JPH05129574A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPH05129574A JPH05129574A JP3318614A JP31861491A JPH05129574A JP H05129574 A JPH05129574 A JP H05129574A JP 3318614 A JP3318614 A JP 3318614A JP 31861491 A JP31861491 A JP 31861491A JP H05129574 A JPH05129574 A JP H05129574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- blocking
- hole
- film
- passage hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】原稿からの反射光以外の光が受光部に入射する
ことを防ぎ、正確な画情報を出力する。 【構成】発光部１から出射した光のなかで光通過孔９を
通るときに直接受光部２に入射する光を遮断膜１４で遮
断する。受光部２には原稿１１で反射した光のみを入射
して、光電変換するときのＳ／Ｎ比を向上させる。
ことを防ぎ、正確な画情報を出力する。 【構成】発光部１から出射した光のなかで光通過孔９を
通るときに直接受光部２に入射する光を遮断膜１４で遮
断する。受光部２には原稿１１で反射した光のみを入射
して、光電変換するときのＳ／Ｎ比を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば小型のファク
シミリ，スキャナ，複写機などの原稿読取部に用いられ
る密着型イメ−ジセンサ、特にＳ／Ｎ比の向上に関する
ものである。
シミリ，スキャナ，複写機などの原稿読取部に用いられ
る密着型イメ−ジセンサ、特にＳ／Ｎ比の向上に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】例えばファクシミリを小型化するため
に、原稿読取部にＣＣＤを使った従来の縮小光学系の代
わりに原稿に密着して読み取る密着型イメ−ジセンサが
使用されている。この密着型イメ−ジセンサは、図５の
断面図に示すように、発光部１と受光部２とが同一ユニ
ット内に搭載されている。受光部２は透明基板３上に順
次積み重ねて設けられた遮蔽膜４と各受光素子の共通電
極５と光電変換膜６と電極７及びこれらを保護する保護
膜８とを有し、中央部には光通過孔９が設けられてい
る。この受光部２の上部にはロ−ラ１０で送られる原稿
１１との接触による摩擦を避けるため保護ガラス１２が
設けられている。透明基板３の下側には発光部１の光源
１３としてＬＥＤ等の発光素子が並んで設けられてい
る。そして原稿１１を読み取るときは、光源１３から出
射された光Ａが受光部２の光通過孔９と保護ガラス１２
を通って原稿１１の表面に入射し、そこで反射した光を
受光部２で受光して光電変換し画情報として出力してい
る。
に、原稿読取部にＣＣＤを使った従来の縮小光学系の代
わりに原稿に密着して読み取る密着型イメ−ジセンサが
使用されている。この密着型イメ−ジセンサは、図５の
断面図に示すように、発光部１と受光部２とが同一ユニ
ット内に搭載されている。受光部２は透明基板３上に順
次積み重ねて設けられた遮蔽膜４と各受光素子の共通電
極５と光電変換膜６と電極７及びこれらを保護する保護
膜８とを有し、中央部には光通過孔９が設けられてい
る。この受光部２の上部にはロ−ラ１０で送られる原稿
１１との接触による摩擦を避けるため保護ガラス１２が
設けられている。透明基板３の下側には発光部１の光源
１３としてＬＥＤ等の発光素子が並んで設けられてい
る。そして原稿１１を読み取るときは、光源１３から出
射された光Ａが受光部２の光通過孔９と保護ガラス１２
を通って原稿１１の表面に入射し、そこで反射した光を
受光部２で受光して光電変換し画情報として出力してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た密着型イメ−ジセンサでは光源１３から出射された光
のうち一部の光Ｂが光通過孔９を通るときに光電変換膜
６に直接入射する。このため原稿１１から反射した光を
光電変換するときのＳ／Ｎ比が低下し、正確に原稿１１
の画情報が読み取れないという短所があった。特に黒レ
ベルの原稿１１を読み取るときに、光通過孔９から直接
光電変換膜６に入射する光量が原稿１１からの反射光量
より上回る場合には、実際の画情報より出力が高くなり
有効な画情報が得られなくなる恐れがある。
た密着型イメ−ジセンサでは光源１３から出射された光
のうち一部の光Ｂが光通過孔９を通るときに光電変換膜
６に直接入射する。このため原稿１１から反射した光を
光電変換するときのＳ／Ｎ比が低下し、正確に原稿１１
の画情報が読み取れないという短所があった。特に黒レ
ベルの原稿１１を読み取るときに、光通過孔９から直接
光電変換膜６に入射する光量が原稿１１からの反射光量
より上回る場合には、実際の画情報より出力が高くなり
