JPH05129881A - 弾性表面波発振器 - Google Patents
弾性表面波発振器Info
- Publication number
- JPH05129881A JPH05129881A JP29321791A JP29321791A JPH05129881A JP H05129881 A JPH05129881 A JP H05129881A JP 29321791 A JP29321791 A JP 29321791A JP 29321791 A JP29321791 A JP 29321791A JP H05129881 A JPH05129881 A JP H05129881A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- semiconductor substrate
- piezoelectric semiconductor
- electric field
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- Pending
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程が簡略化でき、かつ小型の弾性表面
波発振器を得る。 【構成】 圧電半導体基板１の上面に、直流電界Ｅを印
加するための電極３，４ａ〜４ｄと、弾性表面波の伝搬
路をループ路とするための表面弾性波反射用すだれ状電
極６ａ〜６ｄと、入出力用すだれ状電極８，９を設け
る。さらに、直流磁界Ｈを基板１の上面に対して垂直な
方向に印加する。基板１のキャリアはホール効果により
弾性表面波１５の伝搬方向に対して平行な方向の移動速
度成分をも有する。従って、このキャリアの移動速度を
弾性表面波１５の伝搬速度より大きくすることにより、
キャリアは弾性表面波１５に付随する電界と結合し、弾
性表面波を増幅する。弾性表面波１５は増幅されなが
ら、反射用すだれ状電極６ａ〜６ｄによって反射され、
再び同相で入力側に帰還する。
波発振器を得る。 【構成】 圧電半導体基板１の上面に、直流電界Ｅを印
加するための電極３，４ａ〜４ｄと、弾性表面波の伝搬
路をループ路とするための表面弾性波反射用すだれ状電
極６ａ〜６ｄと、入出力用すだれ状電極８，９を設け
る。さらに、直流磁界Ｈを基板１の上面に対して垂直な
方向に印加する。基板１のキャリアはホール効果により
弾性表面波１５の伝搬方向に対して平行な方向の移動速
度成分をも有する。従って、このキャリアの移動速度を
弾性表面波１５の伝搬速度より大きくすることにより、
キャリアは弾性表面波１５に付随する電界と結合し、弾
性表面波を増幅する。弾性表面波１５は増幅されなが
ら、反射用すだれ状電極６ａ〜６ｄによって反射され、
再び同相で入力側に帰還する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波発振器に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術と課題】従来より、圧電半導体基板の表面
に一対のすだれ状電極を設けた弾性表面波フィルタと増
幅器とを組み合わせた発振器が知られている。しかしな
がら、従来の発振器は弾性表面波フィルタと増幅器を別
々の部品として作成した後、組み合わせて構成するもの
であったため、製造工程が多くなり、かつ、製品のサイ
ズも大型になるという問題点があった。
に一対のすだれ状電極を設けた弾性表面波フィルタと増
幅器とを組み合わせた発振器が知られている。しかしな
がら、従来の発振器は弾性表面波フィルタと増幅器を別
々の部品として作成した後、組み合わせて構成するもの
であったため、製造工程が多くなり、かつ、製品のサイ
ズも大型になるという問題点があった。
【０００３】そこで、本発明の課題は、製造工程が簡略
化でき、かつ、小型の弾性表面波発振器を提供すること
にある。
化でき、かつ、小型の弾性表面波発振器を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明に係る弾性表面波発振器は、（ａ）圧電半導
体基板と、（ｂ）前記圧電半導体基板の表面に設けた入
出力用すだれ状電極と、（ｃ）前記圧電半導体基板の表
面で、かつ、弾性表面波の伝搬路をループ路とするため
に該伝搬路に設けた弾性表面波を反射する反射手段と、
