JPH0480919A - プラズマ診断装置 - Google Patents
プラズマ診断装置Info
- Publication number
- JPH0480919A JPH0480919A JP19526390A JP19526390A JPH0480919A JP H0480919 A JPH0480919 A JP H0480919A JP 19526390 A JP19526390 A JP 19526390A JP 19526390 A JP19526390 A JP 19526390A JP H0480919 A JPH0480919 A JP H0480919A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- probe
- shield cover
- gas
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 46
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
A、産業上の利用分野
B0発明の概要
C0背景技術[第6図、第7図]
a、第1の背景技術[第6図]
b、第2の背景技術[第7図]
D1発明が解決しようとする問題点
E9問題点を解決するための手段
F9作用
G、実施例[第1図乃至第5図]
a、一つの実施例[第1図乃至第3図]b、別の実施例
[第4図] C0更に別の実施例[第5図] H0発明の効果 (A、産業上の利用分野) 本発明はプラズマ診断装置、特にプラズマ装置内部に放
電プラズマの状態を検出するプローブを設け、該プロー
ブをプラズマ装置外部へプローブ導線を介して電気的に
導出し、該プローブ導線をプラズマ装置内部においてシ
ールドカバーにより覆ったプラズマ診断装置に関する。
[第4図] C0更に別の実施例[第5図] H0発明の効果 (A、産業上の利用分野) 本発明はプラズマ診断装置、特にプラズマ装置内部に放
電プラズマの状態を検出するプローブを設け、該プロー
ブをプラズマ装置外部へプローブ導線を介して電気的に
導出し、該プローブ導線をプラズマ装置内部においてシ
ールドカバーにより覆ったプラズマ診断装置に関する。
(B、発明の概要)
本発明は、上記のプラズマ診断装置において、シールド
カバー内に残留する反応性ガス(残留ガス)によりプロ
ーブ導線、シールドカバーが腐蝕するのを防止するため
、 シールドカバー内に残留ガスをパージするパージガスを
供給するパージ機構を設けたものである。
カバー内に残留する反応性ガス(残留ガス)によりプロ
ーブ導線、シールドカバーが腐蝕するのを防止するため
、 シールドカバー内に残留ガスをパージするパージガスを
供給するパージ機構を設けたものである。
(C,背景技術)[第6図、第7図]
近年、VLS I製造のためのエツチングはRIE、E
CR等プラズマ装置を用いて行われるのが普通になりつ
つある。そして、このような装置によって高精度の加工
を行うには内部で発生したプラズマの状態を把握したう
えで行うことが必要であり、その正確な把握の重要性が
益々高まっている。
CR等プラズマ装置を用いて行われるのが普通になりつ
つある。そして、このような装置によって高精度の加工
を行うには内部で発生したプラズマの状態を把握したう
えで行うことが必要であり、その正確な把握の重要性が
益々高まっている。
そして、プラズマ状態を診断する方法の一つとして放電
プラズマ中にプローブを挿入してI−V特性を測定する
ことにより電子温度等のパラメータを得る方法がある。
プラズマ中にプローブを挿入してI−V特性を測定する
ことにより電子温度等のパラメータを得る方法がある。
(a、第1の背景技術)[第6図]
第6図はそのような方法でプラズマ状態を診断するプラ
ズマ診断装置を備えたプラズマエツチング装置の構成の
概略を示す断面図である。
ズマ診断装置を備えたプラズマエツチング装置の構成の
概略を示す断面図である。
同図において、aはチェンバー、bはウェハ載置電極、
Cは該電極す上に載置された半導体ウェハ、dはチェン
バーaの外部に設けられた励磁コイル、eは例えばタン
グステンWからなるプローブ、fは該プローブeを外部
に電気的に導出するプローブ導線である。尚、図面には
便宜上該プローブ導線fとプローブeが一体であるかの
ように示したが、別体であり、互いに接続されている。
Cは該電極す上に載置された半導体ウェハ、dはチェン
バーaの外部に設けられた励磁コイル、eは例えばタン
