JPH05142764A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05142764A JPH05142764A JP3301621A JP30162191A JPH05142764A JP H05142764 A JPH05142764 A JP H05142764A JP 3301621 A JP3301621 A JP 3301621A JP 30162191 A JP30162191 A JP 30162191A JP H05142764 A JPH05142764 A JP H05142764A
- Authority
- JP
- Japan
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- group
- pattern
- acid ester
- azide
- chemical
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- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】感光性組成物塗膜パターン転写後にアルカリ性
水溶液を用いて現像するパターン形成方法において、上
記塗膜の３６５ｎｍにおける吸収係数が０.０５〜０.５
／μｍの範囲にあり、露光は水銀灯輝線の一つであるｉ
線（３６５ｎｍ)によって行なう。 【化１】 【効果】ｉ−線縮小投影露光装置を用いて、矩形断面形
状を有するネガ型微細パターンの形成が可能である。
水溶液を用いて現像するパターン形成方法において、上
記塗膜の３６５ｎｍにおける吸収係数が０.０５〜０.５
／μｍの範囲にあり、露光は水銀灯輝線の一つであるｉ
線（３６５ｎｍ)によって行なう。 【化１】 【効果】ｉ−線縮小投影露光装置を用いて、矩形断面形
状を有するネガ型微細パターンの形成が可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子，磁気バル
ブメモリ等、微細な配線を必要とする固体素子製作に利
用されるパターン形成方法に関する。
ブメモリ等、微細な配線を必要とする固体素子製作に利
用されるパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化に伴って、リ
ソグラフィ技術向上への要求はますます厳しくなってお
り、露光装置の短波長化，レジスト材料開発並びにプロ
セス技術の改良が検討されている。プロセス技術の一つ
として、露光装置の露光波長よりも、より微細なパター
ンを形成できる位相シフト露光法が注目を浴びている。
この位相シフト露光法と、ｉ−線縮小投影露光装置とを
組み合わせると露光波長よりも微細なパターン形成が可
能であることから、デバイス製作への適用の検討が各所
で進められている。位相シフト露光法のデバイス製作へ
の適用に当たってはパターン形状の制約から、高解像性
ネガ型レジストが必要である。現在までに報告されてい
るｉ−線用ネガ型レジストは、例えば、特願昭57−1460
94号明細書に記載のアジド−フェノール樹脂系レジス
ト、例えば、特開平2−146044 号公報に記載の化学増幅
系レジスト、例えば、特開昭64−54441 号公報に記載の
イメージリバーサルレジストに分類される。
ソグラフィ技術向上への要求はますます厳しくなってお
り、露光装置の短波長化，レジスト材料開発並びにプロ
セス技術の改良が検討されている。プロセス技術の一つ
として、露光装置の露光波長よりも、より微細なパター
ンを形成できる位相シフト露光法が注目を浴びている。
この位相シフト露光法と、ｉ−線縮小投影露光装置とを
組み合わせると露光波長よりも微細なパターン形成が可
能であることから、デバイス製作への適用の検討が各所
で進められている。位相シフト露光法のデバイス製作へ
の適用に当たってはパターン形状の制約から、高解像性
ネガ型レジストが必要である。現在までに報告されてい
るｉ−線用ネガ型レジストは、例えば、特願昭57−1460
94号明細書に記載のアジド−フェノール樹脂系レジス
ト、例えば、特開平2−146044 号公報に記載の化学増幅
系レジスト、例えば、特開昭64−54441 号公報に記載の
