JPH05119479A - Resist method for resist coating - Google Patents

Resist method for resist coating

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JPH05119479A
JPH05119479A JP3275917A JP27591791A JPH05119479A JP H05119479 A JPH05119479 A JP H05119479A JP 3275917 A JP3275917 A JP 3275917A JP 27591791 A JP27591791 A JP 27591791A JP H05119479 A JPH05119479 A JP H05119479A
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resist
block bar
substrate
mask
accuracy
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Fumio Kameoka
史男 亀岡
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Abstract

PURPOSE:To enable high accuracy exposure corresponding to fine patterns formed in a exposure mask by increasing the adhesion property of a resist layer and the mask. CONSTITUTION:A first resist 2 is applied on a resist substrate 1 having high flatness accuracy and the whole surface of the resist 2 is exposed to light, on which a second resist 3 is applied. A ferrite block bar 5 is fixed to the second resist 3, and then the resist layers are developed so that only the first resist 2 exposed is dissolved in the developer while the second resist 3 remains on the ferrite block bar 5 to form a resist layer of high flatness accuracy. Therefore, by maintaining high flatness accuracy of the resist substrate 1 to be coated with resists, the first and second resists 2, 3 applied on the substrate 1 have higher flatness accuracy. Since the work is fixed on the second resist 3 and only the exposed first resist 2 is dissolved in the developer, the resist layer of high flatness accuracy can be formed on the upper surface of the work made in one wafer-like body.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィに
おけるレジスト塗布技術に係り、特に固定磁気ディスク
装置用磁気ヘッドスライダーの製造に好適なレジスト塗
布方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating technique in photolithography, and more particularly to a resist coating method suitable for manufacturing a magnetic head slider for a fixed magnetic disk device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気ディスクの記録領域の増大を
図った2レールモノリシック型の浮上型磁気ヘッドスラ
イダーが案出されている。斯種、磁気ヘッドスライダー
は、図7に示す如く、スライダー本体Sと、コ字状のヨ
ーク部Yとから構成され、記録媒体との摺動面(5a)に
はその摺動方向に延びる所定高さの、互いに平行な空気
ベアリング部(9)(9)を有し、空気ベアリング部(9)の
巻線孔H側にトラック部(50)が形成されている。
2. Description of the Related Art In recent years, a two-rail monolithic floating magnetic head slider has been devised to increase the recording area of a magnetic disk. As shown in FIG. 7, such a magnetic head slider is composed of a slider body S and a U-shaped yoke portion Y, and a predetermined sliding surface (5a) with a recording medium extends in the sliding direction. The air bearing portions (9) and (9) having heights parallel to each other are provided, and the track portion (50) is formed on the winding hole H side of the air bearing portion (9).

【0003】上記磁気ヘッドスライダーの製造方法は、
例えば特開平1−315021に開示されており、この
場合の空気ベアリング部(9)及びトラック部(50)の形成
方法を図8乃至図13により説明する。図8の様に巻線
孔H用の巻線溝(54)(55)を形成した大小2つのフェライ
トブロック(51)(52)をギャップ材(53)を介して一体化
し、ブロックバー(5)を形成する。ブロックバー(5)の
ディスク摺動面(5a)には、後記するトラック部と巻線
孔Hとの距離、即ちデプス長Dが所定長さとなる様に研
磨を施す。次に第9図の様に、ディスク摺動面(5a)に
レジスト(31)を塗布し、所定パターンの原版(図示せず)
(以下、マスクと呼ぶ)を介して、該レジスト(31)に紫外
線露光を行ない、更に現像処理することで、図10の様
にブロックバー(5)のディスク摺動面(5a)上に空気ベ
アリング部及びトラック部に対応するレジストパターン
(32)を形成する。ディスク摺動面(5a)に露出している
フェライト面だけを所定深さに化学エッチングし、図6
に示す如く、空気ベアリング部(9)(9)やトラック部(5
0)を形成する。
The method of manufacturing the above magnetic head slider is
For example, it is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-315021, and a method of forming the air bearing portion 9 and the track portion 50 in this case will be described with reference to FIGS. 8 to 13. As shown in FIG. 8, two large and small ferrite blocks (51) and (52) having winding grooves (54) and (55) for the winding hole H are integrated through a gap member (53) to form a block bar (5 ) Is formed. The disk sliding surface (5a) of the block bar (5) is polished so that the distance between the track portion and the winding hole H, which will be described later, that is, the depth length D becomes a predetermined length. Next, as shown in FIG. 9, a resist (31) is applied to the disk sliding surface (5a), and an original plate having a predetermined pattern (not shown) is applied.
The resist (31) is exposed to ultraviolet light through a mask (hereinafter referred to as a mask) and further developed, so that the air is formed on the disk sliding surface (5a) of the block bar (5) as shown in FIG. Resist pattern corresponding to bearing and track
(32) is formed. Only the ferrite surface exposed on the disk sliding surface (5a) is chemically etched to a predetermined depth.
As shown in, the air bearing parts (9) (9) and the track part (5
0) is formed.

