JPH05140615A - 耐熱性モリブデン板 - Google Patents
耐熱性モリブデン板Info
- Publication number
- JPH05140615A JPH05140615A JP12237491A JP12237491A JPH05140615A JP H05140615 A JPH05140615 A JP H05140615A JP 12237491 A JP12237491 A JP 12237491A JP 12237491 A JP12237491 A JP 12237491A JP H05140615 A JPH05140615 A JP H05140615A
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- JP
- Japan
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- molybdenum plate
- plate
- crystal
- molybdenum
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温における変形量の小さいモリブデン板を
得る。 【構成】 粒径が１０ｍｍ以上の粗大結晶を有するモリ
ブデン板の厚み方向の少なくとも中心部に、粒径が１０
ｍｍよりも小さな微細結晶層を有することを特徴とす
る。
得る。 【構成】 粒径が１０ｍｍ以上の粗大結晶を有するモリ
ブデン板の厚み方向の少なくとも中心部に、粒径が１０
ｍｍよりも小さな微細結晶層を有することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、焼成用の敷板や電気炉
部品等としての使用に適したモリブデン板に関するもの
である。
部品等としての使用に適したモリブデン板に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の純モリブデン板は、１０００℃以
上の高温で使用されると、再結晶によって脆化が生じ、
高温状態の荷重負荷により容易に変形する。これは、再
結晶組織が等軸晶であり、かつ、微細であるため、脆弱
な粒界の総面積が大きいことに起因していると推測され
る。そこで、高温において変形しやすいという欠点を補
うために、微量のカリウム、ケイ素等をド−プして、再
結晶温度や、クリ−プ強度等を改善したド−プモリブデ
ンが用いられているが、ド−プモリブデンは、微量のド
−プ元素を均一に分散させるのが非常に困難であり、し
かもかなり大きな加工率が必要とされている。また、ド
−プモリブデンの板を半導体等の焼成用に使用した場
合、ド−プ元素による汚染が生じる虞がある。
上の高温で使用されると、再結晶によって脆化が生じ、
高温状態の荷重負荷により容易に変形する。これは、再
結晶組織が等軸晶であり、かつ、微細であるため、脆弱
な粒界の総面積が大きいことに起因していると推測され
る。そこで、高温において変形しやすいという欠点を補
うために、微量のカリウム、ケイ素等をド−プして、再
結晶温度や、クリ−プ強度等を改善したド−プモリブデ
ンが用いられているが、ド−プモリブデンは、微量のド
−プ元素を均一に分散させるのが非常に困難であり、し
かもかなり大きな加工率が必要とされている。また、ド
−プモリブデンの板を半導体等の焼成用に使用した場
合、ド−プ元素による汚染が生じる虞がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑み、高温で使用した場合に変形が少な高純度のモリブ
デン板を提供することを課題としている。
鑑み、高温で使用した場合に変形が少な高純度のモリブ
デン板を提供することを課題としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次のような構成を採用した。すなわち、本
発明にかかる耐熱性モリブデン板は、長径が１０ｍｍ以
上の結晶からなる粗大結晶層を表面部に備え、少なくと
も厚み方向の中間部には粒径が１０ｍｍよりも小さい微
細結晶層を備えた複合結晶構造を有する純度９９．９％
以上のモリブデン板からなる。以下、具体例を挙げつ
つ、詳細に説明する。
め、本発明は次のような構成を採用した。すなわち、本
発明にかかる耐熱性モリブデン板は、長径が１０ｍｍ以
上の結晶からなる粗大結晶層を表面部に備え、少なくと
も厚み方向の中間部には粒径が１０ｍｍよりも小さい微
細結晶層を備えた複合結晶構造を有する純度９９．９％
