JPH09138910A - Method of patterning metal layer - Google Patents

Method of patterning metal layer

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JPH09138910A
JPH09138910A JP8254114A JP25411496A JPH09138910A JP H09138910 A JPH09138910 A JP H09138910A JP 8254114 A JP8254114 A JP 8254114A JP 25411496 A JP25411496 A JP 25411496A JP H09138910 A JPH09138910 A JP H09138910A
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JP
Japan
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layer
patterning
metal layer
forming
magnetic
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JP8254114A
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Saigu Ro
載遇 盧
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Daiu Denshi Kk
WiniaDaewoo Co Ltd
Original Assignee
Daiu Denshi Kk
Daewoo Electronics Co Ltd
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Publication date
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
    • H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a lower magnetic film to a magnetic head used in a hard disk drive by forming a patterned masking layer on the upper surface of a metal layer and patterning the metal layer to the same shape as the masking layer. SOLUTION: A sheet layer 212, a magnetic layer 214 and a masking layer 216 are formed above a substrate 210 provided with the upper surface composed of a non-magnetic material. The masking layer 216 is divided into an ion injection layer 216a and a non-damaged layer 216b as the result of ion injection. A photoresist layer 218 is formed at the upper part of the masking layer 216 and a part 220 of the layer 218 is exposed to light beams so as to limit the size of a lower magnetic layer. Then, the part 220 of the layer 218 is removed, the layer 216 is partially removed and a first inclination part 223 is obtained. Then, the remaining one part 222 of the layer 218 is exposed. Then, while the part 222 is removed and the layer 216 is removed as well, by removing the part 222, the patterned masking layer 224 is obtained and the lower magnetic film 226 is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はハードディスクドラ
イブ（ＨＤＤ）に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、特
に、イオン注入方を用いて下部磁性膜を形成するための
向上された方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head used in a hard disk drive (HDD), and more particularly to an improved method for forming a lower magnetic film by using an ion implantation method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】周知のように、薄膜磁気ヘッドは磁気テ
ープまたは磁気ディスク上の信号を記録及び／または消
去するか読み込むのに広く用いられる。図１には、従来
の薄膜磁気ヘッド１００の概略的な断面図が示されてい
る。前記薄膜磁気ヘッド１００は、基板１１０上に形成
された第１磁性層１２４、前記第１磁性層１２４及び前
記基板１１０の上面の一部分上に形成された第２磁性層
１２６、前記第２磁性層１２６の一部分上に被着された
第１絶縁層１３４、電導性物質からなって、前記第１絶
縁層１３４の上部にパターニングされたコイル層１４
０、前記パターニングされたコイル層１４０及び前記第
１絶縁層１３４を被覆する第２絶縁層１３８及び前記第
２絶縁層１３８の上部に形成された上部磁性膜１３６を
含み、該上部磁性膜１３６は前記第２磁性層１２６の一
部分及び、前記第２絶縁層１３８で被覆されない前記第
１絶縁層１３４の一部分を被覆する。ここで、下部磁性
膜１２５は第１および第２磁性層１２４、１２６からな
る。さらに、前記第２磁性層１２６が前記第１磁性層１
２４の上部にステップを提供するため、ステップの上部
に連続的に形成される各々の層もやはりステップを提供
して、その結果、ステップ領域１４２が形成される。BACKGROUND OF THE INVENTION As is well known, thin film magnetic heads are widely used to record and / or erase or read signals on magnetic tapes or disks. FIG. 1 shows a schematic sectional view of a conventional thin film magnetic head 100. The thin film magnetic head 100 includes a first magnetic layer 124 formed on a substrate 110, a second magnetic layer 126 formed on a portion of the first magnetic layer 124 and an upper surface of the substrate 110, and a second magnetic layer. The first insulating layer 134 deposited on a portion of the first insulating layer 126, a coil layer 14 made of a conductive material and patterned on the first insulating layer 134.
0, a second insulating layer 138 that covers the patterned coil layer 140 and the first insulating layer 134, and an upper magnetic layer 136 formed on the second insulating layer 138. A part of the second magnetic layer 126 and a part of the first insulating layer 134 not covered with the second insulating layer 138 are covered. Here, the lower magnetic film 125 is composed of first and second magnetic layers 124 and 126. Further, the second magnetic layer 126 is the first magnetic layer 1
To provide a step on top of 24, each layer that is successively formed on top of the step also provides a step, resulting in the formation of step region 142.

