JPH0514170A - Output buffer circuit - Google Patents

Output buffer circuit

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Publication number
JPH0514170A
JPH0514170A JP3185572A JP18557291A JPH0514170A JP H0514170 A JPH0514170 A JP H0514170A JP 3185572 A JP3185572 A JP 3185572A JP 18557291 A JP18557291 A JP 18557291A JP H0514170 A JPH0514170 A JP H0514170A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state
transistor
final stage
output
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP3185572A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Yamamoto
義典 山本
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
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Publication of JPH0514170A publication Critical patent/JPH0514170A/en
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Abstract

PURPOSE:To reduce a through-current from a power supply to ground without causing a problem such as reduction in noise margin. CONSTITUTION:The output buffer circuit consists of pre-drivers G0-G2, a P- channel MOS TR TP being a final stage TR of a power supply side and an N-channel MOS TR being a final stage TR at a ground side. A delay capacitor C1 delays the state transition from OFF to ON of the P-channel MOS TR TP. A delay capacitor C2 delays the state transition from OFF to ON of the N-channel MOS TR TN. Thus, when an output of the output buffer circuit changes from L to H state or vice versa, the event of the final stage TRs to be turned on simultaneously is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、出力を電源側へスイッ
チングする最終段トランジスタと、出力を接地側へスイ
ッチングする最終段トランジスタとを用いて、電源側又
は接地側へオン状態とすることにより、出力をH状態又
はL状態に駆動する出力バッファ回路に係り、特に、前
記最終段トランジスタを経由した、電源側から接地側へ
の貫通電流の減少が可能な出力バッファ回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a final stage transistor for switching an output to the power supply side and a final stage transistor for switching an output to the ground side to turn on the power supply side or the ground side. The present invention relates to an output buffer circuit for driving an output to an H state or an L state, and more particularly to an output buffer circuit capable of reducing a shoot-through current from a power source side to a ground side via the final stage transistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】2進数の論理演算を行うデジタル回路で
ある論理ゲートは、この論理演算の結果として、2つの
電気的状態の出力を行う。
2. Description of the Related Art A logic gate, which is a digital circuit that performs a binary logical operation, outputs two electrical states as a result of the logical operation.

【0003】通常、出力されるこの2つの電気的な状態
は、2種類の電圧値となっている。即ち、論理値“0”
に対応したLow電圧状態(あるいは0V電圧状態。以
降、L状態と呼ぶ)と、論理値“1”に対応したHigh
電圧状態(又は電源電圧状態。以降、H状態と呼ぶ)と
なっている。
Normally, these two electrical states that are output have two types of voltage values. That is, logical value "0"
Low voltage state (or 0V voltage state; hereinafter referred to as L state) and a High voltage state corresponding to the logical value "1".
It is in a voltage state (or power supply voltage state; hereinafter referred to as H state).

【0004】トランジスタのスイッチング動作により出
力を駆動する出力バッファ回路において、より高速に出
力のスイッチング動作を行うために、スイッチングに用
いられる出力バッファ回路の最終段トランジスタのイン
ピーダンスを下げることが行われている。
In an output buffer circuit which drives an output by a switching operation of a transistor, in order to perform an output switching operation at a higher speed, the impedance of the final stage transistor of the output buffer circuit used for switching is lowered. .

【0005】一方、出力を電源側へスイッチングする最
終段トランジスタ(以降、電源側最終段トランジスタと
呼ぶ)と、出力を接地側へスイッチングする最終段トラ
ンジスタ(以降、接地側最終段トランジスタと呼ぶ)と
を用いた出力バッファ回路において、該出力バッファ回
路の出力のL状態からH状態への論理状態の切替わり
時、あるいはH状態からL状態への論理状態の切替わり
時に、これら電源側最終段トランジスタと接地側最終段
トランジスタとが共にオン状態あるいはほぼオン状態と
なってしまうことにより、電源からグランドへの貫通電
流が発生してしまうことが知られている。
On the other hand, a final stage transistor for switching the output to the power supply side (hereinafter referred to as the power supply side final stage transistor) and a final stage transistor for switching the output to the ground side (hereinafter referred to as the ground side final stage transistor). In the output buffer circuit using the output buffer circuit, when the output of the output buffer circuit is switched from the L state to the H state or when the logic state is switched from the H state to the L state, the power source side final stage transistor It is known that a through current from the power supply to the ground is generated by turning on and the ground-side final stage transistor together.

【0006】図7は、従来の出力バッファ回路の回路図
である。
FIG. 7 is a circuit diagram of a conventional output buffer circuit.

【0007】この図7に示される出力バッファ回路は、
プリドライバG0〜G2と、電源側最終段トランジスタ
であるPチャネルMOSトランジスタTPと、接地側最
終段トランジスタであるNチャネルMOSトランジスタ
TNとで構成されている。
The output buffer circuit shown in FIG.
It is composed of pre-drivers G0 to G2, a P-channel MOS transistor TP which is a power supply side final stage transistor, and an N-channel MOS transistor TN which is a ground side final stage transistor.

【0008】この出力バッファ回路は、内部回路からの
信号e 2を入力して、パッドPへ出力するというもので
ある。
This output buffer circuit inputs the signal e 2 from the internal circuit and outputs it to the pad P.

【0009】この図7に示される出力バッファ回路にお
いては、出力のH状態からL状態への切替わり時、ある
いはL状態からH状態への切替わり時に、一時的に、前
記PチャネルMOSトランジスタTPと前記Nチャネル
MOSトランジスタTNとが共にオン状態となってしま
い、これにより、電源VDDからグランドGNDへの貫
通電流が生じてしまう。
In the output buffer circuit shown in FIG. 7, when the output is switched from the H state to the L state or when the output is switched from the L state to the H state, the P channel MOS transistor TP is temporarily provided. Both the N-channel MOS transistor TN and the N-channel MOS transistor TN are turned on, which causes a through current from the power supply VDD to the ground GND.

【0010】一般的に、該出力バッファ回路の出力の切
替わる瞬間には、該出力バッファ回路の出力に接続され
ている負荷容量を駆動するのピーク電流が発生する。
Generally, at the moment when the output of the output buffer circuit is switched, a peak current for driving the load capacitance connected to the output of the output buffer circuit is generated.