【0004】更に、高密度記録のための、トラック部(5
0)に隣接してセンダスト等の金属磁性体を介在させたM
IG型2レールモノリシック型の磁気ヘッドスライダー
も提案されている。この場合、前記の化学エッチングで
はギャップ近傍の金属磁性体が浸食され、トラック部の
形成が不可能となるため、イオンビームエッチングのよ
うなドライエッチング法によって、ブロックバー(5)の
テープ摺動面(5a)の不要な部分を除去し、トラック部
(50)を形成しなけばならない。
Furthermore, a track portion (5
(0) Adjacent to (0)
An IG two-rail monolithic magnetic head slider has also been proposed. In this case, since the metal magnetic material in the vicinity of the gap is eroded by the above chemical etching and the track portion cannot be formed, the tape sliding surface of the block bar (5) can be formed by a dry etching method such as ion beam etching. Remove unnecessary parts of (5a),
The (50) must be formed.

【0005】しかし、イオンビームエッチングのような
ドライエッチング法では、レジストは化学エッチングよ
りも厚く塗布せねばならず、エッチング量の約2倍の厚
みは必要である。ところが、この様にレジストを厚く塗
布する方法についての具体的手法は提案されていない。
However, in the dry etching method such as the ion beam etching, the resist has to be applied thicker than the chemical etching, and the thickness is required to be about twice the etching amount. However, no specific method has been proposed for such a thick coating method.

【0006】従来のレジスト塗布方法には、レジスト層
からの引き上げによる塗布、かけ流しによる塗布、ロー
ラーによる塗布、スプレーによる塗布、スピンナーによ
る塗布があるが、スピンナーによる塗布以外は何れもレ
ジスト厚のコントロールが困難であり、又、マスクとの
密着性が悪く、微細な幅のトラック部を高精度に形成す
るのが困難である。
Conventional resist coating methods include coating by pulling up from the resist layer, coating by pouring, coating by a roller, coating by a spray, and coating by a spinner. In all cases other than coating by a spinner, control of the resist thickness is performed. And the adhesion to the mask is poor, and it is difficult to form a track portion having a fine width with high accuracy.

【0007】スピンナーによるレジストの塗布は、唯一
レジスト厚のコントロールが容易な塗布方法であるが、
2レールモノリシック型磁気ヘッドスライダーの空気ベ
アリング部(9)(9)やトラック部(50)の形成に応用した
場合、次のような問題がある。前記したブロックバー
(5)による空気ベアリング部(9)とトラック部(50)の形
成を、生産性を高めるために複数のブロックバーに対し
て一度に行なうには、図11の様に基板(4)に複数のブ
ロックバー(5)をウエハー状に一体化した後、図12に
示す如く、レジスト(31)をスピンナー塗布する。
The coating of resist by a spinner is the only coating method that makes it easy to control the resist thickness.
When applied to the formation of the air bearing portions (9) (9) and the track portion (50) of the two-rail monolithic type magnetic head slider, there are the following problems. Block bar mentioned above
In order to form the air bearing part (9) and the track part (50) by (5) for a plurality of block bars at one time in order to improve productivity, as shown in FIG. After the block bar (5) is integrated into a wafer, a resist (31) is spinner coated as shown in FIG.

