JPH05144703A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH05144703A JPH05144703A JP3304498A JP30449891A JPH05144703A JP H05144703 A JPH05144703 A JP H05144703A JP 3304498 A JP3304498 A JP 3304498A JP 30449891 A JP30449891 A JP 30449891A JP H05144703 A JPH05144703 A JP H05144703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- wafer
- stage
- alignment
- reduction projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】縮小投影露光装置のレティクル位置合わせにお
いてレティクルの位置誤差と回転量をウェーハステージ
にて補正することにより、スル−プットの向上を図る。
さらにレティクルステージ機構系の負担を軽減し、装置
構成を簡素化する。さらにレティクルを高精度に位置合
わせする。 【構成】レティクル１はレティクルアライメント光学系
５により位置検出され、縮小レンズ２の光軸４とのＸ・
Ｙ方向ズレ量及びウェーハ３との回転方向ズレ量が計算
される。このズレ量は、ウェ−ハステ−ジ６にてウェー
ハ３回転補正時とステップアンドリピ−ト時にウェーハ
３上相当量加算し補正される。 【効果】高集積度化に好適な高スル−プット・低コスト
・高精度な縮小投影露光装置が得られる。
いてレティクルの位置誤差と回転量をウェーハステージ
にて補正することにより、スル−プットの向上を図る。
さらにレティクルステージ機構系の負担を軽減し、装置
構成を簡素化する。さらにレティクルを高精度に位置合
わせする。 【構成】レティクル１はレティクルアライメント光学系
５により位置検出され、縮小レンズ２の光軸４とのＸ・
Ｙ方向ズレ量及びウェーハ３との回転方向ズレ量が計算
される。このズレ量は、ウェ−ハステ−ジ６にてウェー
ハ３回転補正時とステップアンドリピ−ト時にウェーハ
３上相当量加算し補正される。 【効果】高集積度化に好適な高スル−プット・低コスト
・高精度な縮小投影露光装置が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縮小投影露光装置等の
半導体製造装置におけるレティクルの位置合わせに係
り、特に高精度・高速にレティクルの位置合わせを行な
うことを可能とした縮小投影露光装置に関する。
半導体製造装置におけるレティクルの位置合わせに係
り、特に高精度・高速にレティクルの位置合わせを行な
うことを可能とした縮小投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置における、レティクル位置合
わせは、レティクルの位置を計測し、目標値とのズレ量
を求め、そのズレ量をレティクルステージにて補正して
いるので、位置合わせに時間がかかり、レティクルを高
精度に位置合わせするための高精度・高分解能のレティ
クルステージを必要としていた。
わせは、レティクルの位置を計測し、目標値とのズレ量
を求め、そのズレ量をレティクルステージにて補正して
いるので、位置合わせに時間がかかり、レティクルを高
精度に位置合わせするための高精度・高分解能のレティ
クルステージを必要としていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、レテ
ィクル位置のズレ量をレティクルステージにて補正しよ
うとするので、スループット・装置構成・精度の点につ
いては配慮がされておらず、位置合わせに時間がかか
り、レティクルを高精度に位置合わせするためにレティ
クルステージを高精度・高分解能にしなければならない
という問題があった。
ィクル位置のズレ量をレティクルステージにて補正しよ
うとするので、スループット・装置構成・精度の点につ
いては配慮がされておらず、位置合わせに時間がかか
り、レティクルを高精度に位置合わせするためにレティ
クルステージを高精度・高分解能にしなければならない
という問題があった。
【０００４】本発明の目的は、レティクルの位置合わせ
時間を速くし、スループットの向上を図ることにある。
時間を速くし、スループットの向上を図ることにある。
【０００５】本発明の他の目的は、レティクルステージ
の精度仕様を緩め装置構成を簡素化することにある。
の精度仕様を緩め装置構成を簡素化することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、レティクル位置の誤
差量をウェーハステージにて補正することにより、高精
度の位置合わせを行なうことにある。
差量をウェーハステージにて補正することにより、高精
度の位置合わせを行なうことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、レティクルに設けられた２個のレティクルアライメ
ントマークを各々独立なレティクルアライメント光学系
