JPH05144805A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPH05144805A JPH05144805A JP33435791A JP33435791A JPH05144805A JP H05144805 A JPH05144805 A JP H05144805A JP 33435791 A JP33435791 A JP 33435791A JP 33435791 A JP33435791 A JP 33435791A JP H05144805 A JPH05144805 A JP H05144805A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、特に半導体基板上に素子分離領域を形成する方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method of forming an element isolation region on a semiconductor substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】シリコン基板を素子分離するには、ＬＯ
ＣＯＳ分離，トレンチ分離などがある。ここでは、最も
一般的な分離であるＬＯＣＯＳ分離を図を用いて説明す
る。2. Description of the Related Art In order to isolate a silicon substrate from elements, LO is used.
There are COS isolation and trench isolation. Here, LOCOS separation, which is the most general separation, will be described with reference to the drawings.
【０００３】図６は従来のＬＯＣＯＳ分離を示す工程断
面図である。まず、シリコン基板１に薄い熱酸化膜２と
ＣＶＤ窒化膜３を堆積する。次に、フォトリソグラフィ
ーにより素子の形成される領域（活性領域）にレジスト
パターンを形成する。これをマスクとして、窒化膜３を
エッチングする。レジストを除去した後（図６(a))に、
窒化膜３をマスクとしてＯ2 ／Ｈ2 Ｏ雰囲気で、例えば
１０００℃で酸化する。このとき、窒化膜は耐酸化性が
強いため、活性領域はほとんど酸化されず、非活性領域
（フィールド領域）のみが酸化される（図６(b))。この
工程をＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon) 酸化
と呼び、分離酸化膜をフィールド酸化膜４と呼ぶ。この
後、窒化膜３を除去し、下地の薄い熱酸化膜２をエッチ
ングする。これでＬＯＣＯＳ素子分離が完了する（図６
(c))。FIG. 6 is a process sectional view showing a conventional LOCOS separation. First, a thin thermal oxide film 2 and a CVD nitride film 3 are deposited on a silicon substrate 1. Next, a resist pattern is formed in a region (active region) where the element will be formed by photolithography. Using this as a mask, the nitride film 3 is etched. After removing the resist (Fig. 6 (a)),
Oxidation is performed at 1000 ° C. in an O 2 / H 2 O atmosphere using the nitride film 3 as a mask. At this time, since the nitride film has strong oxidation resistance, the active region is hardly oxidized, and only the non-active region (field region) is oxidized (FIG. 6B). This process is called LOCOS (Local Oxidation of Silicon) oxidation, and the isolation oxide film is called a field oxide film 4. After that, the nitride film 3 is removed, and the underlying thin thermal oxide film 2 is etched. This completes the LOCOS element isolation (see FIG. 6).
(c)).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来のシリコン基板の
ＬＯＣＯＳ分離は以上のようになされているので、図６
(b) に図示されているように、分離の深さや横方向への
広がりを制御できない。また、活性領域の仕上がり寸法
ｌ＋２ｍは、マスク寸法ｌに比べてバーズビーク分２ｍ
だけ小さくなるといった問題点があった。Since the conventional LOCOS separation of the silicon substrate is performed as described above, the structure shown in FIG.
As shown in (b), it is not possible to control the depth of separation or the lateral spread. In addition, the finished area l + 2m of the active region is 2m for the bird's beak compared to the mask dimension l
There was a problem that it became smaller.
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、分離酸化膜の形状を素子に適す
る形に製造することができ、バーズビークの低減やシリ
コン基板表面の段差を小さくすることができる素子分離
領域の形成方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is possible to manufacture the isolation oxide film in a shape suitable for an element, thereby reducing the bird's beak and the step difference on the surface of the silicon substrate. It is an object of the present invention to provide a method for forming an element isolation region that can be formed.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係る、シリコ
ン基板上に素子分離領域を形成する方法は、シリコン基
板の素子分離領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入
し、さらに前記酸素注入工程よりも高エネルギーで高濃
度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。According to a method of forming an element isolation region on a silicon substrate according to the present invention, a high concentration of oxygen is implanted into a region of the silicon substrate which is to be an element isolation region, and the oxygen implantation is further performed. Nitrogen is injected with a higher energy and a higher concentration than in the step, and element isolation oxidation is performed.