【0008】この際、ブロックバー群の厚みの誤差、ブ
ロックバー群を基板(4)に接合する接着剤の厚みの不均
一によってブロックバー群に段差や隙間が生じ、ブロッ
ク群の上面に塗布されたレジスト(23)に凹凸が生じて、
図13の様にマスク(8)との密着性が悪くなり、レジス
トパターンの精度がでない。そのため、エッチング後の
トラック部の幅にバラツキが生じ、歩留りを大きく低下
する問題があった。
At this time, due to an error in the thickness of the block bar group and an uneven thickness of the adhesive for joining the block bar group to the substrate (4), a step or a gap is generated in the block bar group, and the block bar group is coated on the upper surface of the block group. The resist (23) has irregularities,
As shown in FIG. 13, the adhesiveness with the mask (8) is deteriorated and the accuracy of the resist pattern is low. Therefore, there is a problem in that the width of the track portion after etching varies and the yield is greatly reduced.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明はブロックバー
等のワークの上面に塗布されるレジストの凹凸をなくす
ことで、レジストパターンの精度を大幅に向上させるこ
とのできるレジスト塗布方法を明らかし、前記問題を解
決するものである。
The present invention clarifies a resist coating method capable of greatly improving the accuracy of a resist pattern by eliminating the unevenness of the resist coated on the upper surface of a work such as a block bar, This is to solve the above problem.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布方
法は、平面精度の高いレジスト用基板(1)に第1レジス
ト(2)を塗布し、該レジストを全面露光し、微細パター
ンの形成に必要な第2レジスト(3)を第1レジスト(2)
上に塗布し、微細パターンを形成するためのフェライト
ブロックバー(5)等のワークを第2レジスト(3)上に固
着し、次に、現像することによって、予め露光された第
1レジスト(2)のみを現像液に溶かし、ワーク上に第2
レジスト(3)のみを残存させて平面精度の高いレジスト
層(3a)を形成する。
According to the resist coating method of the present invention, a first resist (2) is coated on a resist substrate (1) having a high flatness accuracy, and the entire surface of the resist is exposed to form a fine pattern. The required second resist (3) is replaced with the first resist (2)
A work such as a ferrite block bar (5) for applying a fine pattern on the second resist (3) is fixed onto the second resist (3) and then developed to develop a first resist (2) previously exposed. ) Is dissolved in the developer, and the second
Only the resist (3) is left to form a resist layer (3a) having high plane accuracy.

【0011】[0011]

【作用及び効果】レジスト基板(1)のレジスト塗布面の
平面精度を高くしておけば、該基板上に塗布された第
1、第2のレジスト(2)(3)の平面精度も高まる。
[Operation and effect] If the plane precision of the resist coating surface of the resist substrate (1) is increased, the plane precision of the first and second resists (2) and (3) coated on the substrate is also enhanced.

【0012】更に、第2レジスト(3)上にワークを固着
し、露光している第1のレジスト(2)のみを現像液に溶
かすため、ワークの上面は平面精度の高いレジスト層(3
a)が形成でき、該レジスト層(3a)と露光用マスク(8)と
の密着度が高まり、該マスクに形成された微細なパター
ンに対応して、精度の高い露光が可能となる。
Furthermore, since the work is fixed on the second resist (3) and only the exposed first resist (2) is dissolved in the developing solution, the upper surface of the work is a resist layer (3) having a high plane accuracy.
a) can be formed, the degree of adhesion between the resist layer (3a) and the exposure mask (8) is increased, and highly accurate exposure can be performed corresponding to the fine pattern formed on the mask.

【0013】そのためブロックバーの上面にはマスクの
パターンに忠実なレジストパターンが形成でき、モノリ
シック型磁気ヘッドスライダーの製造に応用した場合、
エッチングによるトラック部の精度が向上し、歩留りを
高めることができる。
Therefore, a resist pattern faithful to the mask pattern can be formed on the upper surface of the block bar, and when applied to the manufacture of a monolithic magnetic head slider,
The accuracy of the track portion due to etching is improved, and the yield can be increased.