イメージリバーサルレジストに分類される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ｉ−線用ネガ型レ
ジストの中で化学増幅系レジスト並びにイメージリバー
サルレジストは高解像性であるが、基板の種類によって
は基板付近のレジストパターンの食い込み現象が見ら
れ、微細パターンが形成できないという場合もある。一
方、アジド−フェノール樹脂系レジストは、アルカリ水
溶液で膨潤することなく現像されるために高解像性をも
ち、しかも、フェノール樹脂のドライエッチング耐性が
高いため、半導体製作の微細加工に極めて有用であるこ
とが知られている。しかし、このネガ型レジストは露光
波長とアジドの最大吸収波長がほぼ一致しており、露光
波長における光吸収が大きく、レジストを表面から基板
表面まで均一に感光させることが困難である。このた
め、形成される微細パターンの断面形状が逆台形になる
という問題がある。
ジストの中で化学増幅系レジスト並びにイメージリバー
サルレジストは高解像性であるが、基板の種類によって
は基板付近のレジストパターンの食い込み現象が見ら
れ、微細パターンが形成できないという場合もある。一
方、アジド−フェノール樹脂系レジストは、アルカリ水
溶液で膨潤することなく現像されるために高解像性をも
ち、しかも、フェノール樹脂のドライエッチング耐性が
高いため、半導体製作の微細加工に極めて有用であるこ
とが知られている。しかし、このネガ型レジストは露光
波長とアジドの最大吸収波長がほぼ一致しており、露光
波長における光吸収が大きく、レジストを表面から基板
表面まで均一に感光させることが困難である。このた
め、形成される微細パターンの断面形状が逆台形になる
という問題がある。
【０００４】本発明の目的は、ｉ−線（３６５ｎｍ）に
よる露光において、矩形断面形状の高解像度の微細パタ
ーンの形成方法を提供することにある。
よる露光において、矩形断面形状の高解像度の微細パタ
ーンの形成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、アジドケイ
皮酸エステルを含む化合物を有するアルカリ可溶性の感
光性組成物を、基板上に塗布して塗膜とする工程，前記
塗膜にフォトマスクを介してパターンを露光する工程，
パターン転写後にアルカリ性水溶液を用いて現像する工
程からなるパターン形成方法において、前記塗膜の３６
５ｎｍにおける吸収係数が０.０５〜０.５／μｍの範囲
にあり、前記露光は水銀灯輝線の一つであるｉ線（３６
５ｎｍ）の光によって行なうパターン形成方法によって
達成される。
皮酸エステルを含む化合物を有するアルカリ可溶性の感
光性組成物を、基板上に塗布して塗膜とする工程，前記
塗膜にフォトマスクを介してパターンを露光する工程，
パターン転写後にアルカリ性水溶液を用いて現像する工
程からなるパターン形成方法において、前記塗膜の３６
５ｎｍにおける吸収係数が０.０５〜０.５／μｍの範囲
にあり、前記露光は水銀灯輝線の一つであるｉ線（３６
５ｎｍ）の光によって行なうパターン形成方法によって
達成される。
【０００６】今回種々のアジド化合物を合成した結果、
アジドケイ皮酸エステルを含む化合物を用いることによ
り、レジスト膜の吸収係数を上記範囲にできることを見
出した。
アジドケイ皮酸エステルを含む化合物を用いることによ
り、レジスト膜の吸収係数を上記範囲にできることを見
出した。
【０００７】本発明に用いられる前記アジドケイ皮酸エ
ステルを含む化合物は、下記の一般式である化１，化
３，化４を構成単位とすることを特徴とする。
ステルを含む化合物は、下記の一般式である化１，化
３，化４を構成単位とすることを特徴とする。
【０００８】
【化５】
【０００９】（上式中、Ｘは水素，炭素数が５以下のア
ルキル基，エーテル基，水酸基，アジド基またはハロゲ
ン原子からなる群から選ばれた元素または原子団を表わ
し、Ａは、−ＣＨ2ＣＨ2−，−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2
−，−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−
ルキル基，エーテル基，水酸基，アジド基またはハロゲ