【０００７】またこの発明に係る、シリコン基板上に素
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃
度酸素注入層の両側部にのみ、前記酸素注入工程よりも
高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものであ
る。In the method of forming an element isolation region on a silicon substrate according to the present invention, a high concentration of oxygen is injected into a region of the silicon substrate to be an element isolation region, and both side portions of the high concentration oxygen implantation layer are formed. Only, the element isolation oxidation is performed by injecting nitrogen at a higher concentration than in the oxygen injecting step.
【０００８】またこの発明に係る、シリコン基板上に素
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃
度の酸素注入層の両側部の一方のみに、前記酸素注入工
程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うも
のである。Further, according to the method of forming an element isolation region on a silicon substrate according to the present invention, a high concentration of oxygen is injected into a region of the silicon substrate to be an element isolation region, and both sides of the high concentration oxygen implantation layer are formed. Nitrogen having a higher concentration than that in the oxygen injecting step is injected into only one of the portions to perform element isolation oxidation.
【０００９】またこの発明に係る、シリコン基板上に素
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注
入し、前記エッチングしてできた凹部の両側面に高濃度
の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。Further, according to the method of forming the element isolation region on the silicon substrate according to the present invention, the region of the silicon substrate which is to be the element isolation region is etched, a high concentration of oxygen is injected, and the etching is performed. High-concentration nitrogen is injected into both side surfaces of the recess to perform element isolation oxidation.
【００１０】またこの発明に係る、シリコン基板上に素
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注
入し、前記エッチングしてできた凹部の片側側面に高濃
度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。Further, according to the method of the present invention for forming an element isolation region on a silicon substrate, a region of the silicon substrate to be the element isolation region is etched, a high concentration of oxygen is injected, and the etching is performed. High-concentration nitrogen is injected into one side surface of the recess to perform element isolation oxidation.
【００１１】[0011]
【作用】この発明に係るシリコン基板の素子分離方法に
おいては、シリコン基板の素子分離領域となるべき領域
に高濃度の酸素を注入し、さらに前記酸素注入工程より
も高エネルギーで高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化
を行うするようにしたので、また、シリコン基板の素子
分離領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記
高濃度酸素注入層の両側部、あるいはその一方にのみ、
前記酸素注入工程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分
離酸化を行うようにしたので、また、シリコン基板の素
子分離領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸
素を注入し、前記エッチングしてできた凹部の両、ある
いは片側側面に高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を
行うようにしたので、分離の形状を制御し、分離の深さ
を深くするとともに、バーズビークを低減することがで
きる。In the element isolation method for a silicon substrate according to the present invention, a high concentration of oxygen is injected into a region to be an element isolation region of a silicon substrate, and further, a higher concentration of nitrogen with higher energy than the oxygen implantation step is added. Since oxygen is injected to perform element isolation oxidation, high-concentration oxygen is injected into a region which is to be an element isolation region of a silicon substrate, and both sides of the high-concentration oxygen-implanted layer or only one of them is injected. ,