【０００３】図２Ａ乃至図２Ｆによれば、図１に示され
たように、前記基板１１０の上部に前記下部磁性膜１２
５を形成するための従来の方法を示した概略的な断面図
が示されている。ここで、前記下部磁性膜１２５を形成
するための工程は、前記基板１１０の上部にスパッタリ
ングのような技法を用いて金属からなるシード層１１２
を形成することによって開始される。第１フォトレジス
ト層を、例えば、ポジティブ形態のフォトレジストをス
ピンコーティング法などのような方法を用いて前記シー
ド層１１２の上部に形成する。しかる後、前記フォトレ
ジスト層の一部分１１６、１１８が予め定められた形状
によってパターニングされることによって、図２Ａに示
されたように、前記シード層１１２の一部分を露出させ
る。2A to 2F, the lower magnetic layer 12 is formed on the substrate 110 as shown in FIG.
5, there is shown a schematic cross-sectional view showing a conventional method for forming 5. Here, in the process of forming the lower magnetic layer 125, a seed layer 112 made of metal is formed on the substrate 110 using a technique such as sputtering.
It is started by forming. A first photoresist layer is formed on the seed layer 112, for example, by using a positive type photoresist by a method such as a spin coating method. Thereafter, portions 116, 118 of the photoresist layer are patterned with a predetermined shape to expose a portion of the seed layer 112, as shown in FIG. 2A.

【０００４】図２Ｂに示されたように、前記パターニン
グされた部分１１６の一部分１２２は光ビームによって
照射される。図２Ｃに示されたように、第１磁性層１２
４が前記シード層１１２の露出された部分上に電解めっ
きされ、図２Ｄに示されたように、前記パターニングさ
れた部分１１６の前記露出された部分１２２が適切な現
像液を用いて取り除かれる。As shown in FIG. 2B, a portion 122 of the patterned portion 116 is illuminated by a light beam. As shown in FIG. 2C, the first magnetic layer 12
4 is electroplated onto the exposed portion of the seed layer 112 and the exposed portion 122 of the patterned portion 116 is removed with a suitable developer, as shown in FIG. 2D.

【０００５】その後、図２Ｅに示されたように、第２磁
性層１２６が前記第１磁性層１２４の上面及び前記露出
された部分１２２を除去することにより覆いを取られた
前記シード層１１２の部分上に電解めっきされる。図２
Ｆに示されたように、前記パターニングされた部分１１
８、１２０が除去され、それから好ましくない第１およ
び第２磁性膜及びシード層が全部前記基板１１０から取
り除かれる。Thereafter, as shown in FIG. 2E, the second magnetic layer 126 is covered by removing the upper surface of the first magnetic layer 124 and the exposed portion 122 of the seed layer 112. Electroplated on the part. FIG.
As shown in F, the patterned portion 11
8, 120 are removed, and then the undesired first and second magnetic films and seed layers are all removed from the substrate 110.

