JPH05104447A - ポリツシングデイスク - Google Patents
ポリツシングデイスクInfo
- Publication number
- JPH05104447A JPH05104447A JP12495891A JP12495891A JPH05104447A JP H05104447 A JPH05104447 A JP H05104447A JP 12495891 A JP12495891 A JP 12495891A JP 12495891 A JP12495891 A JP 12495891A JP H05104447 A JPH05104447 A JP H05104447A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- volume
- chromium oxide
- concentration
- polishing
- resin
- Prior art date
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 メカノケミカルポリッシングを利用したポリ
ッシングディスクによる除去量を増加させるとともに良
好な平坦度を維持する。 【構成】 ポリッシングディスク１は、３μｍ以下の酸
化クロムを砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分
４および低濃度の結合相部分５が一体的に焼成されるこ
とにより構成される。 高濃度のレジン結合顆粒部分４
は、全体の３０〜８０容量を％占めるものであり、前記
酸化クロムを７０〜９７容量％含有する。残りの低濃度
の結合相部分５は、酸化クロムを１０〜５０容量％含有
する。また、前記高濃度のレジン結合顆粒部分の砥材
は、その含有量の一部１０〜７０容量％を他の砥材で置
換できるものである。置換成分は、３μｍ以下のダイヤ
モンド、ＳｉＣ、ＣｅＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＣＢＮの１種ま
たは２種以上である。
ッシングディスクによる除去量を増加させるとともに良
好な平坦度を維持する。 【構成】 ポリッシングディスク１は、３μｍ以下の酸
化クロムを砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分
４および低濃度の結合相部分５が一体的に焼成されるこ
とにより構成される。 高濃度のレジン結合顆粒部分４
は、全体の３０〜８０容量を％占めるものであり、前記
酸化クロムを７０〜９７容量％含有する。残りの低濃度
の結合相部分５は、酸化クロムを１０〜５０容量％含有
する。また、前記高濃度のレジン結合顆粒部分の砥材
は、その含有量の一部１０〜７０容量％を他の砥材で置
換できるものである。置換成分は、３μｍ以下のダイヤ
モンド、ＳｉＣ、ＣｅＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＣＢＮの１種ま
たは２種以上である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンナイトライド
（Ｓｉ3Ｎ4）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、チタン
ボライド（ＴｉＢ2）などのセラミックス焼結体、結晶
化ガラスなどを鏡面加工するポリッシングディスクに関
し、特に研磨能率を向上し得るようにしたものである。
（Ｓｉ3Ｎ4）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、チタン
ボライド（ＴｉＢ2）などのセラミックス焼結体、結晶
化ガラスなどを鏡面加工するポリッシングディスクに関
し、特に研磨能率を向上し得るようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンナイトライド、シリコン
カーバイド、チタンボライドなどのセラミックス焼結体
を鏡面加工する場合、一般的には、ダイヤモンド砥粒を
用いて加工を行なっている。
カーバイド、チタンボライドなどのセラミックス焼結体
を鏡面加工する場合、一般的には、ダイヤモンド砥粒を
用いて加工を行なっている。
【０００３】また、一部では、特公昭５６−２３７４６
号公報にみられるように機械的な除去作用と化学的な除
去作用を併用したいわゆるメカノケミカルポリッシング
が行なわれている。
号公報にみられるように機械的な除去作用と化学的な除
去作用を併用したいわゆるメカノケミカルポリッシング
が行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイヤ
モンド砥粒による方法では、砥粒先端における微小切削
作用もしくは熱流動作用を利用した加工法であるため、
スクラッチが多く、表面変質や残留ひずみも大きく、加
工変質層を１μｍ以下に抑えることがむずかしい問題点
があった。また、研磨周辺のダレや面精度の点で必ずし
も優れているものではなかった。
モンド砥粒による方法では、砥粒先端における微小切削
作用もしくは熱流動作用を利用した加工法であるため、
スクラッチが多く、表面変質や残留ひずみも大きく、加
