JPH05144797A

JPH05144797A - 洗浄乾燥方法

Info

Publication number: JPH05144797A
Application number: JP32948891A
Authority: JP
Inventors: Masato Tokumi; 正人徳見
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1991-11-18
Filing date: 1991-11-18
Publication date: 1993-06-11

Abstract

(57)【要約】【目的】良好な清浄表面を得ることができる洗浄乾
燥方法を提供する。【構成】ディスク原盤等の被洗浄物４を温純水Ｗ１
中へ浸漬して所定時間洗浄し、この被洗浄物４を引き上
げるに際して、この表面に常温の超純水を噴射スプレし
てこの噴射常温超純水Ｗ３により、表面に付着している
温純水を洗い流して不純物を除去する。これにより、良
好な清浄表面を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディスク原盤等の被洗
浄物の洗浄乾燥方法に係り、特に、良好な清浄表面を得
ることができる洗浄乾燥方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製品に用いるウエハや、
光学機器等に用いる光学レンズや、光ディスクを製造す
るための光ディスク原盤等の精密度が極めて厳しく要求
されるような製品にあっては、歩留まりを向上させ、或
いは高品質維持のためにその製品の製造途中等において
これに付着するゴミ等の付着物を除去する洗浄工程が組
み込まれている。この洗浄工程の終段においては、その
洗浄効率が良好なことから従来にあってはフロンを用い
て被洗浄物の表面を洗浄することが行われていた。しか
しながら、大気に与えるフロンの悪影響に鑑みてフロン
廃止の動向が世界的に叫ばれており、フロンを用いない
で洗浄効率の良い洗浄方法の開発が望まれていた。この
ような状況下において、例えば特開平１−２１００９２
号公報に開示されているように、被洗浄物を温純水に浸
漬して洗浄し、これを引き上げて乾燥する方法が注目さ
れている。

【０００３】この洗浄方法は、図３に示すように純度の
高い超純水を加熱して所定の温度、例えば６０〜８０℃
の温純水２とし、この温純水Ｗ１中に例えばガラスより
なる光ディスク原盤等の被洗浄物４を所定の時間だけ浸
漬して洗浄を行う。そして、この被洗浄物を所定の速
度、例えば可及的にゼロに近い超低速度で液面６より引
き上げることにより、超純水による浸漬洗浄と、被洗浄
物の保有熱による乾燥とを同時に行うものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この方法を
行うにあたって最も注意すべき点は、どのようにして浸
漬する超純水の純度を高く維持するかという点である。
しかしながら、この方法にあっては、超純水を加熱して
使用することとしているために、洗浄容器（タンク）、
純水の清浄度を保つための循環濾過系の配管或いはフィ
ルタ等からの不純物の溶出が常温使用時に比べて著しく
多くなり、その結果、この超純水の純度を高く維持管理
することは難しく、ある程度の限界があった。そのた
め、この従来の洗浄乾燥方法にあっては、被洗浄物の仕
上がりの表面清浄度も十分に高いものではないという問
題点があった。本発明は、以上のような問題点に着目
し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本
発明の目的は、良好な清浄表面を得ることができる洗浄
乾燥方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上のような
問題点を解決するために、ディスク原盤等の被洗浄物を
洗浄し、乾燥するに際して、前記被洗浄物を温純水へ浸
漬する工程と、前記被洗浄物を引き上げるときに、前記
被洗浄物の表面に常温の超純水を接触させて前記温純水
中に含まれる不純物を前記被洗浄物の表面から除去する
工程とを有するように構成したものである。

【０００６】

【作用】本発明は、以上のように構成したので、被洗浄
物が温純水中から引き上げられるときに、その表面に常
温の超純水がスプレ等により接触され、これにより被洗
浄物の表面に付着している不純物は洗い流され、表面清
浄度を高くすることができる。