【0014】[0014]

【実施例】本発明のレジスト塗布工程を図1〜図4に示
す。図1の如く、表面を可及的に平面に形成したレジス
ト用基板(1)に第1のレジスト(2)を塗布し、全面露光
した後、該第1のレジスト(2)上に空気ベアリング部や
トラック部の形成に必要な第2のレジスト(3)を塗布す
る。レジスト用基板(1)の平面精度が高いため、第1、
第2のレジスト(2)(3)の表面の平面精度も当然に高く
なる。
EXAMPLE A resist coating process of the present invention is shown in FIGS. As shown in FIG. 1, a resist substrate (1) whose surface is formed as flat as possible is coated with a first resist (2), and the entire surface is exposed. Then, an air bearing is formed on the first resist (2). A second resist (3) required for forming the track portion and the track portion is applied. Since the resist substrate (1) has high plane accuracy,
The plane accuracy of the surfaces of the second resists (2) and (3) naturally increases.

【0015】一方、図2の如く、ワーク用基板(4)に数
本のブロックバー(5)(5)を接着してウエハー状に一体
化する。この接合は、低粘度で耐食性の良好なレジスト
(6)を接着剤に使用し、該レジスト(6)を基板(4)とブ
ロックバー群との間に毛際細管現象にて浸透させて行な
う。
On the other hand, as shown in FIG. 2, several block bars (5) and (5) are bonded to the work substrate (4) to be integrated into a wafer. This bond is a resist with low viscosity and good corrosion resistance.
(6) is used as an adhesive, and the resist (6) is permeated between the substrate (4) and the block bar group by the capillary action of the capillary.

【0016】次に、ブロックバー群の上面に接着用レジ
スト(7)を塗布し、図3の様にワーク用基板(4)にレジ
スト用基板(1)を逆さにして被せ、ワーク用基板(4)の
接着用レジスト(7)の上に、レジスト用基板(1)の第2
のレジスト(3)を密接させて両基板(1)(4)を固着す
る。
Next, an adhesive resist (7) is applied to the upper surface of the block bar group, and the work substrate (4) is covered with the resist substrate (1) upside down as shown in FIG. On top of the adhesive resist (7) of 4), the second resist substrate (1)
The substrates (1) and (4) are fixed by closely contacting the resist (3).

【0017】然る後、基板(1)(4)を現像液に浸す。図
4に示す如く、予め露光されている第1のレジスト(2)
だけが現像液に溶けて、ワーク用基板(4)とレジスト用
基板(1)が分離し、ワーク用基板(4)上のブロックバー
群の上面には平面精度の高いレジスト層(3a)が形成さ
れる。
After that, the substrates (1) and (4) are dipped in a developing solution. As shown in FIG. 4, the first resist (2) previously exposed.
Is dissolved in the developing solution, the work substrate (4) and the resist substrate (1) are separated, and the resist layer (3a) having high plane accuracy is formed on the upper surface of the block bar group on the work substrate (4). It is formed.

【0018】次に、図5の如く、所定形状の空気ベアリ
ング部とトラック部が描かれているマスク(8)を介し
て、前記ブロックバー群上のレジスト層(3a)に紫外線
露光を行ない、現像処理してフェライト面を露出させ
る。
Next, as shown in FIG. 5, the resist layer (3a) on the block bar group is exposed to ultraviolet rays through a mask (8) in which a predetermined shape air bearing portion and track portion are drawn, Develop to expose the ferrite surface.

【0019】露出したフェライト面だけをイオンビーム
エッチング等のドライエッチングによって所定深さエッ
チングし、更に、ワーク用基板(4)から各ブロックバー
(5)を分離し、図6に示す様な空気ベアリング部(9)と
トラック部(50)を有するブロックバーを得る。
Only the exposed ferrite surface is etched to a predetermined depth by dry etching such as ion beam etching, and the work substrate (4) is removed from each block bar.
(5) is separated to obtain a block bar having an air bearing part (9) and a track part (50) as shown in FIG.

【0020】次に、上記エッチング済みブロックバーに
切削による外径成形及びスライス等の必要な加工を行な
って、図7の様な2レールモノリシック型磁気ヘッドス
ライダーを完成する。
Next, the etched block bar is subjected to necessary processing such as outer diameter forming by cutting and slicing to complete a two-rail monolithic magnetic head slider as shown in FIG.