（ｄ）前記圧電半導体基板の表面に設けられ、かつ、前
記圧電半導体基板の表面に対して平行で、かつ、前記弾
性表面波の伝搬路と直交する方向に直流電界を印加する
ための対向電極と、（ｅ）前記圧電半導体基板の表面に
対して垂直な方向に直流磁界を印加する磁界発生手段
と、を備えたことを特徴とする。
め、本発明に係る弾性表面波発振器は、（ａ）圧電半導
体基板と、（ｂ）前記圧電半導体基板の表面に設けた入
出力用すだれ状電極と、（ｃ）前記圧電半導体基板の表
面で、かつ、弾性表面波の伝搬路をループ路とするため
に該伝搬路に設けた弾性表面波を反射する反射手段と、
（ｄ）前記圧電半導体基板の表面に設けられ、かつ、前
記圧電半導体基板の表面に対して平行で、かつ、前記弾
性表面波の伝搬路と直交する方向に直流電界を印加する
ための対向電極と、（ｅ）前記圧電半導体基板の表面に
対して垂直な方向に直流磁界を印加する磁界発生手段
と、を備えたことを特徴とする。
【０００５】
【作用】以上の構成において、直流電界を圧電半導体基
板の表面に対して平行で、かつ、弾性表面波の伝搬方向
と直交する方向に印加し、直流磁界を圧電半導体基板の
表面に対して垂直な方向に印加するため、ホール効果に
より圧電半導体基板のキャリアが弾性表面波の伝搬方向
に対して垂直な方向及び平行な方向にそれぞれ略等しい
オーダの速度成分を有する。弾性表面波の伝搬方向に対
して平行な方向のキャリア移動速度をＶ（ｄ）、弾性表
面波の伝搬速度をＶ（ｓ）とすると、 Ｖ（ｄ）＞Ｖ（ｓ） の関係を満足するように直流電界等を調整すればキャリ
アが弾性表面波に付随する電界と結合し、弾性表面波が
増幅される。
板の表面に対して平行で、かつ、弾性表面波の伝搬方向
と直交する方向に印加し、直流磁界を圧電半導体基板の
表面に対して垂直な方向に印加するため、ホール効果に
より圧電半導体基板のキャリアが弾性表面波の伝搬方向
に対して垂直な方向及び平行な方向にそれぞれ略等しい
オーダの速度成分を有する。弾性表面波の伝搬方向に対
して平行な方向のキャリア移動速度をＶ（ｄ）、弾性表
面波の伝搬速度をＶ（ｓ）とすると、 Ｖ（ｄ）＞Ｖ（ｓ） の関係を満足するように直流電界等を調整すればキャリ
アが弾性表面波に付随する電界と結合し、弾性表面波が
増幅される。
【０００６】一方、反射手段によって、弾性表面波の伝
搬路はループ路とされるため、弾性表面波は増幅されな
がら前記伝搬路を周回し、再び入力側に帰還する。従っ
て、弾性表面波が同相で帰還するように入出力用すだれ
状電極を圧電半導体基板の表面に設ければ、この弾性表
面波デバイスは発振器としての機能を有する。
搬路はループ路とされるため、弾性表面波は増幅されな
がら前記伝搬路を周回し、再び入力側に帰還する。従っ
て、弾性表面波が同相で帰還するように入出力用すだれ
状電極を圧電半導体基板の表面に設ければ、この弾性表
面波デバイスは発振器としての機能を有する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係る弾性表面波発振器の一実
施例を添付図面を参照して説明する。図１に示すよう
に、圧電半導体基板１の上面の略中央部には矩形状パタ
ーンのバイアス電極３及びこの電極３の外側に電極３に
対向するように４個のグランド電極４ａ，４ｂ，４ｃ，
４ｄが配設されている。圧電半導体基板１の材料として
は、不純物濃度が１０14個／ｃｍ3のＰ型ＧａＡｓが用
いられている。なお、発振周波数は圧電半導体基板１の
不純物濃度に依存する。従って、所望の周波数にて発振
できるように適切な不純物濃度に設定しておく。
施例を添付図面を参照して説明する。図１に示すよう
に、圧電半導体基板１の上面の略中央部には矩形状パタ
ーンのバイアス電極３及びこの電極３の外側に電極３に
対向するように４個のグランド電極４ａ，４ｂ，４ｃ，
４ｄが配設されている。圧電半導体基板１の材料として
は、不純物濃度が１０14個／ｃｍ3のＰ型ＧａＡｓが用
いられている。なお、発振周波数は圧電半導体基板１の
不純物濃度に依存する。従って、所望の周波数にて発振
できるように適切な不純物濃度に設定しておく。
【０００８】バイアス電極３は引き出し電極３ａを介し
て直流電源に接続され、グランド電極４ａ〜４ｄはそれ
ぞれ引き出し電極５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを介して接地
