JPH05128618A - 磁気光学ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents

磁気光学ヘツドおよびその製造方法

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JPH05128618A
JPH05128618A JP4114977A JP11497792A JPH05128618A JP H05128618 A JPH05128618 A JP H05128618A JP 4114977 A JP4114977 A JP 4114977A JP 11497792 A JP11497792 A JP 11497792A JP H05128618 A JPH05128618 A JP H05128618A
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Jean-Marc Fedeli
ジヤン−マール・フエデリ
Hubert Jouve
ヒユベール・ジユーブ
Stephane Renard
ステフアン・レナール
Serge Valette
サージユ・ヴアレツト
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    • Y10T29/49052—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing] by etching

Abstract

(57)【要約】 一体型読取り・書込み磁気光学ヘッドと製造プロセス。
磁極（Ｐ）は、光学アウトレット面（３６）に対して横
断方向（Ｄｔ）に位置がずれている。磁界（Ｈ）は光学
アウトレット（ＳＯ）と比べると、増加しており、磁界
比率は、磁極（Ｐ）と光学アウトレット（ＳＯ）と比べ
ると、小さくなっている。データの記録、取分け、ディ
スクしたものに適用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一体型読取り・書込み
磁気光学ヘッドとそのヘッドの製造プロセスに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】磁気光学装置は、通常、
記録媒体、光学ヘッド及び磁気ヘッドの三つの基本的部
品から構成されている。
【０００３】１．記録媒体
【０００４】記録媒体は、磁気光学材料製で、例えば左
右方向（いわゆる平行記録）、或は上下方向（垂直記
録）の、材料の磁化の方位に対応する２進データを磁区
として保管することができる。磁区は、小型サイズ（約
１ミクロン四方）である。この磁区は、外側磁界が材料
に固有な臨界磁界、いわゆるＨｃで表される保磁磁界よ
り大きい場合には、外側磁界と同じ方向に方位付けをす
ることができる。
【０００５】保磁磁界は、外側磁界の影響を受ける磁区
の方位の変動に対する抵抗を表している。磁区が独断的
にプラスと判断される方向に方位付けされている場合に
は、外側磁界は、磁界の値が下位のマイナスの値−Ｈｃ
でなければ、この磁区をマイナスのほうに傾斜(bascule
r)させることはできない。磁区をプラスの方向に方位付
けしなおすには、外側磁界を＋Ｈｃより大きなプラスの
値になるまで増大しなければならない。
【０００６】磁気光学材料のもう一つの特性は、温度が
外気温（２０℃）から例えば１００℃から３００℃の間
の温度になると、その保磁磁界が小さくなることであ
る。温度によるこの保磁磁界の縮小が、磁化の傾斜(bas
culement) の制御を可能にする。このため、熱間保磁磁
界より高いが、外気温の保磁磁界より低い値で、媒体の
初期方位と反対方向の外側磁界が適用される。レーザー
・ビームは、材料を部分的に加熱するために処理ゾーン
に集束される。
【０００７】磁気光学材料の三つ目の基本的特性は、す
ぐれた検出光学信号を伝達することである。この検出信
号は、通常、光波が材料にあたって反射するときの光波
の偏光面の角回転によっている。この回転の値と記号
は、磁化の方向によって異なり、“１”或は“０”と表
示される。
