JPH05110134A - 光素子基板 - Google Patents

光素子基板

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Publication number
JPH05110134A
JPH05110134A JP29373491A JP29373491A JPH05110134A JP H05110134 A JPH05110134 A JP H05110134A JP 29373491 A JP29373491 A JP 29373491A JP 29373491 A JP29373491 A JP 29373491A JP H05110134 A JPH05110134 A JP H05110134A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
core
optical element
dielectric
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP29373491A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigemi Sato
茂己 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Tohoku Corp
Original Assignee
NEC Tohoku Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Tohoku Corp filed Critical NEC Tohoku Corp
Priority to JP29373491A priority Critical patent/JPH05110134A/ja
Publication of JPH05110134A publication Critical patent/JPH05110134A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光伝送路と光素子との間において、光の結合
損失を低減する。 【構成】 両端面を光素子基板1の両面と面一にした円
柱形状のコア2が、導光路として形成される第一誘電体
である。光素子がコア2の一方の面に、光伝送路がコア
2の他方の面に形成される。このコア2を包囲し、両端
面を光素子基板1の両面と面一にした円筒形状のクラッ
ド3が、コア2より屈折率の低い第二誘電体とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光素子基板に関し、特
に半導体受光素子と半導体発光素子を形成する場合に、
好適に用いられる基板に関する。
【0002】
【従来の技術】光リンクを構成する光コンポーネントと
して、発光ダイオード,半導体レーザなどの半導体発光
素子やホトダイオードなどの半導体受光素子が広く利用
されている。そして、これらの半導体発光素子などを形
成する際に用いる従来の基板10は、図4に示すよう
に、同一材料によって形成されている。例えば、イリジ
ウム・リン化合物(InP)が用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板では、発光ダイオードなどの光素子を、基板の上部
に形成する。このために、発光部分から光線が分散して
放出され、その状態の光線が光伝送路である光ファイバ
などに入るので、その結合部分にて結合損失を発生させ
るという問題がある。
【0004】本発明は、上記問題点にかんがみなされた
もので、光伝送路と光素子との間において、光の結合損
失を低減する光素子基板を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1にかかる本発明は、基板の板厚方向の全体
に設けられて導光路として形成され、光素子が一方の面
に、光伝送路が他方の面に形成される第一誘電体と、上
記第一誘電体を基板の板面方向に包囲し、かつ基板の板
厚方向の全体に設けられ、上記第一誘電体より屈折率が
低い第二誘電体とで構成してある。また、好ましくは両
端面を基板の両面と面一にした円柱形状のコアが、上記
第一誘電体となり、上記コアを包囲し、両端面を基板の
両面と面一にした円筒形状のクラッドが、上記第二誘電
体となる構成としてある。
【0006】
【作用】上記のように構成した請求項1にかかる本発明
においては、基板の一面に設けた光素子から光が出る
と、導光路である第一誘電体内を伝わって、他面に結合
された光伝送路へ送られる。また、他面に結合した光伝
送路から、第一誘電体内を伝わって、一面に設けた光素
子へ光が進入する。さらに、請求項2にかかる本発明に
おいては、コアとクラッドが光ファイバに類似した構造
となって、コア内を光が伝わる。また、コアの一端面に
光素子を形成し、他端面に光伝送路を結合する。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図3に
基づいて説明する。図1と図2は本実施例の光素子基板
1の斜視図と断面図である。同図において、2は基板4
の板厚方向の全体に設けられて、両端面を基板4の上下
面と面一とした円柱形状のコアである。そして、このコ
ア2の材料は誘電体である石英ガラスである。
【0008】また、3はコア2を基板4の板面方向に包
囲し、コア2と同様に両端面を基板4の上下面と面一と