【０００６】次に、図１に示されたように、前記第１絶
縁層１３４が前記下部磁性膜１２５の上面上及び下部磁
性膜１２５によって被覆されていない部分の前記基板１
１０上の一部分に被着される。前記第１絶縁層１３４は
前記上部及び下部磁性膜１３６、１２５の間のギャップ
層としての機能をする。ここで、前記第１絶縁層１３４
の厚さは、薄膜磁気ヘッドの性能において重要な役割を
する。なぜならば、前記ギャップ層が狭ければ狭いほ
ど、磁気テープの狭い部分に磁場を拘束し得、予め定め
られた長さの磁気テープに多くの量の磁気信号を記録し
得るようにするためである。Next, as shown in FIG. 1, the first insulating layer 134 is on the upper surface of the lower magnetic film 125 and in the portion of the substrate 1 not covered by the lower magnetic film 125.
It is applied to a portion on 10. The first insulating layer 134 functions as a gap layer between the upper and lower magnetic layers 136 and 125. Here, the first insulating layer 134
Thickness plays an important role in the performance of the thin film magnetic head. This is because the narrower the gap layer is, the more the magnetic field can be confined to the narrow portion of the magnetic tape, and the larger amount of the magnetic signal can be recorded on the magnetic tape having the predetermined length. is there.

【０００７】前述した方法の主な短所のうちの１つは、
図２Ｆで点線の円で示した急なステップ１５０によっ
て、前記下部磁性膜１２５の上部に前記第１絶縁層１３
４を薄く且つ均一に形成しにくいということである。One of the main disadvantages of the above method is that
The first insulating layer 13 is formed on the lower magnetic layer 125 by abrupt step 150 shown by a dotted circle in FIG. 2F.
That is, it is difficult to form 4 thinly and uniformly.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、ＨＤＤに用いられる磁気ヘッドに下部磁性膜を
形成する方法を提供し、上部に薄膜絶縁層を容易に形成
できる形状を有する下部磁性膜の形成方法を提供するこ
とである。Therefore, a main object of the present invention is to provide a method of forming a lower magnetic film on a magnetic head used in an HDD, and to have a shape capable of easily forming a thin film insulating layer on the upper part thereof. A method of forming a lower magnetic film is provided.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、下部磁性膜を形成するための方法において、前記
方法は、前記方法は、（ａ）基板の上部に磁性層を形成
する工程と、（ｂ）前記磁性層の上部にマスク層を形成
する工程と、（ｃ）イオン注入法を用いてマスク層にイ
オン注入層を提供する工程と、（ｄ）第１傾斜壁部を形
成するようにエッチング液を用いて、前記前記マスク層
の一部をエッチングする工程と、（ｅ）第２傾斜壁部を
形成するように前記エッチング液を用いて、前記マスク
層の他の部分をエッチングすることによって、パターニ
ングされたマスク層を形成する工程と、（ｆ）前記磁性
層をイオンミリング法を用いて、前記パターニングされ
たマスク層と同一の形態でパターニングして、下部磁性
層を形成する工程と、からなることを特徴とするメタル
層をパターニングする方法である。In order to achieve the above object, in a method for forming a lower magnetic film, the method comprises: (a) forming a magnetic layer on the substrate. And (b) a step of forming a mask layer on the magnetic layer, (c) a step of providing an ion implantation layer on the mask layer using an ion implantation method, and (d) a first inclined wall portion. To etch a part of the mask layer with an etching solution so that (e) the etching solution is used to form the second sloped wall portion to remove the other part of the mask layer. Forming a patterned mask layer by etching, and (f) patterning the magnetic layer in the same form as the patterned mask layer using an ion milling method to form a lower magnetic layer. Process A method of patterning a metal layer, characterized in that it consists of.

【００１０】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施につい
て図面を参照しながらより詳しく説明する。Preferred embodiments of the present invention will be described in more detail below with reference to the drawings.

【００１１】図３Ａ乃至図３Ｆには、薄膜磁気ヘッドに
用いられる本発明の一実施例による下部磁性膜の製造方
法に関する工程を示した概略的な断面図が示されてい
る。3A to 3F are schematic sectional views showing steps involved in a method of manufacturing a lower magnetic film according to an embodiment of the present invention used in a thin film magnetic head.