【０００８】この回転は、磁気光学材料と空気の界面
（カー効果）或は材料の通過時（ファラデー効果）に発
生する。リフレクタに透明な材料を取付ける場合には、
信号は、カー効果とファラデー効果の複合効果に対する
レスポンスとなる。検出される磁気光学信号は、材料に
あたって反射するときの偏光面の回転角度に比例する。
【０００９】２． 光学ヘッド
【００１０】光学ヘッドは、書込みと読取りの二つの機
能を果たす。書込みの場合、光学ヘッドは、媒体の一つ
のゾーンだけを加熱し、外側磁界における磁化の傾斜を
発生させることを目的として、光源（例えば、レーザー
・ダイオード）から発される光線を最小限度の面に集束
しなければならない。読取りの場合、光学ヘッドは、媒
体の反射するビームを分析し、例えば、光検出器を利用
して、偏光面の回転を電気信号の変化として表す。
【００１１】３．磁気ヘッド
【００１２】磁気ヘッドは、書込み時に、傾斜磁界(cha
mp de basculement)に材料を適用するために必要であ
る。磁界の値は、隣接するトラックの既存の記録を消去
したり、劣化したりしないように、充分な値でなければ
ならないが、外気温の材料の保磁磁界より小さくなけれ
ばならない。磁界の方向は、書込み中に磁区に付与する
ことを望む方向とする。
【００１３】これら三つの構成部品（記録媒体、光学ヘ
ッド、磁気ヘッド）の組立方法は多数ある。特に、光学
ヘッドは、例えばフランス特許証ＦＲ−Ａ−２ ６０６
９２１（或は、アメリカの対応特許ＵＳ−Ａ−４ ７
９６ ２２６）に記述されているように、一体型として
製造することができる。
【００１４】添付の図１は、このような構成部品の基本
的構造を示している。この図に示された装置は、光学イ
ンレット（ＥＯ）、偏光子（Ｐ）、放物線状断面の円筒
形の鏡（ＭＰ１とＭＰ２）から構成される視準光学機
構、鏡（ＭＰ２）が受ける光を集束する光学アウトレッ
ト（ＳＯ）、偏光変換ネットワーク（ＲＣＰ）、ネット
ワーク（ＲＣＰ）によって回折されるビーム進路に取付
けられた鏡（Ｍ）、部分的に反射するビームと鏡（Ｍ）
と光検出器（Ｄ）からのビームを再結合する半透明のブ
レード（ＬＳ）から構成されるガイド機構（２０）と光
源（ＳＬ）から構成されている。
【００１５】この装置の機能については、特許証ＦＲ−
Ａ−２ ６０６ ９９１（ＵＳ−Ａ−４ ７９６ ２２
６）に記述されている。機能時には、この機構は光学ア
ウトレット面を記録媒体から離しておくため（マイクロ
メータと同程度か、或は少し小さい距離）のフライング
・シュー(patinde vol)の背面に縦方向に取付ける。
【００１６】このような構成部品が書込み時にも機能す
るためには、照射され昇温したゾーンでは媒体の保磁磁
界以上の磁界を発生させることができ、外気温の照射さ
れていないゾーンでは媒体の保磁磁界以下の磁界を発生
させることができる磁気ヘッドと組合わせなければなら
ない。
【００１７】特許証ＥＰ−Ａ−Ｏ ３３８ ８６４は、
（上述のタイプではないが、光ファイバーに比較するこ
とができるミクロガイドを使用する）光学サブ・アセン
ブリと磁気サブ・アセンブリから構成され、すべてが同
じチップに統合された一体型読取り・書込みヘッドにつ
いて記述している。
【００１８】同特許証の図１８は磁気光学ヘッドの全体
図であり、図１９は重ねられた光学回路と磁気回路の断
面図である。ここには、光学ガイド（２４４と２４
５）、薄層状の一体型磁気回路、下極磁片（２５２）、
電気巻線（２５４）、上極磁片（２５７）が示されてい
る。解説されている回路は、ｇで示されているギャップ
回路である。
【００１９】このようなヘッドは、光学ガイド・アウト
レットと極磁片の端が同じ平面（８１）になるように製
造されている。この面は、光学回路と磁気回路を重ね合
わせたものを切断した後、研磨することによって得られ
る。磁極と光学アウトレットは、このため、長手方向
（つまり、ヘッドと媒体の相対的移動方向、或は、必要
に応じて、記録トラックの方向）に位置がずらされてい
る。このように長手方向に位置がずらされているため、
磁界は、磁極正面と光学アウトレット正面では値が異な
っている。