【0021】尚、実施例に於けるMIG型2レールモノ
リシック型磁気ヘッドスライダーの場合、使用レジス
ト、露光条件、イオンビームエッチング条件は下記の通
りである。 a.第1のレジスト(2)は粘度400cpを使用し、回転
数3000rpmで20秒間スピンナー塗布してレジスト
厚7μmを得る。 b.第2のレジスト(3)は粘度800cpを使用し、回転
数3000rpmで20秒間のスピンナー塗布を2回行な
ってレジスト厚20μmを得る。 c.ブロックバー(5)をワーク用基板(4)に接着するた
めのレジスト(6)と、ワーク用基板(4)とレジスト用基
板(1)とを固着するためのたレジスト(7)は共に粘度2
0cである。 d.第2のレジスト(3)をパターンニングする際の露光
条件は、紫外線照度12mw/cm2、露光時間2分30秒
である。 e.空気ベアリング部(9)とトラック部(50)のエッチン
グはイオンビームエッチングで行ない、加速電圧700
V、エッチング角度30°で10μm深さにエッチング
している。
In the case of the MIG type two-rail monolithic type magnetic head slider in the embodiment, the resist used, the exposure conditions and the ion beam etching conditions are as follows. a. The first resist (2) has a viscosity of 400 cp and is spinner coated at 3000 rpm for 20 seconds to obtain a resist thickness of 7 μm. b. The second resist (3) has a viscosity of 800 cp and spinner coating is performed twice for 20 seconds at a rotation speed of 3000 rpm to obtain a resist thickness of 20 μm. c. The resist (6) for adhering the block bar (5) to the work substrate (4) and the resist (7) for fixing the work substrate (4) and the resist substrate (1) both have a viscosity. Two
It is 0c. d. The exposure conditions for patterning the second resist (3) are an ultraviolet illuminance of 12 mw / cm 2 and an exposure time of 2 minutes and 30 seconds. e. The air bearing part (9) and the track part (50) are etched by ion beam etching, and the acceleration voltage is 700
V is etched at an etching angle of 30 ° to a depth of 10 μm.

【0022】上記実施例に於ける本発明の効果として次
の各点が挙げられる。 .ワーク用基板(4)に固着したブロックバー群に僅か
な段差や隙間が生じても、ブロックバー群上に塗布する
接着用レジストがそれらを吸収するため凹凸のない平面
精度の高いレジスト層(3a)のが形成可能となり、マス
クとの密着度を高めて露光が実現できる。 .によってブロックバー(5)上面には均一なレジス
トパターンが形成できエッチング後のトラック幅精度が
大幅に向上する。 .ブロックバー(5)上に厚くレジスト(3)を塗布で
き、且つレジストの厚みをコントロールできるため、イ
オンビームエッチングが可能となり、センダスト等の金
属磁性体が付設されているMIG型磁気ヘッドスライダ
ーに対してもトラック部の形成が可能となる。 .従来、レジスト(3)上面が凹凸の場合、マスク(8)
とのコンタクト時にレジストが破損してマスクパターン
が汚れることがあったが、レジスト上面の平面精度が高
いため、マスクとのコンタクト時にレジストが破損する
ことがなくなり、ママスクパターンを汚すことがなくな
る。 .耐食性のよいレジスト(6)でブロックバー(5)をウ
エハー状に一体化しているため、エッチング中にブロッ
クが分離することなく加工できる。
The following points can be mentioned as effects of the present invention in the above embodiment. . Even if there are slight steps or gaps in the block bar group adhered to the work substrate (4), the resist resist for coating on the block bar group absorbs them and the resist layer (3a ) Can be formed, and exposure can be realized by increasing the degree of adhesion with the mask. . As a result, a uniform resist pattern can be formed on the upper surface of the block bar (5), and the track width accuracy after etching is significantly improved. . Since the resist (3) can be applied thickly on the block bar (5) and the thickness of the resist can be controlled, ion beam etching can be performed, and the MIG type magnetic head slider is provided with a metallic magnetic material such as sendust. However, the track portion can be formed. . Conventionally, if the upper surface of the resist (3) is uneven, the mask (8)
Although the resist may be damaged and the mask pattern may be contaminated at the time of contact with the mask, since the flatness of the upper surface of the resist is high, the resist is not damaged at the time of contact with the mask, and the mask pattern is not contaminated. . Since the block bar (5) is integrated into a wafer with the resist (6) having good corrosion resistance, the blocks can be processed without separation during etching.

