JPH05129868A - 分配器 - Google Patents
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- JPH05129868A JPH05129868A JP31546791A JP31546791A JPH05129868A JP H05129868 A JPH05129868 A JP H05129868A JP 31546791 A JP31546791 A JP 31546791A JP 31546791 A JP31546791 A JP 31546791A JP H05129868 A JPH05129868 A JP H05129868A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分配器における端子間結合損失が温度に依存
して低下することを防止すること。 【構成】 電力を分配する分配トランスと、分配トラン
スの分配端子間に挿入された吸収抵抗とを有する分配器
において、吸収抵抗を、分配トランスの端子間の使用帯
域におけるインピーダンスの温度変化を補償するような
温度特性を有する感温抵抗素子とした。吸収抵抗の所定
温度におけるレジスタンスは、所定温度において、分配
トランスの端子間の使用帯域におけるインピーダンスの
レジスタンスと等しい値を有する等価抵抗と、分配端子
間に挿入される吸収抵抗との並列接続回路のレジスタン
スが、分配端子から負荷側を見たレジスタンスの略２倍
に等しくなるように決定されている。
して低下することを防止すること。 【構成】 電力を分配する分配トランスと、分配トラン
スの分配端子間に挿入された吸収抵抗とを有する分配器
において、吸収抵抗を、分配トランスの端子間の使用帯
域におけるインピーダンスの温度変化を補償するような
温度特性を有する感温抵抗素子とした。吸収抵抗の所定
温度におけるレジスタンスは、所定温度において、分配
トランスの端子間の使用帯域におけるインピーダンスの
レジスタンスと等しい値を有する等価抵抗と、分配端子
間に挿入される吸収抵抗との並列接続回路のレジスタン
スが、分配端子から負荷側を見たレジスタンスの略２倍
に等しくなるように決定されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＡＴＶシステム等に
使用される高周波信号を分配する分配器に関する。特
に、端子間の結合損失の温度依存性を改良した分配器に
関する。
使用される高周波信号を分配する分配器に関する。特
に、端子間の結合損失の温度依存性を改良した分配器に
関する。
【０００２】
【従来技術】従来、図１３に示す等価回路のように使用
される分配トランスＴが知られている。この分配トラン
スＴは、ファライトコアにコイルＬ1 、Ｌ2 が捲回され
ている。そして、それぞれのコイルＬ2 、Ｌ3 の一方の
端子OUT1、OUT2が分配端子となり、分配端子OUT1、OUT2
にレジスタンスＲの線路が接続される。この回路におい
て、分配端子OUT1、OUT2間の結合損失を最大とするため
に、即ち、分配端子OUT1、OUT2間をアイソレートするた
めに、分配端子OUT1、OUT2間に吸収抵抗ＲA が挿入され
ている。吸収抵抗ＲA のレジスタンスは線路のレジスタ
ンスＲの２倍に設定されている。この時、分配端子OUT
1、OUT2間の結合損失は理論的には無限大、即ち、完全
に絶縁分離されることが知られている。
される分配トランスＴが知られている。この分配トラン
スＴは、ファライトコアにコイルＬ1 、Ｌ2 が捲回され
ている。そして、それぞれのコイルＬ2 、Ｌ3 の一方の
端子OUT1、OUT2が分配端子となり、分配端子OUT1、OUT2
にレジスタンスＲの線路が接続される。この回路におい
て、分配端子OUT1、OUT2間の結合損失を最大とするため
に、即ち、分配端子OUT1、OUT2間をアイソレートするた
めに、分配端子OUT1、OUT2間に吸収抵抗ＲA が挿入され
ている。吸収抵抗ＲA のレジスタンスは線路のレジスタ
ンスＲの２倍に設定されている。この時、分配端子OUT
1、OUT2間の結合損失は理論的には無限大、即ち、完全
に絶縁分離されることが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者が現
実に分配器の端子間結合損失特性を測定してみた結果、