ン原子からなる群から選ばれた元素または原子団を表わ
し、Ａは、−ＣＨ2ＣＨ2−，−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2
−，−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−
【００１０】
【化６】
【００１１】から選ばれた原子団を表わす。）ここでＡ
として、エーテル結合を含んだものを用いたのは、アル
カリ水溶液に対する溶解性を良くするためである。
として、エーテル結合を含んだものを用いたのは、アル
カリ水溶液に対する溶解性を良くするためである。
【００１２】または、アルカリ可溶性の感光性組成物に
おいてアジドケイ皮酸エステルを含む化合物が、下記一
般式を構成単位とする感光性樹脂群から選ばれた少なく
とも一種類のアジド化合物であることを特徴とする。
おいてアジドケイ皮酸エステルを含む化合物が、下記一
般式を構成単位とする感光性樹脂群から選ばれた少なく
とも一種類のアジド化合物であることを特徴とする。
【００１３】
【化７】
【００１４】
【化８】
【００１５】（上式中、Ｘは水素，炭素数が５以下のア
ルキル基，エーテル基，水酸基，アジド基またはハロゲ
ン原子からなる群から選ばれた元素または原子団を表わ
す。）アジドケイ皮酸エステルを含む化合物中、アジド
基を含む単位は５〜５０％であり、この化合物を単独
で、感光成分かつ膜形成成分として用いることもでき、
他のアルカリ可溶性の膜形成成分と混合した系でも用い
ることができる。
ルキル基，エーテル基，水酸基，アジド基またはハロゲ
ン原子からなる群から選ばれた元素または原子団を表わ
す。）アジドケイ皮酸エステルを含む化合物中、アジド
基を含む単位は５〜５０％であり、この化合物を単独
で、感光成分かつ膜形成成分として用いることもでき、
他のアルカリ可溶性の膜形成成分と混合した系でも用い
ることができる。
【００１６】その他アジドケイ皮酸エステルとして、下
記のような構造のものを合成した。ここでＲは
記のような構造のものを合成した。ここでＲは
【００１７】
【化９】
【００１８】を表す。
【００１９】
【化１０】
【００２０】しかし、これらのアジドケイ皮酸エステル
は、塗布溶媒に対する溶解性が極端に悪かったり、基板
上に塗布して塗膜とした際に、アルカリ性水溶液である
現像液への溶解性が極端に悪かったりして、一般式化
１，化３，化４を構成単位とするアジドケイ皮酸エステ
ルが適していることを見出した。
は、塗布溶媒に対する溶解性が極端に悪かったり、基板
上に塗布して塗膜とした際に、アルカリ性水溶液である
現像液への溶解性が極端に悪かったりして、一般式化
１，化３，化４を構成単位とするアジドケイ皮酸エステ
ルが適していることを見出した。
【００２１】本発明の膜形成成分には、アルカリ可溶性
のフェノール樹脂が用いられる。フェノール樹脂は、例
えば、ポリ（４−ビニルフェノール），メタ・パラクレ
ゾールノボラック樹脂，ノボラック樹脂，ブロム化ポリ
（４−ビニルフェノール），オルトクレゾールノボラッ
ク樹脂の中から選ばれた樹脂を用いることができる。ま
た二種類以上のフェノール樹脂を同時に用いることもで
きる。
のフェノール樹脂が用いられる。フェノール樹脂は、例
えば、ポリ（４−ビニルフェノール），メタ・パラクレ
ゾールノボラック樹脂，ノボラック樹脂，ブロム化ポリ
（４−ビニルフェノール），オルトクレゾールノボラッ
ク樹脂の中から選ばれた樹脂を用いることができる。ま
た二種類以上のフェノール樹脂を同時に用いることもで
きる。
【００２２】アジドケイ皮酸エステルを含む化合物は、
フェノール樹脂に対して５〜５０重量％程度の範囲にあ
ることが好ましく、１５〜３０重量％程度の範囲である
ことがより好ましい。
フェノール樹脂に対して５〜５０重量％程度の範囲にあ
ることが好ましく、１５〜３０重量％程度の範囲である
ことがより好ましい。
【００２３】
【作用】本発明に用いるアジドケイ皮酸エステルを含む
アジド化合物は、ｉ−線照射で効率良く光分解し、生成
したナイトレンがフェノール樹脂を効率良く不溶化する
ので、高感度ネガ型レジストとして作用する。
アジド化合物は、ｉ−線照射で効率良く光分解し、生成
