JPH0483191A - 低エネルギ放射線用の放射検出器およびローカライザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本願発明は、放射線源の検出および標定装置およびその
製造方法に関する。

（背景技術） 癌組織の検出および処置は、長年の間熱心な研究の主題
であった。その検出の多くの試みの内の１つは、腫瘍特
有の抗原の識別に関するものであった。これらの抗原が
識別可能な場合、腫瘍部位に集まろうとする放射性核種
で識別される抗原か使用されてきた。このように集中す
ると、例えば放射性物質の集中度をイメージ化すること
により記録し、これにより腫瘍性の組織を標定するため
、やや精巧な放射線検出装置か次に使用される。この手
順における重要な進歩は、種々の放射性核種と共に単一
クローン抗原あるいはその断片を使用することによって
明らかになった。

これらの抗原の撮影を実施するための典型的な手法は、
例えば、断層写具走査法、免疫ンンチグラフィ等を含む
ものであった。抗原を識別するための放射性核種の特定
の選択は、その核特有の性質、物理的半減期、検出機器
の性能、放射性同位元素置換抗原の薬力学的特性、およ
び識別手順の困難度の程度に依有する。これらの核医療
撮影における放射性核種の内置も広く使用されるものは
、テクネチウム９９“Ｔｃ、ヨウ素＋２５１１１３１１
、およびインジウム１１１ｉｎを含む。その内特に、胃
腸管の腫瘍を標定するためには、放射性核種１３１１が
、撮影用ガンマ線カメラ等と関連してマーカ即ちラベル
として使用されるが、これらのカメラは比較的大型であ
り、撮影過程において患者の上方に設置される精巧な装
置である。

やや広範囲に使用されているにも拘わらず、３１［は診
断薬に使用するには理想的な放射性核種ではない。１３
１１から発射される高エネルギのガンマ・光子は、古典
的なガンマ線カメラ等の機器では僅かに検出されるに過
ぎない。更に、管理されたマーカ放射線は、患者に対し
て高い放射線量をもたらす。更にまた、これらの外的な
撮影装置のイメージ鮮明度は多くの理由から満足できる
ものではなかった。肝癌部位は小さくなるため、放射性
核種の集中は、イメージ化の観点からは、バックグラウ
ンドあるいは患者に必然的に存在する血液溜まりの放射
線において失われる傾向がある。

最近において、例えば、＋２５ｔ　　（２７乃至３５ｋ
ｅｖ）の遥かに低エネルギのガンマ線レベルを使用する
ことにより、このような腫瘍性＄：１１１ｆｉｔの識別
および切除に関する外科的手法が発展を遂げた。このよ
うな放射性同位元素置換体は、肺癌と患者の体表面との
間の組織によって放射線が著しく吸収される故に従来の
外的なイメージ化あるいは走査装置と共には使用するこ
とができないが、プローブ型の検出構造と共に使用され
る時、非常に効率の良い弁別法が開発可能である。特に
、患者に対する放射性同位元素置換体の樺太時間から外
科手術の時間までの適当な間隔を待機することを含む外
科的方法論と組み合わせたこの種の放射性同位元素置換
体の半減期か長ければ長いはと、癌性肝癌の非常に正確
な弁別をもたらし得る。このような改善された癌ｆ’１
．　ｌ１１Ｔｉ瘍の標定、弁別および除去の方法は、腫
瘍性の組織の疑いかある患者が特定のエネルギ・レベル
の」１記光子放射に特定するある抗原の有効量が投与さ
れる外科的処置を含む。次に、外科的処置は、放射性同
位元素置換体が、患者に存在する腫瘍性の組織中に選好
的に集中させると共に、腫瘍性組織からの光子放射とバ
ンクグラウンドの光子放射との比率を増す用に正児な組
織から外させるように、このような投与後ある時間だけ
遅らせられる。

その後、患者の手術領域に外科的に接近し、腫瘍性組織
について調へられる手術領域内の組織のバックグラウン
ド光子放射カウントが決定される。−旦手術領域内の組
織に対するバンクグラウンドの光子放射カウントか決定
されると、この手で保持されるプローブが腫瘍性の疑い
のある組織に隣接する丁、衝頭域内に手で設置される。

次に、弁別のための読みがプローブのカウントから得る
ことができる。この技術については、下記の技術的刊行
物を参照されたい。

即ち、 １　、　　Ｅ、　　Ｗ、　　Ｍａｒｔｉｎ、　　Ｊｒ、
、　　ＭＤ；　　Ｊ、　　Ｐ、　　Ｍｉｎｔｏｎ、　　
ＭＤ。

ＰｈＤ；　　Ｌａｒｒｙ　　Ｃ，Ｃａｒｅｙ、　　ＭＤ
著１℃ＥＡ−Ｄｉｒｅｃｔｅｄ　　５ｅｃｏｎｄ−Ｌｏ
ｃｋ　Ｓｕｒｇｅｒｙ　ｉｎ　ｔｈｅ　Ａｓｙｍｐｔｏ
ｍａｔｉｃ　Ｐａｔｉｅｎｔ　ａｆｔｅｒＰｒｉｍａｒ
ｙ　　Ｒｅ５ｅｃｔｉｏｎ　　ｏｆ　　Ｃｏ１ｏｒｅｃ
ｔａｌ　　Ｃａｒｃｉｎｏｍａ”（Ａｎｎａｌｓ　ｏｆ
　Ｓｕｒｇｅｒｙ、　２０２：　　１．　１９８５年　
３０５−１２１゜Ｉｌ、　Ｐ、　Ｊ、　Ｏ’Ｄｗｙｅｒ
、　ＭＤ、　ＣＭ；　Ｍｏｊｚｓｉｋ、　ＲＮ　ＭＳ；
　Ｇ、　Ｈ。

Ｈｉｎｋｌｅ、　ＲＰｈ、　ＭＳ、　Ｍ、　Ｒｕ５ｓｅ
ａｕ；　Ｊ、　０１ｓｅｎ、　ＭＤ；　Ｓ、　Ｅ。

Ｔｕｔｔｌｅ、　　阿Ｄ；　　Ｒ，Ｆ、　　Ｂａｒｔｈ
、　　ＰｈＤ；　　Ｄ、　　Ｐ、　　ＭｃＣａｂｅ、　
　ＭＤ；Ｗ、　　Ｂ、　　Ｆａｒｒａｒ、　　ＭＤ；　
　Ｅ、　　Ｗ、　　Ｍａｒｔｉｎ、　　Ｊｒ、。

著”Ｉｎｔｒａｏｐｅｒａｔｉｖｅ　Ｐｒｏｂｅ−Ｄｉ
ｒｅｃｔｅｄ　ＩｍｍｕｎｏｄｅｔｅｃｔｉｏｎＵｓｉ
ｎｇ　　ａ　　Ｍｏｎｏｃｌｏｎａｌ　　Ａｎｔｉｂｏ
ｄｙ”　　（Ａｒｃｈｉｖｅｓ　　ｏｆＳｕｒｇｅｒｙ
、１２１　　（１９８６年１２月１　１３２１−１３９
４）。

ＩＩｌ、Ｄ、Ｔ、Ｍａｒｔｉｎ、ＭＤ、Ｇ、Ｈ，Ｈｉｎ
ｋｌｅ、ＭＲＲＰｈ、Ｓ。

Ｔｕｔｔｌｅ、ＭＤ、Ｊ、Ｏ］、ｓｅｎ、ＭＯ，Ｈ，Ａ
ｂｄｅｌ−Ｎａｂｉ、ＭＤ、Ｄ。

Ｈｏｕｃｈｅｎｓ、　　ＰｈＤ、　　Ｍ、　　　Ｔｈｕ
ｒｓｔｏｎ、　　ＰｈＤ、　　Ｄ、　　Ｅ、　　ＷＭａ
ｒｔｉｎ、　　　　　　　　　Ｊｒ、、　　　　　　　
　　ＭＤ−著”ＩｎｔｒａｏｐｅｒａｔｉｖｅＲａｄｉ
ｏｉｍｍｕｎｏｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　　ｏｆ　　Ｃｏ１
ｏｒｅｃｔａｉ　　Ｔｕｍｏｒｓ　　ｗｉｔｈ　　ａＨ
ａｎｄ−Ｈｅｌｄ　　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ　　Ｄｅｔｅ
ｃｔｏｒ”　　（Ａｍｅｒｉｃａｎ　　Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ　　Ｓｕｒｇｅｒｙ、＋５０：６　　（１９８５年
＋２Ｊ１　）６７２−７５）。