グステンWからなるプローブ、fは該プローブeを外部
に電気的に導出するプローブ導線である。尚、図面には
便宜上該プローブ導線fとプローブeが一体であるかの
ように示したが、別体であり、互いに接続されている。
gはプローブ導線fをカバーする例えばステンレスから
なるシールドカバーである。
なるシールドカバーである。
尚、ウェハ載置電極す及び半導体ウェハCが2点鎖線で
描かれているのは、プラズマエツチング装置においては
もともとプラズマ測定用のプローブe、プローブ導線f
の取付高さがウェハ載置電極すの高さと略同じであり、
しかもプローブ導線f、そしてシールドカバーgが真直
ぐに延びた形状を有していたのでプラズマ測定時にはウ
ェハ載置電極すを取り外した状態にしていたためである
。
描かれているのは、プラズマエツチング装置においては
もともとプラズマ測定用のプローブe、プローブ導線f
の取付高さがウェハ載置電極すの高さと略同じであり、
しかもプローブ導線f、そしてシールドカバーgが真直
ぐに延びた形状を有していたのでプラズマ測定時にはウ
ェハ載置電極すを取り外した状態にしていたためである
。
(b、第2の背景技術)[第7図]
第7図は本願発明者が前に開発したところのプラズマ状
態を診断するプラズマ診断装置を備えたプラズマエツチ
ング装置の構成の概略を示す断面図である。
態を診断するプラズマ診断装置を備えたプラズマエツチ
ング装置の構成の概略を示す断面図である。
これは、プローブ導線f、シールドカバーg、を、ウェ
ハ載置電極すを迂回した形状にしたものであり、このよ
うにすることによりウェハ載置電極すを取り外すことな
(従って半導体ウニ八Cに対してプラズマエツチングを
している状態でプラズマ状態を把握することが可能にな
る。その点で第7図に示すプラズマ診断装置の方が優れ
ているといえる。
ハ載置電極すを迂回した形状にしたものであり、このよ
うにすることによりウェハ載置電極すを取り外すことな
(従って半導体ウニ八Cに対してプラズマエツチングを
している状態でプラズマ状態を把握することが可能にな
る。その点で第7図に示すプラズマ診断装置の方が優れ
ているといえる。
(D、発明が解決しようとする問題点)ところで、第6
図に示すプラズマ診断装置であっても第7図に示すプラ
ズマ診断装置であってもおよそプローブによりI−V特
性を測定することによってプラズマを診断するプラズマ
診断装置には、反応性ガスによるプラズマを測定すると
、反応性ガスがシールドカバー内に残留したままになり
、この残留ガスによってプローブ導線f及びシールドカ
バーg内面が徐々に腐蝕、エツチングされるという問題
があった。というのは、測定を終了しチェンバーの内部
のガスを排気してもシールドカバー内の残留ガスを除去
しきれず、そのままチェンバーaを開いて大気に晒すと
プローブ導線fあるいはシールドカバーg内面が腐蝕し
てしまうのである。これは、プラズマ診断装置のブロー
ブ導線で、シールドカバーgの交換頻度を高くする要因
となり、メンテナンスコストの増加等を招き、延いては
IC,LSI、VLS Iの高価格化を招くので看過で
きない問題であった。
図に示すプラズマ診断装置であっても第7図に示すプラ
ズマ診断装置であってもおよそプローブによりI−V特
性を測定することによってプラズマを診断するプラズマ
診断装置には、反応性ガスによるプラズマを測定すると
、反応性ガスがシールドカバー内に残留したままになり
、この残留ガスによってプローブ導線f及びシールドカ
バーg内面が徐々に腐蝕、エツチングされるという問題
があった。というのは、測定を終了しチェンバーの内部
のガスを排気してもシールドカバー内の残留ガスを除去
しきれず、そのままチェンバーaを開いて大気に晒すと
プローブ導線fあるいはシールドカバーg内面が腐蝕し
てしまうのである。これは、プラズマ診断装置のブロー
ブ導線で、シールドカバーgの交換頻度を高くする要因
となり、メンテナンスコストの増加等を招き、延いては
IC,LSI、VLS Iの高価格化を招くので看過で
きない問題であった。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、シールドカバー内に残留する反応性ガス(残留ガ
ス)によりプローブが腐蝕するのを防止することを目的
とし、更にはプラズマの空間分布を測定可能にすること
を目的とする。
あり、シールドカバー内に残留する反応性ガス(残留ガ
ス)によりプローブが腐蝕するのを防止することを目的
とし、更にはプラズマの空間分布を測定可能にすること