Since nitrogen is injected at a higher concentration than in the oxygen injection step to perform element isolation oxidation, the region to be the element isolation region of the silicon substrate is also etched, high concentration oxygen is injected, and the etching is performed. High-concentration nitrogen is injected into both or one side surface of the formed recess to perform element isolation oxidation, so the shape of isolation is controlled, the depth of isolation is increased, and bird's beak is reduced. be able to.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、この発明の一実施例を図を用いて説明
する。図１は本発明の第１の実施例による素子分離方法
を示す断面図である。図１(a) において、１はシリコン
基板、２は薄い熱酸化膜、３は窒化膜であり、これらは
従来例と同様に、薄い熱酸化膜２，ＣＶＤ窒化膜３を形
成した後、窒化膜３をリソグラフィーによってパターニ
ングしたものである。図１(b) において、５は高濃度の
酸素イオン注入層、６は高濃度の窒素イオン注入層であ
る。酸素イオンの注入エネルギーは窒素イオンの注入エ
ネルギーよりも小さく、窒素イオンの注入エネルギーに
より、分離酸化膜の深さが決められる。次に、図１(c)
に示すように、素子全面を酸化し、フィールド酸化膜４
を形成する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a device isolation method according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1 (a), 1 is a silicon substrate, 2 is a thin thermal oxide film, and 3 is a nitride film. The film 3 is patterned by lithography. In FIG. 1 (b), 5 is a high concentration oxygen ion implantation layer, and 6 is a high concentration nitrogen ion implantation layer. The implantation energy of oxygen ions is smaller than the implantation energy of nitrogen ions, and the implantation energy of nitrogen ions determines the depth of the isolation oxide film. Next, Fig. 1 (c)
As shown in FIG.
To form.
【００１３】最後に、図１(d) では、窒化膜３と薄い酸
化膜２を除去し、ＬＯＣＯＳ分離を完了する。Finally, in FIG. 1D, the nitride film 3 and the thin oxide film 2 are removed to complete the LOCOS separation.
【００１４】このように本実施例では、従来のＬＯＣＯ
Ｓ分離工程と異なり、ＬＯＣＯＳ酸化前に非活性領域に
高濃度の酸素の注入と、より高エネルギーで高濃度の窒
素を注入しているために、フィールド分離酸化膜は酸素
イオンの存在によりシリコン基板内での厚みを増すこと
ができ、また窒素イオンの注入エネルギーを制御するこ
とによりフィールド酸化膜のシリコン基板内の厚みを制
御することができる。また、素子分離膜のシリコン基板
内での厚みを増すことにより、シリコン基板表面の段差
を小さくすることができる。As described above, in this embodiment, the conventional LOCO is used.
Unlike the S separation process, since the high concentration oxygen is injected into the non-active region before the LOCOS oxidation, and the high concentration nitrogen is injected into the non-active region, the field isolation oxide film is formed on the silicon substrate due to the presence of oxygen ions. The thickness of the field oxide film in the silicon substrate can be controlled by controlling the implantation energy of nitrogen ions. Further, by increasing the thickness of the element isolation film in the silicon substrate, the step difference on the surface of the silicon substrate can be reduced.
【００１５】図２は本発明の第２の実施例による素子分
離を示す断面図である。上記第１の実施例と同様に、窒
化膜パターン３を形成した後、高濃度酸素を注入（図２
(a))する。次に、図２(b) に示すように、レジストパタ
ーン７を形成した後、前記高濃度酸素注入領域１５の片
端部により高濃度な窒素を注入し、窒素領域１６ａを設
ける。そして、レジストパターン７を除去した後、図２
(c) に示すように、再びレジストパターン８を形成し、
高濃度酸素注入領域１５のもう一方の端部に窒素領域１
６ａと同様、高濃度な窒素を注入し、窒素領域１６ｂを
形成する。次に、レジストパターン８を除去した後、Ｌ
ＯＣＯＳ酸化を行い、フィールド酸化膜２４を形成する
（図２(d))。最後に、図２(e) に示すように、薄い熱酸
化膜２と窒化膜３を除去し、ＬＯＣＯＳ素子分離法を完
了する。FIG. 2 is a sectional view showing element isolation according to the second embodiment of the present invention. Similar to the first embodiment, after forming the nitride film pattern 3, high concentration oxygen is injected (see FIG. 2).
