JPH05128997A - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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JPH05128997A
JPH05128997A JP31851091A JP31851091A JPH05128997A JP H05128997 A JPH05128997 A JP H05128997A JP 31851091 A JP31851091 A JP 31851091A JP 31851091 A JP31851091 A JP 31851091A JP H05128997 A JPH05128997 A JP H05128997A
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JP
Japan
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shutter
emission
beam shutter
current detector
wafer
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Pending
Application number
JP31851091A
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English (en)
Inventor
Katsuo Naito
勝男 内藤
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子シャワー放出手段を搭載した装置におい
て、電子シャワーの影響を受けることなく、シャッター
電流検出器に流れる電流を用いてビームシャッターの動
作状態を確実に検出することができるようにする。 【構成】 シャッター駆動装置18にビームシャッター
16を開閉させる指令信号を与えると共にこの指令信号
とシャッター電流検出器20からの信号とを用いてビー
ムシャッター16の動作状態を判定する制御回路22a
に、エミッション電源34から出力するエミッション電
圧Ve を一旦停止させてフィラメント30からの一次電
子28の放出ひいてはファラデーカップ10からの電子
シャワー26の放出を一旦停止させ、その状態でビーム
シャッター16の動作状態の判定を行う機能を持たせ
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0002】
【産業上の利用分野】この発明は、真空容器内で回転お
よび並進させられるウェーハディスクに装着されたウェ
ーハにイオンビームを照射してイオン注入を行う装置で
あって、イオンビームを断続するビームシャッターを有
するイオン注入装置に関する。
【0003】
【従来の技術】この種のイオン注入装置が同一出願人に
よって先に提案されている(実開平1−153359
号)。
【0004】それを図3を参照して説明すると、このイ
オン注入装置は、基本的には、真空容器(図示省略)内
で回転および並進させられるウェーハディスク4に装着
された複数枚のウェーハ6にイオンビーム2を照射して
イオン注入を行うよう構成されている。
【0005】イオンビーム2の経路上には、ファラデー
系を構成するものとして、イオンビーム2がウェーハデ
ィスク4等に当たった際に放出される二次電子24を受
けてそれのアースへの逃げを防止するファラデーカップ
10および上流側への逃げを防止する負電位のサプレッ
サ電極8がウェーハディスク4の上流側に、ウェーハデ
ィスク4が外に並進したときにそれの代わりにイオンビ
ーム2を受けるキャッチプレート12がウェーハディス
ク4の下流側に、それぞれ設けられている。
【0006】そして、ウェーハディスク4、キャッチプ
レート12およびファラデーカップ10を互いに電気的
に並列接続して例えばカレントインテグレータのような
ビーム電流計測器14に接続しており、それによってイ
オンビーム2のビーム電流の計測を正確に行えるように
している。
【0007】一方、何らかの異常時にイオンビーム2の
発生そのものを止めることなくウェーハ6に照射される
イオンビーム2を遮断する等の目的で、ウェーハディス
ク4のすぐ上流側にビームシャッター16を設け、これ
をシャッター駆動装置18でイオンビーム2の経路中に
出し入れすることができるようにしている。
【0008】このビームシャッター16の動作異常が起
こると、ウェーハ6に対し誤注入(例えば、ビームシャ
ッター16が開いた状態なのに閉じたと判定された場
合)あるいは未注入(例えば、ビームシャッター16が
閉じた状態なのに開いたと判定された場合)が起こるた
め、ビームシャッター16の動作状態を確実に検出する
必要があり、これにセンサスイッチを用いていたのでは
それの誤動作の心配もあるので、この例ではビームシャ
ッター16の動作状態の検出をシャッター電流検出器2
0を用いて行うようにしている。
【0009】即ち、ビームシャッター16をファラデー
カップ10等のファラデー系から電気的に絶縁してお
き、ビームシャッター16とファラデーカップ10等の
ファラデー系との間に、ビームシャッター16に流れる
電流を検出するシャッター電流検出器20を接続してい
る。イオンビーム2の発生中、ビームシャッター16が
閉じている状態ではそれにイオンビーム2が当たるた
め、シャッター電流検出器20には、図中の矢印Aの向
きに電流が流れる。ビームシャッター16が開いている
状態では、それにイオンビーム2が当たらないのでシャ
ッター電流検出器20に電流が流れないというよりもむ
しろ、イオンビーム2がウェーハディスク4等に当たっ
た際に放出される二次電子24がビームシャッター16
に入って上記矢印Aとは逆向きに電流が流れる。従っ
て、このシャッター電流検出器20に流れる電流の向き
や大きさにより、ビームシャッター16の開閉状態を、