を目的とする。
(E、問題点を解決するための手段)
請求項(1)のプラズマ診断装置は、シールドカバー内
に残留ガスをパージするパージガスを供給するパージ機
構を設けたことを特徴とする請求項(2)のプラズマ診
断装置は、請求項(1)のものにおいて、プローブの位
置を変化させることができるようにしたことを特徴とす
る。
に残留ガスをパージするパージガスを供給するパージ機
構を設けたことを特徴とする請求項(2)のプラズマ診
断装置は、請求項(1)のものにおいて、プローブの位
置を変化させることができるようにしたことを特徴とす
る。
(F、作用)
請求項(1)のプラズマ診断装置によれば、測定を終え
更にプラズマ装置内部のガスを排気した後、パージ機構
によりパージガスでシールドカバー内部の残留ガスをパ
ージすることができるので、残留ガスによ″リブローブ
導線、シールドカバー内面が腐蝕するのを防止すること
ができる。
更にプラズマ装置内部のガスを排気した後、パージ機構
によりパージガスでシールドカバー内部の残留ガスをパ
ージすることができるので、残留ガスによ″リブローブ
導線、シールドカバー内面が腐蝕するのを防止すること
ができる。
請求項(2)のプラズマ診断装置によれば、プローブ導
線等の腐蝕防止を図ることができるだけでな(、プロー
ブの位置を変えることができるので、位置を変えてプラ
ズマ状態を測定することによりプラズマの空間分布の測
定も可能となる。
線等の腐蝕防止を図ることができるだけでな(、プロー
ブの位置を変えることができるので、位置を変えてプラ
ズマ状態を測定することによりプラズマの空間分布の測
定も可能となる。
(G、実施例)[第1図乃至第5図]
以下、本発明プラズマ診断装置を図示実施例に従って詳
細に説明する。
細に説明する。
(a、一つの実施例)[第1図乃至第3図]第1図は本
発明プラズマ診断装置の一つの実施例を備えたブズラマ
エッチング装置の構成の概略を示す断面図である。
発明プラズマ診断装置の一つの実施例を備えたブズラマ
エッチング装置の構成の概略を示す断面図である。
同図において、1はチェンバー、2はウェハ載置電極、
3は該電極2上に載置された半導体ウェハ、4はチェン
バー1の外部に設けられた励磁コイル、5は例えばタン
グステンWからなるプローブ、6は該プローブ5を外部
に電気的に導出するプローブ導線である。本図では便宜
上該プローブ導線6とプローブ5が一体であるかのよう
に示したが別体であり、互いに接続されている。7はプ
ローブ導線6をカバーするシールドカバーである。プロ
ーブ導線6及びシールドカバー7はウェハ載置電極2を
迂回してプローブ5が半導体ウェハ3の上方に位置する
ような形状を有しており、7aは該シールドカバー7の
垂直部分である。
3は該電極2上に載置された半導体ウェハ、4はチェン
バー1の外部に設けられた励磁コイル、5は例えばタン
グステンWからなるプローブ、6は該プローブ5を外部
に電気的に導出するプローブ導線である。本図では便宜
上該プローブ導線6とプローブ5が一体であるかのよう
に示したが別体であり、互いに接続されている。7はプ
ローブ導線6をカバーするシールドカバーである。プロ
ーブ導線6及びシールドカバー7はウェハ載置電極2を
迂回してプローブ5が半導体ウェハ3の上方に位置する
ような形状を有しており、7aは該シールドカバー7の
垂直部分である。
8はシールドカバー7の垂直部分7aに連通されたパー
ジガス供給管で、チェンバー1外に導出されている。9
は該パージガス供給管8に設けられたバルブである。
ジガス供給管で、チェンバー1外に導出されている。9
は該パージガス供給管8に設けられたバルブである。
パージガス供給管8にはチェンバ−1外部からパージガ
スとして窒素ガスN2が供給されるようになっている。
スとして窒素ガスN2が供給されるようになっている。
このプラズマエツチング装置によれば、反応性ガス(例
えば、Cj22 、S F −、HB r等)によるプ
ラズマを半導体ウェハ3上方につくりプラズマエツチン
グをしながらプローブ5等からなるプラズマ診断装置に
よってプラズマの診断をすることができる。即ち、実際
にプラズマエツチングを行っているときのプラズマの状
態をプラズマ診断装置によって把握することができる。
えば、Cj22 、S F −、HB r等)によるプ
ラズマを半導体ウェハ3上方につくりプラズマエツチン
グをしながらプローブ5等からなるプラズマ診断装置に
よってプラズマの診断をすることができる。即ち、実際