【0011】この際、高速化のため、出力バッファ回路
の最終段トランジスタのインピーダンスを下げると、電
源側最終段トランジスタと接地側最終段トランジスタと
が共にオン状態あるいはほぼオン状態となってしまうこ
とによる、前述した電源からグランドへの貫通電流が増
大し、このときのピーク電流も増大してしまう。
At this time, if the impedance of the final stage transistor of the output buffer circuit is lowered to increase the speed, both the power source side final stage transistor and the ground side final stage transistor are turned on or almost turned on. The through current from the power source to the ground increases, and the peak current at this time also increases.

【0012】又、このようなピーク電流の発生により、
この出力バッファ回路に電源を供給する電源線やグラン
ド線に電源ノイズやグランドノイズが発生してしまう
と、これら電源線やグランド線から電源を供給されてい
る他の論理回路が誤動作を生じてしまう恐れがある。
Further, due to the generation of such peak current,
If power supply noise or ground noise occurs in the power supply line or the ground line that supplies power to the output buffer circuit, other logic circuits that are supplied with power from the power supply line or the ground line may malfunction. There is a fear.

【0013】従って、従来から、出力バッファ回路の出
力のL状態からH状態への論理状態の切替わり時、ある
いはH状態からL状態への論理状態の切替わり時に、電
源側最終段トランジスタと接地側最終段トランジスタと
が共にオン状態あるいはほぼオン状態となってしまうこ
とによる、電源からグランドへの貫通電流を減少させる
という技術が開示されている。
Therefore, conventionally, when the logical state of the output of the output buffer circuit is switched from the L state to the H state or when the logical state is switched from the H state to the L state, the final stage transistor on the power supply side and the ground are connected. There is disclosed a technique of reducing a shoot-through current from a power source to a ground due to the fact that both the side final stage transistor and the side final stage transistor are turned on or almost turned on.

【0014】例えば、特開昭61−277225では、
出力を接地側へスイッチングする最終段トランジスタ
を、並列に接続された複数のMOS(metaloxide semic
onductor )トランジスタとし、これら複数のMOSト
ランジスタのそれぞれのゲート電極を電気抵抗で順次直
列に接続することにより、出力バッファ回路の出力がH
状態からL状態へ切替わる際には、これら複数の接地側
最終段トランジスタを順次オン状態とするという技術が
開示されている。この特開昭61−277225で開示
されている技術によれば、出力バッファ回路の出力のH
状態からL状態への切替わり時の、該出力バッファ回路
の出力から接地側最終段トランジスタを経由して接地側
へ流れ込む電流のピーク電流を減少することができ、電
源ノイズやグランドノイズも低減することができる。
For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 61-277225,
The final-stage transistor that switches the output to the ground side is composed of multiple MOS (metal oxide semic) connected in parallel.
onductor) transistor, and the gate electrodes of the plurality of MOS transistors are sequentially connected in series by electric resistance, so that the output of the output buffer circuit becomes H
A technique is disclosed in which, when the state is switched to the L state, the plurality of ground side final stage transistors are sequentially turned on. According to the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-277225, the output H of the output buffer circuit is
The peak current of the current flowing from the output of the output buffer circuit to the ground side via the ground side final stage transistor at the time of switching from the state to the L state can be reduced, and power supply noise and ground noise are also reduced. be able to.

【0015】特開昭63−31217では、半導体集積
回路の出力回路において、P−チャネルトランジスタ及
びN−チャネルトランジスタからなる第1のインバータ
と、該第1のインバータと入力を共通にしP−チャネル
トランジスタ及びN−チャネルトランジスタからなる第
2のインバータを備え、該第1のインバータの出力を出
力段インバータの一方のトランジスタのゲートに入力
し、該第2のインバータの出力を該出力段インバータの
他方のトランジスタのゲートに入力し、互いに一方のト
ランジスタのターンオフタイミングに比べて他方のトラ
ンジスタのターンオンタイミングを緩やかにするという
技術が開示されている。この特開昭63−31217で
開示されている技術によれば、出力バッファ回路の電源
側最終段トランジスタと接地側最終段トランジスタとが
共にオン状態あるいはほぼオン状態となってしまうこと
を低減し、これにより電源からグランドへの貫通電流を
減少することが可能である。又、電源側最終段トランジ
スタ及び接地側最終段トランジスタのターンオンのタイ
ミングが緩やかになることにより、この出力バッファか
ら出力される信号の電流変化を緩やかにすることができ
る。これにより、この出力バッファ回路の消費電流の変
化も穏やかになり、電源ノイズやグランドノイズも低減
することが可能である。
In Japanese Patent Laid-Open No. 63-31217, in an output circuit of a semiconductor integrated circuit, a first inverter composed of a P-channel transistor and an N-channel transistor and a P-channel transistor having a common input with the first inverter are provided. And a second inverter composed of an N-channel transistor, the output of the first inverter is input to the gate of one transistor of the output stage inverter, and the output of the second inverter is connected to the other of the output stage inverter. A technique is disclosed in which the gates of the transistors are input and the turn-on timings of the other transistors are made more gradual than the turn-off timings of the other transistor. According to the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-31217, it is possible to reduce the situation where both the power-side final-stage transistor and the ground-side final-stage transistor of the output buffer circuit are turned on or almost turned on. This makes it possible to reduce the shoot-through current from the power supply to the ground. Further, since the turn-on timings of the power-supply-side final-stage transistor and the ground-side final-stage transistor are gradual, the current change of the signal output from the output buffer can be gradual. As a result, the change in the current consumption of the output buffer circuit becomes gentle, and the power supply noise and the ground noise can be reduced.