したナイトレンがフェノール樹脂を効率良く不溶化する
ので、高感度ネガ型レジストとして作用する。
【００２４】また、アジドケイ皮酸エステルを含む化合
物はｉ−線（３６５ｎｍ）において光吸収が小さい。そ
のため、それを有するアルカリ可溶性の感光性組成物の
塗膜の３６５ｎｍにおける吸収係数は、０.０５〜０.５
／μｍの範囲にある。そこで、アジドケイ皮酸エステル
を含む化合物を有する感光性組成物を用いると、従来の
アジド系レジスト（吸収係数は、約２／μｍ）のような
光吸収によるパターンの断面形状の逆台形化は全く見ら
れず、矩形断面形状の微細パターン形成が可能である。
物はｉ−線（３６５ｎｍ）において光吸収が小さい。そ
のため、それを有するアルカリ可溶性の感光性組成物の
塗膜の３６５ｎｍにおける吸収係数は、０.０５〜０.５
／μｍの範囲にある。そこで、アジドケイ皮酸エステル
を含む化合物を有する感光性組成物を用いると、従来の
アジド系レジスト（吸収係数は、約２／μｍ）のような
光吸収によるパターンの断面形状の逆台形化は全く見ら
れず、矩形断面形状の微細パターン形成が可能である。
【００２５】また、本発明に用いるフェノール樹脂はア
ルカリ性水溶液に膨潤することなく溶解し、且つ、ドラ
イエッチング耐性に優れており、微細パターン形成用高
分子化合物は最適の材料である。フェノール樹脂の中で
も、メタ・パラクレゾールノボラック樹脂を用いたレジ
ストが、露光前後での溶解速度差が最も大きくでる。こ
のことから本発明に用いるフェノール樹脂は、メタ・パ
ラクレゾールノボラック樹脂が最適である。
ルカリ性水溶液に膨潤することなく溶解し、且つ、ドラ
イエッチング耐性に優れており、微細パターン形成用高
分子化合物は最適の材料である。フェノール樹脂の中で
も、メタ・パラクレゾールノボラック樹脂を用いたレジ
ストが、露光前後での溶解速度差が最も大きくでる。こ
のことから本発明に用いるフェノール樹脂は、メタ・パ
ラクレゾールノボラック樹脂が最適である。
【００２６】
【実施例】以下、合成例及び実施例により本発明を詳細
に説明する。
に説明する。
【００２７】＜合成例１＞４−アミノケイ皮酸１５ｇ，
水約２５０ｍｌ，濃塩酸２３ｍｌを入れ撹拌する。これ
を氷で冷却し、液温を０〜５℃に保ちながら亜硝酸ナト
リウム９.５ｇ と水８０ｍｌの混合液滴下する。滴下
後、冷却したまま約３０分程度撹拌した後、アジ化ナト
リウム９.０ｇ と水８０ｍｌの混合液を滴下する。滴下
により窒素が発生して、浮遊物が出てくる。途中、撹拌
しづらくなるので、適宜、水を加えてやる。吸引ろ過に
より黄色浮遊物を水と分離し、水洗，室温で減圧乾燥
し、黄色粉末の４−アジドケイ皮酸１６.５ｇ を得た
（収率９５％）。
水約２５０ｍｌ，濃塩酸２３ｍｌを入れ撹拌する。これ
を氷で冷却し、液温を０〜５℃に保ちながら亜硝酸ナト
リウム９.５ｇ と水８０ｍｌの混合液滴下する。滴下
後、冷却したまま約３０分程度撹拌した後、アジ化ナト
リウム９.０ｇ と水８０ｍｌの混合液を滴下する。滴下
により窒素が発生して、浮遊物が出てくる。途中、撹拌
しづらくなるので、適宜、水を加えてやる。吸引ろ過に
より黄色浮遊物を水と分離し、水洗，室温で減圧乾燥
し、黄色粉末の４−アジドケイ皮酸１６.５ｇ を得た
（収率９５％）。
【００２８】フラスコに、４−アジドケイ皮酸５.０ｇ
，塩化チオニル約１０ｍｌを入れ撹拌する。ここへジ
メチルホルムアミド２〜３滴を入れると、反応が始まり
褐色の溶液となる。約７０℃で一時間加熱した後、過剰
の塩化チオニルを減圧留去し乾燥する。４−アジドケイ
皮酸クロリドがオレンジ色の固体として得られる。この
４−アジドケイ皮酸クロリドは常温で加水分解をするの
で、保存の際は系内に水分が入らないように密栓し、な
るべくＮ2 雰囲気下で取扱う。
，塩化チオニル約１０ｍｌを入れ撹拌する。ここへジ
メチルホルムアミド２〜３滴を入れると、反応が始まり
褐色の溶液となる。約７０℃で一時間加熱した後、過剰
の塩化チオニルを減圧留去し乾燥する。４−アジドケイ
皮酸クロリドがオレンジ色の固体として得られる。この
４−アジドケイ皮酸クロリドは常温で加水分解をするの
で、保存の際は系内に水分が入らないように密栓し、な
るべくＮ2 雰囲気下で取扱う。
【００２９】フラスコに、トリエチレングリコール２.