上記のようにレジスタンスが決定された吸収抵抗ＲA の
挿入された分配器でも、スペースケーブルネットのよう
な2000MHz 程度の高周波帯域で使用すると、必ずしも分
配端子間の良好な絶縁分離が行われていないことを初め
て見い出した。又、極端な場合には、吸収抵抗ＲA がな
くとも、上述した値に設計された吸収抵抗ＲA を挿入し
た場合と、同程度の端子間結合損失が得られることも初
めて見い出された。さらに、本発明者により、分配器の
分配端子間の結合損失は、温度に大きく依存して変化
し、室温で大きな結合損失が得られていても、低温にな
ると結合損失が小さくなるという現象が見い出された。
実に分配器の端子間結合損失特性を測定してみた結果、
上記のようにレジスタンスが決定された吸収抵抗ＲA の
挿入された分配器でも、スペースケーブルネットのよう
な2000MHz 程度の高周波帯域で使用すると、必ずしも分
配端子間の良好な絶縁分離が行われていないことを初め
て見い出した。又、極端な場合には、吸収抵抗ＲA がな
くとも、上述した値に設計された吸収抵抗ＲA を挿入し
た場合と、同程度の端子間結合損失が得られることも初
めて見い出された。さらに、本発明者により、分配器の
分配端子間の結合損失は、温度に大きく依存して変化
し、室温で大きな結合損失が得られていても、低温にな
ると結合損失が小さくなるという現象が見い出された。
【０００４】このような結果となる理由について、発明
者は色々に考察した結果、次のことを考え出すに至っ
た。 (1)分配トランスはフェライトコアにコイルを捲回して
使用していることから、ファライトコアの高周波帯域に
おける電力損失が問題となる。 (2)従って、分配トランスのインピーダンスのレジスタ
ンスが高周波帯域では無視できない程大きい。 (3)これには、フェライトコアの複素透磁率の実数成分
と虚数成分の周波数特性が関係している。 (4)分配器の結合損失の温度依存性は、分配トランスの
インピーダンスに温度依存性があるから生じている。 (5)この分配トランスのインピーダンスの温度依存性は
フェライトコアの複素透磁率に温度依存性があるために
生じている。
者は色々に考察した結果、次のことを考え出すに至っ
た。 (1)分配トランスはフェライトコアにコイルを捲回して
使用していることから、ファライトコアの高周波帯域に
おける電力損失が問題となる。 (2)従って、分配トランスのインピーダンスのレジスタ
ンスが高周波帯域では無視できない程大きい。 (3)これには、フェライトコアの複素透磁率の実数成分
と虚数成分の周波数特性が関係している。 (4)分配器の結合損失の温度依存性は、分配トランスの
インピーダンスに温度依存性があるから生じている。 (5)この分配トランスのインピーダンスの温度依存性は
フェライトコアの複素透磁率に温度依存性があるために
生じている。
【０００５】以上の結論が正しいことは発明者の実験に
より確かめられた。以上の結論から、本発明者は、分配
トランスにおいて分配端子間の結合損失が温度変化に応
じて減少しないようにするには、吸収抵抗のレジスタン
スの設計においては、従来の方法は高周波帯域において
は不十分であり、使用帯域における分配トランスの複素
インピーダンスの温度依存性を考慮して吸収抵抗のレジ
スタンスに温度依存性を持たせる必要があることを着想
するに至り本発明を完成させた。
より確かめられた。以上の結論から、本発明者は、分配
トランスにおいて分配端子間の結合損失が温度変化に応
じて減少しないようにするには、吸収抵抗のレジスタン
スの設計においては、従来の方法は高周波帯域において
は不十分であり、使用帯域における分配トランスの複素
インピーダンスの温度依存性を考慮して吸収抵抗のレジ
スタンスに温度依存性を持たせる必要があることを着想
するに至り本発明を完成させた。
【０００６】本発明の目的は、高周波帯域において、分
配器における分配端子間結合損失の温度依存性を抑制し
て、温度が変化しても結合損失を大きい値に保持するこ
とである。
配器における分配端子間結合損失の温度依存性を抑制し
て、温度が変化しても結合損失を大きい値に保持するこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、電力を分配する分配トランスと、分配
トランスの分配端子間に挿入された吸収抵抗とを有する
分配器において、吸収抵抗を、分配トランスの端子間の