有効な画情報が得られなくなる恐れがある。
【０００４】この発明はかかる短所を解決するためにな
されたものであり、原稿からの反射光以外の光が受光部
に入射することを防ぎ、正確な画情報を出力することが
できる密着型イメ−ジセンサを得ることを目的とするも
のである。
されたものであり、原稿からの反射光以外の光が受光部
に入射することを防ぎ、正確な画情報を出力することが
できる密着型イメ−ジセンサを得ることを目的とするも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る密着型イ
メ−ジセンサは、発光部から光通過孔を通して受光部に
直接入射する光を遮断する遮断部を設けたことを特徴と
する。
メ−ジセンサは、発光部から光通過孔を通して受光部に
直接入射する光を遮断する遮断部を設けたことを特徴と
する。
【０００６】この遮断部は受光部の光通過孔内壁に設け
られた遮断膜や、光通過孔より小さな通過孔を有し、発
光部と受光部との間に設けられた遮断膜又は光通過孔と
同じ大きさの通過孔を有し、発光部と受光部との間に設
けられた厚さが大きい遮断ブロックで形成することが好
ましい。
られた遮断膜や、光通過孔より小さな通過孔を有し、発
光部と受光部との間に設けられた遮断膜又は光通過孔と
同じ大きさの通過孔を有し、発光部と受光部との間に設
けられた厚さが大きい遮断ブロックで形成することが好
ましい。
【０００７】
【作用】この発明においては、発光部から出射した光の
なかで光通過孔を通るときに直接受光部に入射する光を
遮断部で遮断し、受光部には原稿で反射した光のみを入
射して、光電変換するときのＳ／Ｎ比を向上させる。
なかで光通過孔を通るときに直接受光部に入射する光を
遮断部で遮断し、受光部には原稿で反射した光のみを入
射して、光電変換するときのＳ／Ｎ比を向上させる。
【０００８】この遮断部として受光部の光通過孔内壁に
遮断膜を設けると、光通過孔から直接受光部に入射する
光を確実に防ぐことができる。また、遮断部を光通過孔
より小さな通過孔を有し、発光部と受光部との間に設け
られた遮断膜で形成すると、遮断膜を簡単に取り付ける
ことができる。さらに、遮断部を光通過孔と同じ大きさ
の通過孔を有し、発光部と受光部との間に設けられた厚
さが大きい遮断ブロックで形成すると、光通過孔を狭め
ず原稿を読み取る光量の減少を避けることができる。
遮断膜を設けると、光通過孔から直接受光部に入射する
光を確実に防ぐことができる。また、遮断部を光通過孔
より小さな通過孔を有し、発光部と受光部との間に設け
られた遮断膜で形成すると、遮断膜を簡単に取り付ける
ことができる。さらに、遮断部を光通過孔と同じ大きさ
の通過孔を有し、発光部と受光部との間に設けられた厚
さが大きい遮断ブロックで形成すると、光通過孔を狭め
ず原稿を読み取る光量の減少を避けることができる。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。図に示すように、密着型イメ−ジセンサは、光源１
３を有する発光部１と受光部２とが同一ユニット内に搭
載されている。受光部２は透明基板３上に順次積み重ね
て設けられた遮蔽膜４と各受光素子の共通電極５と光電
変換膜６と電極７及びこれらを保護する保護膜８とを有
し、中央部には光通過孔９が設けられている。この受光
部２の光通過孔９の内壁全面には、図２の平面図に示す
ように、光の吸収係数が大きい材質あるいは光を反射す
る材質で形成された遮断膜１４が設けられている。
る。図に示すように、密着型イメ−ジセンサは、光源１
３を有する発光部１と受光部２とが同一ユニット内に搭
載されている。受光部２は透明基板３上に順次積み重ね
て設けられた遮蔽膜４と各受光素子の共通電極５と光電
変換膜６と電極７及びこれらを保護する保護膜８とを有
し、中央部には光通過孔９が設けられている。この受光
部２の光通過孔９の内壁全面には、図２の平面図に示す
ように、光の吸収係数が大きい材質あるいは光を反射す
る材質で形成された遮断膜１４が設けられている。
【００１０】上記のように構成された密着型イメ−ジセ
ンサにおいて、光源１３から出射され光通過孔９を通る
光のうち光通過孔９の内壁方向に向かう光Ｂは遮断膜１
４により遮断され、光電変換膜６に光Ｂが直接入射する
ことを防ぐ。したがつて受光部２には光通過孔９と保護
ガラス１２を通って原稿１１の表面に入射し、そこで反
射した光Ａのみを受光することができ、光電変換膜６で
光電変換するときのＳ／Ｎ比を向上させることができ
る。また、遮断膜１４を光通過孔９の内壁に設けたか
ら、原稿１１に入射する光をあまり絞らず、十分な光量
の光を原稿１１に入射することができる。
ンサにおいて、光源１３から出射され光通過孔９を通る
光のうち光通過孔９の内壁方向に向かう光Ｂは遮断膜１
４により遮断され、光電変換膜６に光Ｂが直接入射する
ことを防ぐ。したがつて受光部２には光通過孔９と保護
ガラス１２を通って原稿１１の表面に入射し、そこで反
射した光Ａのみを受光することができ、光電変換膜６で
光電変換するときのＳ／Ｎ比を向上させることができ
