JPH0510816A - 赤外線検知素子の製造方法 - Google Patents
赤外線検知素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0510816A JPH0510816A JP16683991A JP16683991A JPH0510816A JP H0510816 A JPH0510816 A JP H0510816A JP 16683991 A JP16683991 A JP 16683991A JP 16683991 A JP16683991 A JP 16683991A JP H0510816 A JPH0510816 A JP H0510816A
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- JP
- Japan
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- light receiving
- cold shield
- detecting element
- receiving portion
- curable fluid
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は赤外線検知素子の製造方法に関し、空
間分解能の高い同素子の実現を目的とする。 【構成】素子基板２２上に受光部２４を形成するステッ
プと、該素子基板２２上に硬化性流動体３０を塗布して
これを硬化させるステップと、硬化した上記硬化性流動
体をエッチングにより部分的に除去して立体格子状のコ
ールドシールド本体３２を形成するステップと、該コー
ルドシールド本体３２の表面に低反射コーティング３４
を形成するステップとを含んで構成する。
間分解能の高い同素子の実現を目的とする。 【構成】素子基板２２上に受光部２４を形成するステッ
プと、該素子基板２２上に硬化性流動体３０を塗布して
これを硬化させるステップと、硬化した上記硬化性流動
体をエッチングにより部分的に除去して立体格子状のコ
ールドシールド本体３２を形成するステップと、該コー
ルドシールド本体３２の表面に低反射コーティング３４
を形成するステップとを含んで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線検知素子の製造方
法に関する。赤外線検知素子は、受光部に入射した赤外
線の強度を電気信号に変換して出力するものである。赤
外線検知素子の検知感度を高めるためには、検知対象物
から受光部に入射する赤外線の視野角をできるだけ狭め
て、検知対象物以外の背景からくる余分な輻射線を排除
することが望ましい。このため、受光部の赤外線入射側
に視野角を制限する遮蔽部材を配置して、背景からの輻
射線を排除するようにしている。この場合、遮蔽部材の
温度が高いと遮蔽部材からの輻射線が受光部に入射して
検知感度を低下させるので、遮蔽部材は受光部と同様低
温に冷却して使用され、この遮蔽部材はコールドシール
ドと称される。
法に関する。赤外線検知素子は、受光部に入射した赤外
線の強度を電気信号に変換して出力するものである。赤
外線検知素子の検知感度を高めるためには、検知対象物
から受光部に入射する赤外線の視野角をできるだけ狭め
て、検知対象物以外の背景からくる余分な輻射線を排除
することが望ましい。このため、受光部の赤外線入射側
に視野角を制限する遮蔽部材を配置して、背景からの輻
射線を排除するようにしている。この場合、遮蔽部材の
温度が高いと遮蔽部材からの輻射線が受光部に入射して
検知感度を低下させるので、遮蔽部材は受光部と同様低
温に冷却して使用され、この遮蔽部材はコールドシール
ドと称される。
【０００２】
【従来の技術】コールドシールドを備えた従来の赤外線
検知素子の構成を図３に示す。２はサファイア等からな
る素子基板、４は素子基板２上に形成された受光部、８
は素子基板２の受光部４が形成されている側の面に支持
体６を介して取り付けられたコールドシールド母材、１
０はコールドシールド母材８の下面側に形成された赤外
線を吸収する低反射コーティング、１２は低反射コーテ
ィング１０の受光部４に対向する部分を除去してなるコ
ールドシールド開口部である。
検知素子の構成を図３に示す。２はサファイア等からな
る素子基板、４は素子基板２上に形成された受光部、８
は素子基板２の受光部４が形成されている側の面に支持
体６を介して取り付けられたコールドシールド母材、１
０はコールドシールド母材８の下面側に形成された赤外
線を吸収する低反射コーティング、１２は低反射コーテ
ィング１０の受光部４に対向する部分を除去してなるコ
ールドシールド開口部である。
【０００３】受光部４の図中左右方向の幅は例えば約５
０μｍであり、開口部１２の同方向の幅は例えば約６０
μｍである。また、受光部４の上面と開口部の間の隙間
は例えば１０μｍである。この場合、各受光部４に対す
る視野角（ＦＯＶ）は６０°〜７０°となる。
０μｍであり、開口部１２の同方向の幅は例えば約６０
μｍである。また、受光部４の上面と開口部の間の隙間
は例えば１０μｍである。この場合、各受光部４に対す
る視野角（ＦＯＶ）は６０°〜７０°となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の赤外線
検知素子にあっては、その構造上受光部４と開口部１２
の間の隙間を大きくすることができないので、受光可能
な実質的な開口角はＦＯＶよりも大きくなり（例えば１