使用帯域におけるインピーダンスの温度変化を補償する
ような温度特性を有する感温抵抗素子としたことであ
る。
の発明の構成は、電力を分配する分配トランスと、分配
トランスの分配端子間に挿入された吸収抵抗とを有する
分配器において、吸収抵抗を、分配トランスの端子間の
使用帯域におけるインピーダンスの温度変化を補償する
ような温度特性を有する感温抵抗素子としたことであ
る。
【０００８】
【作用】分配トランスの端子間に挿入された吸収抵抗
は、温度変化に伴ってレジスタンスが変化する。その吸
収抵抗のレジスタンスの温度依存性は、分配トランスの
使用帯域におけるインピーダンスの温度依存性を補償す
るような特性である。この吸収抵抗の温度特性により、
吸収抵抗を接続した状態での分配トランスのインピーダ
ンスの温度に対する変化が抑制される。この結果、結合
損失が最大となるように設計された分配器は環境の温度
が変化しても、結合損失が大きく低下することがなくな
る。
は、温度変化に伴ってレジスタンスが変化する。その吸
収抵抗のレジスタンスの温度依存性は、分配トランスの
使用帯域におけるインピーダンスの温度依存性を補償す
るような特性である。この吸収抵抗の温度特性により、
吸収抵抗を接続した状態での分配トランスのインピーダ
ンスの温度に対する変化が抑制される。この結果、結合
損失が最大となるように設計された分配器は環境の温度
が変化しても、結合損失が大きく低下することがなくな
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は、分配トランスＴの高周波帯域における
等価回路である。コイルＬ1 Ｌ2 は理想トランスを構成
する理想インダクタであり、漏れ磁束、巻線抵抗、線間
容量はない。これに対して、現実の分配トランスＴは高
周波帯域において、漏れインダクタンス、フェライトコ
アのヒステリシス損及び渦電流損、残留損等による漏れ
抵抗を有する。よって、現実の分配トランスＴは理想ト
ランスと異なり等価抵抗Ｒr と等価インダクタＸｒとを
有した複素インピーダンス素子と考えなければならな
い。これに巻線の浮遊容量Ｃr を考慮して、分配トラン
スＴの等価回路は図１に示すようになる。
明する。図１は、分配トランスＴの高周波帯域における
等価回路である。コイルＬ1 Ｌ2 は理想トランスを構成
する理想インダクタであり、漏れ磁束、巻線抵抗、線間
容量はない。これに対して、現実の分配トランスＴは高
周波帯域において、漏れインダクタンス、フェライトコ
アのヒステリシス損及び渦電流損、残留損等による漏れ
抵抗を有する。よって、現実の分配トランスＴは理想ト
ランスと異なり等価抵抗Ｒr と等価インダクタＸｒとを
有した複素インピーダンス素子と考えなければならな
い。これに巻線の浮遊容量Ｃr を考慮して、分配トラン
スＴの等価回路は図１に示すようになる。
【００１０】これに、吸収抵抗ＲA を加えた分配トラン
スの等価回路は図２に示すようになる。今、フェライト
コアの複素透磁率μ（＝μ’＋ jμ")の周波数特性を見
てみると、図３に示すような特性である。よって、分配
トランスＴの等価インピーダンスＺr （＝Ｒr ＋ jＸ
r）に関して、等価インピーダンスの大きさ｜Ｚr ｜、
等価レジスタンスＲr 及び等価リアクタンスＸr の周波
数特性は図４に示すようになる。このように、高周波に
なれば、複素透磁率の虚数成分μ”（損失成分）が実数
成分μ’に対して無視出来なくなり、等価レジスタンス
Ｒr が周波数の増加に伴って増加し、等価リアクタンス
Ｘr よりも大きくなる。
スの等価回路は図２に示すようになる。今、フェライト
コアの複素透磁率μ（＝μ’＋ jμ")の周波数特性を見
てみると、図３に示すような特性である。よって、分配
トランスＴの等価インピーダンスＺr （＝Ｒr ＋ jＸ
r）に関して、等価インピーダンスの大きさ｜Ｚr ｜、
等価レジスタンスＲr 及び等価リアクタンスＸr の周波
数特性は図４に示すようになる。このように、高周波に
なれば、複素透磁率の虚数成分μ”（損失成分）が実数
成分μ’に対して無視出来なくなり、等価レジスタンス
Ｒr が周波数の増加に伴って増加し、等価リアクタンス
Ｘr よりも大きくなる。
【００１１】従って、分配トランスＴの複素インピーダ
ンスＺr を考慮して、吸収抵抗ＲAのレジスタンスを決
定しなければ、分配端子OUT1とOUT2との間の結合損失を
最大にすることはできない。