【0016】特開平1−209813では、CMOS
(complementary metal oxide semiconductor )トラン
ジスタを用いた出力バッファと、該出力バッファの駆動
回路との間において、前記出力バッファと駆動回路とを
接続する信号線のインピーダンスを出力バッファの入力
信号に対応して変化させる手段を備えるという技術が開
示されている。この特開平1−209813で開示され
ている技術によれば、出力バッファ回路の出力のH状態
からL状態あるいはL状態からH状態への切替わり時に
生じる、電源側最終段トランジスタと接地側最終段トラ
ンジスタとが同時にオン状態となるタイミングが発生し
ないようにして、出力バッファの貫通電流を無くし、消
費電流の増大や、電源ノイズやグランドイズの低減を図
ることができる。
In Japanese Patent Laid-Open No. 1-209813, CMOS
(Complementary metal oxide semiconductor) Between the output buffer using the transistor and the drive circuit of the output buffer, the impedance of the signal line connecting the output buffer and the drive circuit is changed according to the input signal of the output buffer. A technique of providing a means for making it disclosed is disclosed. According to the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 1-209813, the power source side final stage transistor and the ground side final stage, which occur when the output of the output buffer circuit is switched from the H state to the L state or from the L state to the H state, It is possible to prevent the timing at which the transistor and the transistor are turned on at the same time from occurring, to eliminate the through current of the output buffer, thereby increasing the current consumption and reducing the power supply noise and ground noise.

【0017】[0017]

【発明が達成しようとする課題】しかしながら、前述の
特開昭61−277225、特開昭63−31217、
特開平1−209813は、いずれも、出力バッファ回
路の出力のH状態からL状態あるいはL状態からH状態
への切替わり時に、電源側最終段トランジスタあるいは
接地側最終段トランジスタのオフ状態からオン状態への
状態変化を、電気抵抗を用いて遅延させるようにしてい
る。
However, the above-mentioned JP-A-61-277225, JP-A-63-31217,
In Japanese Patent Laid-Open No. 1-209813, when the output of the output buffer circuit is switched from the H state to the L state or from the L state to the H state, the power source side final stage transistor or the ground side final stage transistor is turned from the OFF state to the ON state. The state change to (1) is delayed by using electric resistance.

【0018】即ち、出力バッファ回路の出力のH状態か
らL状態あるいはL状態からH状態への切替わり時に、
オフ状態からオン状態となる方の最終段トランジスタへ
入力される信号を、電気抵抗を用いて遅延させるように
しているものである。
That is, when the output of the output buffer circuit is switched from the H state to the L state or from the L state to the H state,
The electric signal is used to delay the signal input to the final-stage transistor that is turned on from the off state.

【0019】このように最終段トランジスタへ入力され
る信号を電気抵抗を用いて遅延させるようにした場合に
は、オン状態となっている最終段トランジスタのノイズ
マージンが低下してしまい、ノイズによる誤動作の危険
性が増加してしまうという問題がある。
When the signal input to the final stage transistor is delayed by using the electric resistance as described above, the noise margin of the final stage transistor in the ON state is reduced, and malfunction due to noise occurs. There is a problem that the risk of will increase.

【0020】なお、前述の特開平1−209813は、
出力バッファ回路の入力信号に対応して、オフ状態から
オン状態となる最終段トランジスタの入力のインピーダ
ンス(電気抵抗)を増加させているが、この増加された
インピーダンスは最終段トランジスタのオン状態中継続
して増加されているので、やはり、オン状態となってい
る最終段トランジスタのノイズマージンの低下の問題が
ある。
The above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 1-209813 discloses
In response to the input signal of the output buffer circuit, the impedance (electrical resistance) of the input of the final stage transistor that turns from the OFF state to the ON state is increased. This increased impedance continues during the ON state of the final stage transistor. As a result, the noise margin of the final stage transistor that is in the ON state is reduced.

【0021】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、出力を電源側へスイッチングする最
終段トランジスタと、出力を接地側へスイッチングする
最終段トランジスタとを用いて、電源側又は接地側へオ
ン状態とすることにより、出力をH状態又はL状態に駆
動する出力バッファ回路において、ノイズマージンの低
下等の問題を生じることなく、前記出力のH状態からL
状態あるいはL状態からH状態への切替わり時に生じ
る、前記最終段トランジスタを経由した、電源側から接
地側への貫通電流を減少することができる出力バッファ
回路を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and uses a final stage transistor for switching the output to the power supply side and a final stage transistor for switching the output to the ground side, and uses the power supply side. Alternatively, in the output buffer circuit that drives the output to the H state or the L state by turning it on to the ground side, the output is changed from the H state to the L state without causing a problem such as a decrease in noise margin.
It is an object of the present invention to provide an output buffer circuit capable of reducing a shoot-through current from the power supply side to the ground side via the final stage transistor, which occurs at the time of switching from the L state to the H state.

【0022】[0022]

【課題を達成するための手段】本発明は、出力を電源側
へスイッチングする最終段トランジスタと、出力を接地
側へスイッチングする最終段トランジスタとを用いて、
電源側又は接地側へオン状態とすることにより、出力を
H状態又はL状態に駆動する出力バッファ回路におい
て、前記最終段トランジスタのオン・オフ状態変化を遅
延させるための遅延コンデンサと、該遅延コンデンサを
前記最終段トランジスタへスイッチングする第1パスト
ランジスタと、を備え、前記最終段トランジスタのオン
・オフ状態を切換えるにあたっては、前記第1パストラ
ンジスタのスイッチングにより、前記最終段トランジス
タのオフ状態からオン状態への状態変化を遅延させるこ
とにより、前記課題を達成したものである。
The present invention uses a final stage transistor for switching the output to the power supply side and a final stage transistor for switching the output to the ground side.
A delay capacitor for delaying the on / off state change of the final stage transistor in an output buffer circuit that drives the output to the H state or the L state by turning on the power source side or the ground side, and the delay capacitor. A first pass transistor for switching the final stage transistor to the final stage transistor, and switching the final stage transistor from an on state to an on state by switching the first pass transistor. The object is achieved by delaying the change of state to the.

【0023】又、請求項1において、前記遅延コンデン
サを、オフ状態からオン状態への状態変化を遅延させる
必要のある前記最終段トランジスタ毎に備え、又、これ
ら遅延コンデンサ毎に、電源側又は接地側へスイッチン
グして初期化するための第2パストランジスタをも備
え、該第2パストランジスタのスイッチングにより、前
記最終段トランジスタのオフ状態からオン状態への状態
変化の遅延に用いられていない前記遅延コンデンサを初
期化することにより、同じく前記課題を達成したもので
ある。
Further, in claim 1, the delay capacitor is provided for each of the final stage transistors that need to delay the state change from the OFF state to the ON state, and for each of these delay capacitors, the power source side or ground. A second pass transistor for switching to the side and initializing, and the delay not used for delaying the state change of the final stage transistor from the off state to the on state by switching the second pass transistor. By initializing the capacitor, the same problem is achieved.