【００１２】前記下部磁性膜を製造するための工程は、
例えば、二酸化シリコン (ＳｉＯ2)又は酸化アルミニウ
ム (Ａｌ2 Ｏ3)のような非磁性物質からなる上面を有す
る基板２１０の上部に、図３Ａに示されたように、スパ
ッタリング又は蒸着のような方法により形成されたシー
ド層２１２を形成することによって始まる。前記シード
層２１２は、各々５０〜２００Åの厚さを有する上部及
び下部層からなり、前記上部層が例えば、Ｎｉ−Ｆｅの
パーマロイからなり、前記下部層はＣｒからなる。ま
た、磁性層２１４は９〜１６μm の厚さを有し、例え
ば、Ｎｉ−Ｆｅのようなパーマロイ物質からなり、前記
シード層２１２の上部に電解めっきされる。The process for manufacturing the lower magnetic layer is as follows.
For example, a method such as sputtering or vapor deposition, as shown in FIG. 3A, on top of a substrate 210 having a top surface made of a non-magnetic material such as silicon dioxide (SiO 2 ) or aluminum oxide (Al 2 O 3 ). Begin by forming a seed layer 212 formed by. The seed layer 212 includes upper and lower layers each having a thickness of 50 to 200Å, the upper layer is made of, for example, Ni-Fe permalloy, and the lower layer is made of Cr. The magnetic layer 214 has a thickness of 9 to 16 μm, is made of a permalloy material such as Ni-Fe, and is electrolytically plated on the seed layer 212.

【００１３】二酸化シリコン (ＳｉＯ2)のような物質か
らなるマスク層２１６が、前記磁性層２１４の上部に被
着される。前記マスク層２１６の厚さは前記磁性層２１
４の厚さより大きいことが好ましい。その後、ポジティ
ブイオンからなるイオンビームでマスク層２１６に衝撃
を加えるイオン注入法を用いて、マスク層２１６の上部
にイオン注入層２１６ａが形成される。即ち、図３Ａに
示されたように、マスク層２１６はイオン注入の結果、
イオン注入層２１６ａと非損傷層２１６ｂとに分けら
れ、イオン注入層２１６ａは非損傷層２１６ｂの上部に
位置される。フォトレジスト層２１８がスピンコーティ
ングのような方法により前記マスク層２１６の上部に形
成され、前記下部磁性膜の大きさを限定するために、前
記フォトレジスト層２１８の一部分２２０は光ビームに
露出される。A mask layer 216 made of a material such as silicon dioxide (SiO 2 ) is deposited on top of the magnetic layer 214. The mask layer 216 has a thickness of the magnetic layer 21.
It is preferably greater than 4 thickness. Then, an ion implantation layer 216a is formed on the mask layer 216 by using an ion implantation method in which the mask layer 216 is bombarded with an ion beam of positive ions. That is, as shown in FIG. 3A, the mask layer 216 is formed as a result of ion implantation.
It is divided into an ion-implanted layer 216a and an undamaged layer 216b, and the ion-implanted layer 216a is located on the undamaged layer 216b. A photoresist layer 218 is formed on the mask layer 216 by a method such as spin coating, and a portion 220 of the photoresist layer 218 is exposed to a light beam to limit the size of the lower magnetic layer. .

【００１４】次の工程には、図３Ｂに示されたように、
前記フォトレジスト層２１８の一部分２２０は現像液を
用いて取り除かれ、該当部分２２０の下部の前記マスク
層２１６をエッチング液を用いて一部除去することによ
って、第１傾斜壁部２２３を得る。前記下部磁性膜のチ
ップ領域を限定するために、前記フォトレジスト層２１
８の残りの一部分２２２が光ビームに露出される。次の
工程に、前記の一部分２２２は現像液を用いて取り除か
れ、部分２２０の下部のマスク層２１６も、除去される
間、部分２２２を除去することにより覆いを取られたマ
スク層２１６の残りは、図３Ｃに示されたように、前記
磁性層２１４の上面が現される時までエッチング液を用
いて前記マスク層をエッチングすることによって、パタ
ーニングされたマスク層２２４を得ることになる。ここ
で、前記のパターニングされたマスク層２２４は第２傾
斜壁部２２５を備える。エッチング液は弗化アンモニウ
ム（ＮＨ4 Ｆ）に弗酸（ＨＦ）を混ぜて生成することが
好ましい。In the next step, as shown in FIG. 3B,
A portion 220 of the photoresist layer 218 is removed using a developing solution, and the mask layer 216 below the corresponding portion 220 is partially removed using an etching solution to obtain a first sloped wall portion 223. In order to limit the chip area of the lower magnetic layer, the photoresist layer 21
The remaining portion 222 of 8 is exposed to the light beam. In the next step, the portion 222 is removed with a developer, and the mask layer 216 underneath the portion 220 is also removed, while the remaining portion of the mask layer 216 which is uncovered by removing the portion 222. As shown in FIG. 3C, the patterned mask layer 224 is obtained by etching the mask layer with an etchant until the top surface of the magnetic layer 214 is exposed. Here, the patterned mask layer 224 includes a second inclined wall portion 225. The etching solution is preferably generated by mixing ammonium fluoride (NH 4 F) with hydrofluoric acid (HF).