にプラズマエツチングを行っているときのプラズマの状
態をプラズマ診断装置によって把握することができる。
ところで、エツチングが終了するとチェンバー1から反
応性ガスを排気するが、排気が終了してもすぐにはチェ
ンバー1を開かない。というのは、プラズマエツチング
中に反応性ガスがシールドカバ−7内部に侵入しそのま
まチェンバー1を開いてシールドカバー7を大気に晒す
とプローブ導線6、シールドカバ−7内面が腐食し、そ
の繰返しによってやがてプラズマ診断装置の使用が不可
能となるからである。
応性ガスを排気するが、排気が終了してもすぐにはチェ
ンバー1を開かない。というのは、プラズマエツチング
中に反応性ガスがシールドカバ−7内部に侵入しそのま
まチェンバー1を開いてシールドカバー7を大気に晒す
とプローブ導線6、シールドカバ−7内面が腐食し、そ
の繰返しによってやがてプラズマ診断装置の使用が不可
能となるからである。
チェンバー1を開くのは、排気後上記バルブ9を開いて
加圧窒素ガスN2をパージガス供給管8を介してシール
ドカバー7に供給することによりシールドカバー7内に
残留している反応性ガスをパージした後である。このパ
ージは例えば5分間程度行う。
加圧窒素ガスN2をパージガス供給管8を介してシール
ドカバー7に供給することによりシールドカバー7内に
残留している反応性ガスをパージした後である。このパ
ージは例えば5分間程度行う。
このようにパージガスによりシールドカバー7内の残留
ガスをパージした上でチェンバー1を開くので残留した
反応性ガスによってプローブ導線6、シールドカバ−7
内面が腐蝕することを防止することができる。
ガスをパージした上でチェンバー1を開くので残留した
反応性ガスによってプローブ導線6、シールドカバ−7
内面が腐蝕することを防止することができる。
第2図(A)、(B)はプラズマ診断装置の具体例を詳
細に示すもので、同図(A)は断面図、同図(B)は同
図(B)のB−B線視断面図である。
細に示すもので、同図(A)は断面図、同図(B)は同
図(B)のB−B線視断面図である。
同図において、10はプローブ5を絶縁被覆する例えば
アルミナからなるチューブ、11は該チューブ10をキ
ャップ12に止める止め具で、該止め具11によってチ
ューブ10が止められたキャップ12はシールドカバー
7の先端にそれを封じるようにねじで固着されている。
アルミナからなるチューブ、11は該チューブ10をキ
ャップ12に止める止め具で、該止め具11によってチ
ューブ10が止められたキャップ12はシールドカバー
7の先端にそれを封じるようにねじで固着されている。
プローブ1の後端はシールドカバー7内にてプローブ導
線6に固着されている。6aはプローブ導線6の垂直部
分、13はシールドカバー7の垂直部分7aの上端開口
を閉塞するキャップ、14はシールドカバー7の垂直部
分7aを保持する保持部で、該保持部14に垂直部分7
aがその軸を中心に回動可能に保持されている。従って
、その回動によってプローブ1の位置を、垂直部分7a
を中心として弧を描くように変化させることができる。
線6に固着されている。6aはプローブ導線6の垂直部
分、13はシールドカバー7の垂直部分7aの上端開口
を閉塞するキャップ、14はシールドカバー7の垂直部
分7aを保持する保持部で、該保持部14に垂直部分7
aがその軸を中心に回動可能に保持されている。従って
、その回動によってプローブ1の位置を、垂直部分7a
を中心として弧を描くように変化させることができる。
依って、測定する毎にプローブ1の位置を変えてのプラ
ズマ診断を行うことによりプラズマの空間分布の測定も
可能となる。
ズマ診断を行うことによりプラズマの空間分布の測定も
可能となる。
パージガス供給管8は上記保持部14の下方に一体に形
成されシールドカバー7の垂直部分7aと連通されてい
る。
成されシールドカバー7の垂直部分7aと連通されてい
る。
15はプローブ導線をチェンバ−1外部へ導出するフラ
ンジである。
ンジである。
尚、第2図において2点鎖線で示すようにスペーサ16
を入れても良い。その場合、第3図に示すようにガス通
孔17.17、・・・を有するスペーサ16を用いてパ
ージガスが通り易いようにしてお(と良い。
を入れても良い。その場合、第3図に示すようにガス通
孔17.17、・・・を有するスペーサ16を用いてパ
ージガスが通り易いようにしてお(と良い。
(b、別の実施例)[第4図]
第4図は本発明プラズマ診断装置の別の実施例を備えた
プラズマエツチング装置の構成の概略を示す断面図であ