【００２０】添付の図２は、この現象を表している。こ
の図では、磁極のへりからマイクロメータで測定され、
横座標に記載された距離により磁極（Ｐ）によって形創
られる（縦座標に記載され、任意の単位（ＵＡ）で測定
される）磁界の変動が見られる。この図の場合には、光
学アウトレット（ＳＯ）は磁極（Ｐ）から３μｍの位置
にあり、ヘッドのアウトレット面と媒体の間の距離は
０．５μｍである。
【００２１】磁界の値は、磁極（Ｐ）の垂直方向では１
３９３ＵＡであるが、光学アウトレットの垂直方向では
３４０ＵＡに低下する。すなわち、比率（Ｒ）は、およ
そ４である。
【００２２】この現象は、使用する磁気光学材料がこの
種の適用方法に固有の通常の特性のほかに、温度の変化
につれて、保磁磁界の極めて大きな変動を示すことを必
要とする。何故なら、この保磁磁界は、光学アウトレッ
ト面で達した温度では３４０ＵＡ以下であり、外気温で
は１３９３ＵＡ以上でなければならないからである。こ
のような拘束条件は、読取りと書込み時に機能すること
ができる磁気光学材料の選定を著しく限定している。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、まさにこの不
都合を修正することを目的としている。本発明は、磁極
の垂直方向の磁界と光学アウトレットの垂直方向の磁界
の間の比率Ｒがこれまでの技術より小さいので、上述の
拘束条件が縮小され、磁界が光学アウトレットに対して
更に増強される読取り・書込みヘッドを提案する。これ
は、磁極が光学アウトレットと同一平面ではなく、その
平面より幾らか凹むように書込み磁気サブ・アセンブリ
の機構を改良することによって達成されたものである。
このずれは、アウトレット面に対して平行方向に残って
いる長手方向のずれに対峠しており、この面に対して垂
直方向である場合には、横断方向のずれと呼ぶことがで
きる。
【００２４】凹みの最適値は、磁気光学材料の性質によ
って異なる。すなわち、外気温と光学加熱によって得ら
れる温度との間の材料の保磁磁界の差が大きい場合に
は、比率（Ｒ）はあまり重要ではなく、光学サブ・アセ
ンブリの磁極とアウトレット面を分ける距離は、磁界が
光学アウトレットに対して最大になるように調整され
る。このようにすることにより、磁区の磁化を傾斜させ
るための最小励磁電流が得られる。
【００２５】一方、逆の場合には、磁極と光学アウトレ
ット面の間の距離は磁界の比率（Ｒ）がかなり小さく、
外気温（磁極の下）でも、書込み温度（光学アウトレッ
トの下）でも、いずれの場合にも保磁磁界の比率以下で
あるのに充分な距離でなければならない。
【００２６】説明を分かりやすくするために、便宜上、
横断方向のずれは、最初の場合については、約１．５μ
ｍから１．８μｍの間で例えば１．７μｍとし、次の場
合には約２．５μｍから３μｍの間で２．７μｍとする
ことができる。
【００２７】さらに具体的には、本発明は磁気記録媒体
に取付けられた一体型読取り・書込み磁気光学ヘッドを
対象としており、このヘッドは同じチップに統合され、
並置された一体型の二つのサブ・アセンブリから構成さ
れる。
【００２８】最初の光学サブ・アセンブリは、光線を受
けることができる光学インレット、アウトレット面に配
置された光学アウトレット、アウトレットとインレット
の間の１次光学ガイド機構、光検出器、アウトレットと
光検出器の間の２次光学ガイド機構から構成される。
【００２９】二つ目の磁気サブ・アセンブリは、磁気回
路、少なくとも一つの磁片が配置されたアウトレット面
に垂直に面（この磁片は記録媒体のほうを向けられた磁
極の役割をしている）、上記の磁気回路を取り囲む電気
巻線から構成される。
【００３０】このヘッドは、磁極が光学アウトレット面
より凹んでおり、最初のサブ・アセンブリの光学アウト
レットと二つ目のサブ・アセンブリの磁極が横断方向の
ずれを構成していることを特徴としている。
【００３１】
【実施例】極めて図式的な断面図である図３では、光学
的性質の最初のサブ・アセンブリＳＥ１と磁気的性質の
二つ目のサブ・アセンブリＳＥ２が並置され、一つのチ
ップＳに統合されている。