により検出し、ここで得られたＸ1・Ｙ1・Ｘ2・Ｙ2のデ
ータから誤差量ΔＸ・ΔＹ及びレティクルの回転量Ｘ2
−Ｘ1を求め、ウェーハステージに転送し、ウェーハス
テージは、第１ショット時にウェーハ回転量とレティク
ル回転量を補正し、ステップアンドリピート時にチップ
のピッチとレティクルの誤差量ΔＸ・ΔＹを加算した座
標に位置決めするようにしたものである。
に、レティクルに設けられた２個のレティクルアライメ
ントマークを各々独立なレティクルアライメント光学系
により検出し、ここで得られたＸ1・Ｙ1・Ｘ2・Ｙ2のデ
ータから誤差量ΔＸ・ΔＹ及びレティクルの回転量Ｘ2
−Ｘ1を求め、ウェーハステージに転送し、ウェーハス
テージは、第１ショット時にウェーハ回転量とレティク
ル回転量を補正し、ステップアンドリピート時にチップ
のピッチとレティクルの誤差量ΔＸ・ΔＹを加算した座
標に位置決めするようにしたものである。
【０００８】
【作用】縮小投影露光装置のレティクル位置合わせにお
いて、レティクルアライメント光学系は、レティクルに
設けられたレティクルアライメントマークを検出し、ウ
ェーハステージは、ここで検出されたＸ1・Ｙ1・Ｘ2・
Ｙ2より計算されたレティクル回転量Ｘ2−Ｘ1のウェー
ハ上相当量を第１ショット時にウェーハ回転と共に補正
し、レティクル位置誤差量ΔＸ・ΔＹのウェーハ上相当
量をステップアンドリピート時にチップのピッチ移動と
同時に補正する。それによって、レティクルステージに
よって行なわれていたレティクル位置合わせをウェーハ
ステージ移動時間に組み込むことができるのでスループ
ットの向上を図ることができる。又、レティクルステー
ジにてレティクル位置わせを行なわないため、レティク
ルステージの精度仕様を緩め装置構成を簡素化すること
ができる。又、レティクル位置の誤差量を高精度なウェ
ーハステージにて補正するので、レティクル位置合わせ
精度向上を図ることができる。
いて、レティクルアライメント光学系は、レティクルに
設けられたレティクルアライメントマークを検出し、ウ
ェーハステージは、ここで検出されたＸ1・Ｙ1・Ｘ2・
Ｙ2より計算されたレティクル回転量Ｘ2−Ｘ1のウェー
ハ上相当量を第１ショット時にウェーハ回転と共に補正
し、レティクル位置誤差量ΔＸ・ΔＹのウェーハ上相当
量をステップアンドリピート時にチップのピッチ移動と
同時に補正する。それによって、レティクルステージに
よって行なわれていたレティクル位置合わせをウェーハ
ステージ移動時間に組み込むことができるのでスループ
ットの向上を図ることができる。又、レティクルステー
ジにてレティクル位置わせを行なわないため、レティク
ルステージの精度仕様を緩め装置構成を簡素化すること
ができる。又、レティクル位置の誤差量を高精度なウェ
ーハステージにて補正するので、レティクル位置合わせ
精度向上を図ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図４を用いて
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の使用状態を示
し、レティクル１上のパターンは、縮小レンズ２によっ
てウェーハ３に縮小して転写される。この時、レティク
ル１の中心と縮小レンズ２の光軸４を一致させ、かつレ
ティクル１とウェーハ３の回転誤差を補正するために、
レティクル１の位置をレティクルアライメント光学系５
で検出し、誤差量を求めウェーハステージ６にこの誤差
量を転送する。ウェーハステージ６は、この誤差量をウ
ェーハ３とウェーハステージ６の移動案内軸との平行合
わせ、すなわちウェーハ回転合わせ時、及びステップア
ンドリピート移動時にウェーハ３上相当量加算して移動
する。この方式においては、従来のようにレティクルス
テージ７はレティクル１の保持のみで、補正は行なわな
い。
し、レティクル１上のパターンは、縮小レンズ２によっ
てウェーハ３に縮小して転写される。この時、レティク
ル１の中心と縮小レンズ２の光軸４を一致させ、かつレ
ティクル１とウェーハ３の回転誤差を補正するために、
レティクル１の位置をレティクルアライメント光学系５
で検出し、誤差量を求めウェーハステージ６にこの誤差
量を転送する。ウェーハステージ６は、この誤差量をウ
ェーハ３とウェーハステージ６の移動案内軸との平行合
わせ、すなわちウェーハ回転合わせ時、及びステップア
ンドリピート移動時にウェーハ３上相当量加算して移動
する。この方式においては、従来のようにレティクルス
テージ７はレティクル１の保持のみで、補正は行なわな
い。
【００１１】図２はレティクル１の位置合わせの説明図
である。レティクル１はレティクルステージ７に載せら
れた後、位置合わせ前のレティクル１ａの状態でありこ
の時の位置は位置合わせ前のＸ・Ｙレティクルアライメ
ントマーク８ａと位置合わせ前のθアライメントマーク
８ｂの座標で表され、目標位置のレティク１ｂ上の目標
位置のＸ・Ｙレティクルアライメントマーク８ｃと目標
位置のθレティクルアライメントマーク８ｄに対してＸ
・Ｙ・θ軸方向にΔＸ・ΔＹ・Δθの誤差を持ってい
る。この誤差を、レティクルステージ７で補正しようと
した場合、Ｘ・Ｙ・θ軸に移動すると、Ｘ・Ｙ移動案内