【００１５】本発明の好ましい実施例によれば、イオン
注入層２１６ａ内に損傷があるために、エッチングの間
に非損傷層２１６ｂよりもイオン注入層２１６ａの方が
エッチング液により容易にエッチングされるので、エッ
チングの速度がさらに速くなって、マスク層２１６内に
イオン注入層２１６ａがない場合より緩慢な第１および
第２傾斜壁部が得られる。図３Ｄを参照すれば、前記パ
ターニングされたマスク層２２４の上部の前記フォトレ
ジスト層２１８は取り除かれる。ここで、前記磁性層２
１４がパターニングされる間、前記パターニングされた
マスク層２２４はマスク層として作用をする。According to a preferred embodiment of the present invention, the ion-implanted layer 216a is more easily etched by the etchant than the undamaged layer 216b during etching due to damage in the ion-implanted layer 216a. Therefore, the etching rate is further increased, and slower first and second inclined wall portions are obtained as compared with the case where the ion implantation layer 216a is not provided in the mask layer 216. Referring to FIG. 3D, the photoresist layer 218 on the patterned mask layer 224 is removed. Here, the magnetic layer 2
While 14 is being patterned, the patterned mask layer 224 acts as a mask layer.

【００１６】その後、前記磁性層２１４はドライエッチ
ング法、例えば、イオンミリングを用いてパターニング
されたマスク層２２４と同一の形状を有する下部磁性膜
２２６へパターニングされ、図３Ｅに示されたように、
前記下部磁性膜２２６は傾斜面２２９及び上部面２３０
を備える。Thereafter, the magnetic layer 214 is patterned into a lower magnetic layer 226 having the same shape as the patterned mask layer 224 by using a dry etching method, for example, ion milling, as shown in FIG. 3E.
The lower magnetic layer 226 has an inclined surface 229 and an upper surface 230.
Is provided.

【００１７】下部磁性膜２２６の内に緩慢な傾斜面２２
９がある場合、図３Ｆに示されたように、下部磁性膜の
上部に均一な薄膜絶縁層２２８を形成し易くなる。The slow magnetic sloping surface 22 is formed in the lower magnetic film 226.
9F, it becomes easy to form a uniform thin film insulating layer 228 on the lower magnetic film, as shown in FIG. 3F.

【００１８】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。While particular embodiments of the present invention have been described above, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the scope of the claims set forth herein.

【００１９】[0019]

【発明の効果】従って、本発明によれば、薄膜ヘッドに
用いられる下部磁性膜１２５を形成する従来の方法に比
べ、本発明はイオン注入法を用いて、イオン注入層のエ
ッチング速度がイオン注入されない層より速くなり、緩
慢な傾斜壁部を有する下部磁性膜２２６を提供し得ると
共に、前記下部磁性膜の上部に薄い均一な絶縁層の形成
を容易にする。Therefore, according to the present invention, as compared with the conventional method of forming the lower magnetic film 125 used in the thin film head, the present invention uses the ion implantation method and the etching rate of the ion implantation layer is ion implantation. The lower magnetic layer 226 may be faster than the non-magnetic layer and may have a slanted wall portion, and may facilitate the formation of a thin uniform insulating layer on the lower magnetic layer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】従来の薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional thin film magnetic head.

