JPH0480925A - 排気装置 - Google Patents

排気装置

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Publication number
JPH0480925A
JPH0480925A JP2195529A JP19552990A JPH0480925A JP H0480925 A JPH0480925 A JP H0480925A JP 2195529 A JP2195529 A JP 2195529A JP 19552990 A JP19552990 A JP 19552990A JP H0480925 A JPH0480925 A JP H0480925A
Authority
JP
Japan
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exhaust
piping
pipe
heat treatment
quartz
Prior art date
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Pending
Application number
JP2195529A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Yamaga
健一 山賀
Junichi Kobayashi
純一 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Sagami Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Sagami Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Sagami Ltd filed Critical Tokyo Electron Sagami Ltd
Priority to JP2195529A priority Critical patent/JPH0480925A/ja
Publication of JPH0480925A publication Critical patent/JPH0480925A/ja
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  • Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
  • Joints Allowing Movement (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は排気装置に関する。
[従来の技術] 従来から、半導体製造工程で高温の反応管に反応ガスを
供給し、半導体ウェハの成膜を行う酸化装置、CVD装
置、エピタキシャル装置等の熱処理装置がある。これら
の熱処理装置は800〜1200℃に加熱される反応管
内に配置された複数の半導体ウェハに成膜を行うもので
ある。しかも、形成される薄膜は高精度に均一な膜厚に
成膜が施されなけれずならず、均熱加熱と反応ガスが均
一に供給されるよう努力がなされている。反応ガスが反
応管内に配置された複数の半導体ウェハに均一に供給さ
れるためには、反応ガスが所定の一定量供給されること
と、反応管内が一定圧に保持するために反応生成ガスや
反応に係わらなかった余剰に供給された反応ガスの混合
ガスを一定圧で排気されることが重要である。
[発明が解決すべき課題] このような熱処理装置の排気装置は800〜1200℃
で腐食性ガスを流す配管を備えるため、石英製パイプを
用いていた。しかし、石英製パイプは柔軟でなく、高温
に伴う配管の体積膨張を吸収しなけれずならず、温度に
よる体積変化に追従して配管接合部を密着させて接合す
るのは非常に困難であった。また最悪の場合には配管の
体積膨張を吸収できずに石英製パイプが折れてしまう事
もあった。そのため、石英配管どうしの接合部には若干
の位置ずれ吸収可能なボールジヨイント等を使用したり
、高熱ガスのため高温になるバイブを冷却するため、フ
ィン等を形成する方法等がとられている(特開昭56−
48130号公報、実開昭58−418号公報)。
しかし、これらのものは剛直性を有した石英パイプの配
管であって、接合位置等高精度に設置しなければならず
、配管設置時も位置調整のため多大な時間を要し、また
密着性も不十分であった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたものであ
って、密着性よく接合部でもガス漏れがなく、しかも簡
単に配管設置することができ、高温にも耐久性を有し、
温度変化に伴う体積変化にも十分追従できる排気装置を
提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するため、本発明の排気装置は、高温
で処理を行う処理装置の排気装置であって、前記処理装