【０００７】

【実施例】以下に、本発明方法の一実施例を添付図面に
基づいて詳述する。図１は本発明方法の一実施例を説明
するための説明図、図２は本発明方法を実施するための
洗浄乾燥装置である。まず、本発明方法を実施するため
の洗浄乾燥装置について説明すると、この洗浄乾燥装置
８は、所定の温度に加熱された温純水Ｗ１を貯留する温
純水タンク１０を有し、この温純水Ｗ１中に図示しない
固定治具により取り付けた被洗浄物４、例えばガラス或
いはメタルスタンパ等よりなる光ディスク原盤或はハー
ドディスク、ＩＣのマスク等を浸漬、引き上げ可能に構
成している。この温純水タンク１０には、この中の温純
水Ｗ１を抜き出して、再度このタンク１０内へ戻すため
の循環通路１２が取り付けられている。この循環通路１
２の途中には、循環ポンプ１４、純水中に含まれる不純
物を除去する濾過フィルタ１６及び純水を所定の温度に
加熱するための加熱ヒータ１８が順次介設されている。

【０００８】一方、上記温純水タンク１０内の液面２０
の上方には、超純水を噴射するための超純水噴射ノズル
２２が、上記固定治具に保持された被洗浄物４の表面に
臨ませて設けられており、これに常温の超純水を噴射し
得るように構成されている。この常温の超純水を供給す
るために、常温の超純水Ｗ２を貯留するための常温純水
タンク２８が設置されており、このタンク２８には、超
純水を循環させるために途中に供給ポンプ２６、イオン
交換樹脂２７、ウルトラフィルタ２９を順次介設した超
純水ループ配管２５が接続されている。そして、この超
純水ループ配管２５は、途中にフィルタ３１を介設した
超純水供給管２４が分岐させて接続されており、この超
純水供給管２４に上記噴射ノズル２２を接続して常温の
超純水を噴射し得るように構成されている。尚、本実施
例において、温純水とは、例えば６０〜８０℃に加熱さ
れた純水を意味し、常温の純水とは、室温、例えば２０
〜２４℃の純水を意味する。

【０００９】次に、以上のように構成された洗浄乾燥装
置を用いて実施される本発明方法の一実施例を具体的に
説明する。まず、ガラス或いは金属等よりなる光ディス
ク原盤のごとき被洗浄物４に、予め洗剤を用いたスクラ
バ（こすり）洗浄、超音波を用いた超音波洗浄及び超純
水によるすすぎ洗浄を順次施す。次に、すすぎ洗浄の完
了した被洗浄物４を、加熱ヒータ１８の作用により例え
ば６０〜８０℃の温度に加熱されている、温純水タンク
１０内の温純水Ｗ１中に完全に浸漬し、所定時間維持す
る。

【００１０】この場合、温純水Ｗ１の純度としては、１
７メグオーム以上、好ましくは１８メグオーム程度の比
抵抗値を有するものがよく、このためには、循環する温
純水Ｗ１を濾過する濾過フィルタ１６としては０．２μ
ｍ以下のメッシュのＰＴＦＥ製のフィルタを用いるのが
好ましい。また、浸漬時間は、少なくとも３０秒以上と
する。また、温純水の温度は、６０〜８０℃の範囲に設
定する。この温純水の温度が、８０℃を越えるとディス
ク原盤に蒸気が付着して濡れてしまい、シミが生じた
り、ダストを付着し易くなって好ましくない。また、温
純水の温度が６０℃よりも下がるとこの自然乾燥が十分
にできず、同様に濡れた状態となってシミが発生した
り、ダストを付着するので表面清浄度が十分でなくな
り、好ましくない。このように浸漬操作が完了したなら
ば、この被洗浄物４を保持している図示しない固定治具
を上昇することにより、図１（ａ）、（ｂ）に示すよう
に被洗浄物４を所定の速度、例えば２０ｍｍ／秒以下の
速度で温純水Ｗ１中から徐々に引き上げ、被洗浄物４の
保有熱により自然乾燥させる。

