JPH05109710A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05109710A JPH05109710A JP27162291A JP27162291A JPH05109710A JP H05109710 A JPH05109710 A JP H05109710A JP 27162291 A JP27162291 A JP 27162291A JP 27162291 A JP27162291 A JP 27162291A JP H05109710 A JPH05109710 A JP H05109710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- interlayer insulating
- semiconductor device
- insulating layer
- protrusions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱応力による金属配線の断線を防止する。
【構成】層間絶縁層の間にある金属配線１Ｂの深さ方向
に凸状の突起４Ｂを設ける。
に凸状の突起４Ｂを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
金属配線の構造に関する。
金属配線の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図３に示すよう
に、半導体基板３上には同一の幅および厚さを有する金
属配線１Ｃが層間絶縁層２Ａ，２Ｂで覆われて形成され
た構造となっていた。
に、半導体基板３上には同一の幅および厚さを有する金
属配線１Ｃが層間絶縁層２Ａ，２Ｂで覆われて形成され
た構造となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に半導体装置で使
用される金属の熱膨張係数は、絶縁物よりも大である。
高温で形成された金属配線層と層間絶縁層は、低温にな
るとそれぞれの熱膨張係数の違いから、層間絶縁層は収
縮しようとする金属配線層を収縮させないように引っ張
り応力をおよぼす。この応力により金属原子に移動が起
こり、金属配線層に空乏が生じる。さらに、金属配線層
は引っ張り応力と空乏の易動度に応じて変形し、欠けを
生じる。この傾向は配線が多層になる程大きくなる。
用される金属の熱膨張係数は、絶縁物よりも大である。
高温で形成された金属配線層と層間絶縁層は、低温にな
るとそれぞれの熱膨張係数の違いから、層間絶縁層は収
縮しようとする金属配線層を収縮させないように引っ張
り応力をおよぼす。この応力により金属原子に移動が起
こり、金属配線層に空乏が生じる。さらに、金属配線層
は引っ張り応力と空乏の易動度に応じて変形し、欠けを
生じる。この傾向は配線が多層になる程大きくなる。
【０００４】この欠けには大別して二種類ある。一つは
クサビ状のボイドであり他の一つはスリット状のボイド
である。特に後者のスリット状ボイドは配線を断線させ
るため、半導体装置の信頼性及び歩留りを低下させると
いう問題点があった。
クサビ状のボイドであり他の一つはスリット状のボイド
である。特に後者のスリット状ボイドは配線を断線させ
るため、半導体装置の信頼性及び歩留りを低下させると
いう問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
金属配線に凸状の突起を設けたものである。
金属配線に凸状の突起を設けたものである。
【０００６】応力に起因するスリット状ボイドは、金属
配線間の接続部近傍ではほとんど発生していない。これ
は金属配線間の接続部で応力が分散されているためと思
われる。本発明の半導体装置はこの事実を応用したもの
で、層間絶縁層の間の金属配線に面方向、あるいは深さ
方向に凸状の突起を設けボイドの発生を抑制するもので
ある。
配線間の接続部近傍ではほとんど発生していない。これ
は金属配線間の接続部で応力が分散されているためと思
われる。本発明の半導体装置はこの事実を応用したもの
で、層間絶縁層の間の金属配線に面方向、あるいは深さ
方向に凸状の突起を設けボイドの発生を抑制するもので
ある。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置における
配線の平面図である。
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置における
配線の平面図である。
【０００８】この第１の実施例では、層間絶縁層に覆わ
れたアルミニウム等からなる金属配線１Ａの幅方向に凸
状の突起４Ａを設けたものである。
れたアルミニウム等からなる金属配線１Ａの幅方向に凸
状の突起４Ａを設けたものである。
【０００９】このように構成された第１の実施例によれ
ば、層間絶縁層からの引っ張り応力が突起４Ａによって
分散されるため、金属配線１Ａにスリット状のボイドが
発生することはなくなる。
ば、層間絶縁層からの引っ張り応力が突起４Ａによって
分散されるため、金属配線１Ａにスリット状のボイドが
発生することはなくなる。
【００１０】図２（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例の半導体装置における配線の平面図及び断面図であ
る。この第２の実施例においては、層間絶縁層に覆われ
た金属配線１Ｂの深さ方向に凸状の突起４Ｂを設けたも
のである。
例の半導体装置における配線の平面図及び断面図であ
る。この第２の実施例においては、層間絶縁層に覆われ
た金属配線１Ｂの深さ方向に凸状の突起４Ｂを設けたも
のである。
【００１１】このように構成された第２の実施例におい
ても、層間絶縁層からの引っ張り応力が突起４Ｂによっ
て分散される。また、深さ方向への突起であるため、半
導体装置の大きさ、縮小化に与える影響は小さい。
ても、層間絶縁層からの引っ張り応力が突起４Ｂによっ
て分散される。また、深さ方向への突起であるため、半
導体装置の大きさ、縮小化に与える影響は小さい。
【００１２】尚、上記実施例においては配線の幅方向及
び深さ方向に突起を設けた場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、配線の上下左右に突起を
設けてもよい。
び深さ方向に突起を設けた場合について説明したが、こ
れに限定されるものではなく、配線の上下左右に突起を
設けてもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、金属配線
に突起を設けることにより、層間絶縁層からの引っ張り
応力を分散できるため、熱膨張係数の差から生じる金属
配線の断線を防止できるという効果を有する。このため
半導体装置の信頼性及び歩留りを向上させることができ
る。
に突起を設けることにより、層間絶縁層からの引っ張り
応力を分散できるため、熱膨張係数の差から生じる金属
配線の断線を防止できるという効果を有する。このため
半導体装置の信頼性及び歩留りを向上させることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例における配線の平面図。
【図２】本発明の第２の実施例における配線の平面図及
び断面図。
び断面図。
【図３】従来の半導体装置の一例の断面図。
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ 金属配線 ２Ａ，２Ｂ 層間絶縁層 ３ 半導体基板 ４Ａ，４Ｂ 突起
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された金属からなる
配線を有する半導体基板において、前記配線には凸状の
突起が形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27162291A JPH05109710A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27162291A JPH05109710A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109710A true JPH05109710A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17502641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27162291A Pending JPH05109710A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021256114A1 (ja) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP27162291A patent/JPH05109710A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021256114A1 (ja) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
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