JPH0833448B2

JPH0833448B2 - 低エネルギ放射線用の放射検出器およびローカライザ

Info

Publication number: JPH0833448B2
Application number: JP1296031A
Authority: JP
Inventors: デニス・ジョセフ・デネン
Original assignee: ネオプローブ・コーポレーション
Priority date: 1988-11-14
Filing date: 1989-11-14
Publication date: 1996-03-29
Anticipated expiration: 2011-03-29
Also published as: DE68926217T2; CA1315424C; ATE136656T1; AU4159889A; EP0371903A1; DE68926217D1; JPH0483191A; IL91830A0; KR910006739A; KR970010363B1; EP0371903B1; GR3019697T3; IL91830A; US5070878A; ES2085868T3; AU618403B2

Description

【発明の詳細な説明】（技術分野）本願発明は、放射線源の検出および標定装置およびそ
の製造方法に関する。

（背景技術）癌組織の検出および処置は、長年の間熱心な研究の主
題であった。その検出の多くの試みの内の１つは、腫瘍
特有の抗原の識別に関するものであった。これらの抗原
が識別可能な場合、腫瘍部位に集まろうとする放射性核
種で識別される抗原が使用されてきた。このように集中
すると、例えば放射性物質の集中度をイメージ化するこ
とにより記録し、これにより腫瘍性の組織を標定するた
め、やや精巧な放射線検出装置が次に使用される。この
手順における重要な進歩は、種々の放射線核種と共に単
一クローン抗原あるいはその断片を使用することによっ
て明らかになった。これらの抗原の撮影を実施するため
の典型的な手法は、例えば、断層写真走査法、免疫シン
チグラフィ等を含むものであった。抗原を識別するため
の放射性核種の特定の選択は、その核特有の性質、物理
的半減期、検出機器の性能、放射性同位元素置換抗原の
薬力学的特性、および識別手順の困難度の程度に依存す
る。これらの核医療撮影における放射性核種の内最も広
く使用されるものは、テクネチウム^99mTC、ヨウ素
¹²⁵I、¹³¹I、およびインジウム¹¹¹Inを含む。その内特
に、胃腸管の腫瘍を標定するためには、放射性核種¹³¹I
が、撮影用ガンマ線カメラ等と関連してマーカ即ちラベ
ルとして使用されるが、これらのカメラは比較的大型で
あり、撮影過程において患者の上方に設置される精巧な
装置である。

やや広範囲に使用されているにも拘わらず、¹³¹Iは診
断薬に使用するには理想的な放射性核種ではない。¹³¹I
から発射される高エネルギのガンマ・光子は、古典的な
ガンマ線カメラ等の機器では僅かに検出されるに過ぎな
い。更に、管理されたマーカ放射線は、患者に対して高
い放射線量をもたらす。更にまた、これらの外的な撮影
装置のイメージ鮮明度は多くの理由から満足できるもの
ではなかった。腫瘍部位は小さくなるため、放射性核種
の集中は、イメージ化の観点からは、バックグラウンド
あるいは患者に必然的に存在する血液溜まりの放射線に
おいて失われる傾向がある。

最近において、例えば、¹²⁵I（27乃至35kev）の遥か
に低エネルギのガンマ線レベルを使用することにより、
このような腫瘍性組織の識別および切除に関する外科的
手法が発展を遂げた。このような放射性同位元素置換体
は、腫瘍と患者の体表面との間の組織によって放射線が
著しく吸収される故に従来の外的なイメージ化あるいは
走査装置と共に使用することができないが、プローブ型
の検出構造と共に使用される時、非常に効率の良い弁別
法が開発可能である。特に、患者に対する放射性同位元
素置換体の導入時間から外科手術の時間までの適当な間
隔を待機することを含む外科的方法論と組み合わせたこ
の種の放射性同位元素置換体の半減期が長ければ長いほ
ど、癌性腫瘍の非常に正確な弁別をもたらし得る。この
ような改善された癌性腫瘍の標定、弁別および除去の方
法は、腫瘍性の組織の疑いがある患者の特定のエネルギ
・レベルの上記光子放射に特定するある抗原の有効量が
投与される外科的処理を含む。次に、外科的処置は、放
射性同位元素置換体が、患者に存在する腫瘍性の組織中
に選好的に集中させると共に、腫瘍性組織からの光子放
射とバックグラウンドの光子放射との比率を増す用に正
常な組織から外させるように、このような投与後ある時
間だけ遅らせられる。その後、患者の手術領域に外科的
に接近し、腫瘍性組織について調べられる手術領域内の
組織のバックグラウンド光子放射カウントが決定され
る。一旦手術領域内の組織に対するバックグラウンドの
光子放射カウントが決定されると、この手で保持される
プローブが腫瘍性の疑いのある組織に隣接する手術領域
内に手で設置される。次に、弁別のための読みがプロー
ブのカウントから得ることができる。この技術について
は、下記の技術的刊行物を参照されたい。即ち、 I. E.W.Martin,Jr.,MD;J.P.Minton,MD,PhD;Larry C.Car
ey,MD著“CEA−Directed Second−Lock Surgery in the
Asymptomatic Patient after Primary Resection of C
olorectal Carcinoma"（Annals of Surgery,202:1,1985
年 305−12）。

II. P.J.O′Dwyer,MD,CM;Mojzsik,RN MS;G.H.Hinkle,RP
h,MS,M.Russeau;J.Olsen,MD;S.E.Tuttle,MD;R.F.Barth,
PhD;D.P.McCabe,MD;W.B.Farrar,MD;E.W.Martin,Jr.,著
“Intraoperative Probe−Directed Immunodetection U
sing a Monoclonal Antibody"（Archives of Surgery,1
21（1986年12月）1321〜1394）。

III. D.T.Martin,MD,G.H.Hinkle,MR RPh,S.Tuttle,MD,
J.Olsen,MD,H.Abdel−Nabi,MD,D.Houchens,PhD,M.Thurs
ton,PhD,D.E.W.Martin,Jr.,MD著“Intraoperative Radi
oimmunodetection of Colorectal Tumors with a Hand
−Held Radiation Detector"（American Journal of Su
rgery,150:6（1985年12月）672−75）。

IV. D.R.Aitken,MD,M.O.Thurston,PhD,G.H.Hinkle,MR R
Ph,D.T.Martin,MD,D.E.Haagensen,Jr.,MD,PhD,D.Houche
ns,PhD,S.E.Tuttle,MD,E.W.Martin,Jr.,MD.著“Portabl
e Gamma Probe for Radioimmune Localizetion of Expe
rimental Colon Tumor Xenografts"（Journal of Surgi
cal Research,36:5（1984年）480−489）。

V. E.W.Martin,Jr.,MD,S.E.Tuttle,MD,M.Roussear,C.M.
Mojzisik,RN MS,P.J.O′Dwyer,MD,G.H.Hinkle,M RPh,E.
A.Miller,R.A.Goodwin,O.A.Oredipe,MA,R.F.Barth,MD,
J.O.Olsen,MD,D.Houchens,PhD,S.D.Jewell,MS,D.M.Bucc
i,BS,D.Adams,Z.Steplewski,M.O.Thurston,PhD著“Radi
oimmunoguided Surgery:Intraoperative Use of Monocl
onal Antibody 17−1A in Colorectal Cancer"（Hybrid
oma 5 Suppl 1（1986）S97−108）。