【0023】本発明は上記実施例の構成に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載の範囲で種々の変形が可
能である。
The present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】レジスト用基板にレジストを塗布した状態の断
面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a resist substrate coated with a resist.

【図2】ワーク用基板にブロックバーを接合した状体の
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a state in which a block bar is joined to a work substrate.

【図3】ワーク用基板とレジスト用基板を接合した状態
の断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a state in which a work substrate and a resist substrate are joined.

【図4】ワーク用基板からレジスト用基板を分離した状
態の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a state in which a resist substrate is separated from a work substrate.

【図5】ブロックバーにマスクを被せた状態の断面図で
ある。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the block bar covered with a mask.

【図6】エッチング完了のブロックバーの斜面図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view of a block bar after etching is completed.

【図7】2レールモノリシック型磁気ヘッドスライダー
の斜面図である。
FIG. 7 is a perspective view of a two-rail monolithic magnetic head slider.

【図8】エッチング前のブロックバーの斜面図である。FIG. 8 is a perspective view of a block bar before etching.

【図9】ブロックバーにレジストを施した状態の斜面図
である。
FIG. 9 is a perspective view showing a state where a resist is applied to a block bar.

【図10】ブロックバーにエッチングパターン形成した
状態の斜面図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a state where an etching pattern is formed on a block bar.

【図11】従来例におけるワーク用基板にブロックバー
を接合した状体の断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view of a state in which a block bar is joined to a work substrate in a conventional example.

【図12】同上に於て、ブロックバーにレジストを塗布
した状態の断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a state in which a resist is applied to the block bar in the above.

【図13】同上に於て、レジストにマスクを被せた状態
の断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a state in which the resist is covered with a mask in the above.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(1) レジスト用基板 (2) 第1のレジスト (3) 第2のレジスト (4) ワーク用基板 (5) ブロックバー (1) Resist substrate (2) First resist (3) Second resist (4) Work substrate (5) Block bar

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【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年6月11日[Submission date] June 11, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0015[Correction target item name] 0015

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0015】一方、図2の如く、ワーク用基板(4)に数
本のブロックバー(5)(5)を接着してウエハー状に一体
化する。この接合は、低粘度で耐食性の良好なレジスト
(6)を接着剤に使用し、該レジスト(6)を基板(4)とブ
ロックバー群との間に毛細管現象にて浸透させて行な
う。
On the other hand, as shown in FIG. 2, several block bars (5) and (5) are bonded to the work substrate (4) to be integrated into a wafer. This bond is a resist with low viscosity and good corrosion resistance.
(6) is used as an adhesive, and the resist (6) is permeated between the substrate (4) and the block bar group by a capillary phenomenon.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0021[Correction target item name] 0021

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0021】尚、実施例に於けるMIG型2レールモノ
リシック型磁気ヘッドスライダーの場合、使用レジス
ト、露光条件、イオンビームエッチング条件は下記の通
りである。 a.第1のレジスト(2)は粘度400cpを使用し、回転
数3000rpmで20秒間スピンナー塗布してレジスト
厚7μmを得る。 b.第2のレジスト(3)は粘度800cpを使用し、回転
数3000rpmで20秒間のスピンナー塗布を2回行な
ってレジスト厚20μmを得る。 c.ブロックバー(5)をワーク用基板(4)に接着するた
めのレジスト(6)と、ワーク用基板(4)とレジスト用基
板(1)とを固着するためのレジスト(7)は共に粘度20
cpである。 d.第2のレジスト(3)をパターンニングする際の露光
条件は、紫外線照度12mw/cm2、露光時間2分30秒
である。 e.空気ベアリング部(9)とトラック部(50)のエッチン
グはイオンビームエッチングで行ない、加速電圧700
V、エッチング角度30°で10μm深さにエッチング
している。
In the case of the MIG type two-rail monolithic type magnetic head slider in the embodiment, the resist used, the exposure conditions and the ion beam etching conditions are as follows. a. The first resist (2) has a viscosity of 400 cp and is spinner coated at 3000 rpm for 20 seconds to obtain a resist thickness of 7 μm. b. The second resist (3) has a viscosity of 800 cp and spinner coating is performed twice for 20 seconds at a rotation speed of 3000 rpm to obtain a resist thickness of 20 μm. c. The resist (6) for adhering the block bar (5) to the work substrate (4) and the resist (7) for fixing the work substrate (4) and the resist substrate (1) together have a viscosity of 20.
cp. d. The exposure conditions for patterning the second resist (3) are an ultraviolet illuminance of 12 mw / cm 2 and an exposure time of 2 minutes and 30 seconds. e. The air bearing part (9) and the track part (50) are etched by ion beam etching, and the acceleration voltage is 700
V is etched at an etching angle of 30 ° to a depth of 10 μm.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0022[Name of item to be corrected] 0022