ＩＶ、Ｄ、Ｒ，Ａｉｔｋｅｎ、ＭＤ、Ｍ、０．Ｔｈｕｒ
ｓｔｏｎ、ＰｈＤ、Ｇ、Ｈ。

［（ｆｎｋｌｅ、　　　ＭＲＲＰｈ、　　　Ｄ、　　　
Ｔ、　　　Ｍａｒｔｉｎ、　　　ＭＤ、　　　Ｄ、　　
　ＥＨａａｇｅｎｓｅｎ、Ｊｒ、、ＨＤ、ＰｈＤ、Ｄ、
Ｈｏｕｃｈｅｎｓ、ＰｈＤ、Ｓ、Ｅ。

ＴｕｔｔｌｅｌＭＤ、　Ｅ、　Ｗ、　Ｍａｒｔｉｎ、　
Ｊｒ、、　ＨＤ、著ｌＩＰｏｒｔａｂｌｅＧａｍｍａ　
　　Ｐｒｏｂｅ　　　ｆｏｒ　　　Ｒａｄｉ、ｏｉｍｍ
ｕｎｅ　　　Ｌｏｃａｌｉｚａｔｉｏｎ　　　ｏｆＥｘ
ｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　Ｃｏ１ｏｎ　Ｔｕｍｏｒ　Ｘｅ
ｎｏｇｒａｆｔｓ”　　（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＳｕｒ
ｇｉｃａｌ　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ、　３６：５　　（１９
８４年）　　４８０−４８９）。

Ｖ、　　　Ｅ、　　Ｗ、Ｍａｒｔｉｎ、　　Ｊｒ、、Ｍ
Ｄ、　　Ｓ、　　Ｅ、　　Ｔｕｔｔｌｅ、　　ＭＤ、Ｍ
。

Ｒｏｕｓｓｅａｒ、　　Ｃ，Ｍ、　　Ｍｏｊｚｉｓｉｋ
、　　ＲＮ　　ＭＳ、　　Ｐ、　　Ｊ、　　Ｏ’Ｄｗｙ
ｅｒ。

ＭＤ、　　Ｇ、　　Ｈ，Ｈｉｎｋｌｅ、　　Ｍ　　ＲＰ
ｈ、　　Ｅ、　　Ａ、　　Ｍｉｌｌｅｒ、　　Ｒ，Ａ。

Ｇｏｏｄｗｉｎ、Ｏ，Ａ、０ｒｅｄｉｐｅ、ＭＡ、Ｒ，
Ｆ、Ｂａｒｔｈ、ＭＤ、Ｊ。

０、　０１ｓｅｎ、　　ＭＤ、　　Ｄ、　　）ｌｏｕｃ
ｈｅｎｓ、　　ＰｈＤ、　　Ｓ、　　Ｄ、　　Ｊｅｖｅ
ｌｌ。

ＭＳ、Ｄ、Ｍ、Ｂｕｃｃｉ、ＢＳ、Ｄ、Ａｄａｍｓ、Ｚ
、Ｓｔｅｐｌｅｗｓｋｉ、Ｍ。

０、Ｔｈｕｒｓｔｏｎ、ＰｈＤ　　Ｆ’、　　ｌｌＲａ
ｄｉｏｉｍｍｕｎｏｇｕｉｄｅｄ　　Ｓｕｒｇｅｒｙ：
Ｉｎｔｒａｏｐｅｒａｔｉｖｅ　　１．Ｉｓｅ　　ｏｆ
　　Ｍｏｎｏｃｌｏｎａｌ　　Ａｎｔｉｂｏｄｙ　　＋
７−ＩＡｉｎ　　　Ｃｏ１ｏｒｅｃｔａｌ　　　Ｃａｎ
ｃｅｒ　　　　（Ｈｙｂｒｉｄｏｍａ　　　５　　５ｕ
ｐｐｌｆ＋９８６１　５９７−１０８１゜ 更に、１９８８年１１月８Ｆ１発行のＥ、　Ｗ、　Ｍａ
ｒｔｉｎ、　ＪｒおよびＭ、　Ｏ，Ｔｈｕｒｓｔｎｎの
米国特許用４．７８２．８４０号「腫瘍の標定、弁別お
よび除去のための方法」をも参照されたい。

このような非常に効率の良い弁別および標定手法の成功
は、この手法により必然的に発展した非常に少量の放射
線を検出することが可能なプローブ型の検出装置か得ら
れることに基づいて予測される。これに関して、１２５
Ｉの如き低エネルギの放射性核種が使用され、バックグ
ラウンド放射が最小限に抑えることかでき、かつバンク
グラウンド・カウントに対する受は取られた腫瘍特有の
カウントの比率が最大途なり得るように、核種による放
射性同位元素置換体の分布か非常に少ない。従来のプロ
ーブ型の放射線検出装置はこの目的のためには有効では
ない。一般に、室温で使用できるプローブ川の検出装置
か要求される故に、テルル化カドミウムの如き非常に脆
く即ちデリケートな結晶か使用されている。このような
結晶を用いるプローブは、例えば約２．０００乃至４．
０００電子間の結晶中に電子孔対を生しる僅かに１ガン
マの放射を検出できなければならない。

１アンペアか毎秒６．２５Ｘ］０１８個の電子を生しる
ことを考えれば、このようなプローブを用いて非常に小
さな電流を検出しなければならないことが判るであろう
。しかし、このプローブ装置もまた、例えば宇宙線、室
温の分子が生じるノイズ、またプローブ自体を単に触れ
て生しる容量的あるいは圧電作用的に誘起するノイズか
ら起生じ得る広範囲の電気的な擾乱からのかかる電流を
減衰し得るものでなければならない。これらの極限の基
準の下で使用できるものであると同時に、同しプローブ
は更に、手術室の要件の下で使用できねばならない。こ
の点において、このプローブは、汚染物質の侵入から安
全であり、滅菌が可能であり、また手術室内で外科医の
取り扱いに充分耐えるよう丈夫でなければならない。更
にまた、プローブに使用されるこの装置は、外科医を癌
の部位へ案内する目的のため装置が使用できるようにＩ
ｔ！ｎ瘍性組織が接近しつつある時これを外科医に明確
に知らせることかできなければならない。

更に、外科的用途のためには、プローブ機器は手術口等
から有効に操作されるように小さくなければならない。

このような小さなサイズは、上記の使用基準において容
易には達成されない。

この手法については、Ｅ、　　Ｗ、　　Ｍａｒｔｉｎ、
　　Ｊｒ、、ＭＤおよびＭ、　　０．　　Ｔｈｕｒｓｔ
ｏｎ、　　ＰｈＤにより開発された外科的紙みである［
放射性免疫による外科手術Ｊとして記載されている。

上記のやや極端な基準の下で使用できることに加えて、
緊急時の使用のため求められるプローブ機器は、実用的
な製造技術を用いて組み立て可能でなければならない。

プローブ機器の組み立て易さの改善の１つの試みについ
ては、１９８８年９月２３日出願のＤｅｎｅｎ等の米国
特許出願箱０７７２４８、９２０号［低エネルギ放射線
放出用の検出器およびローカライザ」において記載され
ている。

同出願に開示されたプローブの構造は、結晶面に固定さ
れる電極を用いてガンマ線検出結晶の両１ｕ１１に必要
なグラウンドおよびバイアスが加えられるものである。

結晶、バイアス印加装置等を含む全ての構成要素を一緒
に構造的に保持するため、弾力性に富む保持器か使用さ
れる。−１−記の構造により製造が良好に行われたが、
同出願に記載された手法は、組立体に対し多くの構成要
素からなるキャップの使用を必要とするものであり、ま
た放射線応答結晶に対するバイアスおよびグラウンド電
極の接続に劣化か認められたものである。

プローブの構造における更に別の改善は、ガンマ線結晶
に対する外部の要素の関連性を一体化すること、ならび
にプローブの組み立てを容易にすることの内観点におい
て必要であることが認められた。