ンスＺr を考慮して、吸収抵抗ＲAのレジスタンスを決
定しなければ、分配端子OUT1とOUT2との間の結合損失を
最大にすることはできない。
【００１２】分配端子OUT1とOUT2との間の結合損失を最
大にする条件を求めるには、図５に示すように、分配端
子OUT1から信号源電圧Ｅを印加した時の各枝路電流を 2
Ｉ,Ｉ1 Ｉ2 Ｉ3 Ｉ4 とおき、理想トランスのコイルＬ1
、Ｌ2 の誘導起電力をｅと置く。すると、次の関係式
が成立する。
大にする条件を求めるには、図５に示すように、分配端
子OUT1から信号源電圧Ｅを印加した時の各枝路電流を 2
Ｉ,Ｉ1 Ｉ2 Ｉ3 Ｉ4 とおき、理想トランスのコイルＬ1
、Ｌ2 の誘導起電力をｅと置く。すると、次の関係式
が成立する。
【００１３】
【数１】 Ｉ1 ＝Ｉ4 …（１）
【数２】 2Ｉ＝Ｉ1 ＋Ｉ2 …（２）
【数３】 Ｉ2 ＝Ｉ4 ＋Ｉ3 …（３）
【数４】 2Ｒ・Ｉ＋Ｚa・Ｉ2 ＋Ｉ3・Ｒ＝Ｅ …（４）
【数５】 Ｒ・Ｉ1 ＋ｅ＋２Ｒ・Ｉ＝Ｅ …（５）
【数６】 Ｒ・Ｉ1−Ｉ3・Ｒ＝ｅ …（６）
【００１４】但し、複素インピーダンスＺa は、吸収抵
抗ＲA とキャパシタＣr とを含めた全体のインピーダン
スであり、
抗ＲA とキャパシタＣr とを含めた全体のインピーダン
スであり、
【数７】 Ｚa ＝Ｒa ＋ jＸa …（７） である。
【００１５】上式（１）〜（６）を用いて、分配端子OU
T2の端子から負荷Ｒに流出する電流Ｉ3 を信号源電圧Ｅ
で表すと、次のようになる。
T2の端子から負荷Ｒに流出する電流Ｉ3 を信号源電圧Ｅ
で表すと、次のようになる。
【数８】 Ｉ3 ＝(2Ｒ−Ｚa)Ｅ/4Ｒ(4Ｒ＋Ｚa) …（８） （８）式からは、Ｚa ＝２Ｒの時に、Ｉ3 ＝０になるこ
とが分かる。しかし、Ｚa は複素数であるので、Ｘa ≠
０の場合には、Ｚa ＝２Ｒの関係式は成立しない。よっ
て、Ｘa ≠０の場合には、Ｉ3 ＝０とすることはできな
い。しかし、｜Ｉ3 ｜の極小値は求めることができる。
とが分かる。しかし、Ｚa は複素数であるので、Ｘa ≠
０の場合には、Ｚa ＝２Ｒの関係式は成立しない。よっ
て、Ｘa ≠０の場合には、Ｉ3 ＝０とすることはできな
い。しかし、｜Ｉ3 ｜の極小値は求めることができる。
【００１６】即ち、（８）式のＺa に（７）式を代入し
て、Ｉ3 の絶対値｜Ｉ3 ｜を求め、その｜Ｉ3 ｜をＲa
，Ｘa で偏微分して、その偏微分値が零となる条件を
求めれば、｜Ｉ3｜を最小とする条件を求めることがで
きる。
て、Ｉ3 の絶対値｜Ｉ3 ｜を求め、その｜Ｉ3 ｜をＲa
，Ｘa で偏微分して、その偏微分値が零となる条件を
求めれば、｜Ｉ3｜を最小とする条件を求めることがで
きる。
【００１７】高周波帯域において、Ｒa ≫Ｘa が成立す
るならば、（１０MHz 以上の高周波帯域で成立する。)
｜Ｉ3 ｜の極小値は、
るならば、（１０MHz 以上の高周波帯域で成立する。)
｜Ｉ3 ｜の極小値は、
【数９】 Ｒa ＝２Ｒ …（９） の時に実現する。即ち、
【数１０】 Ｒa ＝Ｒr ・ＲA ／（Ｒr ＋ＲA ） …（１０） であるので、
【数１１】 Ｒa ＝Ｒr ・ＲA ／（Ｒr ＋ＲA ）＝２Ｒ …（１１）
【数１２】 ＲA ＝２Ｒ・Ｒr ／（Ｒr −２Ｒ） …（１２） となるように、吸収抵抗ＲA のレジスタンスを設定すれ
ば、分配端子間の結合損失を最大とすることができる。
ば、分配端子間の結合損失を最大とすることができる。
【００１８】又、分配トランスＴのインピーダンスＺr
は、
は、
【数１３】 Ｚr ＝ｊωμ’Ｌ0 ＋ωμ”Ｌ0 …（１３） と書ける。但し、
【数１４】 Ｌ0＝0.2ｔｎ2logＤo／Ｄi …（１４） であり、Ｌ0 はフェライトコアの空心インダクタンス、
ｔはフェライトコアの長さ、ｎは巻数、Ｄo はフェライ
トコアの外径、Ｄi はフェライトコアの内径である。
ｔはフェライトコアの長さ、ｎは巻数、Ｄo はフェライ
トコアの外径、Ｄi はフェライトコアの内径である。
【００１９】このことから、μ’，μ”が既知の時、｜
Ｉ3 ｜の最小条件を満たすように、Ｌ0 を決定すること
ができる。尚、μ’≪μ”の周波数帯域を仮定すると
（１０MHz 以上の高周波帯域で成立する。) 、
Ｉ3 ｜の最小条件を満たすように、Ｌ0 を決定すること
ができる。尚、μ’≪μ”の周波数帯域を仮定すると
（１０MHz 以上の高周波帯域で成立する。) 、