【００３２】光学サブ・アセンブリＳＥ１は、基本的に
屈折率がガイド（３１）の屈折率より小さな二つの層
（３０、３２）（例えば、ＳｉＯ2 ）の間に挿入された
光学ガイド（３１）（例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 ）から構成さ
れる。層（３０、３１、３２）は、使用する波長に対し
て透明である。チップ（Ｓ）は、珪素とすることができ
る。この光学サブ・アセンブリは、アウトレット面（３
６）と同一面の光学アウトレット（ＳＯ）を備えてい
る。この面と記録媒体（１０）の間の距離は、Ｄｏｐｔ
と表記されている。
【００３３】二つ目のサブ・アセンブリＳＥ２は、記録
媒体（１０）のほうに向けられた磁極（Ｐ）をターミナ
ルとする磁気回路（４０）を備えている。この磁極
（Ｐ）と媒体の間の距離はＤｐと表記される。長手方向
の開き（Ｄｌ）は、光学アウトレット（ＳＯ）と磁極
（Ｐ）の縁とを分けている。
【００３４】本発明によると、この磁極はアウトレット
面（３０）より凹んでいる。磁極とこの面の間の横断方
向の開きは、Ｄｔと表記される。
【００３５】図４の曲線Ａ、Ｂ、Ｃは、長手方向の磁界
の三つの変動を示している。単位は任意の単位（上述の
図２と同じ単位）で、距離はマイクロメータで表記され
ている。
【００３６】ヘッドの幾何学的特徴（ミクロンで表記）
は、この三つのケースについては次の通りである。Ｈｐ
は磁極に対する磁界、Ｈｓｏは長手方向に磁極から３μ
ｍ離れていると想定される光学アウトレットに対する磁
界である。
【００３７】曲線Ａ：Ｄｏｐｔ＝０．３ Ｄｐ ＝１ Ｄｔ ＝０．７ Ｈｐ ＝１０３７ ＵＡ Ｈｓｏ ＝ ３６１ ＵＡ Ｒ ＝２．８
【００３８】曲線Ｂ：Ｄｏｐｔ＝０．３ Ｄｐ ＝２ Ｄｔ ＝１．７ Ｈｐ ＝ ７０６ ＵＡ Ｈｓｏ ＝ ３７６ ＵＡ Ｒ ＝１．８７
【００３９】曲線Ｃ：Ｄｏｐｔ＝０．３ Ｄｐ ＝３ Ｄｔ ＝２．７ Ｈｐ ＝ ５４３ ＵＡ Ｈｓｏ ＝ ３７１ ＵＡ Ｒ ＝１．５
【００４０】光学アウトレットに対する磁界Ｈｓｏは、
曲線Ｂの場合、つまり、Ｄｐ＝２の場合が最大であるこ
とが分かる。この場合には、磁界の比率（Ｒ）は、これ
までの技術の場合の値４よりずっと小さな１．８７とな
っている。従って、磁極と光学面の間の横断方向の開き
Ｄｔを１．７μｍとすることにより、同時に、光学アウ
トレットの磁界の値を改善し、保磁磁界の比率の拘束条
件を縮小することができる。
【００４１】光学サブ・アセンブリは、上述の特許証Ｆ
Ｒ−Ａ−２ ６０６ ９２１（ＵＳ−Ａ−４７９６ ２
２６）に記述されているようにして製造される。凹んだ
磁極については、既知のどんな方法によって製造されて
も良い。磁片を描く写真製版操作の間に、磁極が光学サ
ブ・アセンブリのアウトレット面に対して凹むように磁
片を刻むだけで充分である。
【００４２】例えば、図５から図１４は、本発明による
ヘッドを製造するために利用することができる製造方法
の幾つかの段階を示している。ヘッドは、横断面で表さ
れており、図３と比較すると、９０°回転している。記
録媒体は、ヘッドの右側に取付けられており、縦方向に
展開すると想定する。
【００４３】光学サブ・アセンブリ（図５）は、使用す
る波長に対して透明な誘電層を積み重ねることによって
製造される。この誘電層は、例えば、次のようなものと
することができる。
【００４４】 約９５０℃から１０００℃温度で珪素
チップを熱酸化することによって得られるシリカの第１
層（３０）。層厚は約２μｍ。 蒸気相において、約８００℃の温度で化学的に析出
する窒化珪素Ｓｉ3 Ｎ4 の第２層（３１）。層厚は０．
１μｍから０．３５μｍ。 蒸気層において、プラズマを使用して、約３５０℃
から５００℃の温度で析出するシリカＳｉＯ2 の第３層
（３２）。層厚は２マイクロメータから数マイクロメー
タ。
【００４５】この段階は、磁気ヘッドの製造プロセスと
比較すると、「高温」段階とみなすことができる。更
に、（図１の鏡（ＭＰ２）に相当する）金属処理をした
放射線状の鏡（４４）を析出と彫版方法によって製造さ
れる。図５は、こうして得られるものを示している。