更には半開き状態までをも、検出することができる。そ
して、このシャッター電流検出器20からの信号を制御
回路22に取り込み、そこで、シャッター駆動装置18
に与える開閉指令信号とシャッター電流検出器20から
の信号とを突き合わせて、ビームシャッター16の動作
状態を判定するようにしている。このような構成によれ
ば、センサスイッチに比べて機械的構成が少ないので誤
動作が少ない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなイオン注
入装置においては、イオンビーム2の照射に伴ってウェ
ーハ6の表面が、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯
電して放電等の不具合が発生するのを防止するために、
ビームシャッター16よりも更に上流側に電子シャワー
放出手段(図示省略。図1で詳述する)を設け、それか
ら放出させた電子シャワー26をウェーハディスク4上
のイオンビーム照射領域におけるウェーハ6に供給して
その表面でのイオンビーム2による正電荷を中和させる
ようにする場合がある。
【0011】そのような電子シャワー放出手段を搭載し
た装置には、上記のようなシャッター電流検出器20を
用いてビームシャッター16の動作状態を検出する手段
はそのままでは適用することができない。何故なら、電
子シャワー26を放出している状態では、当該電子シャ
ワー26がビームシャッター16にも入るため、シャッ
ター電流検出器20に流れる電流の向きは、電子シャワ
ー26の量によって、正逆いずれにも成り得る。この電
子シャワー26は、イオンビーム2の電荷を中和させる
ものであるため、基本的にはイオンビーム2の量にほぼ
等しい量だけ放出させるものであり、その影響は非常に
大きい。従って、電子シャワー放出手段を搭載した装置
では、単純にシャッター電流検出器20に流れる電流の
向きや大きさを判定するだけでは、ビームシャッター1
6の動作状態を確実に検出することはできない。
【0012】そこでこの発明は、電子シャワー放出手段
を搭載した装置において、電子シャワーの影響を受ける
ことなく、シャッター電流検出器に流れる電流を用いて
ビームシャッターの動作状態を確実に検出することがで
きるようにすることを主たる目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン注入装置は、前記制御回路に、前
記電子シャワー放出手段からの電子シャワーの放出を一
旦停止させ、その状態で、前記シャッター駆動装置に与
える指令信号と前記シャッター電流検出器からの信号と
を用いて前記ビームシャッターの動作状態の判定を行う
機能を持たせたことを特徴とする。
【0014】
【作用】上記構成によれば、ビームシャッターの動作状
態の判定は、電子シャワーの放出を自動的に一旦停止さ
せた状態で行われる。従って、電子シャワー放出手段を
搭載した装置であっても、電子シャワーの影響を受ける
ことなく、シャッター電流検出器に流れる電流を用いて
ビームシャッターの動作状態を確実に検出することがで
きる。
【0015】
【実施例】図1は、この発明の一実施例に係るイオン注
入装置を部分的に示す図である。図3の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
【0016】この実施例においては、次のような構成に
よって前述した電子シャワー放出手段を構成している。
即ち、ファラデーカップ10のビームシャッター16よ
りも上流側の側部にフィラメント30を設け、これから
放出させた一次電子28をファラデーカップ10の対向
面に当ててそこから二次電子を放出させ、この二次電子
を前述した電子シャワー26としてウェーハ6に供給す
るようにしている。32はフィラメント30の加熱用の
フィラメント電源、34は一次電子28の引出し用のエ
ミッション電源である。
【0017】また、従来の制御回路22に相当する制御
回路22aに、イオン注入直前に電子シャワー26の放
出を一旦停止させ、その状態で従来例と同様にしてビー
ムシャッター16の動作状態の判定を行う機能を持たせ
ている。そのため、この例では、この制御回路22aに
よって上記エミッション電源34から出力するエミッシ
ョン電圧Ve をオンオフさせる信号ライン(例えば光伝
送ライン)36を設けている。
【0018】この制御回路22aにおける制御動作の一
例を図2を参照しながら説明する。まず、イオン注入直
前にエミッション電圧Ve を一旦オフにして、フィラメ
ント30からの一次電子28の放出ひいてはファラデー
カップ10からの電子シャワー26の放出を一旦停止さ
せる(ステップ50)。その状態で、勿論イオンビーム
2を発生させた状態で、従来例と同様にして、即ちシャ
ッター駆動装置18に与える開閉指令信号とシャッター
電流検出器20からの信号とを突き合わせて、ビームシ
ャッター16の動作状態(即ち正常、異常)の判定を行
う(ステップ51)。例えば、シャッター駆動装置18
に対してビームシャッター16を開く指令信号を与えて
いるのにシャッター電流検出器20に流れる電流が図1
中の矢印A方向の場合(これは前述したようにビームシ
ャッター16が現実には閉じている状態である)、ある
いは逆にシャッター駆動装置18に対してビームシャッ
ター16を閉じる指令信号を与えているのにシャッター
電流検出器20に流れる電流が矢印Aとは逆方向の場合
(これは前述したようにビームシャッター16が現実に
は開いている状態である)は、いずれもビームシャッタ
ー16の動作異常である。
【0019】ビームシャッター16の動作状態が正常な
らば、エミッション電圧Ve をオンにして、一次電子2
8ひいては電子シャワー26を放出させてウェーハ6の
帯電防止を行える状態にして(ステップ52)、イオン
注入を開始する(ステップ53)。ビームシャッター1
6の動作状態が異常ならば、イオン注入を中止する(ス
テップ54)。
【0020】上記のようにすれば、ビームシャッター1