工変質層を１μｍ以下に抑えることがむずかしい問題点
があった。また、研磨周辺のダレや面精度の点で必ずし
も優れているものではなかった。
【０００５】これに対し、特公昭５６−２３７４６号公
報にみられるようなメカノケミカルポリッシングでは、
加工ひずみや加工変質層が少なく、また面精度の高いと
いう優れた点を有しているが、研磨能率が低いという問
題点があった。
報にみられるようなメカノケミカルポリッシングでは、
加工ひずみや加工変質層が少なく、また面精度の高いと
いう優れた点を有しているが、研磨能率が低いという問
題点があった。
【０００６】このようなことから、本発明では、メカノ
ポリッシングを応用したポリッシングディスクを提供し
て研磨能率が向上するようにしたものである。
ポリッシングを応用したポリッシングディスクを提供し
て研磨能率が向上するようにしたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の点に鑑
みなされたもので、ポリッシングディスクは、３μｍ以
下の酸化クロムを砥材として含む高濃度のレジン結合顆
粒部分および低濃度の結合相部分が一体的に焼成される
ように構成したものである。この場合、高濃度のレジン
結合顆粒部分は、全体の３０〜８０容量％占めるととも
に、酸化クロムを７０〜９７容量％含有しているもので
ある。これに対し、残りの低濃度の結合相部分は、酸化
クロムを１０〜５０容量％含有しているものである。
みなされたもので、ポリッシングディスクは、３μｍ以
下の酸化クロムを砥材として含む高濃度のレジン結合顆
粒部分および低濃度の結合相部分が一体的に焼成される
ように構成したものである。この場合、高濃度のレジン
結合顆粒部分は、全体の３０〜８０容量％占めるととも
に、酸化クロムを７０〜９７容量％含有しているもので
ある。これに対し、残りの低濃度の結合相部分は、酸化
クロムを１０〜５０容量％含有しているものである。
【０００８】また、前記高濃度のレジン結合顆粒部分に
ついては、砥材含有量のうち、一部１０〜７０容量％に
ついて、ダイヤモンド，ＳｉＣなどによって置換されて
いるものである。
ついては、砥材含有量のうち、一部１０〜７０容量％に
ついて、ダイヤモンド，ＳｉＣなどによって置換されて
いるものである。
【０００９】
【作用】本発明のポリッシングディスクは、高濃度のレ
ジン結合顆粒部分および低濃度の結合相部分が一体的に
焼成されたものであるから、機械的な除去作用が大きく
なって研磨能率の向上が得られるものである。また、面
精度、平坦度についてもメカノケミカルポリッシングと
同様に良好となるものである。これは、ポリッシング時
には、高濃度のレジン結合顆粒部分がＣｒ2Ｏ3を連続的
に補給し、低濃度の結合相部分のＣｒ2Ｏ3が形状を維持
するからである。
ジン結合顆粒部分および低濃度の結合相部分が一体的に
焼成されたものであるから、機械的な除去作用が大きく
なって研磨能率の向上が得られるものである。また、面
精度、平坦度についてもメカノケミカルポリッシングと
同様に良好となるものである。これは、ポリッシング時
には、高濃度のレジン結合顆粒部分がＣｒ2Ｏ3を連続的
に補給し、低濃度の結合相部分のＣｒ2Ｏ3が形状を維持
するからである。
【００１０】
【実施例】以下、本発明ポリッシングディスクの一実施
例について、図を参照しながら説明する。
例について、図を参照しながら説明する。
【００１１】図１および図２において、１は、支持台金
２に接合された一般的にはφ１５０〜φ３５０ｍｍの直
径を有するポリッシングディスクであり、取付け軸３に
よって回転する。回転速度は、一般的には、乾式では１
００〜３５０ｍ／ｍｉｎ，湿式では６０〜１２０ｍ／ｍ
ｉｎである。
２に接合された一般的にはφ１５０〜φ３５０ｍｍの直
径を有するポリッシングディスクであり、取付け軸３に
よって回転する。回転速度は、一般的には、乾式では１
００〜３５０ｍ／ｍｉｎ，湿式では６０〜１２０ｍ／ｍ
ｉｎである。
【００１２】前記ポリッシングディスク１は、図１で概
念的に示されているように、３μｍ以下の酸化クロムを
砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分４および低
濃度の結合相部分５が一体的に焼成されたものであり、
網目構造を呈するものである。この場合、酸化クロムを
３μｍ以下としたのは、３μｍをこえると研磨時のスク
ラッチの原因となるためである。そして、高濃度のレジ
ン結合顆粒部分４は、全体の３０〜８０容量％を占める
とともに、酸化クロムを７０〜９７容量％含有している
ものである。全体の３０〜８０容量％としたのは、研磨
能率および平坦度の兼合いからの理由であり、特に３０
％未満では研磨能率が悪く、８０％をこえるとレジンが
少なくなり焼成が不具合となるためである。また、酸化
クロムを１０〜７０容量％としたのも上記の理由と同様
である。なお、高濃度のレジン結合顆粒部分４は、一般
的には０．５〜３ｍｍ程度の粒径を有している。
念的に示されているように、３μｍ以下の酸化クロムを
砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分４および低
濃度の結合相部分５が一体的に焼成されたものであり、
網目構造を呈するものである。この場合、酸化クロムを