【００４６】次いで、こうして得られたものに、ＳｉＯ
2 の約５μｍの層厚の絶縁層（４５）を析出する（図
６）。この層（４５）は、平面化し、研磨しなければな
らない。この操作は、回路の主要部分に対して凹部を有
する場合には、デリケートな操作となる（鏡（４４）と
組み合わされた穴の場合）。事実、この場合には、回路
のもっとも低い位置まで、回路の大部分を研磨しなけれ
ばならない。
【００４７】本発明によると、回路の上面の研磨の前
に、次のような段階がある。 樹脂マスク（４７）を使用して、凹部（鏡を覆う層
（４５）の部分）を保護する（図７）。 上面の大部分が樹脂マスクの下側に来るような充分
な厚さで、凹部が保護されていない層（４５）を（例え
ば、ドライ彫版ＲＩＥで）彫版する（図８）。
【００４８】このようにして、研磨を行うときに、小さ
い樹脂の部分を大部分の面のレベルまで研磨する。樹脂
は、通常、研磨を行う前に除去する（図９）。平面化さ
れ、研磨された層（４５）に、次いで、例えば金で金属
処理をした層（４６）を析出し、それから、例えばＳｉ
Ｏ2 の絶縁層（４８）を析出する（図１０）。
【００４９】そして、絶縁層（４８）で、図６に図示さ
れたモチーフによる彫版によってケーソン(caisson)を
形成した後、例えば電気分解によって、例えば２μｍの
厚みの合金製の下磁極（ＰＰＩ）を製造する。ケーソン
の右縁は、最終電極が光学面に対して凹むように、光学
サブ・アセンブリの縁に対して凹んでいる。この下磁片
も、同様に陰極スパッタリングによって製造することが
できる。この場合には、磁気材料（ＦｅＮｉ）は、層
（４５）全体に直接的に析出し（層（４６）は排除する
ことができる）、それから、図６のモチーフにより写真
平板によって彫版することができる。層（４８）は、こ
の場合には、下磁片（ＰＰＩ）の製造後、析出する。彫
版によって磁片を製造する場合には、この彫版方法は、
磁片がサブ・アセンブリの光学面に対して凹むような方
法とする。
【００５０】こうして得られたもの（図１１）に、例え
ば、シリカＳｉＯ2の１μｍの厚みの誘電層（５０）を
析出する。次いで、例えば２μｍの厚みの層を蒸着させ
て、例えば銅で電導巻線を形成し、この層を螺旋モチー
フで彫版する。平面的な絶縁層（５４）と、場合によっ
ては、絶縁保護層（５６）を、次いで、例えば樹脂の場
合には（例えば２μｍの）の層（５４）に、蒸着シリカ
の場合には（例えば０．１μｍの）の層（５６）に析出
する（図１２）。
【００５１】層（５６、５４、５０）は、磁片の磁気回
路の閉鎖と巻線の電気回路の接続のための開口部（６
０、６１）を形成するために彫版（図１３）する。符号
６０は、図１３の一つの開口部を示しているが、巻線の
接点と下磁片の接点を絶縁する場合には、勿論、符号６
０は層（５６、５４）の別々の二つの開口部を示すこと
がある。
【００５２】次いで、例えばＦｅＮｉの１μｍの厚みの
上磁片（ＰＰＳ）と補足モチーフ（ＭＳ）を図１５に図
示されたモチーフによって製造する（図１４）。上磁片
の製造方法は、下磁片の製造方法と同じ形式、すなわ
ち、補足的金属層を使用する電気分解、あるいは陰極ス
パッタリングとすることができる。
【００５３】図１５については、上磁片（ＰＰＳ）と同
じレベルの補足モチーフ（ＭＳ）が巻線の閉鎖接続とし
て利用されること、つまり、上磁片の構成層とモチーフ
（ＭＳ）の析出の前に、絶縁層と絶縁保護層から巻線中
央部の銅製接点と接続トラック（６３）（６３と、５２
のモチーフである）までの穴（６０、６１）が明けられ
ることを特筆することができる。モチーフ（ＭＳ）は、
接続穴を通して、絶縁層の上部から、巻線の中央部と接
続トラックの間を接触させることができるバンドに対応
している。上磁片は、穴（６０）を仲介して、下磁片と
接触しているか、或はその近くにある。
【００５４】この積み重ねは、３００℃以内の温度で行
う。３００℃以上になると、この巻線の特性が劣化する
危険性がある。この限界温度は、光学サブ・アセンブリ
の製造温度よりかなり低い温度である。このようにし
て、磁気サブ・アセンブリは、光学サブ・アセンブリの
上に製造されるのであり、その反対ではない。