更に、1988年11月８日発行のE.W.Martin,Jr.およびM.
O.Thurstonの米国特許第4,782,840号「腫瘍の標定、弁
別および除去のための方法」をも参照されたい。

このような非常に効率の良い弁別および標定手法の成
功は、この手法により必然的に発展した非常に少量の放
射線を検出することが可能なプローブ型の検出装置が得
られることに基づいて予測される。これに関して、¹²⁵I
の如き低エネルギの放射性核種が使用され、バックグラ
ウンド放射が最小限に抑えることができ、かつバックグ
ラウンド・カウントに対する受け取られた腫瘍特有のカ
ウントの比率が最大途なり得るように、核種による放射
性同位元素置換体の分布が非常に少ない。従来のプロー
ブ型の放射線検出装置はこの目的のためには有効ではな
い。一般に、室温で使用できるプローブ用の検出装置が
要求される故に、テルル化カドミウムの如き非常に脆く
即ちデリケートな結晶が使用されている。このような結
晶を用いるプローブは、例えば約2,000乃至4,000電子間
の結晶中に電子孔対を生じる僅かに１ガンマの放射を検
出できなければならない。１アンペアが毎秒6.25×10¹⁸
個の電子を生じることを考えれば、このようなプローブ
を用いて非常に小さな電流を検出しなければならないこ
とが判るであろう。しかし、このプローブ装置もまた、
例えば宇宙線、室温の分子が生じるノイズ、またプロー
ブ自体を単に触れて生じる容量的あるいは圧電作用的に
誘起するノイズから起生し得る広範囲の電気的な擾乱か
らのかかる電流を減衰し得るものでなければならない。
これらの極限の基準の下で使用できるものであると同時
に、同じプローブは更に、手術室の要件の下で使用でき
ねばならない。この点において、このプローブは、汚染
物質の侵入から安全であり、減菌が可能であり、また手
術室内で外科医の取り扱いに充分耐えるよう丈夫でなけ
ればならない。更にまた、プローブに使用されるこの装
置は、外科医の癌の部位へ案内する目的のため装置が使
用できるように腫瘍性組織が接近しつつある時これを外
科医に明確に知らせることができなければならない。更
に、外科的用途のためには、プローブ機器は手術口等か
ら有効に操作されるように小さくなければならない。こ
のような小さなサイズは、上記の使用基準において容易
に達成されない。この手法については、E.W.Martin,J
r.,MDおよびM.O.Thurston,PhDにより開発された外科的
試みである「放射性免疫による外科手術」として記載さ
れている。

上記のやや極端な基準の下で使用できることに加え
て、緊急時の使用のため求められるプローブ機器は、実
用的な製造技術を用いて組み立て可能でなければならな
い。プローブ機器の組み立て易さの改善の１つの試みに
ついては、1988年９月23日出願のDenen等の米国特許出
願第07/248,920号「低エネルギ放射線放出用の検出器お
よびローカライザ」において記載されている。同出願に
開示されたプローブの構造は、結晶面に固定される電極
を用いてガンマ線検出結晶の両側に必要なグラウンドお
よびバイアスが加えられるものである。結晶、バイアス
印加装置等を含む全ての構成要素を一緒に構造的に保持
するため、弾力性に富む保持器が使用される。上記の構
造により製造が良好に行われたが、同出願に記載された
手法は、組立体に対し多くの構成要素からなるキャップ
の使用を必要とするものであり、また放射線応答結晶に
対するバイアスおよびグラウンド電極の接続に劣化が認
められたものである。プローブの構造における更に別の
改善は、ガンマ線結晶に対する外部の要素の関連性を一
体化すること、ならびにプローブの組み立てを容易にす
ることの両観点において必要であることが認められた。

（発明の要約）本発明は、発射された放射線源、特にガンマ線源を検
出し標定するための装置、ならびにこのような装置を製
造する方法を目的とするものである。検出は、テルル化
カドミウムの如き結晶を用いて室温の条件下で、非常に
低エネルギの放射に関して達成される。装置の非常に高
い感度能力を達成するためには、やや脆い結晶が、さも
なければ大きなノイズを生じる外部的に誘起される事態
から隔離状態で確実に保持される計装法が開発された。
この点に関して、発散音響インピーダンスを呈する一連
の材料の使用により、マイクロフォニック効果が最小限
度に抑えられる。構成要素間の非常に小さな運動により
偶発的に生じる容量効果あるいは圧電作用効果は、受け
入れられ得るレベルに制御される。結晶およびこれとの
電気的接点の圧縮保持が、導電性を有するが柔軟性に富
む面支持部との関連において用いられる。本装置はま
た、実際的な製造法により組み立てられる構造としなが
ら能率も達成するものである。

本発明の１つの特徴は、前方に配置された部分を有す
るハウジングを含む、予め定めたエネルギ・レベルを有
する放射線の放射源を検出し標定する器具を提供するも
のである。ハウジングの前方に置かれた部分内に配置さ
れ、予め定めたエネルギ・レベルの放射線を減衰する材
料から形成され、かつ前方に位置する開口から内方へ延
在する前方に置かれた結晶収受腔部を有する結晶マウン
トが提供される。電気的な絶縁層が、前記腔部内に置か
れ、放射線応答結晶がこの腔部内に配置され、この腔部
は後部に置かれた面が前記絶縁層に面して配置され、か
つ前方に置かれた面まで延在する側方部分を有する。バ
イアス装置が前記腔部内に伸びて、前記絶縁層と隣接す
るバイアス接点を提供し、また前記結晶が後方に置かれ
た面と前記バイアス接点との間にこれと一致し得るよう
に隣接状態にある第１の導電性を有する柔軟性に富む部
材が提供される。結晶が前方に置かれた面と一致し得る
ように隣接して接触状態にある第２の導電性に富む柔軟
性部材が設けられ、接地装置が前記の第２の柔軟性部材
と当接状態に置かれ、結晶が前方に置かれた面を接地さ
せる。弾力性に富む保持器が前記接地装置および結晶が
前方に置かれた面上に緊張状態に置かれて、接地部材お
よび第２の柔軟性部材を結晶が前方に置かれた面に対
し、また結晶の後方に置かれた面を第１の柔軟性部材お
よびバイアス接点に対して圧縮状態で保持する。前方カ
バーが、結晶マウント、結晶、接地装置、および弾力性
保持器を密閉するように配置され、予め定めたエネルギ
・レベルの放射線の放射の伝達を許容する。

本発明の別の特徴は、下記のステップからなる予め定
めたエネルギ・レベルを持つ放射線の放射源を検出し標
定するための器具を製造する方法の提供するものであ
る。即ち、前方に置かれた部分を有するハウジングを提供し、予め定めたエネルギ・レベルの放射線を減衰する材料
から形成され、かつ前方に位置する開口から内方に延在
する側壁面を有する予め定めた深さの前方に置かれた結
晶収受腔部を有する結晶マウントを提供し、結晶収受腔部内に絶縁層を配置し、前記腔部内に電気的なバイアス接点を配置し、前記腔部内で、前記バイアス接点上にこれと自由に当
接する状態に、第１の導電性の柔軟性部材を置き、後方に置かれた面と、前方に位置する面まで伸びる側
方部分とを有する放射線応答結晶を提供し、前記腔部内で、前記第１の導電性に富む柔軟部材上
に、前記放射線応答結晶の後方位置面を置き、前記結晶の前方面上に第２の導電性柔軟部材を置き、この第２の導電性柔軟部材上に自由に当接状態に柔軟
性に富む接地接点を置き、前記バイアス接点、第１の柔軟部材、結晶、第２の柔
軟部材、および接地接点の組立体を、その上に弾力性保
持器を引き渡すことにより圧縮し、この圧縮された組立体を結晶マウントにより、前記ハ
ウジングの前方に置かれた部分上に取付けることからな
る。

本発明の他の目的については、一部は自明であり、ま
た一部は以下本文において明らかになるであろう。

従って、本発明は、以下における詳細な開示において
例示される構造、構成要素の組み合わせ、ステップ、お
よび商品の配置を含む装置および方法からなるものであ
る。本発明の性格および目的をより明瞭に理解するた
め、添付図面に関して以降の詳細な説明を参照すべきで
ある。

（実施例）第１図においては、特に外科医療分野において使用さ
れるように設計された本発明のプローブおよび支援器具
の一実施態様が番号10で全体的に示されている。この組
立体は、３芯ケーブル14によりコンソール16に接続され
た全体的に12で示された手で操作するプローブを含んで
いる。外科医により使い捨て可能なポリマー製鞘部即ち
カバー内で保持されることが望ましいこのプローブ12
は、切除のため腫瘍組織を標定するために外科的に問題
となる領域付近で操作される。例えば、結腸の手術に関
して使用される際、プローブ12、人体の腔部内の切開口
を介して操作されて外科医により検討される臓器と接触
状態になるよう実質的に挿入される。標識免疫ガイド・
モードで使用される時は、コンソール16内のラウドスピ
ーカ即ち警報器が付勢されて、外科医に対しプローブ12
が癌の部位にあることを通知する「サイレン」形態の出
力を生じる。このように、装置12は便利な長さでありか
つ握り易いことが必要である。プローブ12は、ある角度
だけ偏向した部分20の先端部に置かれた放射線を受け入
れる面即ちウィンドウ18を含むことが判る。部分20は、
手で握ることができる部分22から約30゜の角度で延在
し、臓器の裏あるいは隠れた側の付近における操作を容
易にし、またテフロン（ポリテトラフルオロエチレン）
の如き摩擦の小さな表面で被覆され、手術中組織等の表
面18が擦られることによる偶発的に生じるノイズの回避
を強化することが望ましい。

組立体10が手術室内で使用される故に、比較的大きな
LCDの窓即ちディスプレイ26、２連のLED窓28および一連
の指で操作されるスイッチを覆う平滑な一体の接触に感
応ポリマー面27を有するコンソール16もまた容易に洗浄
される。全体的に30で示されるこれらのスイッチあるい
はキーボードは、マイクロプロセッサで駆動されるコン
ソール16が医師と指示的な即ち「ユーザ・フレンドリ
な」対話を行うことを可能にする。安全の目的から、こ
の装置は充電可能なバッテリにより電力が供給される。

それぞれ番号32、33により示される従来のオン／オフ
・スイッチに加えて、コンソール16上に設けられたスイ
ッチは、カウント・モード・スイッチ34、警報スイッチ
35、リセット・スイッチ36、スケルチ機能スイッチ37、
較正機能スイッチ38、およびそれぞれ39および40で示さ
れる如きスイッチが生じるモードのあるものにおける調
整を行う逓増低減スイッチを含む。

プローブ12は、必然的に室温において使用が可能でな
ければならない。このため、本装置は、テルル化カドミ
ウム結晶を使用し、検出が要求される望ましい低エネル
ギ・レベルの放射線の故に、低エネルギのガンマ線作用
に作用的に反応することができねばならない。このよう
な結晶に対するガンマ線の相互作用は、主として３つの
プロセス、即ち光電効果、コンプトン散乱効果、および
対生成によるものである。光電効果においては、エネル
ギの光子即ちhvが全体として１つの原子と相互に作用す
る。そのエネルギは、通常最も内部の核である電子に完
全に伝えられる。この電子は、運動エネルギe_kin＝hv−
E_b（但し、E_bは軌道電子の結合エネルギ、ｈはプランク
の定数、ｖはガンマ線の波形特性と関連する周波数）を
持って発射される。このような電子は、このエネルギが
数千の他の電子と共有されるまで、多数の衝突を行う。
これらの電子は各々、文献において「正孔」と呼ばれる
正の荷電領域に残る。¹²⁵Iのエネルギでは、コンプトン
散乱効果はそれほど重要ではない。対生成は、ガンマ線
に対する電子および光子の反応を意味する。この過程は
1.0Mev以上を必要とするため、この現象は本用途におい
ては生じない。コンプトン散乱においては、一次光子は
軌道電子のどれかと相互に作用し得る。電子は、一次光
子のエネルギが電子の結合エネルギと比較して大きいと
いう条件下では略々自由電子であると考えられる。相互
作用は、一次光子と電子との間の弾性衝突であると分析
される。エネルギは、反跳電子と二次光子との間で共有
される。この二次光子は、一次電子の方向とは異なる方
向に移動し、散乱光子と呼ばれる。

このように、入射するガンマ線が結晶により吸収され
ると、このガンマ線はそのエネルギの一部あるいは全て
を電子に移転し、この電子は荷電粒子として半導体を通
過して正孔対を生じ、従って結晶媒体内の電化移転能力
を生じる。

荷電粒子が電子の正孔対を半導体内部で生じると、電
界はこれらの電荷キャリアを適当な電極へ移動させてこ
こで蓄積させる。これらの電荷が電極へ移動して集めら
れると、検出器に対して外部の回路内にある電荷即ちプ
ラスの電気的信号を惹起する。この時、これらの信号を
予め増幅し、制御装置即ちコンソール16の電子素子へ与
えることが必要である。

有効な性能を得るためには、プローブ12は、非常に低
エネルギであるガンマ線の衝突を示す信号を生じて識別
できねばならない。この点に関して、テルル化カドミウ
ム結晶とのガンマ線の相互作用が、２乃至４千の電子を
生じ得る。毎秒6.25×10¹⁸個の電子が１アンペアの電流
を表すことから、本装置の相対感度が明らかとなろう。
その結果、プローブ12内部の結晶に対する支持装置の機
械的構造は、ガンマ線の相互作用を表すこれらの著しく
小さな電荷を検出し処理するための技術として非常に重
要となる。

第２図によれば、プローブ装置12の更に詳細な図が示
されている。前方部分20の角度方位は手の握り部分22の
中心軸に対して30゜傾斜した状態で示されている。装置
12は、全長が約19cmの小ささであり、部分22は約12.7cm
の長さを有する。円筒構造部12の全径は約1.9cmであ
る。低エネルギの放射性同位元素置換を用いてプローブ
の側に非常に高い感度を達成する今日までの経験によれ
ば、多くの用途に対して、補助的な前方視準化の必要が
なくなった。手の握り部分22は、全体的に44で示される
如き長形の回路板上に前置増幅器を支持する。遭遇する
放射線エネルギに応じて、プローブ12のハウジングは、
導電性材料、従って放射線を減衰するよう機能する遮蔽
材料から形成される。

ケーブル14は、プローブの前置増幅器に対して電力を
供給すると共に、結晶に対してバイアスおよび接地を行
って前置増幅器が処理した出力信号を伝送するよう機能
する。ケーブル14は、撓ませるにはやや柔らかであるポ
リテトラフルオロエチレンのカバー（テフロン）50によ
り相互に絶縁され離間された銀被覆（クラッド）材46、
48を含む。各線52、54の構成のテフロンで絶縁された銀
から形成された最も内側のリード線は、前置増幅器44か
らの出力信号、および装置12内部の結晶の後部面に与え
られる例えば30ボルトのバイアス信号を運ぶ。クラッド
材46は、前置増幅回路に12ボルトの電力を供給し、外側
のクラッド材48は、本装置のグラウンド電位を運ぶ。外
側のシリコン・ゴム製のカバー56が設けられる。

第３図においては、プローブ12のノーズ部即ち前方部
分20の分解された細部が示される。この部分20は、テル
ル化カドミウムから形成されることが望ましい放射線に
応答する結晶114を、必要な接地およびバイアス条件を
維持しながら、遮光された機械的に丈夫な状態で保持す
る。一般に、このような結晶114はチョークにやや似た
固さ即ち物理的一体性を持ち、その表面が非常に軽い金
色のコーティングを持つように形成される。このため、
このようなデリケートな結晶の取付け、およびプローブ
器具12内の操作には、高度に洗練された設計様式を必要
とする。しかし、プローブ12の構造はその組立てが実際
方法で合理的に可能であることもまた重要である。

第３図は、管状の支持部70まで延長する手で握ること
ができる部分22を示している。円筒状のコネクタ面72を
含む部分70の前方に位置する管状部分は、室74を画成す
る内径を持つように形成される。室74は、スラグ76を所
定位置に保持する導電性を有するエポキシ保持層146
（第４図参照）と共に、略畧々円筒状のスラグ即ち結晶
マウント76を収受する。

スラグ即ち結晶マウント76は、鉛の如き適当な放射線
減衰材料で形成され、略々円筒状の形態を呈する。この
点に関して、その後方に位置する円筒状の面78は、ハウ
ジングの後部22の室74内の上記の摺動自在な取付けのた
めの形態を有する。スラグ76の中心に貫通しているのは
接近口80で、全体的に82で示される前方に位置する円筒
状の凹部まで貫通している。接近口82、被覆リード線84
を通すように機能する。リード線84は、器具の手で把持
可能部分22内の物理的に隣接する前置増幅段44まで伸び
るバイアス信号伝送線として機能する。スラグ76の円筒
状の面78は、内部に形成された環状の保持器の溝88を持
つ形状であり更に中心位置の開口80と通気するように延
在する内孔90を内臓する円筒状のカラー部分86で終わる
ことが判る。内孔90は、本装置のハンドル即ち把持可能
部分22と前方に置かれた構成要素との間の気圧を等しく
するように働く。この内孔は更に、保守等の目的のた
め、スラグ即ち結晶マウント76およびその関連する組立
体の取り外しを容易にするための道具を収受するよう働
く。

凹部82内には、なかんずく電気的に絶縁する層92が形
成され、これは更に組立体のテルル化カドミウム結晶11
4に対する緩衝支持部として機能する。シリコンゴムか
ら形成された層92は、その外面が全体的に104で示され
る結晶収受腔部の壁面を画成するような構造になってお
り、その側面は94で示され、その底面は96で示されてい
る。更にこの材料で形成されているのは環状の凹部98
で、これは被覆リード線84の終端部に形成された対応す
る形状のバイアス接点部材100を収受する形態を有す
る。例えば、接点100は、被覆リード線84内部のリード
上に接着剤により保持された導電性に富む銅箔から形成
することができる。凹部98を設けることにより、このバ
イアス接点部材100は、上記のようにこれまた緩衝効果
を生じるよう働く絶縁層の底面に沿って平らに取付ける
ことができる。腔部104が画成された層92の側面94は、
内部に取付けられる結晶114の対応する側面97を完全に
収受するための長さとなっている。凹部82を形成する側
面102における結晶マウント76の放射線減衰材料は腔部1
04の側面94と同一面内にあることに注意されたい。保持
器76のカラー即ち肩部の部分は、さもなければ、組立体
内部に置かれた時結晶の側面に入射する放射線を遮断す
るように働く。

腔部104の側面94の内部に置かれた面を横切る巾の長
さは、結晶114の対応する巾よりやや大きい。このよう
に、空間即ち間隙95（第４図）は、腔部側面94と結晶11
4の側面97との間に形成される。例えば、上記の如き円
筒状の形態の結晶の場合は、腔部104は、結晶よりも僅
かに大きい外径を有する円筒状の形態を呈する。例えば
0.0013mm（0.005インチ）のこの小さな間隙95は、結晶
の側面97と腔部104の側面94との間に生じるどんな接触
からでも生じるノイズ現象を防止する上で役立つ。従っ
て、間隙95は、さもなければ結晶の側面97と腔部の側面
94との間の接触の結果として生成されあるいは生じ得る
電気的なノイズ現象を避けるのに有効な巾を持つように
形成されるのである。

側面94、底面96および凹部98を有する腔部104は、そ
の形状および大きさが内部に挿入される結晶組立体の対
応する形状および大きさに合わせて誂えられる工具装置
によって、間隙95の形成を考慮に入れて形成される。第
５図においては、層94を形成するプロセスにより腔部10
4をこのように注文通りに作るための工具装置が示され
る。層92に使用される材料は、例えば、米国オハイオ州
グローブポートのChembar社により市販される（Two−Pa
rt RTV）ゴムとして知られるシリコンゴムでよい。この
材料は、予め定めた比率に従ってHF RTVシラスチックゴ
ム材料を触媒と組み合わせることにより調製される。こ
の材料は、結晶保持器76の凹部82内に注入され、矩形状
の整合バー108、結晶の雄型110および中心に位置する整
合バー即ちロッド111からなる工具106が溜まり内に挿入
される。ロッド111が開口80内に下方へ突出すること、
および型110が先に述べた凹部98を形成するよう働く円
筒状の突起部113を内蔵することに注目されたい。一般
に、シラスチック材料は凹部82の周囲に置かれ、これと
同時に工具106が硬化に充分な時間挿入される。この工
具106は後で引き出され、その結果得られるシラスチッ
ク層92が空隙を生じる間隙95を以てその内部に置かれる
結晶および関連要素を収受するものである。電気的な絶
縁をもたらすが、層92はまた緩衝効果を生じることにも
役立つ。

第３図に戻り、バイアス接点部材100を層の面96の凹
部98内のリード線84と結合した状態で設置すると同時
に、環状の即ちディスク形状の導電性に富む柔軟部材11
2が自由に当接し得るようにバイアス接点100上に置かれ
る。柔軟（変形可能）部材112は、例えば約0.005mm（0.
020インチ）の厚さを持ち必要な導電性を生じるように
炭素粒子で充填される商標「GORETEX」の下に市販され
る不織テフロン布（延伸され高度の結晶性を持つ焼結さ
れないポリテトラフルオロエチレン）から形成されるこ
とが望ましい。要素112は、バイアス要素100との緊密な
接触を生じるのみならず、重要なことには、放射線に応
答する結晶114との対応する電気的接触を生じるように
働く。結晶114の後部の面11は要素112の一致する面に対
して自由に当接して、緊密な面が一致する電気的な接触
を生じる。更にまた、要素112は、デリケートな結晶114
を緩衝する重要な機能を供するのである。

接地電位は、結晶114の反対側面即ち前方面118に加え
られる。この電位は、部材112（炭素を充填した不織テ
フロン）と同じ形状を呈するものでよい別の導電性を有
する柔軟部材120を面118上に自由に当接自在に設置する
ことにより行われる。前のように、構成要素120は、面1
18と緊密に一致することにより自由に当接する接点を提
供するよう働く。接地電位を確立するため、４つの細い
プラチナ線122〜125が設けられるが、これは第６図に示
されるようにスラグ76の表面102に形成された各溝128〜
131内に据え込みされる。線122〜125は次に、第６図に
示されるように柔軟部材120の前に位置する面と接触す
るように折り曲げられる。この小組立体は、透明なテー
プの小さなディスク134により固定される。

この小さな細いプラチナ線122〜125は、衝突する放射
線の非常に小さなポテンシヤル防壁を供するのみで、部
材120を介して結晶114の前面118に適当な接地条件を確
立する。線122〜125およびバイアス接点部材100の双方
からの電気的接触を強化し安定させるため、ディスク13
4、柔軟ディスク120、結晶114、柔軟ディスク112、バイ
アス接点100、および層92の組立体が、この組立体上に
緊張状態に置かれ結晶保持器即ちスラグ76の溝88内の保
持器136と係合する従来の弾性Ｏリング138によりこのよ
うな緊張状態に保持される弾性保持器136によって、圧
縮され物理的あるいは動的に安定した状態に保持され
る。

更に第７図を見れば、保持器136は、ナイロン等から
形成することができる弾性ウェブとして示される。この
ウェブは、上記の構成要素組立体上に置かれ、またこれ
ら要素上およびＯリング138によりこのような緊張状態
に保持される保持器76の外面102上で下方に引っ張られ
る。単純なカップ形状のジグをこの目的のため使用する
ことができる。結果として得られた組立体は、バイアス
および接地用の電気的接点の安定化を生じると共に、運
動が生じるノイズの生成を避けるため全ての要素を所要
の静的に安定した状態に結晶114と隣接状態に保持する
ことが判った。

再び第３図において、前方カバー140が、ハウジング
の室74内に取付けられる時上記の組立体上に置かれてい
る。側方部分102による結晶114の側面周囲における保持
器76の鉛の如き放射線遮蔽材料の張力の故に、前方カバ
ー140は、アルミニウムの如き適宜の放射線透過材料で
全体的にかつ一体的に作ることができる。このため、切
れた後手術室からの流体等の侵入を許しがちな窓要素18
の周囲の接合部の形成を避ける。カバー140は、電気的
なシールドとして機能するため、その内側面は142の如
き薄い金の層を付着させることにより導電性を与えられ
る。最後に、カバー140の外面は摩擦の面抵抗が小さな
ポリマー・コーティング144で覆われることが望まし
い。例えば、この層144は、テフロンとすることができ
る。このコーティングは、組織上の装置および手術室内
で典型的に遭遇する備品の運動により偶発的に生じる摩
擦で生じるノイズを避けることを助けるよう機能する。

第４図においては、器具の部分20の最終的な組立体が
詳細に断面で示される。保持器即ちスラグ76が導電性の
エポキシ接着在層146により管状の支持部分70に接着さ
れるが、前方カバー140もまた導電性のエポキシ接着剤
層148によりハウジングの部分72上に保持されることに
注意。第４図においては、管状部分70、結晶114および
これと関連する構成要素の組立体が、結晶114の前方の
面118ならびに関連する緩衝する保持器および電気的な
接触要素と、カバー140の窓部18との間にデッドスペー
ス150が生じるように最終組立体上に指向されることに
注意されたい。このデッドスペースは、結晶114の音響
的な隔離を強化する。

第２図の回路44に示されるように、結晶114とのガン
マ線の相互作用により生じる非常に弱い電荷の処理を行
うため、この相互作用の部位に対しできるだけ近く予備
的な増幅機能が生じることが重要である。プローブ12の
後部支持部22の対応する軸心に対して前方部分20の中心
軸が30゜傾斜させる外科手術上の必要の観点から、導線
84の長さが短いことが要求される。300乃至600アット・
クーロン（atto−coulombs）の範囲の非常に小さな電荷
が生じる故に、非常に大きな利得を達成するよう機能す
るもノイズの生成が少ない前置増幅段が求められる。実
際に、本装置の前置増幅段は、例えば約25,000ボルト程
度の電圧増幅を行うものである。

結晶114は、慎重に電気的に遮蔽され、音響的に沈静
しかつ遮光状態の環境に維持される。アルミニウム製カ
バー140は、ガンマ線の非常に低レベルの放射の侵入を
許す。このため、結晶114の前方面118全体が放射線に曝
される。カバー140の窓部18の巾が比較的広くとも、放
射性同位元素置換体等を含む組織とこのような放射性同
位元素置換体を含まない組織との境界面を弁別する器具
12の能力は、厳密な弁別を達成する視準化が一般的に不
要である程非常に正確である。

機器の洗浄およびその無菌状態の維持を共に簡素化す
る手法は、プローブ装置12上に嵌合し、容易に無菌状態
にできるポリマー材料から形成される使い捨て可能なプ
ラスチック・カバーを使用することを含む。このよう
に、使用に先立ち、手術要員はこのカバー即ち鞘部内に
プローブを滑り込ませることになる。このポリマー面を
付設することは、振動により生じるノイズの制御を助け
ると共に、装置に必要な無菌状態を維持するための理想
的な手法を示す。第８図においては、器具12がポリマー
製カバー154と共に、点線で示されている。カバー154
は、例えば0.005mm（0.020インチ）の厚さを持つ丈夫な
プラスチックから形成されたノーズ部156を含む。この
ため、激しい手術動作において使用される時カバー154
を破断等から守ることになる。このノーズ部156から
は、鞘部が無菌状態の安全を保障するため充分な距離と
なるよう14の如き信号伝達要素を覆うに充分な長さだけ
後方へ伸びている。

第9A図および第9Bにおいては、計装回路のブロック図
が示されている。第9A図においては、テルル化カドミウ
ム結晶114が１つの面を線157を介して接地され反対側の
即ちバイアスが掛けられた面が線158、159を介してブロ
ック160で示されたバイアス・フィルタと接続された状
態で示されている。このフィルタ160に対する入力は前
に14で説明されこの番号により示される如き３芯ケーブ
ルを介して加えられるように線161が示される。線158
は、第２図の先に説明した線52と対応している。このバ
イアス電圧は、第9B図においてブロック162で示され線1
63で表される電源から出る。

結晶114からの線158は、前置増幅器44の積算段164ま
で伸びるように示されている。検出された放射線擾乱の
積算された値は、線165により示される如くブロック166
で示される駆動増幅回路網へ送られる。12Vの電力が、
線167で示されるように電源162（第9B図）から与えら
れ、第9A図に示されるようにブロック168により示され
るプローブ電流回路へ送られる。線169により示される
如きマイクロコンピュータの制御下で、回路168は例え
ば、プローブ器具12が適正にコンソール16と接続された
かどうかを判定する信号を生じる。前置増幅段44に対す
る12Vの電力の供給は、線171を介してケーブル14から駆
動増幅器まで伸びる如き線170で示されている。線171
は、第２図においてケーブル14と関連して述べたクラッ
ド46と対応している。

器具12に対する接地電位もまた、ケーブル14まで伸
び、かつ線173を介して器具の前置増幅要素44まで伸び
る如く第9A図に示される線172で表された電源ブロック1
62から生じる。線173は、先に述べた第２図のクラッド4
8と対応している。

前置増幅回路44の出力は、第２図の先に述べた線54と
対応するケーブル14を介して伸びる線174で示される。
線174はケーブル14から線175としてブロック176で示さ
れる正規化増幅器の入力側まで伸びている。ブロック17
6により示される回路は、与えられた器具12のノイズ特
性を増幅あるいは減衰する、即ちスケール化し、またそ
の値を正規化即ち以降の比較段に対して定常化するよう
に機能する。一般に、例えば、27kevのエネルギ・レベ
ルのガンマ線が生じるシステム内のパルスは、ノイズ・
レベルより約５倍大きくなる。増幅回路176の正規化
は、これらのノイズ・レベルをある予め定めたレベル、
例えば、200ミリボルトに確保し、その結果生じる有効
ガンマ線と関連するパルスは比較機能を保障する目的の
ため略々１ボルト高くなるブロック176の増幅回路が線1
78を介してブロック177で表されたディジタル／アナロ
グ・コンバータ回路から制御される状態で示される。回
路177は更に、第9B図に示されるように、マイクロコン
ピュータ回路を表すブロック180まで伸びる線179から制
御される。回路176から生じる正規化された出力は、線1
81および182を介してブロック183で示される如き平均化
回路へ送られる。この回路183は、ある器具12のあるシ
ステムのノイズに対する増幅値を決定し、マイクロコン
ピュータ180により使用される情報として先に述べたよ
うに使用される線184（ノイズ増幅器）に表される如き
対応信号を生じる。この情報は、ブロック176で示され
る正規化増幅器により使用されることに加えて、比較機
能のために小さな窓の値を生じるためにも使用すること
ができる。

線182はまた、線186を介して、ブロック188で示され
るパルス取得回路までのびる。この回路は、ブロック18
0で示されるマイクロコンピュータにより付勢される
時、線186において明らかにされる最も高いパルス振幅
の値を取得するように機能する。次いで、この情報は、
線190により示される如くブロック180のマイクロコンピ
ュータへ周期的に送られる。ある形態のピーク検出器を
表す回路は、時に「スナップショット回路」と呼ばれ
る。線192およびブロック194におけるように、線182か
ら得られるのもバッファ増幅器であり、これは線196に
おいて従来の放射線の測定目的のためのコンソール16の
後の部分で得ることができる受け取られたパルスを表す
出力を生じる。

線181は、第9B図において線198で示される如く、ブロ
ック200で示される上部の窓コンパレータおよびブロッ
ク202で示される下部の窓コンパレータの１つの入力ま
で伸びている。ブロック202の回路により使用される比
較目的のための閾値レベルが線204から表明された状態
で示され、また望ましくは線184から生じたノイズ振幅
信号より僅かに上のレベルでマイクロコンピュータ回路
180のロジックにより生成される。無論、このような窓
の手動設定を行うことができる。同様に、有効なガンマ
線作用の受け入れの上部窓は対応する線206から確立さ
れる。この閾値設定は、パルス取得回路188から得た情
報から行うことができる。

第9A図においては、上部窓および下部窓の閾値の選択
は、ブロック177に示されるディジタル／アナログ・コ
ンバータ回路から制御される如きブロック180のマイク
ロコンピュータ回路の制御下で行われる。例えば、変化
する振幅の256ステップからなる出力を生じるのは、ブ
ロック177のこのような回路の特性である。段階的な逓
増率は、生じた電圧の値の範囲にわたってやや変化する
ことになる。従って、線208および210における如きブロ
ック177のこの変換回路からの出力は、それぞれブロッ
ク212、214で示されるスケルチ回路へ送られる。これら
の回路は、線208、210のその時の出力を２乗し、これに
より線204、206の出力を規定する閾値の均一な率の増分
を得るように機能する。

再び第9B図において、ブロック202、202に示されるコ
ンパレータ回路の出力は、与えられた閾値の上あるいは
下であり得る候補パルスを表し、各線216、218上の「UW
パルス」および「LWパルス」として生じるものとして識
別される。これらの線は、ブール論理を行って有効パル
スの存否を判定するブロック220で示される実時間パル
ス弁別回路へ送られる。有効パルスは、線222により示
される如きマイクロコンピュータ180へ送られる。

ブロック180で示されるマイクロコンピュータは、多
数の演算モードの下で作動して腫瘍組織を標定あるいは
弁別する際外科医を助けるため、聴覚および視覚的な出
力を生じる。前者に関しては、線224およびブロック226
で示されるように、音量制御機能が表明されて線228お
よびブロック230に示される如きソリッドステート形態
のポテンショメータから振幅の変化が制御される。更
に、サイレン形態の周波数変化が、236で示されるスピ
ーカおよび線238を駆動するためのブロック234で示され
る音響増幅回路に対して線232で示されるように表明さ
れる。上記のサイレン装置により、スピーカ236からの
周波数出力は、器具12が集中した放射線の部位に近付く
よう移動されるに伴い増加する。無論、オペレータの選
択により、従来のクリックおよびビープ音を生じるよう
にできる。

矢印240およびブロック244により示されるように、マ
イクロコンピュータ回路180もまた入出力回路をアドレ
ス指定し、この回路は、矢印244により示されるよう
に、変化するタイプのパルス・カウント出力、ならびに
音量レベル、パルスの高さ、ノイズ・レベルおよびバッ
テリ状態を表す出力を生じるように機能する。視覚的な
読みは、第１図に関連して述べたように同じ番号26を付
したブロックとして、第9B図に示される。同様に、ブロ
ック242で示される入出力機能は、第１図の30と関連し
て述べた第9B図の同じ番号で示されるキーボードあるい
はスイッチと適当な走査を行う。カウント動作中、マイ
クロコンピュータ回路180は、線248からのブロック246
により示される発行ダイオード駆動回路を制御するよう
に機能する。ブロック246で示されるこの駆動回路は、
線250により示されるように、第１図の28で示され同じ
番号を付したブロックで示される２連LEDディスプレイ
へ入力を生じるように示される。この読みは、ガンマ線
が検出される時は赤色の光を、また通常のカウント操作
においては緑色の光を生じる。周知の種類の直列出力ポ
ートもまたコンソール16上に設けられ、このようなポー
トは線254からブロック180のマイクロコンピュータから
アドレス指定されるブロック252で示され、矢印256によ
り示される入出力成分を有する。不揮発性のメモリーを
備えた実時間クロック／カレンダもまた、ブロック258
および矢印260により示される如きマイクロコンピュー
タ回路180の機能に関連して設けることもできる。更に
また、このマイクロコンピュータは、ブロック162で示
される電源の状態を監視するため用いることができる。
このことは、ブロック262で示されるマルチプレクサを
有し、矢印264、266により示される関連動作を行うマイ
クロコンピュータ回路の相互作用により行われる。前記
電源はまた線268により示される如き回路の論理レベル
成分に対する＋５ボルト・ソース、線270の−５ボルト
・ソース、ならびにディスプレイ26の駆動のための線27
2の−９ボルトの基準電圧、そして最後に以下本文に述
べるアナログ回路に基準入力を与える線274で示される
如き2.5ボルトの基準電圧を提供することが判るであろ
う。

第9A図においては、ブロック180で示される如きマイ
クロコンピュータ回路もまた、ブロック177で示される
ディジタル／アナログ変換回路に対して即時のパルス反
復数と対応する入力を与え、この情報は線278を介して
ブロック276で示されるパルス反復数の増幅回路に伝え
られる。線280で示される如きその結果生じる出力は、
例えば、コンソール16の後に与えることができる。ブロ
ック276で示されるこの回路もまた、システムの下流側
の構成要素のテストのため較正パルスを生じるために使
用することもできる。このように、マイクロコンピュー
タは、ブロック276で示される増幅回路へ与えるため
に、ブロック177のディジタル／アナログ変換回路を介
して予め定めたパルス・レベルを与える。線282におい
て結果として生じた出力は、ブロック284により示され
ように選択的に切り換えられて、線286のマイクロコン
ピュータ入力から線288の較正パルスまでのパルス巾を
規定する。