【数１５】 ωμ”Ｌ0 ＝２Ｒ …（１５） となるように、Ｌ0 を設計することで、結合損失の大き
な分配器を作成することができる。
な分配器を作成することができる。
【００２０】このようにして設計された図６に示す形状
の分配器を実際に製造して、２０℃におけるそのインピ
ーダンスＺr の絶対値を測定した。その測定図を図７に
示す。図７に示す測定結果から、等価レジスタンスＲr
の使用帯域における平均値は３５０Ωである。よって、
Ｒ＝１５０Ωであるので、（１２）式から、ＲA ＝２１
００Ωに設定すれば良いことが分かる。
の分配器を実際に製造して、２０℃におけるそのインピ
ーダンスＺr の絶対値を測定した。その測定図を図７に
示す。図７に示す測定結果から、等価レジスタンスＲr
の使用帯域における平均値は３５０Ωである。よって、
Ｒ＝１５０Ωであるので、（１２）式から、ＲA ＝２１
００Ωに設定すれば良いことが分かる。
【００２１】上述のように、Ｌ0 の決定されたフェライ
トを用いた分配器だけの（吸収抵抗を挿入しない場合）
２０℃における端子間の結合損失測定を測定した。その
結果を図８に示す。100MHzから2000MHz の帯域におい
て、約２３dB以上の結合損失が得られている。
トを用いた分配器だけの（吸収抵抗を挿入しない場合）
２０℃における端子間の結合損失測定を測定した。その
結果を図８に示す。100MHzから2000MHz の帯域におい
て、約２３dB以上の結合損失が得られている。
【００２２】一方、２１００Ωの吸収抵抗ＲA を分配端
子OUT1，OUT2間に挿入した場合の分配器全体の分配端子
OUT1，OUT2間の２０℃における結合損失特性を測定し
た、その結果を図９に示す。100MHzから1600MHz の帯域
において、約２８dB以上の損失が得られているのが分か
る。即ち、吸収抵抗を挿入することによって、結合損失
特性はさらに改良されている。
子OUT1，OUT2間に挿入した場合の分配器全体の分配端子
OUT1，OUT2間の２０℃における結合損失特性を測定し
た、その結果を図９に示す。100MHzから1600MHz の帯域
において、約２８dB以上の損失が得られているのが分か
る。即ち、吸収抵抗を挿入することによって、結合損失
特性はさらに改良されている。
【００２３】次に、温度特性について述べる。上述のよ
うにＬ0 の決定された図６に示す形状の分配器のインピ
ーダンスＺrの絶対値（１０MHz 以上では＝Ｒr ）の周
波数特性を温度を変化させて測定した。その測定結果を
図１０に示す。図１０に示す測定結果から、等価レジス
タンスＲr の使用帯域における平均値は、２０℃では３
５０Ω、０℃では４００Ω、４０℃では２８０Ωであ
る。又、この分配器( 吸収抵抗の挿入されていない場
合) の端子間結合損失の周波数特性を温度をパラメータ
として測定した結果を図１２に示す。この分配器の４０
℃における等価レジスタンスは２８０Ωであるので線路
レジスタンスの２倍（２Ｒ）の３００Ωに最も近い。よ
って、４０℃の結合損失が０℃、２０℃に比べて大きく
なっている。
うにＬ0 の決定された図６に示す形状の分配器のインピ
ーダンスＺrの絶対値（１０MHz 以上では＝Ｒr ）の周
波数特性を温度を変化させて測定した。その測定結果を
図１０に示す。図１０に示す測定結果から、等価レジス
タンスＲr の使用帯域における平均値は、２０℃では３
５０Ω、０℃では４００Ω、４０℃では２８０Ωであ
る。又、この分配器( 吸収抵抗の挿入されていない場
合) の端子間結合損失の周波数特性を温度をパラメータ
として測定した結果を図１２に示す。この分配器の４０
℃における等価レジスタンスは２８０Ωであるので線路
レジスタンスの２倍（２Ｒ）の３００Ωに最も近い。よ
って、４０℃の結合損失が０℃、２０℃に比べて大きく
なっている。
【００２４】図１０に示す特性において、1000MHz にお
ける温度と分配器の等価インピーダンスＺr （＝Ｒr ）
との関係をプロットすると図１１に示すようになる。こ
の図から２０℃における抵抗温度係数（一次係数）は-
0.886％／℃（-3.10 Ω／℃）であることが理解され
る。
ける温度と分配器の等価インピーダンスＺr （＝Ｒr ）
との関係をプロットすると図１１に示すようになる。こ
の図から２０℃における抵抗温度係数（一次係数）は-
0.886％／℃（-3.10 Ω／℃）であることが理解され