る。
プラズマエツチング装置の構成の概略を示す断面図であ
る。
本プラズマ診断装置はプローブ5を実線で示す高さにし
たり2点鎖線で示す高さにしたりすることができるよう
になっている。即ち、プローブ5の高さを変えることが
できるようになっている。このプローブ5の高さの変化
は2段階であっても良いがそれよりも段数の多い多段階
であっても良く、また無段階的(連続的)であっても良
い。また、プローブ5の交換によって高さが変るように
しても・良いし、マニュピレータによって外部から操作
してエツチング中に高さを変えることができるようにし
ても良い。
たり2点鎖線で示す高さにしたりすることができるよう
になっている。即ち、プローブ5の高さを変えることが
できるようになっている。このプローブ5の高さの変化
は2段階であっても良いがそれよりも段数の多い多段階
であっても良く、また無段階的(連続的)であっても良
い。また、プローブ5の交換によって高さが変るように
しても・良いし、マニュピレータによって外部から操作
してエツチング中に高さを変えることができるようにし
ても良い。
このようにすれば、プラズマの高さ方向における分布の
測定が可能になる。
測定が可能になる。
(c、更に別の実施例)[第5図]
第5図は本発明プラズマ診断装置の更に別の実施例を備
えたプラズマエツチング装置の構成の概略を示す平面断
面図である。
えたプラズマエツチング装置の構成の概略を示す平面断
面図である。
本プラズマ診断装置は、プローブ5の先端の位置を点0
を中心に弧を描(ように回転できるようにしたものであ
る。この回転はチェンバー1を開いたときにのみ行うこ
とができるようにしても良いが、マニュピレータで操作
してエツチング中に回転できるようにしても良い。この
ようにすることにより平面上のプラズマ分布を測定する
ことが可能になる。本プラズマ診断装置も第1図、第2
図に示したものと同様にパージ機構を有するが、図面に
はパージ機構は現われない。
を中心に弧を描(ように回転できるようにしたものであ
る。この回転はチェンバー1を開いたときにのみ行うこ
とができるようにしても良いが、マニュピレータで操作
してエツチング中に回転できるようにしても良い。この
ようにすることにより平面上のプラズマ分布を測定する
ことが可能になる。本プラズマ診断装置も第1図、第2
図に示したものと同様にパージ機構を有するが、図面に
はパージ機構は現われない。
(H,発明の効果)
以上に述べたように、請求項(1)のプラズマ診断装置
は、プラズマ装置内部の放電プラズマを診断するプロー
ブを設け、該プローブをプラズマ装置外部へプローブ導
線を介して電気的に導出し、該リードをプラズマ装置内
部においてシールドカバーにより覆ったプラズマ診断装
置において、上記シールドカバー内に残留する残留ガス
をパージするパージカスを供給するパージ機構を有する
ことを特徴とするものである。
は、プラズマ装置内部の放電プラズマを診断するプロー
ブを設け、該プローブをプラズマ装置外部へプローブ導
線を介して電気的に導出し、該リードをプラズマ装置内
部においてシールドカバーにより覆ったプラズマ診断装
置において、上記シールドカバー内に残留する残留ガス
をパージするパージカスを供給するパージ機構を有する
ことを特徴とするものである。
従って、請求項(1)のプラズマ診断装置によれば、測
定を終え更にプラズマ装置内部のガスを排気した後、パ
ージ機構によりパージガスでシールドカバー内部の残留
ガスをパージすることができるので、残留ガスによりプ
ローブ導線更にはシールドカバー内面が腐蝕するのを防
止することができる。
定を終え更にプラズマ装置内部のガスを排気した後、パ
ージ機構によりパージガスでシールドカバー内部の残留
ガスをパージすることができるので、残留ガスによりプ
ローブ導線更にはシールドカバー内面が腐蝕するのを防
止することができる。
請求項(2)のプラズマ診断装置は、請求項(1)のも
のにおいて、プローブの位置を変化させることができる
ようにしたことを特徴とする。
のにおいて、プローブの位置を変化させることができる
ようにしたことを特徴とする。
従って、請求項(2)のプラズマ診断装置によれば、プ
ローブ導線等の腐蝕防止を図ることができるだけでなく
、プローブの位置を変えることができるので、位置を変
えてプラズマ状態を測定することによりプラズマの空間
分布の測定も可能となる。
ローブ導線等の腐蝕防止を図ることができるだけでなく
、プローブの位置を変えることができるので、位置を変