(a)) Do. Next, as shown in FIG. 2 (b), after forming the resist pattern 7, high-concentration nitrogen is injected into one end of the high-concentration oxygen injection region 15 to provide a nitrogen region 16a. Then, after removing the resist pattern 7, FIG.
As shown in (c), a resist pattern 8 is formed again,
At the other end of the high concentration oxygen implantation region 15, the nitrogen region 1
Similarly to 6a, high-concentration nitrogen is implanted to form the nitrogen region 16b. Next, after removing the resist pattern 8, L
OCOS oxidation is performed to form a field oxide film 24 (FIG. 2 (d)). Finally, as shown in FIG. 2 (e), the thin thermal oxide film 2 and the nitride film 3 are removed, and the LOCOS element isolation method is completed.
【００１６】このように本実施例では、非活性領域に高
濃度な酸素を注入し、その酸素注入領域の両端部に、よ
り高濃度な窒素領域を設けたので、フィールド酸化膜の
シリコン基板内の厚みを増すことができ、シリコン基板
表面の段差を小さくすることができる上に、非活性領域
両端部の高濃度窒素領域によりバーズビークを抑えるこ
とができ、活性領域の縮小を防ぐことができる。As described above, in this embodiment, high-concentration oxygen is implanted into the non-active region, and the higher-concentration nitrogen regions are provided at both ends of the oxygen-implanted region. Of the silicon substrate, the step difference on the surface of the silicon substrate can be reduced, and bird's beak can be suppressed by the high-concentration nitrogen regions at both ends of the non-active region, and the reduction of the active region can be prevented.
【００１７】図３は本発明の第３の実施例による素子分
離を示す断面図である。上記第２の実施例と同様に、ま
ず高濃度酸素注入層２５を形成した後、図３(b) に図示
されているように、高濃度窒素注入層２６を形成する。
その後、ＬＯＣＯＳ酸化を行い、フィールド酸化膜３４
を形成する（図３(c))。最後に図３(d)に示したよう
に、薄い熱酸化膜２と窒化膜３を除去し、素子分離方法
を完了する。FIG. 3 is a sectional view showing element isolation according to the third embodiment of the present invention. Similar to the second embodiment, first, the high-concentration oxygen implantation layer 25 is formed, and then the high-concentration nitrogen implantation layer 26 is formed as shown in FIG. 3 (b).
Then, LOCOS oxidation is performed to form the field oxide film 34.
Are formed (FIG. 3 (c)). Finally, as shown in FIG. 3D, the thin thermal oxide film 2 and the nitride film 3 are removed, and the element isolation method is completed.
【００１８】このように本実施例では、非活性領域に高
濃度な酸素を注入し、その酸素注入領域の片端部に、よ
り高濃度な窒素領域を設けたので、フィールド酸化膜の
シリコン基板内の厚みを増すことができ、シリコン基板
表面の段差を小さくすることができる上に、非活性領域
片端部の高濃度窒素領域によりバーズビークを抑えるこ
とができ、活性領域の縮小を防ぐことができる。As described above, in the present embodiment, high-concentration oxygen is implanted into the non-active region, and a higher-concentration nitrogen region is provided at one end of the oxygen-implanted region. Of the silicon substrate, the step difference on the surface of the silicon substrate can be reduced, and the bird's beak can be suppressed by the high-concentration nitrogen region at one end of the non-active region, so that the active region can be prevented from being reduced.
【００１９】本実施例では、第２の実施例に比べてバー
ズビークを抑える効果は少ないが、製造工程が少なく、
かつ非対称な形状を形成することができる。In this embodiment, the effect of suppressing bird's beaks is smaller than that in the second embodiment, but the number of manufacturing steps is small,
And an asymmetrical shape can be formed.