以上のモリブデン板からなる。以下、具体例を挙げつ
つ、詳細に説明する。
【０００５】図１は、本発明のモリブデン板の断面を模
式的に表すもので、このモリブデン板１は、厚み方向の
中間部に、粒径が１０ｍｍよりも小さい微細結晶層２が
介在し、その上下両表面部に長径が１０ｍｍ以上の結晶
からなる粗大結晶層３，３を備えたサンドイッチ構造と
なっている。粗大結晶層３の結晶の大きさは、通常１０
〜１５０ｍｍであり、微細結晶層２における結晶の大き
さは、１００ミクロン以下とするのが好ましい。また、
微細結晶層２の厚みは、板の厚みに対して５〜５０％と
するのが好ましく、板の厚みの１／３以下とするのがよ
り好ましい。微細結晶層２の厚みが５％よりも小さい
と、上降伏点（弾性限）が低くなるので好ましくない。
また、微細結晶層２の厚みが大きくなりすぎると、コ−
ンクリ−プが悪化する。
式的に表すもので、このモリブデン板１は、厚み方向の
中間部に、粒径が１０ｍｍよりも小さい微細結晶層２が
介在し、その上下両表面部に長径が１０ｍｍ以上の結晶
からなる粗大結晶層３，３を備えたサンドイッチ構造と
なっている。粗大結晶層３の結晶の大きさは、通常１０
〜１５０ｍｍであり、微細結晶層２における結晶の大き
さは、１００ミクロン以下とするのが好ましい。また、
微細結晶層２の厚みは、板の厚みに対して５〜５０％と
するのが好ましく、板の厚みの１／３以下とするのがよ
り好ましい。微細結晶層２の厚みが５％よりも小さい
と、上降伏点（弾性限）が低くなるので好ましくない。
また、微細結晶層２の厚みが大きくなりすぎると、コ−
ンクリ−プが悪化する。
【０００６】図２は、上記と異なる例を表すもので、本
例では、結晶構造がサンドイッチ状ではなく、微細結晶
層２が一方の表面に達した２層構造となっている。
例では、結晶構造がサンドイッチ状ではなく、微細結晶
層２が一方の表面に達した２層構造となっている。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。純
度９９．９％以上、平均粒径３〜４ミクロンの金属モリ
ブデン粉末を１８０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成型し、
重量３０００ｇの角型成形体を得た。この成形体を水素
気流中で１８００℃、２４０分の条件で燒結し、厚さ１
６ｍｍ，比重９．５〜９．７のインゴットとした。この
インゴットを加工温度９００〜１０００℃で一方向圧延
加工し、厚さ２．５〜３ｍｍの中間製品とした。圧延ス
テップは１６−１１−９−７．５−５−３．５−３（ｍ
ｍ）であり、９ｍｍまでは各１パスで、それ以降は各２
〜３パスで加工した。この加工によって得られた中間製
品は、例えば１３００℃で３０分焼鈍したときに、平均
粒径１００ミクロン以下の微細な一次再結晶組織となる
ようなものである。
度９９．９％以上、平均粒径３〜４ミクロンの金属モリ
ブデン粉末を１８０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成型し、
重量３０００ｇの角型成形体を得た。この成形体を水素
気流中で１８００℃、２４０分の条件で燒結し、厚さ１
６ｍｍ，比重９．５〜９．７のインゴットとした。この
インゴットを加工温度９００〜１０００℃で一方向圧延
加工し、厚さ２．５〜３ｍｍの中間製品とした。圧延ス
テップは１６−１１−９−７．５−５−３．５−３（ｍ
ｍ）であり、９ｍｍまでは各１パスで、それ以降は各２
〜３パスで加工した。この加工によって得られた中間製
品は、例えば１３００℃で３０分焼鈍したときに、平均
粒径１００ミクロン以下の微細な一次再結晶組織となる
ようなものである。
【０００８】次に、上記のような圧延によって得られた
中間製品を８３０℃、３０分で加熱して歪回復処理を行
い、引き続き加工率５〜５０％の一方向冷間圧延（ト−
タル７〜８回）を行った。その後、１７５０〜１８５０
℃で３時間加熱し、モリブデン板表面の結晶を粗大化し
た。その結果、表面層の結晶が、長さ１０〜１５０ｍｍ
の細長い粗大結晶粒となった。図３は、従来の純モリブ
デン板の再結晶組織を表す顕微鏡写真（３７．５倍）で
あり、図４は上記実施例の厚み方向の断面を表す顕微鏡
写真（３７．５倍）である。また、図５は、図４の粗大
結晶層の顕微鏡写真である。
中間製品を８３０℃、３０分で加熱して歪回復処理を行
い、引き続き加工率５〜５０％の一方向冷間圧延（ト−
タル７〜８回）を行った。その後、１７５０〜１８５０
℃で３時間加熱し、モリブデン板表面の結晶を粗大化し
た。その結果、表面層の結晶が、長さ１０〜１５０ｍｍ