る。また、遮断膜１４を光通過孔９の内壁に設けたか
ら、原稿１１に入射する光をあまり絞らず、十分な光量
の光を原稿１１に入射することができる。
【００１１】なお、上記実施例においては受光部２の光
通過孔９の内壁に遮断膜１４を設けた場合について説明
したが、図３に示すように、透明基板３上の遮蔽膜４を
光電変換膜６までの高さｈに応じた長さｄだけ光通過孔
９内に突出させたり、光通過孔９より小さな通過孔１５
を有する遮断膜１６を透明基板３の下部に取り付けても
良い。このように透明基板３上の遮蔽膜４を光通過孔９
内に突出させたり、遮断膜１６を透明基板３の下部に取
り付けた場合には光通過孔９の内壁に遮断膜を取り付け
る作業がないため簡単に製造することでき、製造工程で
かかる時間を短縮することができる。
通過孔９の内壁に遮断膜１４を設けた場合について説明
したが、図３に示すように、透明基板３上の遮蔽膜４を
光電変換膜６までの高さｈに応じた長さｄだけ光通過孔
９内に突出させたり、光通過孔９より小さな通過孔１５
を有する遮断膜１６を透明基板３の下部に取り付けても
良い。このように透明基板３上の遮蔽膜４を光通過孔９
内に突出させたり、遮断膜１６を透明基板３の下部に取
り付けた場合には光通過孔９の内壁に遮断膜を取り付け
る作業がないため簡単に製造することでき、製造工程で
かかる時間を短縮することができる。
【００１２】また、図４に示すように、透明基板３の下
側に光通過孔９と同じ大きさの通過孔１７を有し厚さｔ
が十分に大きい遮断ブロック１８を設けても良い。この
場合には遮断ブロック１８を簡単に取り付けることがで
きるとともに、原稿１１に入射する光をあまり絞らず、
十分な光量の光を原稿１１に入射することができる。
側に光通過孔９と同じ大きさの通過孔１７を有し厚さｔ
が十分に大きい遮断ブロック１８を設けても良い。この
場合には遮断ブロック１８を簡単に取り付けることがで
きるとともに、原稿１１に入射する光をあまり絞らず、
十分な光量の光を原稿１１に入射することができる。
【００１３】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、発光部
から出射した光のなかで光通過孔を通るときに直接受光
部に入射する光を遮断部で遮断し、受光部には原稿で反
射した光のみを入射して、光電変換するときのＳ／Ｎ比
を向上させるようにしたから正確な画情報を読み取るこ
とができ、高画質な画像を得ることができる。
から出射した光のなかで光通過孔を通るときに直接受光
部に入射する光を遮断部で遮断し、受光部には原稿で反
射した光のみを入射して、光電変換するときのＳ／Ｎ比
を向上させるようにしたから正確な画情報を読み取るこ
とができ、高画質な画像を得ることができる。
【００１４】また、遮断部として受光部の光通過孔内壁
に遮断膜を設けると、光通過孔から直接受光部に入射す
る光を確実に防ぐことができるとともに、十分な光量の
光を原稿に入射することができる。
に遮断膜を設けると、光通過孔から直接受光部に入射す
る光を確実に防ぐことができるとともに、十分な光量の
光を原稿に入射することができる。
【００１５】また、光通過孔より小さな通過孔を有し、
発光部と受光部との間に設けられた遮断膜で遮断部を形
成すると、遮断膜を簡単に取り付けることができ、製造
工程の時間を削減し、コスト低減を図ることができる。
発光部と受光部との間に設けられた遮断膜で遮断部を形
成すると、遮断膜を簡単に取り付けることができ、製造
工程の時間を削減し、コスト低減を図ることができる。
【００１６】また、光通過孔と同じ大きさの通過孔を有
し、発光部と受光部との間に設けられた厚さが大きい遮
断ブロックで遮断部を形成すると、光通過孔を狭めず原
稿を読み取る光量の減少を避けることができ、正確な画
情報を得ることができる。
し、発光部と受光部との間に設けられた厚さが大きい遮
断ブロックで遮断部を形成すると、光通過孔を狭めず原
稿を読み取る光量の減少を避けることができ、正確な画
情報を得ることができる。
【図１】この発明の実施例を示す断面図である。
【図２】上記実施例の受光部の平面図である。
【図３】第２の実施例を示す断面図である。
【図４】第３の実施例を示す断面図である。
【図５】従来例を示す断面図である。
１ 発光部 ２ 受光部 ４ 遮蔽膜 ９ 光通過孔 １１ 原稿 １３ 光源 １４ 遮断膜 １６ 遮断膜 １８ 遮断ブロック
Claims (4)
- 【請求項１】 発光部と、発光部から出射した光を通す
光通過孔を中央部に有し、原稿で反射した光を受光する
受光部とを有する密着型イメ−ジセンサにおいて、発光
部から光通過孔を通して受光部に直接入射する光を遮断
する遮断部を設けたことを特徴とする密着型イメ−ジセ
ンサ。 - 【請求項２】 遮断部が受光部の光通過孔内壁に設けら
れた遮断膜からなる請求項１記載の密着型イメ−ジセン
サ。 - 【請求項３】 遮断部が光通過孔より小さな通過孔を有
し、発光部と受光部との間に設けられた遮断膜からなる
請求項１記載の密着型イメ−ジセンサ。 - 【請求項４】 遮断部が光通過孔と同じ大きさの通過孔
を有し、発光部と受光部との間に設けられた厚さが大き