されている。電極３と４ａ〜４ｄの間隔は、弾性表面波
１５が伝搬する際に生ずる回折現象等を考慮して表面弾
性波１５の伝搬路が十分確保できるように、かつ、印加
直流電圧が低くなるように弾性表面波１５の波長の十数
倍の寸法に設計される。反射用すだれ状電極６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄはバイアス電極３の四つの角部に向き合
う位置に配設されている。反射用すだれ状電極６ａ〜６
ｄは弾性表面波１５の伝搬路に対して４５゜傾いた状態
で配設されているため、電極６ａ〜６ｄに入射した弾性
表面波１５の一部は透過し、一部はその伝搬方向を９０
゜変えて反射される。
て直流電源に接続され、グランド電極４ａ〜４ｄはそれ
ぞれ引き出し電極５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを介して接地
されている。電極３と４ａ〜４ｄの間隔は、弾性表面波
１５が伝搬する際に生ずる回折現象等を考慮して表面弾
性波１５の伝搬路が十分確保できるように、かつ、印加
直流電圧が低くなるように弾性表面波１５の波長の十数
倍の寸法に設計される。反射用すだれ状電極６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄはバイアス電極３の四つの角部に向き合
う位置に配設されている。反射用すだれ状電極６ａ〜６
ｄは弾性表面波１５の伝搬路に対して４５゜傾いた状態
で配設されているため、電極６ａ〜６ｄに入射した弾性
表面波１５の一部は透過し、一部はその伝搬方向を９０
゜変えて反射される。
【０００９】圧電半導体基板１の上面の右上隅部分には
入力用すだれ状電極８と出力用すだれ状電極９が配設さ
れている。すだれ状電極８，９は電気−機械エネルギー
変換機能を有する。このすだれ状電極８，９の位置関係
は弾性表面波１５が同相で入力側へ帰還するように設定
されている。入力用すだれ状電極８は引き出し電極８
ａ，８ｂを介して交流パルス発生器１２に電気的に接続
されている。これらバイアス電極３、グランド電極４ａ
〜４ｄ、反射用すだれ状電極６ａ〜６ｄ及び入出力用す
だれ状電極８，９の材料としてはアルミニウム等が用い
られ、フォトエッチング法等の手段により形成されてい
る。
入力用すだれ状電極８と出力用すだれ状電極９が配設さ
れている。すだれ状電極８，９は電気−機械エネルギー
変換機能を有する。このすだれ状電極８，９の位置関係
は弾性表面波１５が同相で入力側へ帰還するように設定
されている。入力用すだれ状電極８は引き出し電極８
ａ，８ｂを介して交流パルス発生器１２に電気的に接続
されている。これらバイアス電極３、グランド電極４ａ
〜４ｄ、反射用すだれ状電極６ａ〜６ｄ及び入出力用す
だれ状電極８，９の材料としてはアルミニウム等が用い
られ、フォトエッチング法等の手段により形成されてい
る。
【００１０】図２には、圧電半導体基板１の上面に対し
て垂直な方向に直流磁界Ｈを印加する磁界発生手段が示
されている。基板１はコイル２０の内側に、コイル２０
の軸方向に対して垂直に配設されている。電流Ｉがコイ
ル２０を流れると、基板１の上面から下面への方向の直
流磁界Ｈが発生する。次に、以上の構成からなる弾性表
面波発振器の発振作用について説明する。直流電源によ
って電極３と４ａ〜４ｄ間に電圧を印加し、直流電界Ｅ
を発生させる。直流電界Ｅの向きは、基板１の上面に対
して平行で、かつ、弾性表面波１０の伝搬路と直交する
方向（図１において点線の矢印で示す方向）である。直
流電界Ｅにより、基板１のキャリアである正孔は弾性表
面波１５の伝搬路と直交する方向に移動速度Ｖ（ｙ）で
移動する。さらに、直流電界Ｅの印加に合わせてコイル
２０に電流Ｉを流して、基板１の上面に対して垂直な方
向に直流磁界Ｈを発生させる。直流磁界Ｈが十分強い
と、ホール効果により前記正孔は弾性表面波１５の伝搬
路に対して平行な方向の移動速度Ｖ（ｘ）をも有するよ
うになる。すなわち、直流電界Ｅの強度をＥｒ、直流磁
界Ｈの磁束密度をＢ、正孔の有効質量をｍ、正孔の運動
量緩和時間をτとすると、正孔の運動方程式は、
て垂直な方向に直流磁界Ｈを印加する磁界発生手段が示
されている。基板１はコイル２０の内側に、コイル２０
の軸方向に対して垂直に配設されている。電流Ｉがコイ
ル２０を流れると、基板１の上面から下面への方向の直
流磁界Ｈが発生する。次に、以上の構成からなる弾性表