【００１１】そして、この引き上げ操作と同時に、常温
純水タンク２８内に貯留されている常温、例えば２０〜
２４℃の超純水Ｗ２を超純水噴射ノズル２２からスプレ
状に或いはシャワ状に噴射し、この噴射常温超純水Ｗ３
を温純水Ｗ１の液面２０上に出た直後の被洗浄物４の表
面に所定時間当てて、被洗浄物表面に付着している温純
水中の不純物を洗い流して除去する。これにより、被洗
浄物の良好な清浄表面を得ることが可能となる。ここ
で、超純水の温度が２４℃を越える場合には、バクテリ
ア等が発生して純度が低下するので好ましくなく、また
２０℃より低いとディスク原盤が自然乾燥し難くなるの
で好ましくない。そして、常温の超純水としては、前述
と同様の純度、１７メグオーム以上、好ましくは１８メ
グオーム程度の比抵抗値のものを用いる。また、常温の
超純水Ｗ２の噴射スプレ時間が長すぎると被洗浄物４の
保有熱が過度に低下して乾燥ムラを生じることになるの
で、これを防止するために、噴射スプレ時間は被洗浄物
４の熱容量にも依るがこの単位面積当たり、好ましくは
５秒以下とする。

【００１２】このように、本実施例においては温純水Ｗ
１から引き上げられた直後の被洗浄物４の表面に、比抵
抗値が低く安定している常温の超純水Ｗ２を噴射スプレ
して仕上げ洗浄を行うようにしたので、加熱昇温されて
いるが故に不純物を含み易い温純水を被洗浄物表面から
洗い流すことができ、不純物のほとんど付着しない清浄
表面を得ることが可能となる。また、被洗浄物４の引き
上げ速度も、従来方法の場合ほど遅くなく、生産効率も
向上させることができる。下記の表１は、本発明方法と
従来方法とをサンプル１〜５、Ａ〜Ｅに適用して、その
洗浄効果を比較する表であり、３μｍ以下の不純物の数
を示す。

【００１３】

【表１】

【００１４】これによれば、本発明方法による洗浄効果
は、従来方法と比較して格段に優れていることが判明し
た。尚、上記実施例における温純水Ｗ１の加熱温度、超
純水の純度、被洗浄物４の浸漬時間及び引き上げ速度等
はこれに限定されるものではなく、被洗浄物の性質等に
応じて適宜変え得るのは勿論である。また、上記実施例
にあっては、被洗浄物として光ディスク原盤を例にとっ
て説明したが、これに限定されず、本発明は他の高い洗
浄度の要求される部材の洗浄、例えば半導体ウエハ等の
洗浄にも適用し得るのは勿論である。

【００１５】

【発明の効果】以上説明したように、発明によれば次の
ような優れた作用効果を発揮することができる。温純水
から引き上げられた被洗浄物に純度の高い常温の超純水
を噴射するようにしたので、その表面より不純物を含有
する温純水が流れ落ち、結果的に、極めて良好な清浄表
面を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る洗浄乾燥方法を説明するための説
明図である。

【図２】本発明に係る洗浄乾燥方法を実施するための洗
浄乾燥装置を示す概略構成図である。

【図３】従来の洗浄乾燥方法を説明するための説明図で
ある。

【符号の説明】

４…被洗浄物（光ディスク原盤）、６，２０…液面、８
…洗浄乾燥装置、１０…温純水タンク、２２…超純水噴
射ノズル、２８…常温純水タンク、Ｗ１…温純水、Ｗ２
…常温の超純水、Ｗ３…噴射常温超純水。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ディスク原盤等の被洗浄物を洗浄し、乾
燥するに際して、前記被洗浄物を温純水へ浸漬する工程
と、前記被洗浄物を引き上げるときに、前記被洗浄物の
表面に常温の超純水を接触させて前記温純水中に含まれ
る不純物を前記被洗浄物の表面から除去する工程とを有
するように構成したことを特徴とする洗浄乾燥方法。