る。
【００２５】次に、等価インピーダンスＲr の図１１に
示す温度特性を吸収抵抗ＲA の温度特性で補償するため
の、吸収抵抗ＲA の抵抗温度係数を求める。線路インピ
ーダンスＲは温度に依存せずに一定であると仮定する。
（１２）式を温度Ｔで微分すると、次式が得られる。
示す温度特性を吸収抵抗ＲA の温度特性で補償するため
の、吸収抵抗ＲA の抵抗温度係数を求める。線路インピ
ーダンスＲは温度に依存せずに一定であると仮定する。
（１２）式を温度Ｔで微分すると、次式が得られる。
【００２６】
【数１６】 dＲA/dT＝−４Ｒ2／（Ｒr−２Ｒ）2・dＲr/dT …（１６） （１６）式にＲ＝１５０Ω、Ｒr ＝３５０Ω（２０
℃）、dＲr/dT ＝-3.10 Ω／℃を代入することで、２０
℃における吸収抵抗ＲA の抵抗温度係数が決定される。
その値は、5.31％／℃（111.6 Ω／℃）（２０℃）であ
る。
℃）、dＲr/dT ＝-3.10 Ω／℃を代入することで、２０
℃における吸収抵抗ＲA の抵抗温度係数が決定される。
その値は、5.31％／℃（111.6 Ω／℃）（２０℃）であ
る。
【００２７】よって、２０℃において、抵抗値２１００
Ω、抵抗温度係数5.31％／℃の正の抵抗温度係数（一次
係数）を有する感応抵抗素子、例えば、ＰＴＣサーミス
タを吸収抵抗に用いることにより、分配器の等価インピ
ーダンスＲr の温度特性を補償することができる。これ
により、感温抵抗素子を吸収抵抗として挿入した分配器
の等価インピーダンスＺa の温度依存性が補償されるこ
とになり、端子間結合損失の温度変化による低下が防止
される。
Ω、抵抗温度係数5.31％／℃の正の抵抗温度係数（一次
係数）を有する感応抵抗素子、例えば、ＰＴＣサーミス
タを吸収抵抗に用いることにより、分配器の等価インピ
ーダンスＲr の温度特性を補償することができる。これ
により、感温抵抗素子を吸収抵抗として挿入した分配器
の等価インピーダンスＺa の温度依存性が補償されるこ
とになり、端子間結合損失の温度変化による低下が防止
される。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、電力を分配する分配トランス
と、分配トランスの分配端子間に挿入された吸収抵抗と
を有する分配器において、吸収抵抗を、分配トランスの
端子間の使用帯域におけるインピーダンスの温度変化を
補償するような温度特性を有する感温抵抗素子としたこ
とである。よって、この分配器により温度変化に依存し
て端子間結合損失が低下することが防止される。
と、分配トランスの分配端子間に挿入された吸収抵抗と
を有する分配器において、吸収抵抗を、分配トランスの
端子間の使用帯域におけるインピーダンスの温度変化を
補償するような温度特性を有する感温抵抗素子としたこ
とである。よって、この分配器により温度変化に依存し
て端子間結合損失が低下することが防止される。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る分配器の等価
回路を示した回路図。
回路を示した回路図。
【図２】同実施例に係る吸収抵抗を含む分配器の等価回
路を示した回路図。
路を示した回路図。
【図３】フェライトコアの複素透磁率の周波数特性を示
した特性図。
した特性図。
【図４】フェライトコアの複素透磁率の周波数特性に起
因する分配器のインピーダンスの周波数特性を示した特
性図。
因する分配器のインピーダンスの周波数特性を示した特
性図。
【図５】結合損失を最大とするための条件の演算を説明
するための等価回路を示した回路図。
するための等価回路を示した回路図。
【図６】本実施例における結合損失を最大とする設計思
想により製造された分配器のフェライトコアの形状を示
す説明図。
想により製造された分配器のフェライトコアの形状を示
す説明図。
【図７】本実施例における結合損失を最大とする設計思
想により製造された分配器の２０℃におけるインピーダ
ンスの絶対値の周波数特性を測定した測定図。
想により製造された分配器の２０℃におけるインピーダ
ンスの絶対値の周波数特性を測定した測定図。
【図８】本実施例における結合損失を最大とする設計思
想により製造された分配器の２０℃における端子間結合
損失の周波数特性を測定した測定図。
想により製造された分配器の２０℃における端子間結合
損失の周波数特性を測定した測定図。