の細長い粗大結晶粒となった。図３は、従来の純モリブ
デン板の再結晶組織を表す顕微鏡写真（３７．５倍）で
あり、図４は上記実施例の厚み方向の断面を表す顕微鏡
写真（３７．５倍）である。また、図５は、図４の粗大
結晶層の顕微鏡写真である。
【０００９】このようにして得られたモリブデン板につ
いて、図６に示すコ−ンクリ−プ試験により高温変形を
調べた結果は、図７の通りであった。この試験での保持
温度は１６００℃であり、試験片の大きさは２×３０×
１７０（ｍｍ）、標点距離Ｌは１５０ｍｍ、荷重Ｗは５
００ｇであった。図７から分かるように、本発明のモリ
ブデン板Ａは、従来の純モリブデン板Ｂに較べて、高温
における変形量が著しく小さくなっている。
いて、図６に示すコ−ンクリ−プ試験により高温変形を
調べた結果は、図７の通りであった。この試験での保持
温度は１６００℃であり、試験片の大きさは２×３０×
１７０（ｍｍ）、標点距離Ｌは１５０ｍｍ、荷重Ｗは５
００ｇであった。図７から分かるように、本発明のモリ
ブデン板Ａは、従来の純モリブデン板Ｂに較べて、高温
における変形量が著しく小さくなっている。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
にかかるモリブデン板は、微細結晶層と粗大結晶層が複
合層状に重なっているので、高温での使用に際し、変形
の少ないものとなった。また、純度が９９．９％以上で
あるので、半導体焼成用の敷板として使用しても汚染の
虞がない。
にかかるモリブデン板は、微細結晶層と粗大結晶層が複
合層状に重なっているので、高温での使用に際し、変形
の少ないものとなった。また、純度が９９．９％以上で
あるので、半導体焼成用の敷板として使用しても汚染の
虞がない。
【００１１】
【図１】本発明の１実施例の構造を表す模式図である。
【図２】本発明の異なる実施例の構造を表す模式図であ
る。
る。
【図３】従来の純モリブデン板の金属結晶構造を表す顕
微鏡写真である。
微鏡写真である。
【図４】本発明のモリブデン板の金属結晶構造を表す顕
微鏡写真である。
微鏡写真である。
【図５】図４における粗大結晶層の金属結晶構造を表す
顕微鏡写真である。
顕微鏡写真である。
【図６】試験方法の説明図である。
【図７】高温変形試験結果を表すグラフである。
１ モリブデン板 ２ 微細結晶層 ３ 粗大結晶層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年７月２４日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】図１は、本発明のモリブデン板の断面を模
式的に表すもので、このモリブデン板１は、厚み方向の
中間部に、粒径が１０ｍｍよりも小さい微細結晶層２が
介在し、その上下両表面部に長径が１０ｍｍ以上の結晶
からなる粗大結晶層３，３を備えたサンドイッチ構造と
なっている。粗大結晶層３の結晶の大きさは、通常１０
〜１５０ｍｍであり、微細結晶層２における結晶の大き
さは、１００ミクロン以下とするのが好ましい。また、
微細結晶層２の厚みは、板の厚みに対して５〜５０％と
するのが好ましく、板の厚みの１／３以下とするのがよ
り好ましい。微細結晶層２の厚みが５％よりも小さい
と、上降伏点（弾性限）が低くなるので好ましくない。
また、微細結晶層２の厚みが大きくなりすぎると、高温
クリ−プが悪化する。
式的に表すもので、このモリブデン板１は、厚み方向の
中間部に、粒径が１０ｍｍよりも小さい微細結晶層２が
介在し、その上下両表面部に長径が１０ｍｍ以上の結晶
からなる粗大結晶層３，３を備えたサンドイッチ構造と
なっている。粗大結晶層３の結晶の大きさは、通常１０
〜１５０ｍｍであり、微細結晶層２における結晶の大き
さは、１００ミクロン以下とするのが好ましい。また、
微細結晶層２の厚みは、板の厚みに対して５〜５０％と
するのが好ましく、板の厚みの１／３以下とするのがよ
り好ましい。微細結晶層２の厚みが５％よりも小さい
と、上降伏点（弾性限）が低くなるので好ましくない。
また、微細結晶層２の厚みが大きくなりすぎると、高温
クリ−プが悪化する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】このようにして得られたモリブデン板につ
いて、図６に示す高温クリ−プ試験により高温変形を調
べた結果は、図７の通りであった。この試験での保持温
度は１６００℃であり、試験片の大きさは２×３０×１
７０（ｍｍ）、標点距離Ｌは１５０ｍｍ、荷重Ｗは５０