面波発振器の発振作用について説明する。直流電源によ
って電極３と４ａ〜４ｄ間に電圧を印加し、直流電界Ｅ
を発生させる。直流電界Ｅの向きは、基板１の上面に対
して平行で、かつ、弾性表面波１０の伝搬路と直交する
方向（図１において点線の矢印で示す方向）である。直
流電界Ｅにより、基板１のキャリアである正孔は弾性表
面波１５の伝搬路と直交する方向に移動速度Ｖ（ｙ）で
移動する。さらに、直流電界Ｅの印加に合わせてコイル
２０に電流Ｉを流して、基板１の上面に対して垂直な方
向に直流磁界Ｈを発生させる。直流磁界Ｈが十分強い
と、ホール効果により前記正孔は弾性表面波１５の伝搬
路に対して平行な方向の移動速度Ｖ（ｘ）をも有するよ
うになる。すなわち、直流電界Ｅの強度をＥｒ、直流磁
界Ｈの磁束密度をＢ、正孔の有効質量をｍ、正孔の運動
量緩和時間をτとすると、正孔の運動方程式は、
【００１１】
【数１】
【００１２】となる。さらに、ｑＢ／ｍ＝ω，ｑτ／ｍ
＝μとすると、
＝μとすると、
【００１３】
【数２】
【００１４】と書き換えられる。ゆえに、
【００１５】
【数３】
【００１６】となる。通常τＶ（ｘ）及びτＶ（ｙ）の
数値は基板１の大きさと比較して十分小さいので（１）
式の右辺第１項は無視できる。従って、ωτ≒１であれ
ば正孔の移動速度は弾性表面波１５の伝搬路に対して垂
直な方向及び平行な方向に対して略等しいオーダの速度
成分を有する。前記状態の下で、交流パルス発生器１２
から入力用すだれ状電極８に電気信号を供給する。電気
信号は弾性表面波１５に変換され、弾性表面波１５は圧
電半導体基板１の表面部分を伝搬する。弾性表面波１５
は反射用すだれ状電極６ａに入射し、その一部が透過し
てバイアス電極３とグランド電極４ａに挟まれた領域に
伝搬する。弾性表面波１５の伝搬速度をＶ（ｓ）とする
と、 Ｖ（ｘ）＞Ｖ（ｓ） の関係を満足するように直流電界Ｅの強さＥｒ等を調整
しておけば正孔が弾性表面波１５に付随する電界と結合
し、弾性表面波１５を増幅することができる。増幅され
た弾性表面波１５は反射用すだれ状電極６ｂに入射し、
その一部が反射されてバイアス電極３とグランド電極４
ｂに挟まれた領域に伝搬する。この領域においても、移
動速度Ｖ（ｘ）を有する正孔が弾性表面波１５に付随す
る電界と結合し、弾性表面波１５を増幅させる。こうし
て、弾性表面波１５は増幅されながら、各反射用すだれ
状電極６ｂ〜６ｄによって反射され、再び同相で入力側
に帰還する。従って、この弾性表面波デバイスは発振器
として機能することができる。
数値は基板１の大きさと比較して十分小さいので（１）
式の右辺第１項は無視できる。従って、ωτ≒１であれ
ば正孔の移動速度は弾性表面波１５の伝搬路に対して垂
直な方向及び平行な方向に対して略等しいオーダの速度
成分を有する。前記状態の下で、交流パルス発生器１２
から入力用すだれ状電極８に電気信号を供給する。電気
信号は弾性表面波１５に変換され、弾性表面波１５は圧
電半導体基板１の表面部分を伝搬する。弾性表面波１５
は反射用すだれ状電極６ａに入射し、その一部が透過し
てバイアス電極３とグランド電極４ａに挟まれた領域に
伝搬する。弾性表面波１５の伝搬速度をＶ（ｓ）とする
と、 Ｖ（ｘ）＞Ｖ（ｓ） の関係を満足するように直流電界Ｅの強さＥｒ等を調整
しておけば正孔が弾性表面波１５に付随する電界と結合
し、弾性表面波１５を増幅することができる。増幅され
た弾性表面波１５は反射用すだれ状電極６ｂに入射し、
その一部が反射されてバイアス電極３とグランド電極４
ｂに挟まれた領域に伝搬する。この領域においても、移
動速度Ｖ（ｘ）を有する正孔が弾性表面波１５に付随す
る電界と結合し、弾性表面波１５を増幅させる。こうし
て、弾性表面波１５は増幅されながら、各反射用すだれ
状電極６ｂ〜６ｄによって反射され、再び同相で入力側
に帰還する。従って、この弾性表面波デバイスは発振器
として機能することができる。
【００１７】ところで、弾性表面波１５は反射用すだれ
状電極６ａ〜６ｄを透過あるいは反射する際に少なくと
も３ｄＢの損失が生じる。従って、弾性表面波１５は電
極６ａ〜６ｄ相互間を伝搬するあいだに３ｄＢを越える
増幅利得が得られるように設計しておく必要がある。例
えば、周波数７００ＭＨｚ（波長λは約４μｍ）の発振
を行なった場合、弾性表面波１５の利得は約３０ｄＢ／
ｃｍとなるので、電極６ａ〜６ｄ相互間は数ｍｍ以上離