２ｇ ，ピリジン約４０ｍｌを入れ撹拌して良く溶か
す。ここへ４−アジドケイ皮酸クロリド６.０ｇ を固体
で加え、７０℃で約二時間加熱した。反応後、水１００
０ｍｌに注いで、酢酸エチルで抽出し、溶液を硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去後、石油エーテ
ル、続いて少量のエタノールで数回洗浄，乾燥して、褐
色の固体の４−アジドケイ皮酸エステル４.２ｇ を得
た。この化合物の赤外吸収スペクトルを測定すると、２
１２０cm-1にアジド基に対応した吸収が認められた。
２ｇ ，ピリジン約４０ｍｌを入れ撹拌して良く溶か
す。ここへ４−アジドケイ皮酸クロリド６.０ｇ を固体
で加え、７０℃で約二時間加熱した。反応後、水１００
０ｍｌに注いで、酢酸エチルで抽出し、溶液を硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去後、石油エーテ
ル、続いて少量のエタノールで数回洗浄，乾燥して、褐
色の固体の４−アジドケイ皮酸エステル４.２ｇ を得
た。この化合物の赤外吸収スペクトルを測定すると、２
１２０cm-1にアジド基に対応した吸収が認められた。
【００３０】＜合成例２＞合成例１のトリエチレングリ
コールの２.２ｇのかわりにジエチレングリコール１.５
ｇ を用いて、合成例１と同様の条件で反応を行なっ
た。反応後、溶液を水１０００ｍｌに注ぎ、塩析して褐
色の沈殿を得た。水洗，乾燥後、熱エタノールに溶か
し、冷却して析出させ乾燥して、４−アジドケイ皮酸エ
ステル３.３ｇを得た。
コールの２.２ｇのかわりにジエチレングリコール１.５
ｇ を用いて、合成例１と同様の条件で反応を行なっ
た。反応後、溶液を水１０００ｍｌに注ぎ、塩析して褐
色の沈殿を得た。水洗，乾燥後、熱エタノールに溶か
し、冷却して析出させ乾燥して、４−アジドケイ皮酸エ
ステル３.３ｇを得た。
【００３１】＜合成例３＞合成例１のトリエチレングリ
コールの２.２ｇのかわりにヒドロキノン１.６ｇを用い
て、合成例１と同様の条件で反応を行なった。反応後、
溶液を水１０００ｍｌに注ぎ、塩析して褐色の沈殿を得
た。水洗，乾燥後、テトラヒドロフランに溶かし、石油
エーテルに注いで析出させ乾燥して、４−アジドケイ皮
酸エステルを得た。
コールの２.２ｇのかわりにヒドロキノン１.６ｇを用い
て、合成例１と同様の条件で反応を行なった。反応後、
溶液を水１０００ｍｌに注ぎ、塩析して褐色の沈殿を得
た。水洗，乾燥後、テトラヒドロフランに溶かし、石油
エーテルに注いで析出させ乾燥して、４−アジドケイ皮
酸エステルを得た。
【００３２】＜合成例４＞フラスコにポリヒドロキシス
チレン（リンカーＭ，丸善石油化学（株）製，重量平均
分子量６,７００）１.０ｇ，ピリジン約１０ｍｌを入れ
撹拌して良く溶かす。ここへ合成例１で合成した４−ア
ジドケイ皮酸クロリド０.５２ｇ(ポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基の３０モル％）を固体で加え、７０℃で約二
時間加熱した。反応後、溶液を水約５００ｍｌに注ぎ、
塩析して褐色の沈殿を得た。水洗，乾燥後、テトラヒド
ロフランに溶かし、石油エーテルに注いで再沈殿し乾燥
して感光性樹脂を得た。
チレン（リンカーＭ，丸善石油化学（株）製，重量平均
分子量６,７００）１.０ｇ，ピリジン約１０ｍｌを入れ
撹拌して良く溶かす。ここへ合成例１で合成した４−ア
ジドケイ皮酸クロリド０.５２ｇ(ポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基の３０モル％）を固体で加え、７０℃で約二
時間加熱した。反応後、溶液を水約５００ｍｌに注ぎ、
塩析して褐色の沈殿を得た。水洗，乾燥後、テトラヒド
ロフランに溶かし、石油エーテルに注いで再沈殿し乾燥
して感光性樹脂を得た。