０ｇであった。図７から分かるように、本発明のモリブ
デン板Ａは、従来の純モリブデン板Ｂに較べて、高温に
おける変形量が著しく小さくなっている。
いて、図６に示す高温クリ−プ試験により高温変形を調
べた結果は、図７の通りであった。この試験での保持温
度は１６００℃であり、試験片の大きさは２×３０×１
７０（ｍｍ）、標点距離Ｌは１５０ｍｍ、荷重Ｗは５０
０ｇであった。図７から分かるように、本発明のモリブ
デン板Ａは、従来の純モリブデン板Ｂに較べて、高温に
おける変形量が著しく小さくなっている。
Claims (1)
- 【請求項１】 長径が１０ｍｍ以上の結晶からなる粗大
結晶層を表面部に備え、少なくとも厚み方向の中間部に
は粒径が１０ｍｍよりも小さい結晶からなる微細結晶層
を備えた複合結晶構造を有する純度９９．９％以上の耐
熱性モリブデン板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12237491A JPH05140615A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱性モリブデン板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12237491A JPH05140615A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱性モリブデン板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05140615A true JPH05140615A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=14834266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12237491A Pending JPH05140615A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 耐熱性モリブデン板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05140615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100410007C (zh) * | 2006-01-26 | 2008-08-13 | 宜兴市科兴合金材料有限公司 | 钼坯压延法制钼圆片工艺 |
| WO2012132489A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 株式会社アライドマテリアル | モリブデン材 |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP12237491A patent/JPH05140615A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100410007C (zh) * | 2006-01-26 | 2008-08-13 | 宜兴市科兴合金材料有限公司 | 钼坯压延法制钼圆片工艺 |
| WO2012132489A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 株式会社アライドマテリアル | モリブデン材 |
| JP2012201930A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Allied Material Corp | モリブデン材 |
| CN103459631A (zh) * | 2011-03-25 | 2013-12-18 | 联合材料公司 | 钼材料 |
| US20140014235A1 (en) * | 2011-03-25 | 2014-01-16 | A.L.M.T. Corp. | Molybdenum material |
| EP2690185A1 (en) * | 2011-03-25 | 2014-01-29 | A.L.M.T. Corp. | Molybdenum material |
| EP2690185A4 (en) * | 2011-03-25 | 2014-12-24 | Almt Corp | MOLYBDENUM MATERIAL |
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