【図２】図１に示された薄膜磁気ヘッドにおいて、下部
磁性膜を形成するための従来の方法による順次の工程に
おける概略的な断面図を図２Ａ〜図２Ｆに示している。2A to 2F are schematic cross-sectional views showing successive steps in a conventional method for forming a lower magnetic film in the thin film magnetic head shown in FIG.

【図３】本発明の好ましい実施例による下部磁性膜の製
造方法による順次の工程における概略的な断面図を図３
Ａ〜図３Ｆに示している。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing successive steps in a method of manufacturing a lower magnetic film according to a preferred embodiment of the present invention.
It is shown in FIGS.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１００ 従来の薄膜磁気ヘッド １１０ 基板 １１２ シード層 １１６ パターニングされた部分 １２０ パターニングされた部分 １２２ パターニングされた部分１１６の一部分 １２４ 第１磁性層 １２５ 下部磁性膜 １２６ 第２磁性層 １３４ 第１絶縁層 １３６ 上部磁性膜 １３８ 第２絶縁層 １４０ コイル層 １４２ ステップ領域 １５０ 急なステップ ２１０ 基板 ２１２ シード層 ２１４ 磁性層 ２１６ マスク層 ２１６ａ イオン注入層 ２１６ｂ 非損傷層 ２１８ フォトレジスト層 ２２０ フォトレジスト層の一方側の一部分 ２２２ フォトレジスト層の他方側の一部分 ２２３ 第１傾斜壁部 ２２４ パターニングされたマスク層 ２２５ 第２傾斜壁部 ２２６ 下部磁性膜 ２２８ 絶縁層 ２２９ 傾斜面 ２３０ 上部面 100 Conventional Thin-Film Magnetic Head 110 Substrate 112 Seed Layer 116 Patterned Part 120 Patterned Part 122 Part of Patterned Part 116 124 First Magnetic Layer 125 Lower Magnetic Film 126 Second Magnetic Layer 134 First Insulating Layer 136 Top Magnetic film 138 Second insulating layer 140 Coil layer 142 Step region 150 Rapid step 210 Substrate 212 Seed layer 214 Magnetic layer 216 Mask layer 216a Ion implantation layer 216b Non-damaged layer 218 Photoresist layer 220 Part of one side of photoresist layer 222 Part of the other side of the photoresist layer 223 First sloped wall portion 224 Patterned mask layer 225 Second sloped wall portion 226 Lower magnetic film 228 Insulating layer 229 Slope surface 230 Top surface