えてプラズマ状態を測定することによりプラズマの空間
分布の測定も可能となる。
第1図は本発明プラズマ診断装置の一つの実施例を備え
たプラズマエツチング装置の構成の概略を示す断面図、
第2図(A)、(B)はプラズマ診断装置の具体例の詳
細を示すもので、同図(A)は断面図、同図(B)は同
図(A)のB−B線視断面図、第3図はスペーサの断面
図、第4図は本発明プラズマ診断装置の別の実施例を備
えたプラズマエツチング装置の構成の概略を示す断面図
、第5図は本発明プラズマ診断装置の更に別の実施例を
備えたプラズマエツチング装置の構成の概略を示す平面
断面図、第6図、第7図は第1及び第2の背景技術を示
すところのパージ機構を備えたスパッタエツチング装置
の構成の概略を示す断面図である。 符号の説明 1・・・チェンバー 5・・・プローブ、6・・・プロ
ーブ導線、 7・・・シールドカバー ・パージ機構。 スペーサの断面図 第 3 図 第 図 、 W CO シールトカバー 平面断面図(更(:別の実施例; 第5図 第 図 排気 概略断面図(第2の背景技術) 第7図
たプラズマエツチング装置の構成の概略を示す断面図、
第2図(A)、(B)はプラズマ診断装置の具体例の詳
細を示すもので、同図(A)は断面図、同図(B)は同
図(A)のB−B線視断面図、第3図はスペーサの断面
図、第4図は本発明プラズマ診断装置の別の実施例を備
えたプラズマエツチング装置の構成の概略を示す断面図
、第5図は本発明プラズマ診断装置の更に別の実施例を
備えたプラズマエツチング装置の構成の概略を示す平面
断面図、第6図、第7図は第1及び第2の背景技術を示
すところのパージ機構を備えたスパッタエツチング装置
の構成の概略を示す断面図である。 符号の説明 1・・・チェンバー 5・・・プローブ、6・・・プロ
ーブ導線、 7・・・シールドカバー ・パージ機構。 スペーサの断面図 第 3 図 第 図 、 W CO シールトカバー 平面断面図(更(:別の実施例; 第5図 第 図 排気 概略断面図(第2の背景技術) 第7図
Claims (2)
- (1)プラズマ装置内部に放電プラズマの状態を検出す
るプローブを設け、該プローブをプラズマ装置外部へプ
ローブ導線を介して電気的に導出し、該プローブ導線を
プラズマ装置内部においてシールドカバーにより覆った
プラズマ診断装置において、 上記シールドカバー内に残留する残留ガスをパージする
パージカスを供給するパージ機構を有する ことを特徴とするプラズマ診断装置 - (2)プローブの位置を変化させることができるように
されてなる ことを特徴とする請求項(1)に記載のプラズマ診断装
置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19526390A JPH0480919A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | プラズマ診断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19526390A JPH0480919A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | プラズマ診断装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0480919A true JPH0480919A (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16338238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19526390A Pending JPH0480919A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | プラズマ診断装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0480919A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0653178A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-02-25 | Hughes Aircraft Co | 1以上の対象物の2次元表面を最適に走査する装置および方法 |