（発明の要約） 本発明は、発射された放射線源、特にガンマ線源を検出
し標定するための装置、ならびにこのような装置を製造
する方法を目的とするものである。検出は、テルル化カ
ドミウムの如き結晶を用いて室温の条件下で、非常に低
エネルギの放射に関して達成される。装置の非常に高い
感度能力を達成するためには、やや脆い結晶が、さもな
ければ大きなノイズを生じる外部的に誘起される事態か
ら隔離状態で羅実に保持される計装法が開発された。こ
の点に関して、発散音響インピーダンスを呈する一連の
材料の使用により、マイクロッオニツク効果か最小限度
に抑えられる。構成要素間の非常に小さな運動により偶
発的に生じる容量効果あるいは圧電作用効果は、受は入
れられ得るレベルに制御される。結晶およびこれとの電
気的接点の圧縮保持が、導電性を有するが柔軟性に富む
面支持部との関連において用いられる。本装置はまた、
実際的な製造法により組み立てられる構造としなから能
率も達成するものである。

本発明の１つの特徴は、前方に配置された部分を有する
ハウジングを含む、予め定めたエネルギ・レベルを何す
る放射線の放り・１源を検出し標定する器具を提供する
ものである。ハウジングの前方に置かれた部分内に配置
され、−予め定めたエネルギ・レベルの放射線を減衰す
る材料から形成され、かつ前方に位置する開１１から内
方へ延在する前方に置かれた結晶収受腔部を有する結晶
マウントが提供される。電気的な絶縁層が、前記腔部内
に置かれ、放射線応答結晶がこの腔部内に配置され、こ
の腔部は後部に置かれた面が前記絶縁層に而して配置さ
れ、かつ前方に置かれた面まで延在する側方部分を有す
る。バイアス装置が前記腔部内に伸びて、前記絶縁層と
隣接するバイアス接点を提供し、また前記結晶が後方に
置かれた面と前記バイアス接点との間にこれと一致し得
るように隣接状態にある第１の導電性を有する柔軟性に
富む部材が提供される。結晶が前方に置がれた而と一致
し得るように隣接して接触状態にある第２の導電性に富
む柔軟性部材が設けられ、接地装置が前記の第２の柔軟
性部材と当接状態に置かれ、結晶が前方に置かれた面を
接地させる。

弾力性に富む保持器か前記接地装置および結晶か前方に
置かれた面一１．に緊張状態に置かれて、接地部材およ
び第２の柔軟性部材を結晶が前方に置かれた面に対し、
また結晶の後方に置かれた面を第１の柔軟性部材および
バイアス接点に対して圧縮状態で保持する。前方カバー
が、結晶マウント、結晶、接地装置、および弾力性保持
器を密閉するように配置され、予め定めたエネルギ・レ
ベルの放射線の放射の伝達を許容する。

本発明の別の特徴は、下記のステップからなる予め定め
たエネルギ・レベルを持つ放射線の放射源を検出し標定
するための器具を製造する方法の提供するものである。

即ち、 前方に置かれた部分を有するハウジングを提供し、 予め定めたエネルギ・レベルの放射線を減衰する材料か
ら形成され、かつ前方に位置する開口から内方に延在す
る側壁面を有する予め定めた深さの前方に置かれた結晶
収受腔部を有する結晶マウントを提供し、 結晶収受腔部内に絶縁層を配置し、 前記腔部内に電気的なバイアス接点を配置し、 前記腔部内で、前記バイアス接点トにこれと自由に当接
する状態に、第１の樽電ｆ１の柔軟性部材を置き、 後方に置かれた面と、前／Ｊ−に位置する而まて伸びる
四方部分とを有する放射線応答結晶を提す」１、し、 前記腔部内で、前記第１の導電性に富む柔軟部＋Ａ十に
、前記放射線応答結晶の後プｊ位置面を置き、 前記結晶の前方面子に第２の導電ヤ１柔軟部材を置き、 この第２の導電性柔軟部材１−に自１１１に当接状態に
柔軟性に富む接地接点を置き、 前記バイアス接点、第１の柔軟部材、結晶、第２の柔軟
部材、および接地接点の組立体を、その」、に弾力性保
持器を引き渡すことによりＦｒ縮し、 この圧縮された組立体を結晶マウントにより、前記ハウ
ジングの前方に置かれた部分−」―に取付けることから
なる。

本発明の曲の目的については、一部は自明であり、また
一部は以下本文において明らかになるであろう。

従って、本発明は、以下における詳細な開示において例
示される構造、構成要素の組み合わせ、ステソフ、およ
び部品の配置を含む装置および方法からなるものである
。本発明の性格および目的をより明瞭に理解するため、
添付図面に関して以降の詳細な説明を参照すべきである
。

（実施例） 第１図においては、特に外科医療分野において使用され
るように設訂された本発明のプローブおよび支援器具の
一実施態様が番号１０で全体的に示されている。この組
立体は、３芯ケーブル１４によりコンソール１６に接続
された全体的に１２で示された手で操作するプローブを
含んでいる。

外科医により使い捨て可能なポリマー製鞘部即ちカバー
内で保持されることか望ましいこのブローフ用２は、切
除のため肝癌組織を廿定するために外科的に問題となる
領域（・１近て操イ′１される。

例えば、し１．腸の手術に関して使用される際、プロー
ブ１２は、人体の腔部内の切開口を介して操作されて外
科医により検討される臓器と接触状態になるよう実質的
に挿入される１、枕工免疫カイト・モードで使用される
時は、コンソール１６内のラウドスピーカ即ち警￥ＩＪ
器か付勢されて、外科医に対しプローフ用２が癌の部位
にあることを通知する「サイレン」形態の出力を生しる
、１このように、装置１２は便利な長さてありかつ捩り
易いことか必要である。プローブ１２は、ある角度たり
偏向した部分２０の先端部に置かれた放射線を受は入れ
る面即ちウィンドウ１８を含むことか判る１７部分２０
は、手で握ることができる部分２２から約３０°の角度
で延在し、臓器の裏あるいは隠れた側の付近における操
作を容易にし、またテフロン（ポリテトラフルオロエチ
レン）の如き摩擦の小さな表面で被覆され、手術中組織
等の表面１８か擦られることによる偶発的に牛しる／イ
スの回避を強化することか望ましい。

組立体ＩＯが手術室内で使用される故に、比較的大きな
Ｌ　ＣＤの窓即ちデイスプレィ２６．２連の］、Ｆ、Ｄ
窓２８および一連の指で操作されるスイッチを覆う平滑
な一体の接触に感応するポリマー而２４を有するコンソ
ール１６もまた容易に洗浄される。全体的に３０で示さ
れるこれらのスイッチあるいはキーボードは、マイクロ
ブロセソザで駆動されるコンソール１６が医師と指示的
な即ち「ユーザ・フレンドリな」対話を行うことを可能
にする。

安全の目的から、この装置は充電可能なパンテリにより
電力が供給される。

それぞれ番号３２．３３により示される従来のオン／オ
フ・スイッチに加えて、コンソール１６上に設けられた
スイッチは、カウント・モード・スイッチ３４、警報ス
イッチ３５、リセット・スイッチ３６、スケルチ機能ス
イッチ３７、較正機能スイッチ３８、およびそれぞれ３
９および４０で示される如きスイッチが生じるモードの
あるものにおける調整を行う逓増低減スイッチを含む。

プローブ１２は、必然的に室温において使用か可能でな
ければならない。このため、本装置は、テルル化カドミ
ウム結晶を使用し、検出が要求される望ましい低エネル
ギ・レベルの放射線の故に、低エネルギのガンマ線作用
に（’＋用的に反応することかできねばならない。この
ような結晶に対するガンマ線の相互作用は、主として３
つのプロセス、即ち光電効果、コンプトン散乱効果、お
よび対生成によるものである。光電効果においては、エ
ネルギの光子即ちｈｖか全体として１つの原子と相互に
作用する。そのエネルギは、通常量も内部の核である電
子に完全に伝えられる。

この電子は、運動エネルギｅ　ｉ　：　ｈ　”’　ｈ　
Ｖ　　Ｅ　ｌ。

（但し、Ｅ　、、は軌道電子の結合エネルギ、ｈはブラ
ンクの定数、■はガンマ線の波形特性と関連する周波数
）を持って発射される。このような電子は、このエネル
ギか数千の他の電子と共有されるまで、多数の衝突を行
う。これらの電子は谷々、文献において「正孔」と呼ば
れる正の荷電領域に残る。１２５１のエネルギては、コ
ンプトン散乱効果はそれはと重要ではない１．対生成は
、ガンマ線に対する電子および光子の反応を意味する。