【0024】又、請求項1において、同一の前記遅延コ
ンデンサを、電源側へスイッチングする、あるいは接地
側へスイッチングする前記最終段トランジスタそれぞれ
へスイッチンクする、合計2個の第1パストランジスタ
を備え、同一の前記遅延コンデンサで、それぞれの前記
最終段トランジスタのオフ状態からオン状態への状態変
化を遅延させることにより、同じく前記課題を達成した
ものである。
Further, in claim 1, a total of two first pass transistors are provided, which switch the same delay capacitor to each of the final stage transistors that switch to the power supply side or to the ground side. The same delay capacitor delays the change in the state of each of the final stage transistors from the off state to the on state, thereby achieving the same problem.

【0025】[0025]

【作用】本発明は、出力バッファ回路の出力をH状態か
らL状態あるいはL状態からH状態への切替わり時に、
電源側最終段トランジスタと接地側最終段トランジスタ
とが同時にオン状態となってしまうことを防止するため
に、この切替わり時にオフ状態からオン状態となる方の
最終段トランジスタの、このオン状態への状態変化を遅
延させるようにしている。
According to the present invention, when the output of the output buffer circuit is switched from the H state to the L state or from the L state to the H state,
In order to prevent the power-side final-stage transistor and the ground-side final-stage transistor from being turned on at the same time, the one of the final-stage transistors that changes from the off state to the on state at the time of this switching The state change is delayed.

【0026】又、本発明では、この切替わり時にオフ状
態からオン状態となる最終段トランジスタのオン状態へ
の状態変化の遅延を、遅延コンデンサを用いて遅延させ
るようにしている。
Further, in the present invention, the delay of the state change from the off state to the on state of the final stage transistor at the time of this switching to the on state is delayed by using the delay capacitor.

【0027】又、本発明は、遅延コンデンサを用いて最
終段トランジスタをオフ状態からオン状態への状態変化
を遅延させるために、第1パストランジスタの構成を見
出している。
The present invention also finds the configuration of the first pass transistor in order to delay the state change of the final stage transistor from the off state to the on state by using the delay capacitor.

【0028】即ち、出力バッファ回路の出力をH状態か
らL状態あるいはL状態からH状態へ切換える際には、
前記第1パストランジスタを用いて、オフ状態からオン
状態となる最終段トランジスタの入力側に遅延コンデン
サを接続し、このオフ状態からオン状態となる最終段ト
ランジスタのオン状態への状態変化を遅延させるように
している。
That is, when switching the output of the output buffer circuit from the H state to the L state or from the L state to the H state,
The first pass transistor is used to connect a delay capacitor to the input side of the final-stage transistor that turns from the off state to the on state, and delays the state change of the final-stage transistor that turns from the off state to the on state to the on state. I am trying.

【0029】なお、第1パストランジスタによる遅延コ
ンデンサの接続位置は、オフ状態からオン状態となる最
終段トランジスタのオン状態への状態変化を遅延できる
位置であればよく、又、該最終段トランジスタの入力側
であればよく、該最終段トランジスタのゲートに直接接
続することに限定するものではない。
The connection position of the delay capacitor by the first pass transistor may be any position as long as it can delay the state change of the final stage transistor from the off state to the on state to the on state. It may be any input side, and is not limited to being directly connected to the gate of the final stage transistor.

【0030】このように、本発明によれば、出力バッフ
ァ回路の出力のH状態からL状態あるいはL状態からH
状態への切替わり時に、電源側最終段トランジスタと接
地側最終段トランジスタとが、共にオン状態となる時間
を短縮するか、あるいは共にオン状態となることを防止
することができる。
As described above, according to the present invention, the output of the output buffer circuit is changed from the H state to the L state or from the L state to the H state.
At the time of switching to the state, it is possible to shorten the time during which both the power-supply-side final-stage transistor and the ground-side final-stage transistor are on, or prevent both of them from being on.

【0031】又、オン状態の定常状態となっている最終
段トランジスタにおいては、遅延コンデンサの充電は完
了しており、従来のようなノイズマージンの低下等の問
題を生じることがない。
Further, in the final-stage transistor which is in the steady state of the ON state, the charging of the delay capacitor is completed, and there is no problem such as a decrease in noise margin as in the conventional case.

【0032】又、例えば、本発明をゲートアレイ方式の
集積回路の出力バッファ回路に適用した場合には、ゲー
トアレイの未使用セルを用いて遅延コンデンサとするこ
とができ、集積回路レイアウト面積を効果的に利用でき
るだけでなく、集積回路レイアウト設計の効率を向上さ
せることもできる。
Further, for example, when the present invention is applied to an output buffer circuit of a gate array type integrated circuit, an unused cell of the gate array can be used as a delay capacitor, and the integrated circuit layout area can be effectively reduced. Not only can it be used effectively, but the efficiency of integrated circuit layout design can be improved.

【0033】[0033]

【実施例】以下、図を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0034】図1は、本発明の第1実施例の回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram of the first embodiment of the present invention.

【0035】この図1において、内部回路とパッドPと
の間に配置された出力バッファ回路は、プリドライバG
0〜G2と、電源側最終段トランジスタであるPチャネ
ルMOSトランジスタTP1と、接地側最終段トランジ
スタであるNチャネルMOSトランジスタTNとで構成
されている。
In FIG. 1, the output buffer circuit arranged between the internal circuit and the pad P is a pre-driver G.
0 to G2, a P-channel MOS transistor TP1 which is a power supply side final stage transistor, and an N-channel MOS transistor TN which is a ground side final stage transistor.

【0036】又、遅延コンデンサC1の一方の電極は電
源VDDに接続され、他方の電極は第1パストランジス
タPT1a と第2パストランジスタPT2a とに接続さ
れている。
Further, one electrode of the delay capacitor C1 is connected to the power supply VDD, and the other electrode is connected to the first pass transistor PT1a and the second pass transistor PT2a.

【0037】前記第1パストランジスタPT1a は、前
記遅延コンデンサC1とPチャネルMOSトランジスタ
TPのゲートとの間をスイッチングする。前記第2パス
トランジスタPT2a は、前記遅延コンデンサと電源V
DDとの間をスイッチングする。
The first pass transistor PT1a switches between the delay capacitor C1 and the gate of the P-channel MOS transistor TP. The second pass transistor PT2a includes the delay capacitor and the power source V
Switch to and from DD.

