JPH05131369A - 鏡面研磨方法 - Google Patents

鏡面研磨方法

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Publication number
JPH05131369A
JPH05131369A JP3299500A JP29950091A JPH05131369A JP H05131369 A JPH05131369 A JP H05131369A JP 3299500 A JP3299500 A JP 3299500A JP 29950091 A JP29950091 A JP 29950091A JP H05131369 A JPH05131369 A JP H05131369A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
flow rate
stage
wafer
scratches
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3299500A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Wataya
健一 綿谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
Nikko Kyodo Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Mining Co Ltd, Nikko Kyodo Co Ltd filed Critical Nippon Mining Co Ltd
Priority to JP3299500A priority Critical patent/JPH05131369A/ja
Publication of JPH05131369A publication Critical patent/JPH05131369A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】(修正有) 【構成】最終鏡面研磨加工において、研磨剤流量を研磨
初期から研磨仕上期前には加工速度の大きい流量とし、
研磨仕上期には加工表面粗さを向上できる流量とする。 【効果】加工表面が平滑でスクラッチ等の表面欠陥のな
いウェハを歩留まり良く得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、加工物基板を鏡面研磨
加工する方法に関するものであって、高い加工速度を維
持し、スクラッチ等の表面損傷の発生を最少限に抑え、
且つ平滑で良好な鏡面を得ることを目的とするものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年の電子デバイス作製技術の発展は目
ざましく、サブミクロンオーダーの微細加工が日常的に
行なわれる状況となっている。それに伴い、半導体基板
(ウェハ)表面の平滑さについても極めて高度な水準が
求められている。
【0003】これを実現するには、最終的な研磨技術と
して、鏡面研磨加工(ポリシング)が極めて重要であ
る。
【0004】鏡面研磨加工は通常2段階に分けて行わ
れ、表面粗さ(Rmax)を約200Aまで加工する1次
鏡面研磨加工(1次ポリシング)とさらに表面粗さ(R
max)を約20Aまで加工する最終鏡面研磨加工(2次
ポリシング)である。
【0005】2次ポリシングではウェハの反り等の影響
でウェハ全面を十分にポリシングするには約4μm加工
する必要がある。
【0006】2次ポリシングにおいては、研磨剤の流量
を多くすると、加工速度が増大するが、その加工表面が
粗くなり、一方、研磨剤流量を少なくすると、ウェハー
表面は平滑に仕上がるが、加工速度が低く、スクラッチ
等の表面損傷を生じやすいという問題点があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決したもので、スクラッチ等の表面損傷の発生を
最少限に抑え、且つ平滑なウェハ表面を得る鏡面研磨加
工技術を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、最終
鏡面研磨加工(2次ポリシング)において、研磨剤流量
を研磨初期から研磨仕上期前には加工速度の大きい流量
とし、研磨仕上期には加工表面粗さを向上できる流量と
することにより上記問題点を解決する鏡面研磨方法を提
供するものである。
【0009】本発明者は、2次ポリシングにおいて研磨
剤流量を少なくした時にスクラッチ等の表面損傷を生じ
やすい原因について検討した結果、研磨剤流量を少なく
すると加工時間が長くなり、ポリシングパッドが摩耗し
てゴミが発生してスクラッチ等の表面損傷の原因となっ
ていたことを見出した。
【0010】さらに、2次ポリシングにおいて研磨剤流
量を多くした時にはスクラッチ等の表面損傷を生じない
という現象にも着目し、この理由がポリシングパッドか
ら発生したゴミを研磨剤が排出することにあることを見
出した。
【0011】以上の知見から、2次ポリシング中に研磨
剤流量を調整することを考えつき、本発明に至った。
【0012】
【実施例】直径3インチのInPウェハを1%Br2
メタノ−ルの研磨剤にて定盤径610mmφの片面研磨
機を使用し、加工圧力50g/cm2、定盤回転数30
r.p.m.の条件で最終鏡面研磨加工(2次ポリシン
グ)した。
【0013】この条件下で研磨剤流量と加工速度及び表
面粗さ(Rmax)との相関を調べたところ、それぞれ図
1及び図2のようになった。
【0014】すなわち、研磨剤流量を10リットル/時
間と多くすると加工速度は30μm/時間と大きくなる
が、表面粗さ(Rmax)は70Aと粗くなる。一方、研
磨剤流量を3リットル/時間と少なくすると表面粗さ
(Rmax)は18Aと平滑になるが、加工速度は6μm
/時間と小さくなり、スクラッチ等の表面欠陥が加工ウ
ェハ20枚中17枚に発生した。
【0015】本発明方法の実施例1として、研磨剤流量
を最初に10リットル/時間(13分間)とし、その後
3リットル/時間(7分間)として2次ポリシングを行
なった。
【0016】この結果、加工速度は22μm/時間で、
表面粗さ(Rmax)は18Aと平滑になり、スクラッチ
等の表面欠陥の発生割合も加工ウェハ20枚中3枚に減
少した。
【0017】さらに実施例2として、研磨剤流量を最初
に10リットル/時間(10分間)とし、次いで5リッ
トル/時間(5分間)とし、その後3リットル/時間
(5分間)として2次ポリシングを行なったところ、加
工速度が15μm/時間となった以外は表面粗さおよび
スクラッチ等の表面欠陥の発生割合については実施例1
と同様の結果が得られた。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法を用い
れば、加工表面が平滑でスクラッチ等の表面欠陥のない
ウェハを歩留まり良く得られる効果がある。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年10月30日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】 研磨剤流量と加工速度との関係を示す図で
ある。
【図2】 研磨剤流量と加工面粗さとの関係を示す図
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 最終鏡面研磨加工において、研磨剤流量
    を研磨初期から研磨仕上期前には加工速度の大きい流量
    とし、研磨仕上期には加工表面粗さを向上できる流量と
    することを特徴とする鏡面研磨方法。
JP3299500A 1991-10-21 1991-10-21 鏡面研磨方法 Pending JPH05131369A (ja)

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JPH05131369A true JPH05131369A (ja) 1993-05-28

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104972381A (zh) * 2015-02-03 2015-10-14 浙江工业大学 一种基于气液固三相磨粒流的超光滑表面流体抛光装置
CN105364636A (zh) * 2015-09-25 2016-03-02 宁波市锦泰橡塑有限公司 一种检测器主体内腔的镜面抛光方法
CN105666304A (zh) * 2016-03-08 2016-06-15 沈阳富创精密设备有限公司 一种铝合金干式镜面抛光工艺

Cited By (4)

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CN105364636A (zh) * 2015-09-25 2016-03-02 宁波市锦泰橡塑有限公司 一种检测器主体内腔的镜面抛光方法
CN105364636B (zh) * 2015-09-25 2017-11-21 宁波市锦泰橡塑有限公司 一种检测器主体内腔的镜面抛光方法
CN105666304A (zh) * 2016-03-08 2016-06-15 沈阳富创精密设备有限公司 一种铝合金干式镜面抛光工艺

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