【００３３】＜合成例５＞フラスコにポリヒドロキシス
チレン（リンカーＭ，丸善石油化学（株）製，重量平均
分子量２,０００）１.０ｇ，ピリジン約１０ｍｌを入れ
撹拌して良く溶かす。ここへ合成例１で合成した４−ア
ジドケイ皮酸クロリド０.８７ｇ(ポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基の５０モル％）を固体で加え、７０℃で約二
時間加熱した。反応後、溶液を水約５００ｍｌに注ぎ、
塩析して褐色の沈殿を得た。水洗，乾燥後、テトラヒド
ロフランに溶かし、石油エーテルに注いで再沈殿し乾燥
して感光性樹脂を得た。
チレン（リンカーＭ，丸善石油化学（株）製，重量平均
分子量２,０００）１.０ｇ，ピリジン約１０ｍｌを入れ
撹拌して良く溶かす。ここへ合成例１で合成した４−ア
ジドケイ皮酸クロリド０.８７ｇ(ポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基の５０モル％）を固体で加え、７０℃で約二
時間加熱した。反応後、溶液を水約５００ｍｌに注ぎ、
塩析して褐色の沈殿を得た。水洗，乾燥後、テトラヒド
ロフランに溶かし、石油エーテルに注いで再沈殿し乾燥
して感光性樹脂を得た。
【００３４】＜実施例１＞メタ・パラクレゾールノボラ
ック樹脂と合成例１で合成した４−アジドケイ皮酸エス
テルを１０：３の重量比でシクロヘキサノンに溶解させ
て、レジスト溶液を作成した。次にシリコンウェハ上に
反射防止膜（日立化成製ＢＬＯＣ２−１６−４０）を形
成した基板上に上記レジスト溶液を塗布し、８０℃で１
０分間ベークし、膜厚０.５μｍ の塗膜を形成した物を
露光試料とした。この露光試料ｉ−線縮小投影露光装置
を用いてパターン露光した。露光後試料を２.３８％ 水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に浸漬し現像し
た。現像後のフォトレジストパターンの膨潤は認められ
ず、良好なネガ型のパターンが得られた。
ック樹脂と合成例１で合成した４−アジドケイ皮酸エス
テルを１０：３の重量比でシクロヘキサノンに溶解させ
て、レジスト溶液を作成した。次にシリコンウェハ上に
反射防止膜（日立化成製ＢＬＯＣ２−１６−４０）を形
成した基板上に上記レジスト溶液を塗布し、８０℃で１
０分間ベークし、膜厚０.５μｍ の塗膜を形成した物を
露光試料とした。この露光試料ｉ−線縮小投影露光装置
を用いてパターン露光した。露光後試料を２.３８％ 水
酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に浸漬し現像し
た。現像後のフォトレジストパターンの膨潤は認められ
ず、良好なネガ型のパターンが得られた。
【００３５】＜実施例２＞実施例１において用いたアジ
ド化合物のかわりに、合成例２で合成した４−アジドケ
イ皮酸エステルを用いて、実施例１と同じ方法でパター
ン形成を行なったところ、良好なネガ型のパターンが得
られた。
ド化合物のかわりに、合成例２で合成した４−アジドケ
イ皮酸エステルを用いて、実施例１と同じ方法でパター
ン形成を行なったところ、良好なネガ型のパターンが得
られた。
【００３６】＜実施例３＞実施例１において用いたアジ
ド化合物のかわりに、合成例３で合成した４−アジドケ
イ皮酸エステルを用いて、実施例１と同じ方法でパター
ン形成を行なったところ、良好なネガ型のパターンが得
られた。
ド化合物のかわりに、合成例３で合成した４−アジドケ
イ皮酸エステルを用いて、実施例１と同じ方法でパター
ン形成を行なったところ、良好なネガ型のパターンが得
られた。
【００３７】＜実施例４＞合成例４で合成した感光性樹
脂をシクロヘキサノンに溶解させて、レジスト溶液を作
成した。次にシリコンウェハ上に反射防止膜（日立化成
製ＢＬＯＣ２−１６−４０）を形成した基板上にレジス
ト溶液を塗布し、８０℃で１０分間ベークし、膜厚０.