この過程は］、ＯＭｅｖ以」−を必要とするため、この
現象は本用途においては生しない。

コンプトン散乱においては、−次光子は軌道電子のとれ
かと相互に作用し得る。電子は、−次光子のエネルギが
電子の結合エネルギと比較して大きいという条件下では
略々自由電子であると考えられる。相互作用は、−次光
子と電子との間の弾性衝突であると分析される。エネル
ギは、反跳電子と二次光子との間で共有される。この二
次光子は、−次電子の方向とは異なる方向に移動し、散
乱光子と呼ばれる。

このように、入射するガンマ線か結晶により吸収される
と、このガンマ線はそのエネルギの一部あるいは全てを
電子に移転し、この電子は荷電粒子として半導体を通過
して正孔対を生し、従って結晶媒体内の電荷移転能力を
生しる。

荷電ｔ１γ子か電子の正孔り・１を゛１１１１内部で生
じると、電界はこれらの電荷キャリアを適当な電極へ移
動させてここて蓄積さゼる、１これらの電荷が電極へ移
動して集められると、検出器に対して外部の回路内にあ
る電荷即ちプラスの電気的信号を惹起する。この時、こ
れらの信号を予め増幅し、制御装置即ちコンソール１６
の電子素子へりえることか必要である。

有効な性能を得るためには、プローブ１２は、非常に低
エネルギであるガンマ線の衝突を示す信号を生して識別
できねばならない。この点に関して、テルル化カドミウ
ム結晶とのガンマ線の相互作用が、２乃至４千の電子を
住し得る。毎秒６　２５Ｘ」０１８ｆｒｆｆｉの電子が
１アンペアの電流を表すことから、本装置の相対感度が
明らかとなろう。

その結果、プローブ１２内部の結晶に対する支持装置の
機械的構造は、ガンマ線の相互作用を表すこれらの著し
く小さな電荷を検出し処理するための技術として非常に
重要となる。

第２図によれば、プローブ装置１２の更に詳細な図が示
されている１、前方部分２］）の角度方位は手の握り部
分２２の中心軸に対して３０°傾斜した状態で示されて
いる。装置１２は、全長か約１９ｃｍの小ささてあり、
部分２２は約１２．７ｃｍの長さをｆ丁する。円筒構造
部１２の全径は約１．９ｃｍである。低エネルギの放射
性同位元素１７１′換を用いてプローブの側にジ１當に
高い感度を達成する今日までの経験によれば、多くの用
途に対して、補助的な前方規準化の必要かなくなった。

手の握り部分２２は、全体的に４４で示される如き長形
の回路板」二に前置増幅器を支持する。

遭遇する放射線エネルギに応じて、プローブＬ２のハウ
ジングは、導電性材料、従って放射線を減衰するよう機
能する遮蔽材料から形成される。

ケーブル１４は、プローブの前置増幅器に対して電力を
供給すると共に、結晶に対してバイアスおよび接地を行
って前置増幅器が処理した出力信号を伝送するよう機能
する。ケーブル１４は、撓ませるにはやや柔らかである
ポリテトラフルオロエチレンのカバー（テフロン）５０
により相互に絶縁され離間された銀被覆（クラッド）材
４６．４８を含む。各線５２．５４の構成のテフロンで
絶縁された銀から形成された最も内側のリード線は、前
置増幅器４４からの出力（）’ｉ　ｊ；、および装置１
２内部の結晶の後部面に与えられる例えば３０ホルトの
バイアス信号を辻ぷ。クラット祠４Ｇは、前置増幅回路
に１２ボルトの電力を供給し、外側のクランド材４８は
、本装置のグラウンド電位を運ぶ。外側のンリコン・ゴ
ム製のカバー５６か設けられる。

第３図においては、プローブ１２のノース部即ち前方部
分２０の分解された細部が示される。この部分２０は、
テルル化カドミウムから形成されることか望ましい放射
線に応答する結晶１１４を、必要な接地およびバイアス
条件を維持しながら、遮光された機械的に丈夫な状態で
保持する。

一般に、このような結晶１１４はチョークにやや似た固
さ即ち物理的一体ｖ１を持ち、その表面が非常に軽い金
色のコーティングを持つように形成される。このため、
このようなデリケートな結晶の取付け、およびプローブ
器具１２内の操作には、高度に洗練された設計様式を必
要とする。

しかし、ブローフ用２の構造はその組立てか実際方法で
合理的に可能であることもまた重要である。

第３図は、管状の支持部７０まで延長する手で捩ること
ができる部分２２を示している。円筒状のコネクタ面７
２を含む部分７［）の前方に位置する管状部分は、室７
４を画成する内径を持つように形成される。室７４は、
スラグ７６を所定位置に保持する導電性を有するエポキ
ノ保持層１４６（第４図参照）と共に、略画々円筒状の
スラグ即ち結晶マウント７６を収受する。

スラグ即ち結晶マウント７６は、鉛の如き適当な放射線
減衰材料で形成され、略々円筒状の形態を呈する。この
点に関して、その後方に位置する円筒状の面７８は、ハ
ウジングの後部２２の室７４内の上記の摺動自在な取付
けのための形態を有する。

スラグ７６の中心に貫通しているのは接近口８０で、全
体的に８２で示される前ノｊに位置する円筒状の四部ま
でＰ１通している。接近１］１８２は、被覆リード線８
４を通すように機能する。リード線８４は、器具の手て
把持可能部分２２内の物理的に隣接する前置増幅段４４
まで伸びるバイアス信号伝送線として機能する。スラグ
７６の円筒状の面７８は、内部に形成された環状の保持
器の溝８８を持つ形状であり更に中心位置の開］１８０
と通気するように延Ｙ１する内孔９０を内蔵する円筒状
のカラ一部分８６で終わることかｒ１する。内孔９０は
、本装置のハンドル即ち把持可能部分２２と前方に置か
れた構成要素との間の気圧を等しくするように働く。こ
の内孔は更に、保守等の目的のため、スラグ即ち結晶マ
ウント７６およびその関連する組立体の取り外しを容易
にするための道具を収受するよう働く。

凹部８２内には、なかんずく電気的に絶縁する層９２が
形成され、これは更に組立体のテルル化カドミウム結晶
１１４に対する緩衝支持部として機能する。シリコンゴ
トから形成された層９２は、その外面か全体的に１（）
４て示される結晶収受腔部の壁面を画成するような＋７
ｉ　辿になっており、その側面は９４で示され、その底
面は９６で示されている。

更にこの材料で形成されているのは環状の四部９８て、
これは被覆リート線８４の終端部に形成された対応する
形状のバイアス接点部材１．　（］　０を収受する形態
を有する。例えば、接点１００は、被覆リード線８４内
部のリード」−に接着剤により保持された導電性に富む
銅箔から形成することかてきる。

凹部９８を設けることにより、このバイアス接点部材１
００は、上記のようにこれまた緩衝効果を生しるよう働
く絶縁層の底面に沿って平らに取付けることができる。

腔部１０４が画成された層９２の側面９４は、内部に取
付けられる結晶１１４の対応する側面９７を完全に収受
するための長さとなっている。凹部８２を形成する側面
１０２における結晶マウント７６の放射線減衰材料は腔
部１０４の側面９４と同一面内にあることに注意された
い。

保持器７６のカラー即ち肩部の部分は、さもなければ、
組立体内部に置かれた時結晶の側面に入射する放射線を
胛断するように働く。

腔部１０４の側面９４の内部に置かれた面を横切る巾の
長さは、結晶１１４の対応するｆ１］よりやや大きい。

このように、空間即ち間隙９５（第４図）は、腔部側面
９４と結晶１１４の側面９７との間に形成される。例え
ば、上記の如き円筒状の形態の結晶の場合は、腔部１（
）４は、結晶よりも僅かに大きい外径を有する円筒状の
形態を！Ｖする。

例えば０．００１３ｍｍ　（０，［］（１１５インチの
この小さな間隙９５は、結晶の側面９７と腔部１（Ｅの
側面９４との間に生じるとんな接触からてム牛しるノイ
ス現象を防止する上で役立つ３．従って、間隙９５は、
さもなければ結晶の側面９７と腔部の側面９４との間の
接触の結果として生成されあるいは生し得る電気的なノ
イス現象を避けるにＩＴ効な１１］を持つように形成さ
れるのである。

側面９４、底面９６および凹部９８をイ１′する腔部１
０４は、その形状および大きさが内部に挿入される結晶
組立体の対応する形状および大きさに合わせて誂えられ
る工具装置によって、間隙９５の形成を考慮に入れて形
成される。第５図においては、層９４を形成するプロセ
スにより腔部１０４をこのように注文通りに作るための
工具装置が示される。

層９２に使用される材料は、例えば、米国オハイオ州グ
ローブボートのＣｈｃｍｂａｒ社により市販される（　
Ｔｗｏ−ｒ’ａｒｔ　ＲＴＶ）ゴムとして知られるノリ
コンゴムでよい。この材料は、予め定めた比率に従って
肛ＲＴＶンラスチンクゴＩ・材料を触媒と組み合わせる
ことによりコ１■製される７、この材料は、結晶保持器
７６の凹部８２内にＬｌ；入され、矩形状の整合バー１
０８、結晶の餠型１１０および中心に位置する整合バー
即ちロットｌ１１からなる工具１０６か溜まり内に挿入
される。ロット１１１か開口８０内に下方へ突出するこ
と、および型１１０か先に述べた四部９８を形成するよ
う働く円筒状の突起部１１３を内蔵することに注目され
たい。一般に、シラスチック材料は四部８２の周囲に置
かれ、これと同時に工具１０６か硬化に充分な時間挿入
される。

この工具１０６は後で引き出され、その結果得られるソ
ラスチ・ツク層９２か空隙を牛しる間隙９５を以てその
内部に置かれる結晶および関連要素を収受するものであ
る。電気的な絶縁をもたらすが、層９２はまたＨＥ　？
！ｉ効果を生しることにも役立つ。

第３図に戻り、バイアス接点部材１００を層の面９６の
凹部９８内のり−ト１！　８４と結合した状態で設置す
ると同時に、環状の即ちディスク形状の導電性に富む柔
軟部材＋１２か自１１１に当接し得るようにバイアス接
点１　＋１０　Ｊ＝に置かれる。柔軟（変形可能）部材
＋１２は、例えば約（１，（１０５ｍｍ（０，０２０イ
ンチ）の厚さを持ち必要な導電性を牛しるように炭素粒
子で充填される商標ｒＧＯＲＥＴＩＥＸＪの下に市販さ
れる不織テフロン布（延伸され高度の結晶性を持つ焼結
されないポリテトラフルオロエチレン）から形成される
ことが望ましい。要素１１２は、バイアス要素１０　ｔ
ｌとの緊密な接触を生じるのみならず、重要なこきには
、放射線に応答する結晶１１４との対応する電気的接触
を生じるように働く。結晶１１４の後部の而１１は要素
１１２の−・致する面に対して自由に当接して、緊密な
面か一致する電気的な接触を牛しる。更にまた、要素１
１．２は、デリケートな結晶１１４をＩＤ　（Ｌする重
要な機能を供するのである。

接地電位は、結晶１１４０反対側面即ち前方面ｌ１８に
加えられる。この電位は、部材１１２（炭素を充填した
不織テフロン）と同し形状を呈するものでよい別の導電
性を何する柔軟部材１２（）を面１１８上に自由に当接
自在に設置することにより行われる。

前のように、構成要素１２０は、面１１８と緊密に一致
することにより自由に当接する接点を提供するよう働く
。接地電位を確立するため、４つの細いプラチナ線１２
２〜１２５か設けられるが、これは第６図に示されるよ
うにスラグ７６の表面１０２に形成された谷ａ　１２８
〜１３１内に据え込みされる。

線１２２〜１２５は次に、第６図に示されるように柔軟
部材１２０の前に位置する面と接触するように折り曲げ
られる。この小組立体は、透明なテープの小さなディス
ク１３４により固定される。

この小さな細いプラチナ線１２２〜１２５は、衝突する
放射線の非常に小さなポテンシャル防壁を供するのみで
、部材１２０を介して結晶１［４の前面１１８に適当な
接地条件を確立する。線１２２〜１２５およびバイアス
接点部材１００の双方からの電気的接触を強化し安定さ
せるため、ディスク１３４、柔軟ディスク１２０、結晶
１１４、柔軟ディスク＋１２、バイアス接点１０（）、
および層９２の組立体が、この組立体［二に緊張状態に
置かれむξ１品保持器即ちスラグ７６の溝８８内の保持
器１３６と係合する従来の弾性Ｏリング１３８によりこ
のような緊張状態に保持される１ｊｌｉＩ性保持器１３
６によって、圧縮され物理的あるいは動的に安定した状
態に保持される。

更に第７図を見れば、保持器１３６は、ナイロン等から
形ｌ戊することかてきる弾性ウェブとして示される。こ
のウェブは、に記のｆ７ｉ成要素組立体」−に置かれ、
またこれら要素−りおよび０リング１３８によりこのよ
うな緊張状態に保持される保持器７６の外面１０２上で
下方に引っ張られる。

単純なカンブ形状のジグをこの［１的のため使用するこ
とかできる。結果として得られた組立体は、バイアスお
よび接地用の電気的接点の安定化を生しると共に、運動
が生しるノイズの生成を避けるため全ての要素を所要の
静的に安定した状態に結晶１１４と隣接状態に保持する
ことか判った。

再び第３図において、前方カバー１４０が、ハウジング
の室７４内に取付けられる時」１記の組立体上に置かれ
ている。１側方部分１０２による結晶１１４の側面周囲
における保持器７６の鉛の如き放射線遮蔽材料の張力の
故に、前方カバー１４０は、アルミニウムの如き適宜の
放射線透過材料で全体的にかつ一体的に作ることかでき
る。このため、切れた後手術室からの流体等の侵入を許
しがちな窓要素１８の周囲の接合部の形成を避ける。

カバー１４０は、電気的なシールドとして機能するため
、その内側面は１４２の如き薄い金の層を付着させるこ
とにより導電性を与えられる。最後に、カバー１４０の
外面はＩＩ？擦の面抵抗が小さなポリマー・コーティン
グ１／１４で覆われることが望ましい。例えば、この層
１．４４は、テフロンとすることかできる。このコーテ
ィングは、組織上の装置および手術室内で典型的に遭遇
する備品の運動により偶発的に生じる摩擦で生しるノイ
ズを避けることを助けるよう機能する。

第４図においては、器具の部分２（）の最終的な組立体
か訂細に断面で示される。保持器即ちスラグ７６が導電
性のエボキノ接石剤層１４６により管状の支持部分７０
に接着されるが、ｉＦＩ方カバカバー１４０た導電ヤ１
のエボキノ接首剤層１７Ｉ８によりハウジングの部分７
２上に保持されることに注意。

第４図においては、管状部分７０、結晶１１４およびこ
れと関連する構成要素の組立体が、結晶１１４の前方の
面１１８ならびに関連する緩衝する保持器および電気的
な接触要素と、カバー１４０の窓部１８との間にデッド
スペース１５０が生じるように最終組立体上に指向され
ることに注意されたい。

このデッドスペースは、結晶１１４の音響的な隔離を強
化する。

第２図の回路４４に示されるように、結晶１１４とのガ
ンマ線の相互作用により生じる非常に弱い電荷の処理を
行うため、この相互作用の部位に対しできるだけ近く予
備的な増幅機能が生しることが重要である。プローブ１
２の後部支持部２２の対応する軸心に対して前方部分２
０の中心軸が３０°傾斜させる外科手術１−の必要の観
点から、導線８４の長さが短いことか要求される。３０
０乃至６００アツト・クーロン（ａＬＬｏ−ｃｏｕｌｏ
ｍｂｓ）の範囲の非常に小さな電荷が生しる故に、非常
に大きな利得を達成するよう機能するもノイズの生成か
少ない前置増幅段か求められる１、実際に、本装置の前
置増幅段は、例えば約２５．０００ボルト程度の電圧増
幅を行うものである。

結晶１１／Ｉは、慎重に電気的に遮蔽され、音響的に沈
静しかつ遮光状態の環境に維持される。アルミニウム製
カバー１４０は、ガンマ線の非常に低レベルの放射の侵
入を許す。このため、結晶１［４の前方面１１８全体が
放射線に曝される。カバー１４０の窓部１８の巾が比較
的広くとも、放射性同位元素置換体等を含む組織とこの
ような放射性同位元素置換体を含まない組織との境界面
を弁別する器具１２の能力は、厳密な弁別を達成する規
準化が一般的に不要である稈ジ１常に正６１′である。

機器の洗浄およびその無菌状態の維持を共に簡素化する
手法は、プローブ装置＋２１に嵌合し、容易に無菌状態
にできるポリマー材料から形成される使い捨てｉｉＪ能
なプラスチック・カバーを使用することを含む。このよ
うに、使用に先立ち、手術要ｔ１はこのカバー即ち鞘部
内にプローブを滑り込ませることになる１、このポリマ
ー面を付設することは、振動により生じるノイズの制御
を助けると共に、装置に必要な無菌状態を維持するため
の理想的な手法を示す。

第８図においては、器具１２がポリマー製カバー１５４
と共に、点線で示されている。カバー１５４は、例えば
０．００５１１１Ｑ＋　（０，０２０インチ）の厚さを
持つ丈夫なプラスチックから形成されたノーズ部１５６
を含む。このため、激しい手術動作において使用される
時カバー１５４を破断等から守ることになる。

このノーズ部１５６からは、鞘部が無菌状態の安全を保
障するため充分な距離となるようＩ４の如き信号伝達要
素を覆うに充分な長さだけ後方へ伸びている。

第９八図および第９Ｂ図においては、計装回路のブロッ
ク図が示されている１、第９八図においては、テルル化
カドミウム結晶１１４カ＜１つの面を線＋５７を介して
接地され反対側の即ちバイアスか掛けられた面が線１５
８、＋５９を介してブロック１６０て示されたバイアス
・フィルタと接続された状態で示されている。このフィ
ルタ１６［）に対する入力は前に１４で説明されこの番
号により示される如き３芯ケーブルを介して加えられる
ように線１６１て示される。線１５８は、第２図の先に
説明した線５２と対応している。このバイアス電圧は、
第９Ｂ図においてブロック１６２で示され線１６３で表
される電源から出る。

結晶１１４からの線１５８は、前置増幅器４４の積算段
１６４まで伸びるように示されている。検出された放射
線擾乱の積算された値は、線１６５により示される如く
ブロック１６６て示される駆動増幅回路網へ送られる。

＋２Ｖの電力が、線１６７で示されるように電源１６２
（第９Ｂ図）から与えられ、第９Ａ図に示されるように
ブロック１６８により示されるプローブ電流回路へ送ら
れる。線１６９により示される如きマイクロコンピュー
タの制御下て、回路１６８は例えば、プローブ器！″！
１２か適正にコンノール１６と接続されたかどうかを判
定する信号を生しる。ｎｉ１置装幅段４４に対する１２
Ｖの電力の供給は、線１７１を介してケーブル１４から
駆動増幅器まで伸びる如き線１７０て示されている。

線１７１は、第２図においてケーブル１４と関連して述
へたクランド４６と対応している１、器具１２に対する
接地電位もまた、ケーブル１４まで伸び、かつ線＋７３
を介して器具の前置増幅要素４４まで伸びる如く第９八
図に示される線１７２て表された電源ブロック１６２か
ら生しる。線１７３は、先に述べた第２図のクランド４
８と対応している。

前置増幅回路４４の出力は、第２図の先に述へた線５４
と対応するケーブル１４を介して伸びる線＋７／１で示
される。線１７４はケーブル１４から線１７５としてブ
ロック１７６で示される正規化増幅器の入力側まで伸び
ている。ブロック１７６により示される回路は、与えら
れた器具１２のノイズ特性を増幅あるいは減衰する、即
ちスケール化し、またその値を正規化即ち以降の比較段
に対して定常化するように機能する。一般に、例えば、
２７ｋｃｖのエネル・ギ・レベルのガンマ線か生じるノ
ステム内のパルスは、ノイズ・レベルより約５倍大きく
なる。

増幅０回路１７６の正規化は、これらのノイズ・レベル
をある予め定めたレベル、例えば、２００ミリホルトに
桶：保し、その結里牛しる有効ガンマ線と関連するパル
スは比較機能を保障する目的のため略々１ボルト高くな
るブロック１７６の増幅回路が線１７８を介してブロッ
ク１７７で表されたディジタル／アナログ・コンバータ
回路から制御される状態で示される。回路１７７は更に
、第９Ｂ図に示されるように、マイクロコンピュータ回
路を表すブロック１８０まで伸びる線１７９から制御さ
れる。

回路１７６から生じる正規化された出力は、線１８１お
よび１８２を介してブロック１８３で示される如き平均
化回路へ送られる。この回路１８３は、ある器具１２の
あるシステムのノイズに対する増幅値を決定し、マイク
ロコンピュータ１８０により使用されるｆＪ１報として
先に述べたように使用される線１８４（ノイズ増幅器）
に表される如き対応信号を生しる。この情報は、ブロッ
ク１７Ｇで示される正規化増幅器により使用されること
に加えて、比較機能のための小さな窓の値を生じるため
にも使用することかできる。。

＆！Ｊ１１８２はまた、線１８６を介して、ブロック１
８８で示されるパルス取得回路までのびる。この回路は
、ブロック１８０で示されるマイクロコンピュータによ
り付勢される時、線１８６において明らかにされる最も
高いパルス振幅の値を取１１すするように機能する。次
いて、この情報は、線１９０により示される如くブロッ
ク＋８０のマイクロコンピュータへ周期的に送られる。

ある形態のピーク検出器を表す回路は、時に「スナップ
ショット回路」と呼ばれる。線１９２およびブロック１
９４におけるように、線１８２から得られるのもバンフ
ァ増幅器であり、これは線１９６において従来の放射線
の測定目的のためのコンソール１６の後の部分で得るこ
とができる受は取られたパルスを表す出力を生じる。

線＋８１は、第９Ｂ図においてｉＩＪ＋　９８で示され
る如く、ブロック２　（］　０で示される−１一部の窓
コンパレータおよびブロック２（）２て示される下部の
窓コンパレータの１つの人力まで伸びている。

ブロック２０２の回路により使用される比較目的のため
の閾値レベルか１！２０／ｌから表明された状態で示さ
れ、また望ましくは線１８７Ｉから生したノイズ振幅信
号より僅かに−１、のレベルでマイクロコンピュータ回
路１８０のロジックにより生成される。無論、このよう
な窓の手動設定を行うことができる。同様に、有効なガ
ンマ線作用の受は入れの上部窓は対応する線２０６から
羅立される。

この閾値設定は、パルス取得回路１８８から得た情報か
ら行うことかできる。

第９Ａ図においては、−１一部窓および下部窓の閾値の
選択は、ブロック１７７に示されるディジタル／アナロ
グ・コンバータ回路から制御される如きブロック１８０
のマイクロコンピータ回路の制御下で行われる。例えば
、変化する振幅の２５６ステツプからなる出力を牛しる
のは、ブロック１７７のこのような回路の特ｖ１である
。段階的な逓増率は、生した電圧の値の範囲にわたって
やや変化することになる１、ｊｆって、線２０８および
２１０における如きブロック１７７のこの変換回路から
の出力は、それぞれブロック２１２．２１４で示される
スケルチ回路へ送られる。これらの回路は、線２０８．
２１０のその時の出力を２乗し、これにより線２０４．
２０６の出力を規定する閾ｇ１の均一　な率の増分を得
るように機能する。

再び第９Ｂ図において、ブロック２０２．２０２に示さ
れるコンパレータ回路の出力は、与えられた閾値の上あ
るいは下であり得る候補パルスを表し、各線２１６．２
１８上の「ＵＷパルス」およびｒＬＷパルス」として生
しるものとして識別される。これらの線は、プール論理
を行って有効パルスの存否を判定するブロック２２０で
示される実時間パルス弁別回路へ送られる。有効パルス
は、線２２２により示される如きマイクロコンピュータ
１８０へ送られる。

ブロック１８０で示されるマイクロコンピュータは、多
数の演算モートのドでｆ′１動して肝癌組織を標定ある
いは弁別する際外科医を助けるため、聴覚および視覚的
な出力を生じる。前者に関しては、線２２４およびブロ
ック２２６で示されるように、音量制御機能か表明され
て線２２８およびブロック２３０に示される如きソリッ
ドステート形態のボテンノヨメータから振幅の変化か制
御される。

更に、サイレン形態の周波数変化が、２３６で示される
スピーカおよび線２３８を駆動するためのブロック２３
４て示される音響増幅回路に対して線２３２て示される
ように表明される３、上記のサイレン装置により、スピ
ーカ２３６からの周波数出力は、器具１２が集中した放
射線の部位に近付くよう移動されるに伴い増加する。無
論、オペレータの選択により、従来のクリックおよびビ
ープ音を生じるようにできる。

矢印２４０およびブロック２４４により示されように、
マイクロコンピュータ回路１８０もまた入出力回路をア
ドレス指定し、この回路は、矢印２４４により示される
ように、変化するタイプのパルス・カウント出力、なら
びに音用レベル、パルスの高さ、ノイズ・レベルおよび
パンテリ状態を表す出力を生じるように機能する。視覚
的な読みは、第１図に関連して述へたように同じ番弓２
６を付したブロックとして、第９１３図に示される。同
様に、ブロック２４２で示される入出力機能は、第１図
の３０と関連して述へた第９Ｂ図の同し番号で示される
キーホードあるいはスイッチの適当な走査を行う。カウ
ント動作中、マイクロコンピュータ回路１８０は、線２
４８からのブロック２４６により示される発光ダイオー
ド駆動回路を制御するように機能する。ブロック２４６
で示されるこの駆動回路は、線２５０により示されるよ
うに、第１図の２８で示され同し番号を付したブロック
で示される２連ＬＥＤデイスプレイへ入力を生じるよう
に示される。この読みは、ガンマ線が検出される時は赤
色の光を、また通常のカウント操作においては緑色の光
を生じる。周知の種類の直列出力ポートもまたコンソー
ル１６上に設けられ、このようなボートは線２５４から
ブロック１８０のマイクロコンピユータからアドレス指
定されるブロック２５２で示され、矢印２５６により示
される人出力成分を有する。不揮発性のメモリーを備え
た実時間クロック／カレンダもまた、ブロック２５８お
よび矢印２６０により示される如きマイクロコンピュー
タ回路１８０の機能に関連して設けることもできる。

更にまた、このマイクロコンピュータは、ブロック１６
２で示される電源の状態を監視するため用いることがで
きる。このことは、ブロック２６２で示されるマルチプ
レクサを有し、矢印２６４．２６６により示される関連
動作を行うマイクロコンピュータ回路の相互作用により
行われる。前記電源はまた線２６８により示される如き
回路の論理レベル成分に対する＋５ボルト・ソース、線
２７０の−５ボルト・ソース、ならびにデイスプレィ２
６の駆動のための線２７２の一９ボルトの基準電圧、そ
して最後に以下本文に述へるアナログ回路に基準入力を
与える線２７４で示される如き２．５ボルトの基準電圧
を提供することが判るであろう。

第９Ａ図においては、フロック１８（）て示される如き
マイクロコンピュータ回路もまた、ブロック１７７で示
されるティジタル、／アナログ変換回路に対して即時の
パルス反復数と対応する人力を！ｊえ、この情報は線２
７８を介してブロック２７６で示されるパルス反復数の
増幅回路に伝えられる１、線２８０て示される如きその
結果生しる出力は、例えは、コンソールＩ６の後にりえ
ることかできる。ブロック２７６で示されるこの回路も
また、システムの下流側の構成要素のテストのため較正
パルスを生しるために使用することもできる、７このよ
うに、マイクロコンピュータは、ブロック２７６で示さ
れる増幅回路へ与えるために、ブロック１７７のディジ
タル／アナログ変換回路を介して予め定めタパルス・レ
ベルを与える。線２８２において結果として生した出力
は、ブロック２８４により示されように選択的に切り換
えられて、線２８６のマイクロコンピュータ入力から線
２８８の較正パルスまでのパルス１１Ｊを規定する。