【0038】遅延コンデンサC2の一方の電極はグラン
ドGNDに接続されている。又、この遅延コンデンサC
2の他方の電極は、第1パストランジスタPT1b と、
第2パストランジスタPT2b とに接続されている。
One electrode of the delay capacitor C2 is connected to the ground GND. Also, this delay capacitor C
The other electrode of 2 has a first pass transistor PT1b and
It is connected to the second pass transistor PT2b.

【0039】前記第1パストランジスタPT1b は、前
記遅延コンデンサC2とNチャネルMOSトランジスタ
TNのゲートとの間をスイッチングする。前記第2パス
トランジスタPT2b は、前記遅延コンデンサC2とグ
ランドGNDとの間をスイッチングする。
The first pass transistor PT1b switches between the delay capacitor C2 and the gate of the N-channel MOS transistor TN. The second pass transistor PT2b switches between the delay capacitor C2 and the ground GND.

【0040】図2は、本実施例で用いられる第1パスト
ランジスタ及び第2パストランジスタであるパストラン
ジスタのシンボル図である。
FIG. 2 is a symbol diagram of the pass transistor which is the first pass transistor and the second pass transistor used in this embodiment.

【0041】又、図3は、本実施例で用いられる第1パ
ストランジスタ及び第2パストランジスタであるパスト
ランジスタの内部の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of the inside of the pass transistor which is the first pass transistor and the second pass transistor used in this embodiment.

【0042】これら図2及び図3において、制御線C1
及びC2と信号線S1及びS2は、図2と図3の同符号
のものがそれぞれ対応している。
2 and 3, the control line C1
And C2 and the signal lines S1 and S2 correspond to those having the same reference numerals in FIG. 2 and FIG. 3, respectively.

【0043】これら図2及び図3で示されるパストラン
ジスタPTは、制御線C1がL状態となり、且つ制御線
C2がH状態となると、信号線S1とS2との間はオン
状態となる。
The pass transistor PT shown in FIGS. 2 and 3 is turned on between the signal lines S1 and S2 when the control line C1 is in the L state and the control line C2 is in the H state.

【0044】一方、制御線C1がH状態となり、且つ、
制御線C2がL状態となると、信号線S1とS2との間
はオフ状態となる。
On the other hand, the control line C1 is in the H state, and
When the control line C2 is in the L state, the signal line S1 and the signal line S2 are in the OFF state.

【0045】又、パストランジスタPTの信号線S1と
S2との間がオン状態のときには、電流はS1からS2
へも、S2からS1へも流れることができる。
When the signal lines S1 and S2 of the pass transistor PT are in the ON state, the current flows from S1 to S2.
Can also flow from S2 to S1.

【0046】図4は、本実施例の各部の信号のタイムチ
ャートである。
FIG. 4 is a time chart of signals of each part of this embodiment.

【0047】この図4において、信号e 1、f 1、g
1、h 1は、前述の図1の同符号の箇所の信号である。
又、この図4の信号e2、f 2、g 2、h 2は、前述の
図8に示される従来の出力バッファ回路における、同符
号で示される箇所の信号である。
In FIG. 4, signals e 1, f 1, g
1 and h 1 are signals at the same symbols in FIG.
Further, the signals e2, f2, g2, h2 in FIG. 4 are signals at the portions indicated by the same reference numerals in the conventional output buffer circuit shown in FIG.

【0048】以下、図4のタイムチャートを用いて、本
実施例の出力バッファ回路の入力がL状態からH状態と
なり、出力がH状態からL状態となる際の、該出力バッ
ファ回路の動作を説明する。
The operation of the output buffer circuit when the input of the output buffer circuit of this embodiment changes from the L state to the H state and the output changes from the H state to the L state will be described below with reference to the time chart of FIG. explain.

【0049】この図4において、時刻t 0の初期状態で
は、内部回路の出力でもある信号e1はL状態であり、
本実施例の出力バッファ回路からの出力はH状態であ
る。
In FIG. 4, in the initial state at time t 0, the signal e1 which is also the output of the internal circuit is in the L state,
The output from the output buffer circuit of this embodiment is in the H state.

【0050】又、この時刻t 0では、信号e 1を入力し
てプリドライバG0が出力する信号f 1はH状態であ
り、該信号f 1を入力してプリドライバG1が出力する
信号g1はL状態であり、前記信号f 1を入力してプリ
ドライバG2が出力する信号h1はL状態である。
At this time t 0, the signal f 1 output by the pre-driver G0 by inputting the signal e 1 is in the H state, and the signal g 1 output by the pre-driver G1 by inputting the signal f 1 is In the L state, the signal h1 input from the signal f1 and output by the pre-driver G2 is in the L state.

【0051】又、この時刻t 0では、PチャネルMOS
トランジスタTPがオン状態であり、NチャネルMOS
トランジスタTNがオフ状態である。
At this time t 0, the P channel MOS is
The transistor TP is in the ON state and the N-channel MOS
The transistor TN is off.

【0052】この後、時刻t 1となると、内部回路から
の信号でもある信号e 1は、L状態からH状態へ立上り
始まる。
After that, at time t 1, the signal e 1 which is also a signal from the internal circuit starts rising from the L state to the H state.

【0053】この後、時刻t 2では、信号e 1を入力し
てプリドライバG0が出力する信号f 1が、H状態から
L状態へと変化し始める。
After that, at time t 2, the signal f 1 output from the pre-driver G0 after receiving the signal e 1 starts to change from the H state to the L state.

【0054】時刻t 3では、前記信号f 1を入力してプ
リドライバG1が出力する信号g 1が立上り始めると共
に、同じ前記信号f 1を入力してプリドライバG2が出
力する信号h 1が立上り始まる。
At time t 3, the signal f 1 is input and the signal g 1 output by the pre-driver G 1 starts to rise, and the same signal f 1 is input and the signal h 1 output by the pre-driver G 2 rises. Begins.