【００５５】図１５では、上下の磁片（ＰＰＳとＰＰ
Ｉ）の形状及び巻線の形状がよく分かる。図１６には、
一切のエレメントが集まっており、記録媒体（１０）の
レベルにおける、光学アウトレット（ＳＯ）に対する磁
極（Ｐ）の横断方向のずれ（Ｄｔ）、磁界（Ｈ）と光学
フィールド（Ａ）の変化を明確に示している。
【００５６】上述の解説は、ヘッドが記録媒体（開きＤ
ｏｐｔ）から分離していることを前提としている。この
ような配置は必ずしも必要ではなく、本発明は接触して
いるヘッド（Ｄｏｐｔ＝０）にも適用されることは言う
までもないことである。同様に、上磁片が下磁片に対し
て凹んでいるという磁気サブ・アセンブリの構造上の特
徴も、まったく必要ではない。本発明は、電導巻線が巻
き付けられた磁片を一つだけ内包する磁気回路（いわゆ
る「モノポール」配置、或は「垂直記録」配置）にも適
用することができる。
【００５７】本発明によるヘッドは、剛性またはフレキ
シブルな一切の磁気光学媒体（ディスク、バンド等）と
一緒に使用することができる。上述の第１の光学サブ・
アセンブリは、その構造と製造プロセスに、前回の特許
出願書Ｎｏ．９００４２５５に記述されたような構成部
品を含むことがある。このような構成部品は、流体また
はポリマーが充填された穴を備えており、その屈折率は
穴が開けられた層の屈折率とは異なる。
【００５８】穴は、具体的には鏡を構成することがあ
る。従って、このような穴は、図５から図９に解説され
ているように鏡（穴＋金属処理された層）で代替するこ
とができる。
【００５９】
【発明の効果】本発明は、上述したような構成であるの
で、磁極の垂直方向の磁界と光学アウトレットの垂直方
向の磁界の間の比率Ｒがこれまでの技術より小さく、し
たがって拘束条件が緩和され、磁界が光学アウトレット
に対して更に増強される読取り・書込みヘッドを提供す
ることができるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の光学サブ・アセンブリを示す説
明図である。
【図２】図２は、従来の技術を使用した磁気光学ヘッド
に沿った磁界の変化を示すグラフである。
【図３】図３は、本発明によるヘッドの基本的部分を示
す横断面図である。
【図４】図４は、本発明による３種類のヘッドの磁界の
変動曲線を示すグラフである。
【図５】図５は、本発明によるヘッドの製造工程を説明
する断面図である。
【図６】図６は、本発明によるヘッドの製造工程を説明
する断面図である。
【図７】図７は、本発明によるヘッドの製造工程を説明
する断面図である。
【図８】図８は、本発明によるヘッドの製造工程を説明
する断面図である。
【図９】図９は、本発明によるヘッドの製造工程を説明
する断面図である。
【図１０】図１０は、本発明によるヘッドの製造工程を
説明する断面図である。
【図１１】図１１は、本発明によるヘッドの製造工程を
説明する断面図である。
【図１２】図１２は、本発明によるヘッドの製造工程を
説明する断面図である。
【図１３】図１３は、本発明によるヘッドの製造工程を
説明する断面図である。
【図１４】図１４は、本発明によるヘッドの製造工程を
説明する断面図である。
【図１５】図１５は、層状に重ねられた面の平行方向か
ら見たヘッドを示す平面図である。
【図１６】図１６は、本発明によるヘッドの断面図、お
よび本発明のヘッドに対する磁界と光学フィールドの変
動を示すグラフである。
【符号の説明】
Ｓ チップ １０ 磁気記録媒体 ＥＯ 光学イントレット ３６ アウトレット面 ＳＯ 光学アウトレット ３０、３１、３２ 一次光学ガイド機構 Ｄ 光検出器 ＰＰＩ 磁片 Ｐ 磁極 ５２ 電機巻線 ＳＥ１ 第１のサブ・アセンブリ ＳＥ２ 第２のサブ・アッセンブリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ステフアン・レナール フランス・38560・シヤン−シユール−ド ラツク・ル・ヴイラージユ（番地なし） (72)発明者 サージユ・ヴアレツト フランス・38100・グレノーブル・リユ・ デ・オウ・クレーレ・41