【図９】本実施例における吸収抵抗を挿入した分配器の
２０℃における端子間結合損失の周波数特性を測定した
測定図。
２０℃における端子間結合損失の周波数特性を測定した
測定図。
【図１０】吸収抵抗を挿入していない分配器の等価イン
ピーダンスの周波数特性を温度をパラメータとして測定
した測定図。
ピーダンスの周波数特性を温度をパラメータとして測定
した測定図。
【図１１】１０００MHz における分配器の等価インピー
ダンスの温度特定を測定した測定図。
ダンスの温度特定を測定した測定図。
【図１２】吸収抵抗を挿入していない分配器の端子間結
合損失の周波数特性を温度をパラメータとして測定した
測定図。
合損失の周波数特性を温度をパラメータとして測定した
測定図。
【図１３】従来の分配器の等価回路を示した回路図。
Ｔ−分配トランス Ｒ−線路抵抗 Ｚr −分配トランスの複素インピーダンス Ｒr −分配トランスのインピーダンスのレジスタンス Ｘr −分配トランスのインピーダンスのリアクタンス IN−入力端子 OUT1,OUT2 −分配端子
Claims (2)
- 【請求項１】 電力を分配する分配トランスと、前記分
配トランスの分配端子間に挿入された吸収抵抗とを有す
る分配器において、 前記吸収抵抗を、前記分配トランスの前記端子間の使用
帯域におけるインピーダンスの温度変化を補償するよう
な温度特性を有する感温抵抗素子としたことを特徴とす
る分配器。 - 【請求項２】 前記吸収抵抗の所定温度におけるレジス
タンスは、前記所定温度において、分配トランスの端子
間の使用帯域におけるインピーダンスのレジスタンスと
等しい値を有する等価抵抗と、分配端子間に挿入される
吸収抵抗との並列接続回路のレジスタンスが、分配端子
から負荷側を見たレジスタンスの略２倍に等しくなるよ
うに決定されていることを特徴とする請求項１に記載の
分配器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31546791A JPH05129868A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 分配器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31546791A JPH05129868A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 分配器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129868A true JPH05129868A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18065711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31546791A Pending JPH05129868A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | 分配器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119266A1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-25 | Fujitsu Limited | 高周波高出力増幅器 |
| JP2018027537A (ja) * | 2017-08-31 | 2018-02-22 | 好浩 岡 | 液中プラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP31546791A patent/JPH05129868A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007119266A1 (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-25 | Fujitsu Limited | 高周波高出力増幅器 |
| JP2018027537A (ja) * | 2017-08-31 | 2018-02-22 | 好浩 岡 | 液中プラズマ処理装置 |
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