３μｍ以下としたのは、３μｍをこえると研磨時のスク
ラッチの原因となるためである。そして、高濃度のレジ
ン結合顆粒部分４は、全体の３０〜８０容量％を占める
とともに、酸化クロムを７０〜９７容量％含有している
ものである。全体の３０〜８０容量％としたのは、研磨
能率および平坦度の兼合いからの理由であり、特に３０
％未満では研磨能率が悪く、８０％をこえるとレジンが
少なくなり焼成が不具合となるためである。また、酸化
クロムを１０〜７０容量％としたのも上記の理由と同様
である。なお、高濃度のレジン結合顆粒部分４は、一般
的には０．５〜３ｍｍ程度の粒径を有している。
【００１３】残りの前記低濃度の結合相部分５は、酸化
クロムを１０〜５０容量％含有しているものである。こ
のように、酸化クロムの含有量について高低をつけたの
は、被研磨体の平坦度、寸法精度を充たすためである。
クロムを１０〜５０容量％含有しているものである。こ
のように、酸化クロムの含有量について高低をつけたの
は、被研磨体の平坦度、寸法精度を充たすためである。
【００１４】また、高濃度のレジン結合顆粒部分のＣｒ
2Ｏ3については、砥材含有量の一部である１０〜７０容
量％をダイヤモンド、ＳｉＣ、ＣｅＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｃ
ＢＮの１種または２種以上で置換できるものである。こ
れは主として、研磨除去量を増加する配慮である。
2Ｏ3については、砥材含有量の一部である１０〜７０容
量％をダイヤモンド、ＳｉＣ、ＣｅＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｃ
ＢＮの１種または２種以上で置換できるものである。こ
れは主として、研磨除去量を増加する配慮である。
【００１５】
【実施例１】実施例１は、平均粒径１μｍ以下の酸化ク
ロムを砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分４お
よび低濃度の結合相部分５からなるポリッシングディス
ク１を本発明品として製作した。この場合、高濃度のレ
ジン結合顆粒部分４および低濃度の結合相部分５は、１
〜３μｍのＣｒ2Ｏ3を含有し、その配合量については表
１のとおりである。また、結合材はフェノールとし、焼
成温度を１８０℃とした。
ロムを砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分４お
よび低濃度の結合相部分５からなるポリッシングディス
ク１を本発明品として製作した。この場合、高濃度のレ
ジン結合顆粒部分４および低濃度の結合相部分５は、１
〜３μｍのＣｒ2Ｏ3を含有し、その配合量については表
１のとおりである。また、結合材はフェノールとし、焼
成温度を１８０℃とした。
【００１６】これに対し、被研磨材は、Ｓｉ3Ｎ4および
ＳｉＣ焼結体とし、研磨条件は、ディスクの回転速度：
１００ｍ／ｍｉｎ，荷重０．５ｋｇ／ｃｍ2として乾式
で６０分ポリッシングした。
ＳｉＣ焼結体とし、研磨条件は、ディスクの回転速度：
１００ｍ／ｍｉｎ，荷重０．５ｋｇ／ｃｍ2として乾式
で６０分ポリッシングした。
【００１７】
【表１】単位容量％ この結果、本発明品１〜４は、いずれも除去速度にすぐ
れていた。これに対し、比較品５については、ディスク
の外周部が破損し、面ダレ大で４０分以上続行不能であ
った。
れていた。これに対し、比較品５については、ディスク
の外周部が破損し、面ダレ大で４０分以上続行不能であ
った。
【００１８】
【実施例２】実施例２は、実施例１における高濃度のレ
ジン結合顆粒部分４のＣｒ2Ｏ3の一部をダイヤモンド、
ＳｉＣなどで置換したものである。配合組成および結果
は表２のとおりであり、また、研磨条件は実施例１と同
じとした。
ジン結合顆粒部分４のＣｒ2Ｏ3の一部をダイヤモンド、
ＳｉＣなどで置換したものである。配合組成および結果
は表２のとおりであり、また、研磨条件は実施例１と同
じとした。
【００１９】
【表２】単位容量％ この結果、高濃度のレジン結合顆粒部分４のＣｒ2Ｏ3の
一部をダイヤモンド、ＳｉＣなどで置換したものは有効
であることが確認された。
一部をダイヤモンド、ＳｉＣなどで置換したものは有効
であることが確認された。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように酸化クロ
ムを砥材として含む特定範囲の高濃度のレジン結合顆粒
部分および低濃度の結合相部分が一体的に焼成されたポ
リッシングディスクを提供したものであるから、セラミ
ックス焼結体、結晶化ガラスなどの鏡面加工において、
その除去量を大きくできるとともに、平坦度も良好に加
工できるという利点を有する。
ムを砥材として含む特定範囲の高濃度のレジン結合顆粒
部分および低濃度の結合相部分が一体的に焼成されたポ
リッシングディスクを提供したものであるから、セラミ
ックス焼結体、結晶化ガラスなどの鏡面加工において、
その除去量を大きくできるとともに、平坦度も良好に加
工できるという利点を有する。
【図１】本発明ポリッシングディスクの一実施例を示す
模式的な要部の説明図、
模式的な要部の説明図、
【図２】全面的な形状を示す断面図である。