した円筒形状のクラッドである。そして、クラッド3の
材料は、ほう素やふっ素を含めた二酸化けい素または、
プラスチックなどの有機材などであって、コア2より屈
折率を低くした誘電体である。このコア2とクラッド3
との組み合わせによって、光ファイバと類似した構成に
なっている。従って、コア2内部の屈折率を一様とし、
外周部分の屈折率の分布をクラッド3の屈折率に対して
ステップ状として、スッテップ型光ファイバに類似した
ものとなる。また、この分布が傾斜状になるとグレーデ
ッド型光ファイバに類似したものとなる。
【0009】なお、基板4は従来の材料(インジウムリ
ン化合物など)を用いて板状としたものである。また、
基板4も第二誘電体であるクラッド3によって形成して
もよい。
【0010】つぎに、上述の光素子基板1の下面に発光
素子5を形成した場合を、図3に示して説明する。発光
素子5は、発光部5aを含む活性層5bと、クラッド層
5cと、電極5dと、絶縁膜5eとで構成されている。
発光部5aはコア2の下方に位置し、両電極5dに給電
して発光部5aから出た光はコア2内を通って、フラッ
トな光素子基板1の上面からきれいに収束した形で放出
される。
【0011】そして、この放出された光線は、図示しな
い結合された光ファイバのコア部分に効率的に伝わるこ
とができ、光ファイバとの結合損失は著しく減少され
る。これは、コア2内に入った光線が、ステップ型であ
ればコア2とクラッド3の境界で、全反射を繰り返して
伝わり、そしてコア2の端面において、光線がきれいに
収束して出て、結合した光ファイバのコア部分に外に漏
れることなく入るためである。
【0012】また、グレーデッド型では、コア2内を蛇
行して伝わるが、屈折率の分布を半径の二乗で減少させ
るとレンズ作用を持ち、光線は中心軸上の1点に集束す
る状態を繰り返して進む。このため、より好ましい状態
で結合した光ファイバに伝わり、結合損失もさらに効果
的に減少できる。さらに、光ファイバとの結合面は、フ
ラットな光素子基板1の上面であるために、形状的対策
を施し易くなり、結果として結合損失を減少できる。な
お、発光素子として、発光ダイオード、半導体レーザな
どが用いられ、受光素子としては、ホトダイオードなど
が用いられる。
【0013】
【発明の効果】以上のように請求項1にかかる本発明に
よると、導光路を形成する第一誘電体を、これより屈折
率の低い第二誘電体によって包囲する構成としたので、
光伝送路と光素子との間における光の結合損失を低減す
ることができる。また、請求項2にかかる本発明による
と、第一誘電体を円柱状のコアとし、第二誘電体を円筒
状のクラッドとしたので、光の結合損失を効果的に減少
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例の光素子基板を示す斜視図。
【図2】同上の断面図。
【図3】発光素子を形成した光素子基板の断面図。
【図4】従来の基板の斜視図。
【符号の説明】
1 光素子基板 2 コア 3 クラッド 4 基板 5 発光素子 10 InP基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の板厚方向の全体に設けられて導光
    路として形成され、光素子が一方の面に、光伝送路が他
    方の面に形成される第一誘電体と、 上記第一誘電体を基板の板面方向に包囲し、かつ基板の
    板厚方向の全体に設けられ、上記第一誘電体より屈折率
    が低い第二誘電体とで構成されることを特徴とする光素
    子基板。
  2. 【請求項2】 両端面を基板の両面と面一にした円柱形
    状のコアが、上記第一誘電体となり、 上記コアを包囲し、両端面を基板の両面と面一にした円
    筒形状のクラッドが、上記第二誘電体となることを特徴
    とする請求項1に記載される光素子基板。
JP29373491A 1991-10-14 1991-10-14 光素子基板 Pending JPH05110134A (ja)

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JP29373491A JPH05110134A (ja) 1991-10-14 1991-10-14 光素子基板

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JP29373491A JPH05110134A (ja) 1991-10-14 1991-10-14 光素子基板

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001111146A (ja) * 1999-08-30 2001-04-20 Lucent Technol Inc 電磁放射ソースを提供するレーザ構造体を含む物品
JP2006523428A (ja) * 2003-04-02 2006-10-12 サン・マイクロシステムズ・インコーポレイテッド 対面した半導体チップ間の光通信

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JP2001111146A (ja) * 1999-08-30 2001-04-20 Lucent Technol Inc 電磁放射ソースを提供するレーザ構造体を含む物品
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