して、弾性表面波１５の伝搬路を数ｍｍ以上確保してお
く必要がある。このとき、直流電源電圧は２０（Ｖ）、
電極３と４ａ〜４ｂの間隔は４０μｍ（≒１０λ）とし
た。
状電極６ａ〜６ｄを透過あるいは反射する際に少なくと
も３ｄＢの損失が生じる。従って、弾性表面波１５は電
極６ａ〜６ｄ相互間を伝搬するあいだに３ｄＢを越える
増幅利得が得られるように設計しておく必要がある。例
えば、周波数７００ＭＨｚ（波長λは約４μｍ）の発振
を行なった場合、弾性表面波１５の利得は約３０ｄＢ／
ｃｍとなるので、電極６ａ〜６ｄ相互間は数ｍｍ以上離
して、弾性表面波１５の伝搬路を数ｍｍ以上確保してお
く必要がある。このとき、直流電源電圧は２０（Ｖ）、
電極３と４ａ〜４ｂの間隔は４０μｍ（≒１０λ）とし
た。
【００１８】以上のように、１枚の圧電半導体基板１上
において、弾性表面波は増幅されながら再び同相で入力
側に帰還するので、従来のように別の増幅器と組み合わ
せて発振器を作成する必要がなくなる。従って、製造工
程が簡略化でき、かつ、小型の弾性表面波発振器が得ら
れる。なお、本発明に係る弾性表面波発振器は前記実施
例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々
に変形することができる。
において、弾性表面波は増幅されながら再び同相で入力
側に帰還するので、従来のように別の増幅器と組み合わ
せて発振器を作成する必要がなくなる。従って、製造工
程が簡略化でき、かつ、小型の弾性表面波発振器が得ら
れる。なお、本発明に係る弾性表面波発振器は前記実施
例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々
に変形することができる。
【００１９】前記実施例の全ての反射用すだれ状電極の
後方の位置に出力用すだれ状電極を配設すれば、前記３
ｄＢの損失を無駄にすることなく有効利用できると共
に、四つの出力が得られる。また、圧電半導体基板には
キャリアが伝導電子のｎ型圧電半導体を材料として用い
てもよい。この場合、弾性表面波の伝搬方向に対して直
交して印加される直流電界の向きは前記実施例と逆方向
になるように設定される。
後方の位置に出力用すだれ状電極を配設すれば、前記３
ｄＢの損失を無駄にすることなく有効利用できると共
に、四つの出力が得られる。また、圧電半導体基板には
キャリアが伝導電子のｎ型圧電半導体を材料として用い
てもよい。この場合、弾性表面波の伝搬方向に対して直
交して印加される直流電界の向きは前記実施例と逆方向
になるように設定される。
【００２０】さらに、表面弾性波を反射する反射手段
は、前記実施例のすだれ状電極に限定されるものではな
く、圧電半導体基板の表面に設けた溝等であってもよ
い。
は、前記実施例のすだれ状電極に限定されるものではな
く、圧電半導体基板の表面に設けた溝等であってもよ
い。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、直流電界を圧電半導体基板の表面に対して平行
で、かつ、弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に印加
し、直流磁界を圧電半導体基板の表面に対して垂直な方
向に印加したので、ホール効果により圧電半導体のキャ
リアは弾性表面波の伝搬方向に対して平行な方向にも移
動速度成分を得ることができる。このキャリアの移動速
度を弾性表面波の伝搬速度より大きくすることにより、
キャリアは弾性表面波に付随する電界と結合し、弾性表
面波を増幅することができる。表面弾性波は増幅されな
がら、弾性表面波反射手段によって反射され、再び同相
で入力側に帰還する。すなわち、発振器として機能す
る。従って、従来のように別の増幅器と組み合わせて発
振器を作製する必要がなくなり、製造工程が簡略化で
き、かつ、小型の弾性表面波発振器が得られる。
よれば、直流電界を圧電半導体基板の表面に対して平行
で、かつ、弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に印加
し、直流磁界を圧電半導体基板の表面に対して垂直な方
向に印加したので、ホール効果により圧電半導体のキャ
リアは弾性表面波の伝搬方向に対して平行な方向にも移
動速度成分を得ることができる。このキャリアの移動速
度を弾性表面波の伝搬速度より大きくすることにより、