６０°）、図示しないレンズ保持部や検知器容器の外筒
からの迷光が受光されて、受光感度の低下により空間分
解能が低下するという問題があった。
検知素子にあっては、その構造上受光部４と開口部１２
の間の隙間を大きくすることができないので、受光可能
な実質的な開口角はＦＯＶよりも大きくなり（例えば１
６０°）、図示しないレンズ保持部や検知器容器の外筒
からの迷光が受光されて、受光感度の低下により空間分
解能が低下するという問題があった。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、空間分解能の高い赤外線検知素子の製造方法
を提供することを目的としている。
たもので、空間分解能の高い赤外線検知素子の製造方法
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した技術的課題を解
決するために創作された本発明の赤外線検知素子の製造
方法は、素子基板上に受光部を形成するステップと、該
素子基板上に硬化性流動体を塗布してこれを硬化させる
ステップと、硬化した上記硬化性流動体をエッチングに
より部分的に除去して立体格子状のコールドシールド本
体を形成するステップと、該コールドシールド本体の表
面に低反射コーティングを形成するステップとを含んで
いる。
決するために創作された本発明の赤外線検知素子の製造
方法は、素子基板上に受光部を形成するステップと、該
素子基板上に硬化性流動体を塗布してこれを硬化させる
ステップと、硬化した上記硬化性流動体をエッチングに
より部分的に除去して立体格子状のコールドシールド本
体を形成するステップと、該コールドシールド本体の表
面に低反射コーティングを形成するステップとを含んで
いる。
【０００７】
【作用】本発明方法によると、素子基板上に塗布された
硬化性流動体を硬化させてこれに基づいて立体格子状の
コールドシールド本体を形成するようにしているので、
開口部と受光部の間の隙間を大きくすることができるよ
うになり、実質的な開口角をＦＯＶに近づけて、受信感
度の増大により空間分解能を高めることができる。
硬化性流動体を硬化させてこれに基づいて立体格子状の
コールドシールド本体を形成するようにしているので、
開口部と受光部の間の隙間を大きくすることができるよ
うになり、実質的な開口角をＦＯＶに近づけて、受信感
度の増大により空間分解能を高めることができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明の実施例を示す赤外線検知素子の製造
プロセスの説明図である。
る。図１は本発明の実施例を示す赤外線検知素子の製造
プロセスの説明図である。
【０００９】まず、図１（Ａ）に示すように、サファイ
アからなる素子基板２２上に液相エピタキシャル結晶成
長法等により半導体（例えば水銀、カドミウム、テルル
化合物半導体）からなる受光部２４を形成する。この例
では、受光部２４は等間隔で一列に複数形成されてい
る。
アからなる素子基板２２上に液相エピタキシャル結晶成
長法等により半導体（例えば水銀、カドミウム、テルル
化合物半導体）からなる受光部２４を形成する。この例
では、受光部２４は等間隔で一列に複数形成されてい
る。
【００１０】また、受光部２４を形成する半導体の抵抗
値変化を検出するために、共通電極２６と個別電極２８
とを設けておく。受光部２４に所定波長の赤外線が入射
すると、入射赤外線の強度に応じて受光部２４を形成し
ている半導体の抵抗値が変化するので、入射赤外線の強
度を電気信号として取り出すことができる。
値変化を検出するために、共通電極２６と個別電極２８
とを設けておく。受光部２４に所定波長の赤外線が入射
すると、入射赤外線の強度に応じて受光部２４を形成し
ている半導体の抵抗値が変化するので、入射赤外線の強
度を電気信号として取り出すことができる。
【００１１】次いで、図１（Ｂ）に示すように、素子基
板２２上に受光部２４及び電極２６，２８を覆うように
ポリイミド、ＰＧＳ（リンガラス）、低粘度ネガレジス
ト等の硬化性流動体３０を塗布して、これをその種類に
応じた方法により硬化させる。
板２２上に受光部２４及び電極２６，２８を覆うように
ポリイミド、ＰＧＳ（リンガラス）、低粘度ネガレジス
ト等の硬化性流動体３０を塗布して、これをその種類に
応じた方法により硬化させる。
【００１２】しかる後、通常の半導体製造プロセスにお
けるのと同様にエッチングを含むパターニングプロセス
により、硬化した硬化性流動体を部分的に除去して、図
１（Ｃ）に示すように立体格子状のコールドシールド本
体３２を形成する。
けるのと同様にエッチングを含むパターニングプロセス
により、硬化した硬化性流動体を部分的に除去して、図
１（Ｃ）に示すように立体格子状のコールドシールド本
体３２を形成する。
【００１３】そして最後に、コールドシールド本体３２
の表面に低反射コーティングを形成する。この低反射コ
ーティングは、例えば、コールドシールド本体３２上に
厚い金属膜と所定厚みの絶縁膜と薄い金属膜とを積層す
ることにより形成される。
の表面に低反射コーティングを形成する。この低反射コ
ーティングは、例えば、コールドシールド本体３２上に
厚い金属膜と所定厚みの絶縁膜と薄い金属膜とを積層す
ることにより形成される。
【００１４】図２は図１（Ｃ）に示されたＡ−Ａ線に沿
った赤外線検知素子の断面図である。図１に示された製
造プロセスによる場合、コールドシールド本体３２の高
さ（開口部と受光部の間の隙間に相当）を６０μｍ以上