置に設けられた排気管にフラットジヨイントを介して接
続されるフレキシブル配管を備えたものである。さらに
前記フレキシブル配管は耐熱性合成樹脂製のものが好適
である。
[作用コ 高温で処理を行う熱処理装置等の排気口に接続される配
管をフレキシブル管とする。フレキシブル配管は熱処理
装置の排気管口の石英パイプにフラットジヨイントを介
して接続されるものである。
そのため、高温による石英パイプの体積膨張には吸収さ
れて、しかも温度により追従するため密着して接合でき
る。また設置時においても位置の精密さはそれ程要求さ
れず簡単に設置することができる。
[実施例コ 以下、本発明の排気装置を半導体製造工程の熱処理装置
に適用した一実施例を図面を参照して説明する。
第1図に示す処理装置である熱処理装置1は、円筒状の
プロセスチューブ5を備え、プロセスチューブ5の内部
には処理される半導体ウェハ2を水平に収納支持する例
えば耐熱性材料の石英からなるボート3を載置する載置
台4が備えられる。
ボート3と同様に例えば耐熱性材料の石英からなるプロ
セスチューブ5はその周囲をコイルヒータ6等で囲繞さ
れ、開口部が蓋体7で閉じられ、上記コイルヒータ6に
よりプロセスチューブ5の内部が500〜1200℃に
適宜加熱されるようになっている。プロセスチューブ5
の上部には例えばマスフローコントローラの流量計8を
介して反応ガス供給系9に接続される反応ガス供給口1
0が備えられ、プロセスチューブ5の下部には排気装置
11に接続される反応ガス排気口12が備えられ、半導
体ウェハ2に成膜等の処理をした余剰の反応ガスや反応
生成ガスの混合ガスGが排気口12から排気装置11に
流入されるようになっている。排気装置11には熱処理
装置1の排気口12に接続される石英製の排気管12−
1を備え、この排気管12−1には第2図に示すように
フレキシブル配管30がフラットジヨイント31を介し
て接続される。フレキシブル配管30はポリフッ化エチ
レン等の耐食性、耐熱性の合成樹脂管であり、熱変化に
よる熱処理装置1の排気口12等を成形する石英の熱膨
張に追従して、水平方向、垂直方向、伸縮自在に移動す
ることにより、フラットジヨイント31で結合され固定
された部位に加わる熱膨張による位置の変位を吸収しう
る。フレキシブル配管30の内径や長さはガス圧やガス
流により適宜設定される。フラットジヨイント31は排
気管12−1及び13の一端に設けられたフランジ部3
2とフレキシブル配管30の両端部に取着されたフラン
ジ部33とをテフロン製バッキング34を介して密着さ
せ、ネジ35により固着させて成る。
このようなフレキシブル配管30を間装した排気管13
の下流には支流管14と、支流管14の上流及び下流に
設けられる圧力調整弁15−1及び15−2等が備えら
れる。そして、この圧力調整弁15−1及び15−2の
それぞれにマノメータ等の差圧計16−1及び16−2
が設けられる。
支流管14は第3図に示すように一端は排気管13に接
続され、他端は軸が鉛直になるよう屈曲させて成る。そ
して鉛直部17に大径部18を設け、大径部18に弾性
部材から成るOリング19を互着させ、0リング19上
に可動弁20が配置さ才る。可動弁20は例えば大気圧
と排気管13内σ差圧が一10mmH2Oを所望とすれ
ば、1気圧=10000mmHzO= I K g /
cm’の関係から18/cm2の重さにすればよい。可
動弁20の重さの調整は材質や厚さにより行う。
このような排気装置11を備えた熱処理装置1は通常工
場内に多数設置され、これらの排気装置11の排気管1
3はそれぞれ例えば工場排気系舖の排気能力の大きな排
気系ファン21に共通排女管22を介して接続される。
このような構成の熱処理装置の排気装置の動作を説明す
る。
複数の熱処理装W1のうち、1台のみが稼動し、他は停
止されている場合を述べる。流量計8により反応ガス供
給系9から供給される反応ガス9の所定量を測定し、所
定量の反応ガス9をプロセスチューブ5の反応ガス供給
口10から供給する。
コイルヒータ6により例えば1000℃に加熱されたプ
ロセスチューブ5内で半導体ウェハ2が処理される。処
理後、余剰の反応ガス及び生成ガスの混合ガスGは排気
口12がら排気管13に流入される。この時、他の熱処
理装置1は稼動されず、従って他の排気装置には混合ガ
スGが流れないため排気ファン21の排気能力に対して
混合ガスGの流量の割合が少なくなる。支流管14の可
動弁20のみの働きであると、排気管内圧の所望の差圧
が例えば−1−OmmH,O以下であっても、排気管1
3の負圧が非常に大きくなるまで可動しない。例えば−
10mmHzOになると支流管14に設けられた可動弁
20が大気圧に押されて0リング19から浮上する。そ
して大気が排気管813内に流入され、排気管13は過
剰な負圧状態でなくなる。この時、排気管13の支流管
14の上流に設けられた圧力調整弁15−1を調整し、
排気管の圧力調整弁15−1の上流部分は所望の一1〜
OmmH!Oとする。支流管14の下流の圧力調整弁1
5−2は差圧計16−2の値が他の処理装置が稼働状態
の有無に拘らず常に一10mmH,O以下例えば−20
mmHzOを示すように調整する。
以上のように調整したので、支流管14の可動弁20の
調整が大気と排気管内との差圧が例えば−10mmHa
Oと大きくならなければ行われなくても圧力調整弁15
−1及び15−2を調整することで半導体ウェハ処理領
域で所望の圧力を保持することができる。工場排気系と
稼働される装置との関係で調整弁15−1及び15−2
を適宜調整しておくことにより、工場排気系のによる吸
引力の変動により生じる圧力変動に拘らず熱処理も一定
条件下で行うことができる。
また他の実施例として、第1図に示すように差圧計16
0−1及び160−2の出力により圧力調整弁150−
1及び150−2を自動的に稼動されてフィードバック
制御を行うようにしてもよい。
このような排気装置において、熱処理装置1の排気口1
2に接続される排気管12−1は石英製であり、熱処理
装置1から高温の余剰の反応ガス及び反応生成ガスが流
入されると高温になり熱膨張する。この熱膨張をフレキ
シブル配管3oが伸縮することで吸収できる。また、フ
レキシブル配管30をフラットジヨイント31で設置し
たため、密着性がよく、ガスが漏洩することもない。そ
して、フレキシブル配管30が高温により劣化してもネ
ジ35を取り外し簡単にフレキシブル配管30を交換す
ることができる。
本発明は上記の実施例に限定されるものでなく、工場排
気系に接続されず、単一の装置にも適用できる。また、
熱処理装置にも限定されず、CVD装置やスピンクォー
タ装置等反応圧を一定に保って処理を行う装置に好適に
用いることができる。
[発明の効果] 以上の説明からも明らかなように、本発明の排気装置は
、排気装置にフレキシブル配管をフラットジヨイントを
介して設けたため、石英性の剛直な配管に接続して石英
製配管が熱による体積変化を生じてもフレキシブル配管
が変形して石英製配管の体積変化を吸収することができ
る。そのため、石英製配管の体積変化が吸収できないた
めに発生する高価な石英製配管の亀裂や破壊が生じるこ
とがない。しかも体積変化のために接合部分をルーズに
形成することなく、フラットジヨイントで密着性よく連
結できるため、ガス漏れ等の危険な事態になることはな
い。しかも設置も簡単で精密な位置合せ等を行う必要な
く、フレキシブル配管が劣化した場合でも簡単に短時間
で交換ができ経済的である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の排気装置を適用した一実施例を示す構
成図、第2図及び第3図は第1図に示す一実施例の要部
を示す図である。 ・・・・・・熱処理装置(処理装置) l・・・・・・排気装置 2−1.13・・・・・・排気管 0・・・・・・フレキシブル配管 1・・・・・・フラットジヨイント

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、高温で処理を行う処理装置の排気装置であって、前
    記処理装置に設けられた排気管にフラットジョイントを
    介して接続されるフレキシブル配管を備えたことを特徴
    とする排気装置。 2、前記フレキシブル配管は耐熱性合成樹脂製であるこ
    とを特徴とする第1項記載の排気装置。
JP2195529A 1990-07-24 1990-07-24 排気装置 Pending JPH0480925A (ja)

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JP2195529A JPH0480925A (ja) 1990-07-24 1990-07-24 排気装置

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JPH0480925A true JPH0480925A (ja) 1992-03-13

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JP2195529A Pending JPH0480925A (ja) 1990-07-24 1990-07-24 排気装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0945628A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Nec Corp 半導体製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0945628A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Nec Corp 半導体製造装置

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