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板の上面上に形成されたメタル層をパ
ターニングするための方法であって、前記方法は、
（ａ）上部に薄い層を容易に形成する形状を有するパタ
ーニングされたマスク層を前記メタル層の上面上に形成
する工程、及び（ｂ）前記メタル層を、前記パターニン
グされたマスク層と同一の形状にパターニングする工
程、を含むことを特徴とするメタル層をパターニングす
る方法。1. A method for patterning a metal layer formed on a top surface of a substrate, the method comprising:
(A) forming a patterned mask layer on the upper surface of the metal layer having a shape that easily forms a thin layer on the upper surface; and (b) forming the metal layer in the same manner as the patterned mask layer. Patterning into a shape, and a method of patterning a metal layer. 【請求項２】 前記工程（ａ）が、（ａ１）前記メタル
層の上面上にマスク層を被着する過程と、（ａ２）前記
マスク層にイオン注入法を用いてイオン注入層を形成す
る過程と、（ａ３）前記イオン注入層の上部にフォトレ
ジスト層を形成する過程と、（ａ４）第１傾斜壁部を形
成するように、エッチング液を用いて前記マスク層の一
部をエッチングする過程、及び（ａ５）第２傾斜壁部を
形成するように、前記エッチング液で前記マスク層の他
の一部をエッチングすることによって、パターニングさ
れたマスク層を得る工程と、を含むことを特徴とするメ
タル層パターニング方法。2. The step (a) comprises: (a1) depositing a mask layer on the upper surface of the metal layer; and (a2) forming an ion-implanted layer on the mask layer using an ion implantation method. Step (a3) forming a photoresist layer on the ion-implanted layer, and (a4) etching a part of the mask layer using an etchant so as to form the first inclined wall portion. And (a5) obtaining a patterned mask layer by etching another part of the mask layer with the etching solution so as to form the second inclined wall portion. A method for patterning a metal layer. 【請求項３】 前記メタル層が磁性物質からなることを
特徴とする請求項１又は２に記載のメタル層をパターニ
ングする方法。3. The method of patterning a metal layer according to claim 1, wherein the metal layer is made of a magnetic material. 【請求項４】 前記磁性物質がパーマロイからなること
を特徴とする請求項３に記載のメタル層をパターニング
する方法。4. The method of patterning a metal layer according to claim 3, wherein the magnetic material is permalloy. 【請求項５】 前記メタル層が８乃至１０μm の厚さを
有することを特徴とする請求項４に記載のメタル層をパ
ターニングする方法。5. The method of patterning a metal layer according to claim 4, wherein the metal layer has a thickness of 8 to 10 μm. 【請求項６】 前記マスク層が二酸化シリコン (ＳｉＯ
2)酸化絶縁膜からなることを特徴とする請求項２に記載
のメタル層をパターニングする方法。6. The mask layer is silicon dioxide (SiO 2).
2 ) The method for patterning a metal layer according to claim 2, which is composed of an oxide insulating film. 【請求項７】 前記マスク層が９乃至２０μm の厚さを
有することを特徴とする請求項２に記載のメタル層をパ
ターニングする方法。7. The method of patterning a metal layer according to claim 2, wherein the mask layer has a thickness of 9 to 20 μm. 【請求項８】 前記エッチング液は弗酸（ＨＦ）及び弗
化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）からなることを特徴とする
請求項７に記載のメタル層をパターニングする方法。8. The method of patterning a metal layer according to claim 7, wherein the etching solution comprises hydrofluoric acid (HF) and ammonium fluoride (NH 4 F). 【請求項９】 前記メタル層がイオンミリング法によっ
てパターニングされることを特徴とする請求項１に記載
のメタル層をパターニングする方法。9. The method for patterning a metal layer according to claim 1, wherein the metal layer is patterned by an ion milling method. 【請求項１０】 下部磁性膜を形成する方法において、
前記方法は、（ａ）基板の上部に磁性層を形成する工程
と、（ｂ）前記磁性層の上部にマスク層を形成する工程
と、（ｃ）イオン注入法を用い、前記マスク層にイオン
注入層を提供する工程と、（ｄ）第１傾斜壁部を形成す
るように、エッチング液を用いて前記マスク層の一部を
エッチングする工程と、（ｅ）第２傾斜壁部を形成する
ように、前記エッチング液を用いて前記マスク層の他の
部分をエッチングすることによって、パターニングされ
たマスク層を形成する工程と、（ｆ）前記磁性層をイオ
ンミリング法を用いて、前記パターニングされたマスク
層と同一の形態でパターニングして、下部磁性層を形成
する工程と、を含むことを特徴とするメタル層をパター
ニングする方法。10. A method of forming a lower magnetic film, comprising:
In the method, (a) a step of forming a magnetic layer on the substrate, (b) a step of forming a mask layer on the magnetic layer, and (c) an ion implantation method are used to form ions in the mask layer. Providing an injection layer; (d) etching a portion of the mask layer with an etchant so as to form the first sloped wall; and (e) forming a second sloped wall. Forming a patterned mask layer by etching the other part of the mask layer using the etching solution, and (f) patterning the magnetic layer using an ion milling method. Forming a lower magnetic layer by patterning the same shape as the mask layer, and patterning the metal layer.
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