軸間の直行度ズレ及びθ軸の回転中心位置のズレによ
り、１軸を移動すると他軸への影響が発生し、一回の移
動では目標位置のレティクル１ｂの許容範囲への追い込
みが終了せず、再びΔＸ・ΔＹ・Δθを検出してレティ
クルステージ７を移動するという動作を繰返す必要があ
る。そこでレティクル１の位置誤差と回転誤差をレティ
クルステージ７で補正せずに、ウェーハステージ６で補
正する。
である。レティクル１はレティクルステージ７に載せら
れた後、位置合わせ前のレティクル１ａの状態でありこ
の時の位置は位置合わせ前のＸ・Ｙレティクルアライメ
ントマーク８ａと位置合わせ前のθアライメントマーク
８ｂの座標で表され、目標位置のレティク１ｂ上の目標
位置のＸ・Ｙレティクルアライメントマーク８ｃと目標
位置のθレティクルアライメントマーク８ｄに対してＸ
・Ｙ・θ軸方向にΔＸ・ΔＹ・Δθの誤差を持ってい
る。この誤差を、レティクルステージ７で補正しようと
した場合、Ｘ・Ｙ・θ軸に移動すると、Ｘ・Ｙ移動案内
軸間の直行度ズレ及びθ軸の回転中心位置のズレによ
り、１軸を移動すると他軸への影響が発生し、一回の移
動では目標位置のレティクル１ｂの許容範囲への追い込
みが終了せず、再びΔＸ・ΔＹ・Δθを検出してレティ
クルステージ７を移動するという動作を繰返す必要があ
る。そこでレティクル１の位置誤差と回転誤差をレティ
クルステージ７で補正せずに、ウェーハステージ６で補
正する。
【００１２】図３，図４は本発明を適用した場合のウェ
ーハステージ６の第１ショット露光前及びステップアン
ドリピート移動のシーケンスフローを示した図である。
図３でウェーハステージ６は、移動案内軸とウェーハ３
との平行合わせを行なうが、この時にレティクルアライ
メント光学系５により検出されたレティクル１の回転誤
差のウェーハ３上相当量加算してウェーハステージ６を
回転補正する。又、図６のステップアンドリピート移動
時には、ウェーハステージ６は従来チップのピッチ分だ
け移動していたものを、本発明ではレティクルアライメ
ント光学系５により検出されたレティクル１の位置誤差
のウェーハ３上相当量加算してステップアンドリピート
移動し露光を行なう。
ーハステージ６の第１ショット露光前及びステップアン
ドリピート移動のシーケンスフローを示した図である。
図３でウェーハステージ６は、移動案内軸とウェーハ３
との平行合わせを行なうが、この時にレティクルアライ
メント光学系５により検出されたレティクル１の回転誤
差のウェーハ３上相当量加算してウェーハステージ６を
回転補正する。又、図６のステップアンドリピート移動
時には、ウェーハステージ６は従来チップのピッチ分だ
け移動していたものを、本発明ではレティクルアライメ
ント光学系５により検出されたレティクル１の位置誤差
のウェーハ３上相当量加算してステップアンドリピート
移動し露光を行なう。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、レティクルアライメン
ト光学系により検出されたレティクル位置誤差量とレテ
ィクル回転量をレティクルステージで補正せず、ウェー
ハステージ移動時にウェーハ上相当量補正するので、ス
ループット向上の効果がある。又、レティクルステージ
にてレティクル位置合わせを行なわないため、レティク
ルステージの精度仕様を緩め装置構成を簡素化すること
ができ、製造コストを低減する効果もある。又、レティ
クル位置の誤差量を高精度なウェーハステージにて補正
するので、レティクル位置合わせ精度向上の効果もあ
る。
ト光学系により検出されたレティクル位置誤差量とレテ
ィクル回転量をレティクルステージで補正せず、ウェー
ハステージ移動時にウェーハ上相当量補正するので、ス
ループット向上の効果がある。又、レティクルステージ
にてレティクル位置合わせを行なわないため、レティク
ルステージの精度仕様を緩め装置構成を簡素化すること
ができ、製造コストを低減する効果もある。又、レティ
クル位置の誤差量を高精度なウェーハステージにて補正
するので、レティクル位置合わせ精度向上の効果もあ
る。
【図１】本発明の一実施例の使用状態図である。
【図２】レティクルの位置合わせの説明図である。
【図３】本発明によるウェーハステージの第１ショット
露光前のシーケンスフロー図である。
露光前のシーケンスフロー図である。
【図４】本発明によるステップアンドリピート移動のシ
ーケンスフロー図である。
ーケンスフロー図である。
１…レティクル、２…縮小レンズ、３…ウェ−ハ、４…
光軸、５…レティクルアライメント光学系、６…ウェー
ハステ−ジ、７…レティクルステ−ジ、１ａ…位置合わ
せ前のレティクル、１ｂ…目標位置のレティクル、８ａ
…位置合わせ前のＸ・Ｙレティクルアライメントマー
ク、８ｂ…位置合わせ前のθレティクルアライメントマ
ーク、８ｃ…目標位置のＸ・Ｙレティクルアライメント
マーク、８ｄ…目標位置のθレティクルアライメントマ
ーク。
光軸、５…レティクルアライメント光学系、６…ウェー
ハステ−ジ、７…レティクルステ−ジ、１ａ…位置合わ
せ前のレティクル、１ｂ…目標位置のレティクル、８ａ
…位置合わせ前のＸ・Ｙレティクルアライメントマー
ク、８ｂ…位置合わせ前のθレティクルアライメントマ