【0055】なお、これら信号g 1と信号h 1とは同じ
時刻t 3で立上り始まるが、信号g1が時刻t 4で完全
にH状態となることに比較して、信号h 1は時刻t 5で
完全なH状態となる。このように信号h 1のL状態から
H状態となる状態遷移が信号g 1に比較して緩やかなの
は、遅延コンデンサC2の働きによる。
The signal g 1 and the signal h 1 start rising at the same time t 3, but the signal g 1 is completely in the H state at the time t 4, so that the signal h 1 is at the time t 5 It becomes a complete H state. In this way, the state transition of the signal h 1 from the L state to the H state is more gradual than that of the signal g 1 because of the action of the delay capacitor C2.

【0056】前記信号g 1はPチャネルMOSトランジ
スタTPのゲートに入力されており、この信号g 1がH
状態となると、オン状態であった該PチャネルMOSト
ランジスタTP1はオフ状態となる。又、前記信号h 1
はNチャネルMOSトランジスタTNのゲートに入力さ
れており、この信号h 1がH状態となると、オフ状態で
あった該NチャネルMOSトランジスタTNはオン状態
となる。
The signal g 1 is input to the gate of the P-channel MOS transistor TP, and this signal g 1 is at H level.
In this state, the P-channel MOS transistor TP1 that was in the on state is turned off. Also, the signal h 1
Is input to the gate of the N-channel MOS transistor TN, and when the signal h 1 is in the H state, the N-channel MOS transistor TN that has been in the OFF state is in the ON state.

【0057】従って、本実施例においては、内部回路か
らの入力信号でもある信号e 1がL状態からH状態へと
切替わる際、信号g 1が完全にH状態となる時期に比較
して、信号h 1が完全にH状態となる時刻t 5は遅延さ
れているので、電源側最終段トランジスタであるPチャ
ネルMOSトランジスタTPと、接地側最終段トランジ
スタであるNチャネルMOSトランジスタTNとが共に
オン状態となることはない。あるいは共にオン状態とな
るのは、極僅かな期間である。
Therefore, in this embodiment, when the signal e 1 which is also an input signal from the internal circuit is switched from the L state to the H state, the time when the signal g 1 is completely in the H state, Since the time t5 at which the signal h1 is completely in the H state is delayed, both the P-channel MOS transistor TP, which is the power source side final stage transistor, and the N channel MOS transistor TN, which is the ground side final stage transistor, are turned on. It is never in a state. Alternatively, both are turned on for a very short period.

【0058】以下、図4のタイムチャートを用いて、本
実施例の出力バッファ回路の入力がH状態からL状態と
なり、出力がL状態からH状態となる際の、該出力バッ
ファ回路の動作を説明する。
The operation of the output buffer circuit when the input of the output buffer circuit of this embodiment changes from the H state to the L state and the output changes from the L state to the H state will be described below with reference to the time chart of FIG. explain.

【0059】まず、定常状態として、時刻t 10では、
内部回路からの入力信号でもある信号e 1はH状態であ
り、当該出力バッファ回路の出力はL状態であり、電源
側最終段トランジスタであるPチャネルMOSトランジ
スタTPはオフ状態であり、接地側最終段トランジスタ
であるNチャネルMOSトランジスタTNはオン状態で
ある。
First, as a steady state, at time t 10,
The signal e 1 that is also an input signal from the internal circuit is in the H state, the output of the output buffer circuit is in the L state, the P-channel MOS transistor TP which is the power supply side final stage transistor is in the OFF state, and the ground side final The N-channel MOS transistor TN, which is a stage transistor, is on.

【0060】時刻t 11では、前記信号e 1が、H状態
からL状態へと変化し始める。
At time t 11, the signal e 1 starts changing from the H state to the L state.

【0061】又、時刻t 12では、前記信号e 1を入力
してプリドライバG0が出力する信号f 1が、L状態か
らH状態へと変化し始める。
At time t12, the signal e1 input and the signal f1 output by the pre-driver G0 starts to change from the L state to the H state.

【0062】この後、時刻t 13では、前記信号f 1を
入力してプリドライバG1が出力する信号g 1がH状態
からL状態へと変化し始めると共に、同じ前記信号f 1
を入力してプリドライバG2が出力する信号h 1もH状
態からL状態へと変化し始める。
Thereafter, at time t 13, the signal f 1 is input and the signal g 1 output from the pre-driver G1 begins to change from the H state to the L state, and at the same time, the same signal f 1 is generated.
And the signal h 1 output by the pre-driver G2 starts to change from the H state to the L state.

【0063】これら信号g 1と信号h 1はほぼ同時にH
状態からL状態へと変化し始めるが、まず、信号h 1が
時刻t 14で完全にL状態となり、この後、信号g 1が
時刻t 15で完全にL状態となる。このように、信号g
1のH状態からL状態への状態遷移が、信号h 1のH状
態からL状態への状態遷移に比べて遅いのは、図1に示
される遅延コンデンサC1の働きによる。
These signals g 1 and h 1 are at H at almost the same time.
Although the state starts to change from the state to the L state, first, the signal h 1 is completely in the L state at time t 14, and thereafter, the signal g 1 is completely in the L state at time t 15. Thus, the signal g
The state transition of the signal H 1 from the H state to the L state is slower than the state transition of the signal h 1 from the H state to the L state because of the function of the delay capacitor C1 shown in FIG.

【0064】この信号g 1はPチャネルMOSトランジ
スタTPのゲートに入力され、該信号g 1がH状態から
L状態となると、オフ状態であった該PチャネルMOS
トランジスタTPはオン状態となる。
This signal g 1 is input to the gate of the P channel MOS transistor TP, and when the signal g 1 changes from the H state to the L state, the P channel MOS which has been in the OFF state.
The transistor TP is turned on.

【0065】又、この信号h 1はNチャネルMOSトン
ジスタTNのゲートに入力され、該信号h 1がH状態か
らL状態となると、オン状態であったNチャネルMOS
トランジスタTNはオフ状態となる。
The signal h 1 is input to the gate of the N-channel MOS transistor TN, and when the signal h 1 changes from the H state to the L state, the N-channel MOS which was in the ON state.
The transistor TN is turned off.