JP2009070580A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | スパークプラグの取り付け構造及びスパークプラグ |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19526390A patent/JPH0480919A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0653178A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-02-25 | Hughes Aircraft Co | 1以上の対象物の2次元表面を最適に走査する装置および方法 |
JP2009070580A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | スパークプラグの取り付け構造及びスパークプラグ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6394023B1 (en) | Process kit parts and method for using same | |
KR102171125B1 (ko) | 기판 캐리어 퇴화 검출 및 수리 | |
US6735276B2 (en) | Sample preprocessing system for a fluorescent X-ray analysis and X-ray fluorescence spectrometric system using the same | |
JPH06128099A (ja) | 処理装置 | |
JPH11204509A (ja) | プラズマエッチング装置、そのインシチュモニタリング方法及びインシチュ洗浄方法 | |
KR100263512B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 내부의 불순물 분석방법 | |
JP3656337B2 (ja) | 膜厚測定装置 | |
US7875156B2 (en) | Probe storage container, prober apparatus, probe arranging method and manufacturing method of probe storage container | |
JPH0480919A (ja) | プラズマ診断装置 | |
US5284547A (en) | Plasma-process system with batch scheme | |
JP7365878B2 (ja) | 計測装置及び計測方法 | |
CN109540872A (zh) | 使用直读光谱仪测定镍基合金成分的方法 | |
TWI320199B (ja) | ||
TWI302007B (en) | Method and apparatus to determine consumable part condition | |
WO2021210969A1 (ko) | 스캔 시스템 | |
WO1992021954A1 (en) | Method of evaluating segregation at solid-liquid interface and segregation apparatus therefor | |
JPH07335557A (ja) | 半導体製造装置のガス排気管 | |
JP3719391B2 (ja) | ガス中不純物評価方法及びその評価装置 | |
EP4361092A1 (en) | Pellicle film, pellicle, exposure original plate, exposure device, and method for manufacturing pellicle film | |
JPH0837175A (ja) | 汚染測定方法 | |
JP7040870B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法 | |
JPH04179251A (ja) | 不純物測定装置 | |
US20060185793A1 (en) | Substrate processing system | |
JP3413944B2 (ja) | 半導体装置用拡散炉の排気装置 | |
JP4471460B2 (ja) | エピタキシャル成長装置の重金属汚染低減方法 |