ーク、８ｃ…目標位置のＸ・Ｙレティクルアライメント
マーク、８ｄ…目標位置のθレティクルアライメントマ
ーク。
Claims (1)
- 【請求項１】レティクルと、ウェーハと、前記レティク
ルの保持及び移動を行なうレティクルステージと、前記
レティクルの位置検出を行なうレティクルアライメント
光学系と、前記ウェーハの保持及び移動を行なうウェー
ハステージよりなる縮小投影露光装置において、前記レ
ティクルの位置を前記レティクルアライメント光学系で
検出し、その検出結果より計算された前記レティクルの
位置誤差と回転量を前記ウェーハステージにて補正する
ことを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304498A JPH05144703A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304498A JPH05144703A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144703A true JPH05144703A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17933758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3304498A Pending JPH05144703A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144703A (ja) |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP3304498A patent/JPH05144703A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3624065B2 (ja) | 基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置 | |
| JP2646412B2 (ja) | 露光装置 | |
| KR100194255B1 (ko) | 레티클 패턴 위치 맞춤 방법 | |
| US6342703B1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method employing the exposure method | |
| JPH09260250A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| US6239858B1 (en) | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus | |
| JP4289961B2 (ja) | 位置決め装置 | |
| JPH05144703A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| US7782441B2 (en) | Alignment method and apparatus of mask pattern | |
| JP3058289B2 (ja) | ウエハのプリアライメント方式 | |
| JP3245859B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP3569962B2 (ja) | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法、それを用いた露光装置及び露光方法 | |
| JP3276608B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58127322A (ja) | ステツパ−アライナのアライメント方法 | |
| JPH0282510A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| US6490026B1 (en) | Method and system for aligning object to be processed with predetermined target article | |
| JP2698217B2 (ja) | 半導体ウエハの位置合わせ方法 | |
| JP2003037038A (ja) | 投影露光方法 | |
| JPH027511A (ja) | 露光装置 | |
| JP2820081B2 (ja) | アライメント方法 | |
| JPH0529195A (ja) | 縮小投影型露光装置 | |
| JPH1079333A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP3013421B2 (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2823227B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPS61265817A (ja) | 焼付け方法 |