５μｍ の塗膜を形成した物を露光試料とした。この露
光試料ｉ−線縮小投影露光装置を用いてパターン露光し
た。露光後試料を５％水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液に浸漬し現像した。現像後のフォトレジストパタ
ーンの膨潤は認められず、良好なネガ型のパターンが得
られた。
脂をシクロヘキサノンに溶解させて、レジスト溶液を作
成した。次にシリコンウェハ上に反射防止膜（日立化成
製ＢＬＯＣ２−１６−４０）を形成した基板上にレジス
ト溶液を塗布し、８０℃で１０分間ベークし、膜厚０.
５μｍ の塗膜を形成した物を露光試料とした。この露
光試料ｉ−線縮小投影露光装置を用いてパターン露光し
た。露光後試料を５％水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液に浸漬し現像した。現像後のフォトレジストパタ
ーンの膨潤は認められず、良好なネガ型のパターンが得
られた。
【００３８】＜実施例５＞実施例１において用いたアジ
ド化合物のかわりに、合成例５で合成した感光性樹脂を
用いて、実施例１と同じ方法でパターン形成を行なった
ところ、良好なネガ型のパターンが得られた。
ド化合物のかわりに、合成例５で合成した感光性樹脂を
用いて、実施例１と同じ方法でパターン形成を行なった
ところ、良好なネガ型のパターンが得られた。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、ｉ−線縮小投影露光装
置を用いて、矩形断面形状を有するネガ型微細パターン
の形成が可能である。
置を用いて、矩形断面形状を有するネガ型微細パターン
の形成が可能である。
フロントページの続き (72)発明者 上野 巧 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 林 伸明 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】アジドケイ皮酸エステルを含む化合物をも
つアルカリ可溶性の感光性組成物を、基板上に塗布して
塗膜とする工程，前記塗膜にフォトマスクを介してパタ
ーンを露光する工程，パターン転写後にアルカリ性水溶
液を用いて現像する工程からなるパターン形成方法にお
いて、前記塗膜の３６５ｎｍにおける吸収係数が０.０
５〜０.５／μｍの範囲にあり、前記露光は水銀灯輝線
の一つであるｉ線によって行なうことを特徴とするパタ
ーン形成方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記アジドケイ皮酸エ
ステルを含む化合物が、下記一般式化１で表わされる群
から選ばれた少なくとも一種類のアジド化合物であるパ
ターン形成法。 【化１】 （上式中、Ｘは水素，炭素数が５以下のアルキル基，エ
ーテル基，水酸基，アジド基またはハロゲン原子からな
る群から選ばれた元素または原子団を表わし、Ａは、−
ＣＨ2ＣＨ2−，−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−，−ＣＨ2
ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2− 【化２】 から選ばれた原子団を表わす。） - 【請求項３】請求項１において、前記アジドケイ皮酸エ
ステルを含む化合物が、下記一般式化３，化４を構成単
位とする感光性樹脂群から選ばれた少なくとも一種類の
アジド化合物であるパターン形成法。 【化３】 【化４】 （上式中、Ｘは水素，炭素数が５以下のアルキル基，エ
ーテル基，水酸基，アジド基またはハロゲン原子からな
る群から選ばれた元素または原子団を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301621A JPH05142764A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3301621A JPH05142764A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142764A true JPH05142764A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17899154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3301621A Pending JPH05142764A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142764A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468398B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-01-27 | 엘지전선 주식회사 | 공중합에 의한 폴리아크릴계 감광성 고분자 액정 배향제조성물, 이를 이용한 감광성 고분자 액정 배향막의제조방법 및 상기 액정 배향막을 이용하는 액정 소자 |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP3301621A patent/JPH05142764A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468398B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-01-27 | 엘지전선 주식회사 | 공중합에 의한 폴리아크릴계 감광성 고분자 액정 배향제조성물, 이를 이용한 감광성 고분자 액정 배향막의제조방법 및 상기 액정 배향막을 이용하는 액정 소자 |
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