にすることができるので、図中破線で示される実質的な
開口角を１００°以下に設定して迷光による感度の低下
を小さく抑えることができる。その結果、空間分解能の
高い赤外線検知素子の提供が可能になる。図２において
３４で示されるのは低反射コーティングである。
った赤外線検知素子の断面図である。図１に示された製
造プロセスによる場合、コールドシールド本体３２の高
さ（開口部と受光部の間の隙間に相当）を６０μｍ以上
にすることができるので、図中破線で示される実質的な
開口角を１００°以下に設定して迷光による感度の低下
を小さく抑えることができる。その結果、空間分解能の
高い赤外線検知素子の提供が可能になる。図２において
３４で示されるのは低反射コーティングである。
【００１５】図２の左右方向におけるコールドシールド
本体３２の各厚みは、厚すぎるとＦＯＶが小さくなり、
薄すぎると強度が低下するので、受光部２４の同方向に
おける長さが５０μｍ程度である場合には、２５μｍ程
度であることが望ましい。
本体３２の各厚みは、厚すぎるとＦＯＶが小さくなり、
薄すぎると強度が低下するので、受光部２４の同方向に
おける長さが５０μｍ程度である場合には、２５μｍ程
度であることが望ましい。
【００１６】コールドシールド本体３２の材質としてポ
リイミド樹脂を用いた場合、線熱膨張係数の差に起因す
る素子基板との接合部の破損の恐れが少ないので、コー
ルドシールド本体の高さを十分高くすることができ、よ
り一層の高感度化が可能になる。
リイミド樹脂を用いた場合、線熱膨張係数の差に起因す
る素子基板との接合部の破損の恐れが少ないので、コー
ルドシールド本体の高さを十分高くすることができ、よ
り一層の高感度化が可能になる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
検知感度が高く従って空間分解能の高い赤外線検知素子
の製造方法の提供が可能になるという効果を奏する。
検知感度が高く従って空間分解能の高い赤外線検知素子
の製造方法の提供が可能になるという効果を奏する。
【図１】本発明の実施例を示す赤外線検知素子の製造プ
ロセスの説明図である。
ロセスの説明図である。
【図２】図１（Ｃ）におけるＡ−Ａ線に沿った赤外線検
知素子の断面図である。
知素子の断面図である。
【図３】従来技術の説明図である。
２２ 素子基板
２４ 受光部
３０ 硬化性流動体
３２ コールドシールド本体
３４ 低反射コーティング
Claims (2)
- 【請求項１】 素子基板(22)上に受光部(24)を形成する
ステップと、該素子基板(22)上に硬化性流動体(30)を塗
布してこれを硬化させるステップと、 硬化した上記硬化性流動体をエッチングにより部分的に
除去して立体格子状のコールドシールド本体(32)を形成
するステップと、 該コールドシールド本体(32)の表面に低反射コーティン
グ(34)を形成するステップとを含むことを特徴とする赤
外線検知素子の製造方法。 - 【請求項２】 上記硬化性流動体(30)がポリイミド樹脂
であることを特徴とする請求項１に記載の赤外線検知素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16683991A JPH0510816A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16683991A JPH0510816A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0510816A true JPH0510816A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15838612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16683991A Withdrawn JPH0510816A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0510816A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09318446A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Yokogawa Electric Corp | マイクロ分光分析器 |
| JP2007127496A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Nec Corp | 熱型赤外線検知器 |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP16683991A patent/JPH0510816A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09318446A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Yokogawa Electric Corp | マイクロ分光分析器 |
| JP2007127496A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Nec Corp | 熱型赤外線検知器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |