JPH0481363B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、誘電体共振器を用い、発振出力
を、当該誘電体共振器と磁気的に結合するストリ
ツプラインで取出すようにされたマイクロ波発振
器に関するものである。

発明の概要 この発明は、誘電体共振器を用いるマイクロ波
発振器において、 発振出力を取出すストリツプラインに接続され
る抵抗減衰器の配置を、この抵抗減衰器とストリ
ツプラインとで誘電体共振器を取り囲むように選
ぶことにより、 負荷変動に対する周波数安定度を低下させるこ
となく発振出力レベルを増加させたものである。

従来の技術 従来の誘電体共振器を用いたマイクロ波発振器
は、たとえば、第４図に示すような回路構成を有
している。ここに示したマイクロ波発振器は、帯
域反射型と呼ばれるものである。第４図には、マ
イクロ波発振器を構成する要素の電気的接続が明
らかにされているとともに、機械的配置関係も表
わされている。これらの要素は、図示しないが、
たとえばアルミナのような誘電体基板上に構成さ
れる。

まず、中央に誘電体共振器１が配置される。発
振側においては、たとえばシリコンバイポーラト
ランジスタのような発振用トランジスタ２が置か
れ、そのベースには発振側のストリツプライン３
が接続される。ストリツプライン３は、誘電体共
振器１と磁気的に結合して、発振周波数を安定化
させるように位置決めされる。ストリツプライン
３には、さらにDCカツトコンデンサ４および終
端抵抗５が順次接続される。

出力側においては、誘電体共振器１と磁気的に
結合するように、出力側のストリツプライン６が
配置される。このストリツプライン６には抵抗減
衰器７を介して出力端子８が接続される。

第５図は、第４図と同様、帯域反射型のマイク
ロ波発振器の回路構成を示している。この第５図
の回路構成は、小型化を狙つて提案されたもので
あり、第４図のものに比べて、ストリツプライン
６が誘電体共振器１を取り囲むように曲げられて
いることが特徴である。このようにすることによ
り、発振出力レベルが向上でき、したがつて、同
じ出力レベルのものを得ようとするとき、第４図
のものに比べて小型化が可能になる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第４図に示した回路構成であつ
ても、第５図に示した回路構成であつても、いず
れも、解決されるべき問題点が残されている。

すなわち、第４図に示すものは、出力側のスト
リツプライン６が直線状であるため、誘電体共振
器１との結合度を上げるには限界があり、したが
つて発振出力レベルの向上に対しても制限を受け
る。他方、第５図に示すものでは、前述したよう
に発振出力レベルは向上されるが、負荷変動に対
する周波数安定度が低下することが実験的に確か
められている。

そこで、この発明は、負荷変動に対する周波数
安定度を低下させることなく、その発振出力レベ
ルを向上させたマイクロ波発振器を提供すること
である。

問題点を解決するための手段 誘電体共振器を用い、発振出力を、誘電体共振
器と磁気的に結合するように配置される直線状の
ストリツプラインとこれに接続される抵抗減衰器
とを介して取出すように構成したマイクロ波発振
器において、この発明では、誘電体共振器を抵抗
減衰器とストリツプラインとで取り囲むように、
抵抗減衰器を配置したことを特徴とするものであ
る。

発明の作用効果 この発明では、出力側のストリツプラインを直
線状に保つことができる。したがつて、負荷変動
に対する周波数安定度が低下することは防止され
る。また、発振出力レベルは、抵抗減衰器を上述
のように配置することにより、向上することが実
験的に確かめられた。これは、抵抗減衰器が誘電
体共振器により近い位置にもたらされたため、誘
電体共振器との磁気的な結合がこの抵抗減衰器に
おいても生じたためであると推定される。

実施例 第１図は、第４図および第５図と同様の図法に
より、この発明の一実施例の回路構成を示してい
る。この図から明らかなように、出力側のストリ
ツプライン６は、第４図の従来例と同様、直線状
に保たれながら、抵抗減衰器７の配置が変更され
ている。すなわち、誘電体共振器１をこの抵抗減
衰器７とストリツプライン６とで取り囲むように
配置される。その他の構成は、第４図の従来例と
実質的に同様である。

抵抗減衰器７は、より具体的には、第２図また
は第３図に示すようなパターンをもつて構成され
る。第２図の例では、抵抗９，９および抵抗１０
によつてＴ型のパターンとされる。第３図の例で
は、抵抗１１および抵抗１２，１２によつてπ型
のパターンとされる。これらの各抵抗９〜１２
は、チツプ抵抗であつても焼付抵抗であつてもよ
い。

各抵抗９〜１２の配列をより詳細に説明する
と、第２図の抵抗９，９および第３図の抵抗１１
のように接地されない抵抗は、ストリツプライン
６に対して直角になるように配列される。他方、
接地される抵抗、すなわち、第２図の抵抗１０お
よび第３図の抵抗１２，１２は、ストリツプライ
ン６と平行するように配列される。

なお、第２図および第３図に示すように、スト
リツプライン６と誘電体共振器１との間の距離ａ
は、発振出力レベルの負荷変動（プリングフイギ
ユア）を考慮して決定される。また、抵抗減衰器
７と誘電体共振器１との距離ｂは、好ましくは、
距離ａと同等か、あるいはそれより長くされる。

このようにして、第１図に示すように、ストリ
ツプライン３とストリツプライン６とが並行し、
その間に誘電体共振器１が配置され、しかも、抵
抗減衰器７がストリツプライン３および６に対し
て直角になるように配列された回路構成が実現さ
れる。この第１図に示す回路構成によれば、従来
の第４図の回路構成に対して、出力レベルにおい
て、2dBの増加が見られた。そして、負荷変動に
対する周波数の変化については、第１図のものと
第４図のものとはほぼ同等であつた。

以上、この発明の実施例を、帯域反射型のマイ
クロ波発振器について説明したが、その他、たと
えば帯域阻止型、反射型、帰還型等のマイクロ波
発振器に対しても、この発明を等しく適用するこ
とができる。

また、発振用半導体素子としては、前述したバ
イポーラトランジスタのほか、たとえば、周知の
ようにGaAs−FETを用いることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例となる帯域反射
型のマイクロ波発振器の回路構成を示す。第２図
および第３図は、それぞれ、第１図に示した抵抗
減衰器７のより具体的な構成を示す拡大図であ
る。第４図および第５図は、それぞれ、従来の帯
域反射型のマイクロ波発振器の回路構成を示す。 図において、１は誘電体共振器、６と出力側の
ストリツプライン、７は抵抗減衰器、８は出力端
子である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 誘電体共振器を用い、発振出力を、誘電体共
   振器と磁気的に結合するように配置される直線状
   のストリツプラインとこれに接続される抵抗減衰
   器とを介して取出すように構成したマイクロ波発
   振器において、 前記誘電体共振器を前記抵抗減衰器と前記スト
   リツプラインとで取り囲むように、抵抗減衰器を
   配置したことを特徴とする、マイクロ波発振器。