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 同一のチップ（Ｓ）に統合された、磁気
    記録媒体（１０）の一体型読取り・書込み磁気光学ヘッ
    ドであって、 光線を受けることができる光学インレット（ＥＯ）、ア
    ウトレット面（３６）に配置された光学アウトレット
    （ＳＯ）、インレット（ＥＯ）とアウトレット（ＳＯ）
    の間の１次光学ガイド機構（３０、３１、３２、ＭＰ
    １、ＭＰ２）、光検出器（Ｄ）、およびアウトレット
    （ＳＯ）と光検出器（Ｄ）の間の２次光学ガイド機構か
    ら構成される第１のサブ・アセンブリ（ＳＥ１）と、 磁気回路、記録媒体（１０）に向けられた磁極（Ｐ）の
    役割をする少なくとも一つの磁片（ＰＰＩ）が配置され
    たアウトレット面に垂直な面、および上記の磁気回路を
    取り囲む電気巻線（５２）から構成される第２のサブ・
    アセンブリ（ＳＥ２）との二つのサブ・アッセンブリを
    有し、 磁極（Ｐ）が光学アウトレット面（３６）より凹んでお
    り、第１のサブ・アセンブリ（ＳＥ１）の光学アウトレ
    ット（ＳＯ）と第２のサブ・アセンブリ（ＳＥ２）の磁
    極（Ｐ）が横断方向のずれ（Ｄｔ）を有していることを
    特徴とする磁気光学ヘッド。
  2. 【請求項２】 チップ（Ｓ）の上に、使用する波長に対
    して透明な三つの誘電層を析出して、光学ガイドの積層
    部（３０、３１、３２）を形成し、鏡（ＭＰ１、ＭＰ
    ２）部を形成し、アウトレットの上に絶縁層（４５）を
    析出し、この絶縁層（４５）を研磨して平面化する工程
    からなる第１のサブ・アセンブリ（ＳＥ１）の製造工程
    と、 第１のサブ・アセンブリ（ＳＥ１）の面に対して凹んで
    いる磁極を備えた下磁片（ＰＰＩ）を形成し、アセンブ
    リの上に絶縁層（５０）を析出し、電導巻線（５２）を
    形成し、少なくとも一つの絶縁層（５４、５６）を析出
    させ、下磁片（６０）と巻線（６０）にアクセスするた
    めの開口部（６０、６１）を形成するために絶縁層（５
    ０、５４、５６）を彫版し、必要に応じて上磁片（ＰＰ
    Ｓ）を形成し、電導巻線の閉鎖接続として利用される上
    磁片の平面における補足モチーフを形成する工程からな
    る磁気サブ・アセンブリ（ＳＥ２）の製造工程とから請
    求項１に記載の磁気光学ヘッドを製造することを特徴と
    する磁気光学ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 補足的金属処理層（４６）の析出と絶縁
    層（４８）内におけるケーソンの形成後、下磁片（ＰＰ
    Ｉ）が電着によって製造され、ケーソンの縁が第１の光
    学サブ・アセンブリのアウトレット極に対して凹部を形
    成することを特徴とする、請求項２に記載の磁気光学ヘ
    ッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 第１のサブ・アセンブリの光学アウトレ
    ット面に対して凹んだ磁極を残すため、下磁片（ＰＰ
    Ｉ）が一つの層の陰極スパッタリングとその層の彫版に
    よって製造されることを特徴とする請求項２に記載の磁
    気光学ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 第１の光学サブ・アセンブリの絶縁層
    （４５）の平面化のための研磨をするため、絶縁層（４
    ５）の凹部の位置に鏡、樹脂マスク（４７）を設け、樹
    脂マスクの周囲の絶縁層（４５）を彫版し、樹脂を除去
    し、そして絶縁層（４５）を平面化することを特徴とす
    る請求項２に記載の磁気光学ヘッドの製造方法。
JP4114977A 1991-05-07 1992-05-07 磁気光学ヘツドおよびその製造方法 Withdrawn JPH05128618A (ja)

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