上記のシステムおよび装置ならびに方法において本発明
の範囲から逸脱することなく変更か可能であり、その記
述に含まれあるいは添付図面に示された全ての事項は例
示であって限定を意図するものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の＃１器を示すプローブ機器および関連
するコンソールの斜視図、第２図は内部の構造を示すた
め一部を破断した第１図に示されるプローブ機器の側面
図、第３図は第２図の計器の前方組立て状態を示す分解
図、第４図は第３図に示された本計器の実施態様の前方
部分の断面図、第５図は第２図および第３図の計器の結
晶保持器の腔部内の絶縁層を提供する器具部を示す部分
断面図、第６図は製造中に生じる第２図および第３図の
計器の構成要素の組立て状態を示す斜視図、第７図は組
立て手順の次のステラフを示す第２図および第３図の５
１器の別の斜視図、第８図は無菌状態のカバー即ち鞘部
を使用した状態を示す第２図のプローブ機器の斜視図、
および第９Δ図および第９１３図は本発明の計器と関連
する制御装置の機ｉｌｌ的な’ｒ：ｌ１１成要素を示型
要素ック図の組み合わせ図である。 １０・・・プローブ／支援機器、１２・・プローブ、■
７Ｉ・・・３芯ケーブル、１６・・・コンソール、１８
・・・窓部、２０・・・偏向した部分、２２・・把持可
能部分、２／ｌ・−ポリマー而、２６・・・ティスプレ
ィ、２８・・−２連のＬ　Ｅ　Ｄ　窓、３０・・・スイ
ッチ／キーホード、３２・−オン・スイッチ、３３・・
・オフ・スイッチ、３４・・・カウント・モード・スイ
ッチ、３５・・・警報スイッチ、３６・・・リセフト・
スイッチ、３７・・・スケルチ機能スイッチ、３８・・
・較正機能スイッチ、３９・・スイッチ、４０・・スイ
ッチ、４４・・・前置増幅器、４６．４８・・・クラツ
ド材、５（）・・・−カバー、５２．５４・・・線、５
６・・−ノリコン・ゴム製カバー、７０・・・管状の支
持部、７２・・・円筒状コネクタ面、７４・・・室、７
６・・・結晶マウント、７８・・円筒状面、８０・・・
中心位置開口、８２・・・接近口、８４・・・被覆リー
ド線、８６・・・円筒状カラ一部分、９０・・・内孔、
９２・・・絶縁層、９４・・・側面、９５・・・間隙、
９６・・・底面、９７・・・側面、９８・・・凹部、１
００・・・バイアス接触部材、１０２・・・側面、１０
４・・・腔部、】０６・・・工具、１０８・・・矩形状
整合バー１１０・・結晶）ＩＩ型、１１１・　ロソ１−
１１１２・・・柔軟部材、１１３−・・円筒状突起部、
１１８・・・面、１３７Ｉ・・・ティスフ、１３６・・
・保持器、１３８−・・すＩｉ’　ｔ’Ｉ　Ｏリンク、
１４０・・・前方カバー、１４４・・・ポリマー・コー
ティング、＋４６・・エボキン保持層、１４８・−・導
電性エボキノ接着剤層、１５０・・・デッドスペース、
１５４−・・ポリマー製カバー１５６・・・ノーズ部、
１５７．１５８．１５９・・・線、１６０・・・バイア
ス・フィルタ、１６１・・線、１６２・・−電源、１６
３・・・線、１６４・・・積算段、１６５、＋６７・・
・線、１６８・・・プローブ電流回路、１６９〜１７５
・・・線、１７６・・・正規化増幅器、１７７・・・デ
ィジタル／アナログ・コンバータ回路、１７８．１７９
・・・線、１８０・・・マイクロコンピュータ回路、１
８１．１８２・・・線、１８３・・・平均化回路、１８
４．１８６・・・線、１８８・・・パルス取得回路、１
９０．１９２．１９６．１９８・・・線、２００・・・
上部の窓コンパレータ、２０２・・−下部の窓コンパレ
ータ、２０４．２〔）６．２（）８．２１（Ｊ・・・線
、２１２・・スケルチ回路、２１４・・−スケルチ回路
、２１６．２１８・・・線、２２０・・・実時間パルス
弁別回路、２２２．２２４．２２８・・・線、２３０・
・・ポテンショメータ、２３２・・・線、２３４・・・
音響増幅回路、２３６・・・スピーカ、２３８・・・線
、２４６−・・発光ダイオード馴動回路、２４８．２５
０．２５４・・・線、２６４・・・マイクロコンピュー
タ回路、２６６・・・マイクロコンピュータ回路、２７
（）、２７２．２７４・線、２７６・・・増幅回路、２
７８．２８（）、２８２．２８６．２８８・・・線。 手 続 補 書（斌） 平成 ２年３ 月２−２０ ２、発明の名称 低エネルギ放射線用の放射検出器およびローカライザ３
゜ 補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住所 名　称　　ネオプローブ・コーポレーション４、代理人 住　所　　東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手
町ビル　２０６区 電話２７０−６６４１〜６６−１￥−６氏名（２７７０
）弁理士湯浅恭二胛。 □１ ５、補正命令の日付 ６、補正の対象 平成　２年　２月２７日　（発送口）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、予め定めたエネルギ・レベルを持つ放射線の放射源
   を検出し標定するための器具において、前方に置かれた
   部分を持つハウジングと、 前記ハウジングの前方位置部分の内部に 置かれ、前記所定のエネルギ・レベルの放射線を減衰す
   る材料から形成されるマウントであって、前方に置かれ
   た開口から電気的に絶縁する表面まで内部で延在する側
   壁を有する前方に置かれた結晶収受用腔部を持つ結晶マ
   ウントと、 前記腔部内に置かれ、前記電気的な絶縁面に面して置か
   れた後方に位置する表面を持ち、かつ前方に置かれた面
   まで延在する側部を持つ放射線に応答する結晶と、 前記腔部内に延在し、前記絶縁面に隣接したバイアス接
   点を有するバイアス手段と、 前記結晶の後方位置の面と前記バイアス接点との間に順
   応して隣接状態にある第１の導電性を有する柔軟性部材
   と、 前記結晶の前方位置の面に順応してこれと 隣接状態にある第２の導電性を有する柔軟性部材と、 前記第２の柔軟性部材と隣接して当接状態に置かれ前記
   結晶の前方位置の面を接地する接地手段と、 該接地手段と前記第２の導電性を有する柔軟性部材と前
   記結晶の前方位置の面との上に緊張状態で置かれ、前記
   接地手段と前記第２の柔軟性部材とを前記結晶の前方位
   置面に押し当て、また前記後方位置の面を前記第１の柔
   軟性部材に押し当てて保持する弾性保持手段と、 前記結晶マウントと前記結晶と前記接地手段と前記弾性
   保持手段との上方にこれらを包囲するように置かれ、前
   記予め定めたエネルギ・レベルの前記放射線の放射を伝
   達することを許容する前方カバー手段と、 を設けてなる器具。 ２、前記バイアス接点が、前記第１の導電性を有する柔
   軟性部材と自由に当接する接触状態にある請求項１に記
   載の器具。 ３、前記第１の導電性を有する柔軟性部材が、炭素を充
   填した不織ポリテトラフルオロエチレン布である請求項
   １記載の器具。 ４、前記接地手段が、前記第２の導電性を有する柔軟性
   部材上でこれと自由に当接する接触状態にある請求項１
   に記載の器具。 ５、前記第２の導電性を有する柔軟性部材が、炭素を充
   填した不織ポリテトラフルオロエチレン布である請求項
   １記載の器具。 ６、前記腔部内で前記絶縁面を確立するように置かれた
   絶縁性のポリマー層を有する請求項１記載の器具。 ７、前記前方のカバー手段の外側面上に置かれた摩擦の
   小さなポリマー・コーティングを含む請求項１記載の器
   具。 ８、前記器具上に置くことが可能な使い捨て可能な無菌
   の薄いポリマー製カバーを含み、該器具の構成要素を汚
   染物から隔離して外科的用途のための無菌状態の器具の
   外面を提供する請求項１記載の器具。 ９、前記接地手段が、前記ハウジングと電気的に接続さ
   れ、かつ前記第２の導電性を有する柔軟性部材上でこれ
   と自由に当接する接触状態で延在する導線を含む請求項
   １記載の器具。 １０、前記接地手段の導線が、前記結晶マウントに支持
   されるよう固定され、かつ前記第２の導電性を有する柔
   軟性部材上でこれと自由に当接する接触状態で延在する
   請求項１記載の器具。 １１、前記弾性保持手段が、前記第２の導電性を有する
   柔軟性部材上に緊張状態に置かれかつ前記結晶マウント
   に対して緊張状態に固定された弾性ウェブである請求項
   １記載の器具。 １２、前記結晶マウントの結晶収受用腔部が、該結晶の
   側部と少なくとも同一面内に収まる深さを有し、さもな
   ければこれに入射してしまう放射線を、減衰させる形態
   を呈する請求項１記載の器具。 １３、前記バイアス接点が、前記第１の導電性を有する
   柔軟性部材と自由に当接する接触状態にあり、 前記接地手段は、前記第２の導電性を有する柔軟性部材
   上でこれと自由に当接する接触状態で延在する導電性部
   材を含み、前記弾性保持手段が、前記接地手段上で緊張
   状態に置かれ、かつ前記結晶マウントに対して固定され
   て前記接地手段を前記第２の柔軟性部材に対して、また
   前記第２の柔軟性部材を前記結晶の前方位置の面に対し
   て圧縮保持させるようにする弾性ウェブである請求項１
   記載の器具。 １４、前記第１および第２の導電性を有する柔軟性部材
   が、炭素を充填した不織ポリテトラフルオロエチレン布
   である請求項１３記載の器具。 １５、前記弾性保持手段がナイロン帯材である請求項１
   ４記載の記載。 １６、前記放射線に応答する結晶の側部が、実質的に接
   触しない位置関係を生じるように選択された距離だけ前
   記結晶収受用腔部の側壁から隔てられる請求項１記載の
   器具。 １７、前記放射線応答結晶の側部が、約０．００１３ｍ
   ｍ（０．００５インチ）の距離だけ前記結晶収受用腔部
   の側壁から隔てられる請求項１記載の器具。 １８、前記放射線応答結晶の側部が、電気的ノイズ現象
   の生成を避けるに充分な間隙を画成するように、前記結
   晶収受用腔部の側壁から隔てられる請求項１記載の器具
   。 １９、予め定めたエネルギ・レベルを有する放射線の放
   射源を検出し標定するための器具を製造する方法におい
   て、 前方に位置する部分を持つハウジングを 設け、 前記の予め定めたエネルギ・レベルの放射線を減衰させ
   る材料から形成され、かつ予め定めた深さを持ち、前方
   の開口から電気的に絶縁する面まで内部で延在する側壁
   を有する前方配置結晶収受用腔部を有する結晶マウント
   を設け、 前記腔部内で前記絶縁面上に電気的バイアス接点を配置
   し、 前記腔部内で前記バイアス接点上でこれ と自由に当接する接触状態で第１の導電性を有する柔軟
   性部材を置き、 後方に位置する面と、前方に位置する面まで延在する側
   部とを有する放射線に応答する結晶を設け、 前記放射線応答結晶の前記後方位置面を前記腔部内で前
   記第１の導電性を有する柔軟性部材上に置き、 第２の導電性を有する柔軟性部材を前記結晶の前方面上
   に置き、 可撓性の接地接点を前記第２の導電性を 有する柔軟性部材上に自由に当接する接触状態に置き、 前記電気的バイアス接点、前記第１の柔軟性部材、前記
   結晶、前記第２の柔軟性部材および前記接地接点の組立
   体を、その上に弾性保持体を伸ばして渡すことにより圧
   縮し、 該圧縮された組立体を前記結晶マウントと共に前記ハウ
   ジングの前方部分上に取付ける ステップからなる方法。 ２０、放射線を透過するキャップを前記圧縮された組立
   体および結晶マウント上に置くステップを含む請求項１
   ９記載の方法。 ２１、前記結晶と実質的に一致する寸法の雄型によりポ
   リマー層を特に前記結晶マウントの収受用腔部内に成型
   して前記絶縁面を提供するステップを含む請求項１９記
   載の方法。 ２２、実質的に接触しない位置関係を生じるよう選択さ
   れた距離だけ前記結晶の側部から前記側壁が隔てられる
   、前記前方に位置する結晶収受用腔部を有する前記結晶
   マウントが設けられる請求項１９記載の方法。 ２３、前記結晶の側部から隔てられる寸法である前記側
   壁を有するよう前記前方位置の結晶収受用腔部が形成さ
   れて、その間に前記結晶による電気的ノイズ現象の発生
   を避けるに有効な間隙が画成されるように前記結晶マウ
   ントが設けられる請求項１９記載の方法。 ２４、ポリマー層を特に前記結晶マウント収受用腔部内
   で前記結晶と実質的に一致する寸法の雄型により成型し
   て前記電気的絶縁面を提供するステップを含む請求項２
   ３記載の方法。