１ ポリッシングディスク ４ 高濃度のレジン結合顆粒部分 ５ 低濃度の結合相部分
Claims (2)
- 【請求項１】 ３μｍ以下の酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）を
砥材として含む高濃度のレジン結合顆粒部分および低濃
度の結合相部分が一体的に焼成されたポリッシングディ
スクであって、 高濃度のレジン結合顆粒部分は、全体の３０〜８０容量
％を占めるとともに、前記酸化クロムを７０〜９７容量
％含有しており、 残りの低濃度の結合相部分は、前記酸化クロムを１０〜
５０容量％含有していることを特徴とするポリッシング
ディスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載された高濃度のレジン結
合顆粒部分に含まれる砥材含有量のうち、その一部１０
〜７０容量％が３μｍ以下のダイヤモンド，ＳｉＣ，Ｃ
ｅＯ2，Ｆｅ2Ｏ3，ＣＢＮの１種または２種以上で置換
されていることを特徴と するポリッシングディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495891A JPH05104447A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ポリツシングデイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495891A JPH05104447A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ポリツシングデイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05104447A true JPH05104447A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=14898432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12495891A Withdrawn JPH05104447A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | ポリツシングデイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05104447A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0888849A2 (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Toyoda Koki Kabushiki Kaisha | Grinding wheel |
| CN102248495A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-11-23 | 河南工业大学 | 玻璃抛光盘及其制造方法 |
| CN104070466A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-01 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种树脂抛光盘 |
| CN110549257A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-10 | 北京爱克瑞特金刚石工具有限公司 | 一种陶瓷结合剂金刚石砂轮的加工工艺 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP12495891A patent/JPH05104447A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0888849A2 (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Toyoda Koki Kabushiki Kaisha | Grinding wheel |
| EP0888849A3 (en) * | 1997-06-30 | 2002-03-20 | Toyoda Koki Kabushiki Kaisha | Grinding wheel |
| CN102248495A (zh) * | 2011-08-12 | 2011-11-23 | 河南工业大学 | 玻璃抛光盘及其制造方法 |
| CN104070466A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-01 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种树脂抛光盘 |
| CN110549257A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-10 | 北京爱克瑞特金刚石工具有限公司 | 一种陶瓷结合剂金刚石砂轮的加工工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980711 |