い遮断ブロックからなる請求項１記載の密着型イメ−ジ
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318614A JPH05129574A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318614A JPH05129574A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129574A true JPH05129574A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18101107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3318614A Pending JPH05129574A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129574A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999029103A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif de capture d'images a semi-conducteurs et analyseur utilisant ledit dispositif |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP3318614A patent/JPH05129574A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999029103A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif de capture d'images a semi-conducteurs et analyseur utilisant ledit dispositif |
| US6765609B1 (en) | 1997-11-28 | 2004-07-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state image sensor and analysis system using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8797609B2 (en) | Image sensor unit and image reading apparatus | |
| JPH07203125A (ja) | 画像読み取り装置 | |
| JPH0492554A (ja) | 画像読み取り装置 | |
| TW200526011A (en) | Image sensor, and image reader | |
| JPH05129574A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS5846181B2 (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
| JP2539478Y2 (ja) | 原稿読み取り装置 | |
| JPS62128271A (ja) | 画像読み取り装置 | |
| US6255676B1 (en) | Charge coupled device with nonreflective coating | |
| JPS61135272A (ja) | リニアイメ−ジセンサ | |
| JPS5840973A (ja) | 光学式情報読取装置 | |
| JPS60109273A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3002245B2 (ja) | 画像読み取り装置 | |
| JP2813826B2 (ja) | 寸法判別機 | |
| JP2004109516A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPS6347720A (ja) | 画像読み取り装置 | |
| JPS59135761A (ja) | 光電変換読取装置 | |
| JPH05103153A (ja) | イメージセンサ | |
| JPH0588068U (ja) | イメージセンサユニット | |
| JPS6399668A (ja) | 画像読取装置 | |
| JPH0698085A (ja) | 画像読取装置 | |
| JPS60124165A (ja) | 読取装置 | |
| JPH03142967A (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JPH0391365A (ja) | イメージセンサユニット | |
| JPS60124166A (ja) | 読取装置 |