キャリアは弾性表面波に付随する電界と結合し、弾性表
面波を増幅することができる。表面弾性波は増幅されな
がら、弾性表面波反射手段によって反射され、再び同相
で入力側に帰還する。すなわち、発振器として機能す
る。従って、従来のように別の増幅器と組み合わせて発
振器を作製する必要がなくなり、製造工程が簡略化で
き、かつ、小型の弾性表面波発振器が得られる。
【図１】本発明に係る弾性表面波発振器の一実施例を示
す概略構成図。
す概略構成図。
【図２】図１に示した弾性表面波発振器の磁界発生手段
を説明するための斜視図。
を説明するための斜視図。
１…圧電半導体基板 ３…バイアス電極（対向電極） ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ…グランド電極（対向電極） ８…入力用すだれ状電極 ９…出力用すだれ状電極 ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ…反射用すだれ状電極（反射手
段） １５…弾性表面波 ２０…コイル（磁界発生手段） Ｅ…直流電界 Ｈ…直流磁界
段） １５…弾性表面波 ２０…コイル（磁界発生手段） Ｅ…直流電界 Ｈ…直流磁界
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電半導体基板と、 前記圧電半導体基板の表面に設けた入出力用すだれ状電
極と、 前記圧電半導体基板の表面で、かつ、弾性表面波の伝搬
路をループ路とするために該伝搬路に設けた弾性表面波
を反射する反射手段と、 前記圧電半導体基板の表面に設けられ、かつ、前記圧電
半導体基板の表面に対して平行で、かつ、前記弾性表面
波の伝搬路と直交する方向に直流電界を印加するための
対向電極と、 前記圧電半導体基板の表面に対して垂直な方向に直流磁
界を印加する磁界発生手段と、 を備えたことを特徴とする弾性表面波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29321791A JPH05129881A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 弾性表面波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29321791A JPH05129881A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 弾性表面波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129881A true JPH05129881A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17791944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29321791A Pending JPH05129881A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 弾性表面波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129881A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8648893B2 (en) | 2005-06-20 | 2014-02-11 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Electrooptic device |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29321791A patent/JPH05129881A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8648893B2 (en) | 2005-06-20 | 2014-02-11 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Electrooptic device |
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