6の動作状態の判定は、電子シャワー26の放出を自動
的に一旦停止させた状態で行われるので、電子シャワー
放出手段を搭載した装置であっても、電子シャワー26
の影響を受けることなく、シャッター電流検出器20に
流れる電流を用いてビームシャッター16の動作状態を
確実に検出することができる。
【0021】また、上記のような動作を例えば各バッチ
注入直前に自動的に行わせれば、ウェーハ6に対する未
注入等は生じない。
【0022】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、電子シ
ャワー放出手段を搭載した装置であっても、電子シャワ
ーの影響を受けることなく、シャッター電流検出器に流
れる電流を用いてビームシャッターの動作状態を確実に
検出することができる。その結果、ビームシャッターの
動作異常によって未注入等が起こるのを未然に防止する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す図である。
【図2】 図1中の制御回路における制御動作の一例を
示すフローチャートである。
【図3】 従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す
図である。
【符号の説明】
2 イオンビーム 4 ウェーハディスク 6 ウェーハ 10 ファラデーカップ 16 ビームシャッター 18 シャッター駆動装置 20 シャッター電流検出器 22a 制御回路 26 電子シャワー 30 フィラメント 34 エミッション電源

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空容器内で回転および並進させられる
    ウェーハディスクに装着されたウェーハにイオンビーム
    を照射してイオン注入を行う装置であって、ウェーハデ
    ィスクの上流側に設けられていてイオンビームを断続す
    るビームシャッターと、このビームシャッターを駆動す
    るシャッター駆動装置と、前記ビームシャッターに接続
    されていてそれに流れる電流を検出するシャッター電流
    検出器と、前記シャッター駆動装置にビームシャッター
    を開閉させる指令信号を与えると共にこの指令信号と前
    記シャッター電流検出器からの信号とを用いてビームシ
    ャッターの動作状態を判定する制御回路と、前記ビーム
    シャッターよりも更に上流側に設けられていてウェーハ
    ディスク上のウェーハに電子シャワーを供給する電子シ
    ャワー放出手段とを備えるものにおいて、前記制御回路
    に、前記電子シャワー放出手段からの電子シャワーの放
    出を一旦停止させ、その状態で、前記シャッター駆動装
    置に与える指令信号と前記シャッター電流検出器からの
    信号とを用いて前記ビームシャッターの動作状態の判定
    を行う機能を持たせたことを特徴とするイオン注入装
    置。 【0001】
JP31851091A 1991-11-06 1991-11-06 イオン注入装置 Pending JPH05128997A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1170775A1 (en) * 1999-04-09 2002-01-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for ion implantation
WO2002084713A3 (en) * 2001-04-11 2003-03-13 Varian Semiconductor Equipment Occluding beamline ion implanter
US6610987B2 (en) 2001-05-23 2003-08-26 Hitachi, Ltd. Apparatus and method of ion beam processing
US6777695B2 (en) 2002-07-12 2004-08-17 Varian Semiconductors Equipment Associates, Inc. Rotating beam ion implanter
CN104979152A (zh) * 2015-07-28 2015-10-14 中国科学技术大学 一种离子注入设备

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1170775A1 (en) * 1999-04-09 2002-01-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for ion implantation
EP1170775A4 (en) * 1999-04-09 2002-10-23 Applied Materials Inc ION IMPLANTATION METHOD AND DEVICE
WO2002084713A3 (en) * 2001-04-11 2003-03-13 Varian Semiconductor Equipment Occluding beamline ion implanter
US6610987B2 (en) 2001-05-23 2003-08-26 Hitachi, Ltd. Apparatus and method of ion beam processing
US6777695B2 (en) 2002-07-12 2004-08-17 Varian Semiconductors Equipment Associates, Inc. Rotating beam ion implanter
CN104979152A (zh) * 2015-07-28 2015-10-14 中国科学技术大学 一种离子注入设备

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