、１８
…ｎ型ＩｎＰ層、１９…アンドープGaInAsP キャップ層
（λ＝1.15μｍ帯組成）、２０…ｐ−ｎ逆バイアス接
合、２１…ｐ側電極（制御用）、２２…ｐ側電極（バイ
アス用）、２４…ｐ側電極（制御用）、３０…ｎ側電
極。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導波路に沿って周期構造を有する分布帰
   還型半導体レーザにおいて、 端面の反射率が少なくとも２％以下で、共振器がその軸
   方向に関して、中央領域と、この共振器の中央部から両
   端面の方向に全共振器長の１／４以上の距離だけ離れた
   二つの小領域と、これらの領域以外の領域とで構成さ
   れ、 前記共振器の中央領域の等価屈折率と前記二つの小領域
   の等価屈折率とがそれぞれ独立に制御可能な機構を有す
   ることを特徴とする波長可変分布帰還型半導体レーザ。
2. 【請求項２】 導波路に沿って周期構造を有し、端面の
   反射率が少なくとも２％以下で、共振器がその軸方向に
   関して、中央領域と、この共振器の中央部から両端面の
   方向に全共振器長の１／４以上の距離だけ離れた二つの
   小領域と、これらの領域以外の領域とで構成されている
   波長可変分布帰還型半導体レーザの駆動方法において、 ある領域を通過した前後での導波光と前記周期構造の周
   期の位相との相対的差を位相シフトと定義し、 前記二つの小領域の等価屈折率をそれぞれ等価的に−λ
   ／８±ｎλ／２（λは管内波長、ｎは整数）相当の位相
   シフトを生じるように固定するとともに、前記中央領域
   の等価屈折率を−λ／８±ｎλ／２シフトから＋λ／８
   ±ｎλ／２シフトまで変化させて発振波長を変化させる
   第１の波長チューニング過程と、 前記二つの小領域の等価屈折率をそれぞれ等価的に＋λ
   ／８±ｎλ／２相当の位相シフトを生じるように固定す
   るとともに、前記中央領域の等価屈折率を−λ／８±ｎ
   λ／２シフトから＋λ／８±ｎλ／２シフトまで変化さ
   せて発振波長を変化させる第２の波長チューニング過程
   と、 前記二つの小領域の等価屈折率をそれぞれ等価的に位相
   シフトを生じないように固定するとともに、前記中央領
   域の等価屈折率を＋λ／８±ｎλ／２シフトから３λ／
   ８±ｎλ／２シフトまで変化させて発振波長を変化させ
   る第３の波長チューニング過程と、 前記中央領域の等価屈折率を等価的に＋λ／８±ｎλ／
   ２相当の位相シフトを生じるように固定するとともに、
   前記二つの小領域の等価屈折率をそれぞれ−λ／８±ｎ
   λ／２シフトから０±ｎλ／２シフトまで変化させて発
   振波長を変化させる第４の波長チューニング過程と、 前記中央領域の等価屈折率を等価的に−λ／８±ｎλ／
   ２相当の位相シフトを生じるように固定するとともに、
   前記二つの小領域の等価屈折率をそれぞれ＋λ８±ｎλ
   ／２シフトから０±ｎλ／２シフトまで変化させて発振
   波長を変化させる第５の波長チューニング過程と、 を少なくとも含むことを特徴とする波長可変分布帰還型
   半導体レーザの駆動方法。