【００２０】図４は本発明の第４の実施例による素子分
離を示す断面図である。前記第１の実施例と同様、シリ
コン基板１上に薄い熱酸化膜２、ＣＶＤ窒化膜３を形成
する。前記窒化膜パターン３を形成した後、シリコン基
板をエッチング９する（図４(b))。次に、高濃度酸素を
注入する（図４(b))。そして、高濃度の窒素１０をエッ
チング領域９の両側に斜めに注入し、高濃度窒素注入領
域３６を形成する（図４(c))。次に、ＬＯＣＯＳ酸化を
行い、フィールド酸化膜４４を形成する（図４(e))。最
後に、図４(f) に示すように、薄い熱酸化膜２と窒化膜
３を除去し、素子分離方法を完了する。FIG. 4 is a sectional view showing element isolation according to the fourth embodiment of the present invention. Similar to the first embodiment, the thin thermal oxide film 2 and the CVD nitride film 3 are formed on the silicon substrate 1. After forming the nitride film pattern 3, the silicon substrate is etched 9 (FIG. 4B). Next, high-concentration oxygen is injected (FIG. 4 (b)). Then, high-concentration nitrogen 10 is obliquely injected into both sides of the etching region 9 to form a high-concentration nitrogen injection region 36 (FIG. 4C). Next, LOCOS oxidation is performed to form a field oxide film 44 (FIG. 4 (e)). Finally, as shown in FIG. 4F, the thin thermal oxide film 2 and the nitride film 3 are removed, and the element isolation method is completed.
【００２１】このように本実施例では、非活性領域とな
る領域のシリコン基板をエッチングして、高濃度な酸素
を注入し、エッチング領域９の両側に高濃度な窒素領域
を設けたので、フィールド酸化膜のシリコン基板内の厚
みを増すことができ、シリコン基板表面の段差を小さく
することができる上に、エッチング領域両端部の高濃度
窒素領域によりバーズビークを抑えることができ、活性
領域の縮小を防ぐことができる。As described above, in this embodiment, the silicon substrate in the region which becomes the non-active region is etched, high-concentration oxygen is injected, and the high-concentration nitrogen regions are provided on both sides of the etching region 9. The thickness of the oxide film in the silicon substrate can be increased, the step on the surface of the silicon substrate can be reduced, and bird's beak can be suppressed by the high-concentration nitrogen regions at both ends of the etching region, reducing the active region. Can be prevented.
【００２２】図５は本発明の第５の実施例による素子分
離を示す断面図である。上記第４の実施例と同様に、シ
リコン基板をエッチングした後（図５(b))、高濃度の窒
素１０をエッチング領域９の片側に斜めに注入し、高濃
度窒素注入領域４６を形成する（図５(d))。FIG. 5 is a sectional view showing element isolation according to the fifth embodiment of the present invention. Similar to the fourth embodiment, after the silicon substrate is etched (FIG. 5B), high concentration nitrogen 10 is obliquely injected into one side of the etching region 9 to form a high concentration nitrogen injection region 46. (Fig. 5 (d)).
【００２３】次に、ＬＯＣＯＳ酸化を行い、フィールド
酸化膜５４を形成する（図５(e))。最後に、図５(f) に
示すように、薄い熱酸化膜２と窒化膜３を除去し、素子
分離方法を完了する。Next, LOCOS oxidation is performed to form a field oxide film 54 (FIG. 5 (e)). Finally, as shown in FIG. 5F, the thin thermal oxide film 2 and the nitride film 3 are removed, and the element isolation method is completed.
【００２４】このように本実施例では、第４の実施例に
比べてバーズビークを抑える効果は少ないが、同様の効
果を奏し、さらに非対称な形状を形成できる。As described above, in the present embodiment, the effect of suppressing bird's beak is less than that of the fourth embodiment, but the same effect can be obtained and an asymmetrical shape can be formed.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、シリ
コン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃度の酸素
を注入し、さらに前記酸素注入工程よりも高エネルギー
で高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うようにし
たので、素子分離をシリコン基板深くまで行えるととも
にシリコン基板表面の段差を小さくすることができる。As described above, according to the present invention, a high concentration of oxygen is implanted into a region to be an element isolation region of a silicon substrate, and further, a higher concentration of nitrogen with higher energy than that of the oxygen implantation step is added. Since the implantation is performed and the element isolation oxidation is performed, the element isolation can be performed deep in the silicon substrate and the step on the surface of the silicon substrate can be reduced.