上記のシステムおよび装置ならびに方法において本発
明の範囲から逸脱することなく変更が可能であり、その
記述に含まれあるいは添付図面に示された全ての事項は
例示であって限定を意図するものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の計器を示すプローブ機器および関連す
るコンソールの斜視図、第２図は内部の構造を示すため
一部を破断した第１図に示されるプローブ機器の側面
図、第３図は第２図の計器の前方組立て状態を示す分解
図、第４図は第３図に示された本計器の実施態様の前方
部分の断面図、第５図は第２図および第３図の計器の結
晶保持器の腔部内の絶縁層を提供する器具部を示す部分
断面図、第６図は製造中に生じる第２図および第３図の
計器の構成要素の組立て状態を示す斜視図、第７図は組
立て手順の次のステップを示す第２図および第３図の計
器の別の斜視図、第８図は無菌状態のカバー即ち鞘部を
使用した状態を示す第２図のプローブ機器の斜視図、お
よび第9A図および第9B図は本発明の計器と関連する制御
装置の機能的な構成要素を示すブロック図の組み合わせ
図である。 10……プローブ／支援機器、12……プローブ、14……３
芯ケーブル、16……コンソール、18……窓部、20……偏
向した部分、22……把持可能部分、24……ポリマー面、
26……ディスプレイ、28……２連のLED窓、30……スイ
ッチ／キーボード、32……オン・スイッチ、33……オフ
・スイッチ、34……カウント・モード・スイッチ、35…
…警報スイッチ、36……リセット・スイッチ、37……ス
ケルチ機能スイッチ、38……較正機能スイッチ、39……
スイッチ、40……スイッチ、44……前置増幅器、46、48
……クラッド材、50……カバー、52、54……線、56……
シリコン・ゴム製カバー、70……管状の支持部、72……
円筒状コネクタ面、74……室、76……結晶マウント、78
……円筒状面、80……中心位置開口、82……接近口、84
……被覆リード線、86……円筒状カラー部分、90……内
孔、92……絶縁層、94……側面、95……間隙、96……底
面、97……側面、98……凹部、100……バイアス接触部
材、102……側面、104……腔部、106……工具、108……
矩形状整合バー、110……結晶雄型、111……ロッド、11
2……柔軟部材、113……円筒状突起部、118……面、134
……ディスク、136……保持器、138……弾性Ｏリング、
140……前方カバー、144……ポリマー・コーティング、
146……エポキシ保持層、148……導電性エポキシ接着剤
層、150……デッドスペース、154……ポリマー製カバ
ー、156……ノーズ部、157、158、159……線、160……
バイアス・フィルタ、161……線、162……電源、163…
…線、164……積算段、165、167……線、168……プロー
ブ電流回路、169〜175……線、176……正規化増幅器、1
77……ディジタル／アナログ・コンバータ回路、178、1
79……線、180……マイクロコンピュータ回路、181、18
2……線、183……平均化回路、184、186……線、188…
…パルス取得回路、190、192、196、198……線、200…
…上部の窓コンパレータ、202……下部の窓コンパレー
タ、204、206、208、210……線、212……スケルチ回
路、214……スケルチ回路、216、218……線、220……実
時間パルス弁別回路、222、224、228……線、230……ポ
テンショメータ、232……線、234……音響増幅回路、23
6……スピーカ、238……線、246……発光ダイオード駆
動回路、248、250、254……線、264……マイクロコンピ
ュータ回路、266……マイクロコンピュータ回路、270、
272、274……線、276……増幅回路、278、280、282、28
6、288……線。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】予め定めたエネルギ・レベルを持つ放射線
の放射源を検出し標定するための器具において、前方に置かれた部分を持つハウジングと、前記ハウジングの前方位置部分の内部に置かれ、前記所
定のエネルギ・レベルの放射線を減衰する材料から形成
されるマウントであって、前方に置かれた開口から電気
的に絶縁する表面まで内部で延在する側壁を有する前方
に置かれた結晶収受用腔部を持つ結晶マウントと、前記腔部内に置かれ、前記電気的な絶縁面に面して置か
れた後方に位置する表面を持ち、かつ前方に置かれた面
まで延在する側部を持つ放射線に応答する結晶と、前記腔部内に延在し、前記絶縁面に隣接したバイアス接
点を有するバイアス手段と、前記結晶の後方位置の面と前記バイアス接点との間に順
応して隣接状態にある第１の導電性を有する柔軟性部材
と、前記結晶の前方位置の面に順応してこれと隣接状態にあ
る第２の導電性を有する柔軟性部材と、前記第２の柔軟性部材と隣接して当接状態に置かれ前記
結晶の前方位置の面を接地する接地手段と、該接地手段と前記第２の導電性を有する柔軟性部材と前
記結晶の前方位置の面との上に緊張状態で置かれ、前記
接地手段と前記第２の柔軟性部材とを前記結晶の前方位
置面に押し当て、また前記後方位置の面を前記第１の柔
軟性部材に押し当てて保持する弾性保持手段と、前記結晶マウントと前記結晶と前記接地手段と前記弾性
保持手段との上方にこれらを包囲するように置かれ、前
記予め定めたエネルギ・レベルの前記放射線の放射を伝
達することを許容する前方カバー手段と、を設けてなる器具。
【請求項２】前記バイアス接点が、前記第１の導電性を
有する柔軟性部材と自由に当接する接触状態にある請求
項１に記載の器具。
【請求項３】前記第１の導電性を有する柔軟性部材が、
炭素を充填した不織ポリテトラフルオロエチレン布であ
る請求項１記載の器具。
【請求項４】前記接地手段が、前記第２の導電性を有す
る柔軟性部材上でこれと自由に当接する接触状態にある
請求項１に記載の器具。
【請求項５】前記第２の導電性を有する柔軟性部材が、
炭素を充填した不織ポリテトラフルオロエチレン布であ
る請求項１記載の器具。
【請求項６】前記腔部内で前記絶縁面を確立するように
置かれた絶縁性のポリマー層を有する請求項１記載の器
具。
【請求項７】前記前方のカバー手段の外側面上に置かれ
た摩擦の小さなポリマー・コーティングを含む請求項１
記載の器具。
【請求項８】前記器具上に置くことが可能な使い捨て可
能な無菌の薄いポリマー製カバーを含み、該器具の構成
要素を汚染物から隔離して外科的用途のための無菌状態
の器具の外面を提供する請求項１記載の器具。
【請求項９】前記接地手段が、前記ハウジングと電気的
に接続され、かつ前記第２の導電性を有する柔軟性部材
上でこれと自由に当接する接触状態で延在する導線を含
む請求項１記載の器具。
【請求項１０】前記接地手段の導線が、前記結晶マウン
トに支持されるよう固定され、かつ前記第２の導電性を
有する柔軟性部材上でこれと自由に当接する接触状態で
延在する請求項１記載の器具。
【請求項１１】前記弾性保持手段が、前記第２の導電性
を有する柔軟性部材上に緊張状態に置かれかつ前記結晶
マウントに対して緊張状態に固定された弾性ウェブであ
る請求項１記載の器具。
【請求項１２】前記結晶マウントの結晶収受用腔部が、
該結晶の側部と少なくとも同一面内に収まる深さを有
し、さもなければこれに入射してしまう放射線を、減衰
させる形態を呈する請求項１記載の器具。
【請求項１３】前記バイアス接点が、前記第１の導電性
を有する柔軟性部材と自由に当接する接触状態にあり、前記接地手段は、前記第２の導電性を有する柔軟性部材
上でこれと自由に当接する接触状態で延在する導電性部
材を含み、前記弾性保持手段が、前記接地手段上で緊張
状態に置かれ、かつ前記結晶マウントに対して固定され
て前記接地手段を前記第２の柔軟性部材に対して、また
前記第２の柔軟性部材を前記結晶の前方位置の面に対し
て圧縮保持させるようにする弾性ウェブである請求項１
記載の器具。
【請求項１４】前記第１および第２の導電性を有する柔
軟性部材が、炭素を充填した不織ポリテトラフルオロエ
チレン布である請求項13記載の器具。
【請求項１５】前記弾性保持手段がナイロン帯材である
請求項14記載の記載。
【請求項１６】前記放射線に応答する結晶の側部が、実
質的に接触しない位置関係を生じるように選択された距
離だけ前記結晶収受用腔部の側壁から隔てられる請求項
１記載の器具。
【請求項１７】前記放射線応答結晶の側部が、約0.0013
mm（0.005インチ）の距離だけ前記結晶収受用腔部の側
壁から隔てられる請求項１記載の器具。
【請求項１８】前記放射線応答結晶の側部が、電気的ノ
イズ現象の生成を避けるに充分な間隙を画成するよう
に、前記結晶収受用腔部の側壁から隔てられる請求項１
記載の器具。
【請求項１９】予め定めたエネルギ・レベルを有する放
射線の放射源を検出し標定するための器具を製造する方
法において、前方に位置する部分を持つハウジングを設け、前記の予め定めたエネルギ・レベルの放射線を減衰させ
る材料から形成され、かつ予め定めた深さを持ち、前方
の開口から電気的に絶縁する面まで内部で延材する側壁
を有する前方配置結晶収受用腔部を有する結晶マウント
を設け、前記腔部内で前記絶縁面上に電気的バイアス接点を配置
し、前記腔部内で前記バイアス接点上でこれと自由に当接す
る接触状態で第１の導電性を有する柔軟性部材を置き、後方に位置する面と、前方に位置する面まで延在する側
部とを有する放射線に応答する結晶を設け、前記放射線応答結晶の前記後方位置面を前記腔部内で前
記第１の導電性を有する柔軟性部材上に置き、第２の導電性を有する柔軟性部材を前記結晶の前方面上
に置き、可撓性の接地接点を前記第２の導電性を有する柔軟性部
材上に自由に当接する接触状態に置き、前記電気的バイアス接点、前記第１の柔軟性部材、前記
結晶、前記第２の柔軟性部材および前記接地接点の組立
体を、その上に弾性保持体を伸ばして渡すことにより圧
縮し、該圧縮された組立体を前記結晶マウントと共に前記ハウ
ジングの前方部分上に取付けるステップからなる方法。
【請求項２０】放射線を透過するキャップを前記圧縮さ
れた組立体および結晶マウント上に置くステップを含む
請求項19記載の方法。
【請求項２１】前記結晶と実質的に一致する寸法の雄型
によりポリマー層を特に前記結晶マウントの収受用腔部
内に成型して前記絶縁面を提供するステップを含む請求
項19記載の方法。
【請求項２２】実質的に接触しない位置関係を生じるよ
う選択された距離だけ前記結晶の側部から前記側壁が隔
てられる、前記前方に位置する結晶収受用腔部を有する
前記結晶マウントが設けられる請求項19記載の方法。
【請求項２３】前記結晶の側部から隔てられる寸法であ
る前記側壁を有するよう前記前方位置の結晶収受用腔部
が形成されて、その間に前記結晶による電気的ノイズ現
象の発生を避けるに有効な間隙が画成されるように前記
結晶マウントが設けられる請求項19記載の方法。
【請求項２４】ポリマー層を特に前記結晶マウント収受
用腔部内で前記結晶と実質的に一致する寸法の雄型によ
り成型して前記電気的絶縁面を提供するステップを含む
請求項23記載の方法。