【0066】従って、本実施例では、信号g 1が完全に
L状態となる時刻t 15が、信号h1が完全にL状態と
なる時刻t 14よりも遅延されているので、該出力バッ
ファ回路の出力がH状態となる際には、まず、接地側最
終段トランジスタであるNチャネルMOSトランジスタ
TNがオフ状態となった後、電源側最終段トランジスタ
であるPチャネルMOSトランジスタTPがオン状態と
なる。
Therefore, in this embodiment, since the time t 15 when the signal g 1 is completely in the L state is delayed from the time t 14 when the signal h 1 is completely in the L state, the output buffer circuit When the output is in the H state, first, the N-channel MOS transistor TN which is the ground side final stage transistor is turned off, and then the P channel MOS transistor TP which is the power source side final stage transistor is turned on.

【0067】従って、本実施例では、出力バッファ回路
の出力がL状態からH状態となる際に、電源側最終段ト
ランジスタと接地側最終段トランジスタとが共にオン状
態となることはない。あるいは、共にオン状態となる期
間は極僅かである。
Therefore, in this embodiment, when the output of the output buffer circuit changes from the L state to the H state, neither the power source side final stage transistor nor the ground side final stage transistor is turned on. Alternatively, the period in which both are in the ON state is extremely short.

【0068】なお、本実施例では、図1に示される如
く、パストランジスタPT1a 、PT2a のそれぞれの
オフからオン、あるいはオンからオフへの切替えの時期
は、パストランジスタPT1a に入力される信号g 1の
論理状態の変化よりも、プリドライバG1の遅延時間分
だけ速く操作することができる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, when the pass transistors PT1a and PT2a are switched from off to on or from on to off, the signal g 1 input to the pass transistor PT1a is determined. It is possible to operate the pre-driver G1 faster by the delay time than the change of the logic state of.

【0069】又、パストランジスタPT1b 及びPT2
b についても、オフからオンへの切替えあるいはオンか
らオフへの切替えの操作は、パストランジスタPT1b
に入力されている信号h 1の論理状態の変化よりも、プ
リドライバG2の遅延時間分だけ速く操作することがで
きる。
Also, pass transistors PT1b and PT2
Also for b, the operation of switching from off to on or from on to off is performed by the pass transistor PT1b.
The predriver G2 can be operated faster than the change in the logic state of the signal h 1 input to the predriver G2.

【0070】従って、これらパストランジスタPT1a
、PT2a 、PT1b 、PT2b のそれぞれのオフか
らオンへの切替わり、あるいはオンからオフへの切替わ
り時には、パストランジスタPT1a とパストランジス
タPT2a とが共にオン状態となってしまったとして
も、あるいはパストランジスタPT1b とパストランジ
スタPT2b とが共にオン状態となってしまったとして
も、これらパストランジスタに流れてしまう貫通電流は
極めて少ない。
Therefore, these pass transistors PT1a
, PT2a, PT1b, and PT2b are switched from off to on, or from on to off, even if both pass transistors PT1a and PT2a are turned on, or Even if both PT1b and pass transistor PT2b are turned on, the through current flowing through these pass transistors is extremely small.

【0071】なお、図4において、本実施例のタイムチ
ャートと従来の出力バッファ回路のタイムチャートとの
相違点は、信号g 1のH状態からL状態への状態遷移
が、対応する信号g 2のH状態からL状態への状態遷移
に比べ、遅延されている点である。又、信号h 1のL状
態からH状態への状態遷移が、対応する信号h 2のL状
態からH状態への状態遷移に比べ、遅延されている点で
ある。
In FIG. 4, the difference between the time chart of this embodiment and the time chart of the conventional output buffer circuit is that the state transition of the signal g 1 from the H state to the L state corresponds to the corresponding signal g 2 This is a point that is delayed compared with the state transition from the H state to the L state. In addition, the state transition of the signal h 1 from the L state to the H state is delayed compared to the corresponding state transition of the signal h 2 from the L state to the H state.

【0072】図5は、本発明の第2実施例の回路図であ
る。
FIG. 5 is a circuit diagram of the second embodiment of the present invention.

【0073】この図5において、符号TP、TN、G0
〜G2、P、VDD、GND、e 1f 1、g 1、h 1
は、前述の図1の同符号のものと同一のものである。
In FIG. 5, reference numerals TP, TN, G0
~ G2, P, VDD, GND, e 1f 1, g 1, h 1
Are the same as those having the same reference numerals in FIG.

【0074】又、この図5に示されるパストランジスタ
PT1c 、PT1d は、図2及び図3を用いて前述した
パストランジスタと同じものである。
The pass transistors PT1c and PT1d shown in FIG. 5 are the same as the pass transistors described above with reference to FIGS.

【0075】この図5に示される本発明の第2実施例で
は、1つの遅延コンデンサC3のみを用いて、電源側最
終段トランジスタであるPチャネルMOSトランジスタ
TPのオフ状態からオン状態への切替わりの遅延と、接
地側最終段トランジスタであるNチャネルMOSトラン
ジスタTNのオフ状態からオン状態への切替わりの遅延
とを行っている。
In the second embodiment of the present invention shown in FIG. 5, only one delay capacitor C3 is used to switch the P-channel MOS transistor TP, which is the power source side final stage transistor, from the OFF state to the ON state. And the delay of switching the N-channel MOS transistor TN, which is the ground side final stage transistor, from the OFF state to the ON state.

【0076】この図5に示される本発明の第2実施例で
は、図1等を用いて前述した本発明の第1実施例とほぼ
同様の効果を得ることができるだけでなく、遅延コンデ
ンサの個数を2個から1個へと削減し、パストランジス
タの個数を4個から2個へと削減することができる。
In the second embodiment of the present invention shown in FIG. 5, not only the same effect as that of the first embodiment of the present invention described with reference to FIG. Can be reduced from 2 to 1, and the number of pass transistors can be reduced from 4 to 2.

【0077】図6は、ゲートアレイ方式の半導体集積回
路のセルの一例のパターン図である。
FIG. 6 is a pattern diagram of an example of a cell of a gate array type semiconductor integrated circuit.

【0078】ゲートアレイ方式の半導体集積回路を用い
て所望の論理回路を構成する際には、通常、未使用のセ
ルが、集積回路レイアウト設計後も残るものである。
When a desired logic circuit is constructed using a gate array type semiconductor integrated circuit, normally, unused cells remain after the integrated circuit layout design.

【0079】従って、このような未使用のセルを、本発
明の遅延コンデンサに用いることができる。
Therefore, such an unused cell can be used for the delay capacitor of the present invention.