【００２６】また、シリコン基板の素子分離領域となる
べき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃度酸素注入
層の両側部、あるいはその一方にのみ、前記酸素注入工
程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うよ
うにしたので、素子分離をシリコン基板深くまで行える
とともにシリコン基板表面の段差を小さくすることがで
き、さらにバーズビークを低減することができる。Further, high-concentration oxygen is injected into a region to be an element isolation region of the silicon substrate, and nitrogen having a higher concentration than that in the oxygen-implanting step is introduced into both sides or one side of the high-concentration oxygen implantation layer. Since the element isolation oxidization is performed by implanting silicon, the element isolation can be performed deep in the silicon substrate, the step on the surface of the silicon substrate can be reduced, and the bird's beak can be reduced.
【００２７】また、シリコン基板の素子分離領域となる
べき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注入し、前記
エッチングしてできた凹部の両、あるいは片側側面に高
濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うようにしたの
で、素子分離をシリコン基板深くまで行えるとともにシ
リコン基板表面の段差を小さくすることができ、さらに
バーズビークを低減することができるという効果があ
る。Further, a region to be an element isolation region of the silicon substrate is etched, high-concentration oxygen is injected, and high-concentration nitrogen is injected into both or one side surface of the concave portion formed by the etching, thereby forming the element. Since the separation and oxidation are performed, there is an effect that the device can be separated deep into the silicon substrate, the step on the surface of the silicon substrate can be reduced, and the bird's beak can be reduced.
【図１】この発明の第１の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing element isolation of a silicon substrate according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第２の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing element isolation of a silicon substrate according to a second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の第３の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing element isolation of a silicon substrate according to a third embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第４の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing element isolation of a silicon substrate according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】この発明の第５の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing element isolation of a silicon substrate according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】従来のシリコン基板の素子分離を示す断面図で
ある。FIG. 6 is a cross-sectional view showing element isolation of a conventional silicon substrate.
１ シリコン基板 ２ 薄い酸化膜 ３ 窒化膜 ４ 分離酸化膜 ５ 高濃度酸素注入層 ６ 高濃度窒素注入層 ７ パターニングされたレジスト ８ パターニングされたレジスト ９ エッチング領域 １０ 斜め高濃度窒素注入 １４ 分離酸化膜 １５ 高濃度酸素注入層 １６ａ 高濃度窒素注入層 １６ｂ 高濃度窒素注入層 １７ パターニングされたレジスト ２０ 斜め高濃度窒素注入 ２４ 分離酸化膜 ２５ 高濃度酸素注入層 ２６ 高濃度窒素注入層 ３４ 分離酸化膜 ３５ 高濃度酸素注入層 ３６ 高濃度窒素注入層 ４４ 分離酸化膜 ４５ 高濃度酸素注入層 ４６ 高濃度窒素注入層 ５４ 分離酸化膜 ｌ 窒化膜パターンの幅 ｍ バーズビークの伸び 1 Silicon Substrate 2 Thin Oxide Film 3 Nitride Film 4 Isolation Oxide Film 5 High Concentration Oxygen Injection Layer 6 High Concentration Nitrogen Injection Layer 7 Patterned Resist 8 Patterned Resist 9 Etching Area 10 Oblique High Concentration Nitrogen Injection 14 Separation Oxide Film 15 High-concentration oxygen implantation layer 16a High-concentration nitrogen implantation layer 16b High-concentration nitrogen implantation layer 17 Patterned resist 20 Oblique high-concentration nitrogen implantation 24 Isolation oxide film 25 High-concentration oxygen implantation layer 26 High-concentration nitrogen implantation layer 34 Isolation oxide film 35 High High-concentration oxygen injection layer 36 High-concentration nitrogen injection layer 44 Isolation oxide film 45 High-concentration oxygen injection layer 46 High-concentration nitrogen injection layer 54 Isolation oxide film l Nitride film pattern width m Bird's beak elongation
Claims (5)
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃
度の酸素を注入する工程と、 前記領域に前記酸素注入工程よりも高エネルギーで高濃
度の窒素を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。1. A method of forming an element isolation region on a silicon substrate, comprising the steps of injecting a high concentration of oxygen into a region of the silicon substrate that is to be an element isolation region, A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of implanting high-concentration nitrogen with energy; and a step of oxidizing the treated region.