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0022】上記実施例に於ける本発明の効果として次
の各点が挙げられる。 .ワーク用基板(4)に固着したブロックバー群に僅か
な段差や隙間が生じても、ブロックバー群上に塗布する
接着用レジストがそれらを吸収するため凹凸のない平面
精度の高いレジスト層(3a)のが形成可能となり、マス
クとの密着度を高めて露光が実現できる。 .によってブロックバー(5)上面には均一なレジス
トパターンが形成でき、エッチング後のトラック幅精度
が大幅に向上する。 .ブロックバー(5)上に厚くレジスト(3)を塗布で
き、且つレジストの厚みをコントロールできるため、イ
オンビームエッチングが可能となり、センダスト等の金
属磁性体が付設されているMIG型磁気ヘッドスライダ
ーに対してもトラック部の形成が可能となる。 .従来、レジスト(3)上面が凹凸の場合、マスク(8)
とのコンタクト時にレジストが破損してマスクパターン
が汚れることがあったが、レジスト上面の平面精度が高
いため、マスクとのコンタクト時にレジストが破損する
ことがなくなり、マスクパターンを汚すことがなくな
る。 .耐食性のよいレジスト(6)でブロックバー(5)をウ
エハー状に一体化しているため、エッチング中にブロッ
クが分離することなく加工できる。
The following points can be mentioned as effects of the present invention in the above embodiment. . Even if there are slight steps or gaps in the block bar group adhered to the work substrate (4), the resist resist for coating on the block bar group absorbs them and the resist layer (3a ) Can be formed, and exposure can be realized by increasing the degree of adhesion with the mask. . As a result, a uniform resist pattern can be formed on the upper surface of the block bar 5, and the track width accuracy after etching is greatly improved. . Since the resist (3) can be applied thickly on the block bar (5) and the thickness of the resist can be controlled, ion beam etching can be performed, and the MIG type magnetic head slider is provided with a metallic magnetic material such as sendust. However, the track portion can be formed. . Conventionally, if the upper surface of the resist (3) is uneven, the mask (8)
Although the resist may be damaged at the time of contact with the mask pattern and the mask pattern may be contaminated, the resist is not damaged at the time of contact with the mask and the mask pattern is not contaminated because the plane accuracy of the upper surface of the resist is high. . Since the block bar (5) is integrated into a wafer with the resist (6) having good corrosion resistance, the blocks can be processed without separation during etching.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 平面精度の高いレジスト用基板(1)に第
1レジスト(2)を塗布し、該レジストを全面露光し、 微細パターンの形成に必要な第2レジスト(3)を第1レ
ジスト(2)上に塗布し、 微細パターンを形成するためのフェライトブロックバー
(5)等のワークを第2レジスト(3)上に固着し、 次に、現像することによって、予め露光された第1レジ
スト(2)のみを現像液に溶かし、ワーク上に第2レジス
ト(3)のみを残存させて平面精度の高いレジスト層(3
a)を形成することを特徴とするレジスト塗布方法。
1. A first resist (2) is applied to a resist substrate (1) having a high level of plane accuracy, the resist is exposed over the entire surface, and a second resist (3) necessary for forming a fine pattern is formed as the first resist. (2) Ferrite block bar applied on top to form a fine pattern
A work such as (5) is fixed on the second resist (3), and then developed to dissolve only the pre-exposed first resist (2) in a developing solution, and the second resist ( Resist layer (3) with high plane accuracy
A method of applying a resist, which comprises forming a).
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