【0080】例えば、図6に示されるセル(基本セル)
においては、一点鎖線で示される拡散層を用いて本発明
の遅延コンデンサを構成することができ、この際には、
配線の設計のみで対応することが可能である。
For example, the cell shown in FIG. 6 (basic cell)
In, the delay capacitor of the present invention can be constructed using the diffusion layer shown by the alternate long and short dash line.
It is possible to deal with it only by designing the wiring.

【0081】[0081]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、出
力を電源側へスイッチングする最終段トランジスタと、
出力を接地側へスイッチングする最終段トランジスタと
を用いて、電源側又は接地側へオン状態とすることによ
り、出力をH状態又はL状態に駆動する出力バッファ回
路において、ノイズマージンの低下等の問題を生じるこ
となく、前記出力のH状態からL状態あるいはL状態か
らH状態への切替わり時に生じる、前記最終段トランジ
スタを経由した、電源側から接地側への貫通電流を減少
することができるという優れた効果を得ることができ
る。
As described above, according to the present invention, the final stage transistor for switching the output to the power supply side,
In the output buffer circuit that drives the output to the H state or the L state by turning on the power supply side or the ground side by using the final stage transistor that switches the output to the ground side, there is a problem such as reduction of noise margin. It is possible to reduce the shoot-through current from the power supply side to the ground side through the final-stage transistor, which occurs when the output is switched from the H state to the L state or from the L state to the H state, without causing An excellent effect can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、本発明の第1実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】図2は、本発明の第1実施例及び第2実施例に
用いられるパストランジスタのシンボル図である。
FIG. 2 is a symbol diagram of a pass transistor used in the first and second embodiments of the present invention.

【図3】図3は、前記パストランジスタの回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram of the pass transistor.

【図4】図4は、前記第1実施例のタイムチャートであ
る。
FIG. 4 is a time chart of the first embodiment.

【図5】図5は、本発明の第2実施例の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention.

【図6】図6は、ゲートアレイ方式の半導体集積回路の
セルの一例のパターン図である。
FIG. 6 is a pattern diagram of an example of a cell of a gate array type semiconductor integrated circuit.

【図7】図7は、従来の出力バッファ回路の回路図であ
る。
FIG. 7 is a circuit diagram of a conventional output buffer circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

C1〜C3…遅延コンデンサ、 PT…パストランジスタ、 PT1a 〜PT1d …第1パストランジスタ、 PT2a 、PT2b …第2パストランジスタ、 TP、TP1…PチャネルMOSトランジスタ、 TN、TN1…NチャネルMOSトランジスタ、 G0〜G2…プリドライバ、 VDD…電源、 GND…グランド、 C1、C2…制御線、 S1、S2…信号線、 e 1、e 2、f 1、f 2、g 1、g 2、h 1、h 2…信
号。
C1 to C3 ... Delay capacitor, PT ... Pass transistor, PT1a to PT1d ... First pass transistor, PT2a, PT2b ... Second pass transistor, TP, TP1 ... P channel MOS transistor, TN, TN1 ... N channel MOS transistor, G0 G2 ... Pre-driver, VDD ... Power supply, GND ... Ground, C1, C2 ... Control line, S1, S2 ... Signal line, e1, e2, f1, f2, g1, g2, h1, h2 …signal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 17/687 8221−5J H03K 17/687 F ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location H03K 17/687 8221-5J H03K 17/687 F

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】出力を電源側へスイッチングする最終段ト
ランジスタと、出力を接地側へスイッチングする最終段
トランジスタとを用いて、電源側又は接地側へオン状態
とすることにより、出力をH状態又はL状態に駆動する
出力バッファ回路において、 前記最終段トランジスタのオン・オフ状態変化を遅延さ
せるための遅延コンデンサと、 該遅延コンデンサを前記最終段トランジスタへスイッチ
ングする第1パストランジスタと、 を備え、前記最終段トランジスタのオン・オフ状態を切
換えるにあたっては、前記第1パストランジスタのスイ
ッチングにより、前記最終段トランジスタのオフ状態か
らオン状態への状態変化を遅延させることを特徴とする
出力バッファ回路。
1. A final stage transistor that switches an output to a power supply side and a final stage transistor that switches an output to a ground side are turned on to a power supply side or a ground side to output an H state or An output buffer circuit driven to an L state, comprising: a delay capacitor for delaying an on / off state change of the final stage transistor; and a first pass transistor for switching the delay capacitor to the final stage transistor, An output buffer circuit, characterized in that, when switching the on / off state of the final stage transistor, the state change of the final stage transistor from the off state to the on state is delayed by switching the first pass transistor.
【請求項2】請求項1において、 前記遅延コンデンサを、オフ状態からオン状態への状態
変化を遅延させる必要のある前記最終段トランジスタ毎
に備え、 又、これら遅延コンデンサ毎に、電源側又は接地側へス
イッチングして初期化するための第2パストランジスタ
をも備え、 該第2パストランジスタのスイッチングにより、前記最
終段トランジスタのオフ状態からオン状態への状態変化
の遅延に用いられていない前記遅延コンデンサを初期化
することを特徴とする出力バッファ回路。
2. The delay capacitor according to claim 1, wherein each of the final-stage transistors that needs to delay the state change from the off state to the on state is provided, and each delay capacitor has a power supply side or a ground. A second pass transistor for switching to the side and initializing, and the delay not used for delaying the state change of the final stage transistor from the off state to the on state by switching the second pass transistor. An output buffer circuit characterized by initializing a capacitor.
【請求項3】請求項1において、 同一の前記遅延コンデンサを、電源側へスイッチングす
る、あるいは接地側へスイッチングする前記最終段トラ
ンジスタそれぞれへスイッチンクする、合計2個の第1
パストランジスタを備え、 同一の前記遅延コンデンサで、それぞれの前記最終段ト
ランジスタのオフ状態からオン状態への状態変化を遅延
させることを特徴とする出力バッファ回路。
3. The first delay circuit according to claim 1, wherein the same delay capacitor is switched to the power supply side or to each of the final stage transistors which are switched to the ground side.
An output buffer circuit comprising a pass transistor, wherein the same delay capacitor delays a change in state of each of the final stage transistors from an off state to an on state.
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JPH0917187A (en) * 1995-05-19 1997-01-17 Sgs Thomson Microelettronica Spa Output stage

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