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃
度の酸素を注入する工程と、 前記高濃度酸素注入層の両側部にのみ、前記酸素注入工
程よりも高濃度の窒素を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。2. A method of forming an element isolation region on a silicon substrate, the method comprising injecting a high concentration of oxygen into a region of the silicon substrate to be an element isolation region, and forming a high concentration oxygen implantation layer on both sides thereof. Only, a method of manufacturing a semiconductor device comprising: a step of injecting nitrogen at a concentration higher than that of the oxygen injecting step; and a step of oxidizing the treated region.
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃
度の酸素を注入する工程と、 前記高濃度の酸素注入層の両側部の一方のみに、前記酸
素注入工程よりも高濃度の窒素を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。3. A method of forming an element isolation region on a silicon substrate, the step of injecting a high concentration of oxygen into a region of the silicon substrate to be an element isolation region, and both sides of the high concentration oxygen implantation layer. 2. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of injecting only one of them with a higher concentration of nitrogen than the oxygen injecting step, and oxidizing the treated region.
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域をエッ
チングする工程と、 前記領域に高濃度の酸素を注入する工程と、 前記エッチングしてできた凹部の両側面に高濃度の窒素
を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。4. A method of forming an element isolation region on a silicon substrate, the step of etching a region of the silicon substrate to be the element isolation region, the step of injecting high-concentration oxygen into the region, and the etching. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of injecting high-concentration nitrogen into both side surfaces of the recess thus formed; and a step of oxidizing the treated region.
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域をエッ
チングする工程と、 前記領域に高濃度の酸素を注入する工程と、 前記エッチングしてできた凹部の片側側面に高濃度の窒
素を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。5. A method for forming an element isolation region on a silicon substrate, the step of etching a region of the silicon substrate to be the element isolation region, the step of injecting high concentration oxygen into the region, and the etching. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of injecting high-concentration nitrogen into one side surface of the recess thus formed; and a step of oxidizing the treated region.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33435791A JPH05144805A (en) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33435791A JPH05144805A (en) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144805A true JPH05144805A (en) | 1993-06-11 |
Family
ID=18276472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33435791A Pending JPH05144805A (en) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144805A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5599731A (en) * | 1994-07-06 | 1997-02-04 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of forming a field oxide film in a semiconductor device |
| US5712186A (en) * | 1996-06-12 | 1998-01-27 | Micron Technology, Inc. | Method for growing field oxide to minimize birds' beak length |
| US5841171A (en) * | 1996-05-08 | 1998-11-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | SOI Semiconductor devices |
| US6127242A (en) * | 1994-02-10 | 2000-10-03 | Micron Technology, Inc. | Method for semiconductor device isolation using oxygen and nitrogen ion implantations to reduce lateral encroachment |
| US7855744B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and a notification operation control method |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP33435791A patent/JPH05144805A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6096583A (en) * | 1996-05-08 | 2000-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| US6333243B1 (en) | 1996-06-12 | 2001-12-25 | Micron Technology, Inc. | Method for growing field oxide to minimize birds' beak length |
| US7855744B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and a notification operation control method |
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