JPH04795A - 磁気シールド板 - Google Patents

磁気シールド板

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Publication number
JPH04795A
JPH04795A JP2101491A JP10149190A JPH04795A JP H04795 A JPH04795 A JP H04795A JP 2101491 A JP2101491 A JP 2101491A JP 10149190 A JP10149190 A JP 10149190A JP H04795 A JPH04795 A JP H04795A
Authority
JP
Japan
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silver
intermediate layer
substrate
magnetic shielding
superconducting
Prior art date
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Pending
Application number
JP2101491A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Shinpo
幸雄 真保
Makoto Kabasawa
樺沢 真事
Shigechika Kosuge
小菅 茂義
Kiyokazu Nakada
清和 仲田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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Publication date
Application filed by NKK Corp, Nippon Kokan Ltd filed Critical NKK Corp
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Priority to CA002039683A priority patent/CA2039683A1/en
Priority to EP91105360A priority patent/EP0458043A1/en
Publication of JPH04795A publication Critical patent/JPH04795A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/20Permanent superconducting devices
    • H10N60/203Permanent superconducting devices comprising high-Tc ceramic materials

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、磁気シールド板、特に、強度が高く、安価
に製造でき且つ優れた磁気シールド効果を有する磁気シ
ールド板に関するものである。
〔従来の技術〕
微弱磁気の検出を行う分野、例えば、人体から発生する
磁気に基づいて病気の診断を行う生体磁気計測分野、岩
石から発生する磁気に基づいて鉱物資源を探る磁気探査
分野、あるいは微弱電圧、微弱電流用増幅器の分野等に
おいては、被検出物の環境、あるいは検出器の環境に存
在する地磁気および種々の電気機器から発生する磁気、
即ち、外部磁気か、微弱磁気の検出精度を低下させる原
因となっている。
従って、微弱磁気を正確に測定するには、これらの外部
磁気を完全にシールドする必要がある。
一般に用いられている、外部磁気をシールドするための
磁気シールド板は、高透磁率の強磁性体からなっていた
。この磁気シールド板は、強磁性材は磁気を通し易いた
めに、磁気シールド板に囲まれた内部に外部磁気が侵入
し難いという原理を利用したものである。
しかしながら、上述した磁気シールド板は、比較的強い
外部磁気を地磁気レヘルに減少させるには有効であるが
、例えば、生体磁気のような微弱磁気を測定する場合に
おいて、外部磁気を地磁気の数10万分の1以下に減少
させる必要があるような場合には効果はあまりない。こ
れは、強磁性材には残留磁気現象があるためである。
そこで、特に優れた磁気シールド効果を有する磁気シー
ルド板として、超電導現象を利用した超電導磁気シール
ド板が開発された。この超電導磁気シールド板は、超電
導物質が有するマイスナー効果、即ち、超電導物質が有
する、外部磁気を完全に排除する反磁性効果を利用した
ものである。
この超電導磁気シールド板を使用すれば、カバーに囲ま
れた空間内では、絶対的なゼロ磁場が得られる。
ところが、従来の超電導磁気シールド板は、鉛、ニオブ
等の金属超電導物質からなっており、液体ヘリウムによ
る冷却が必要であるので、経済的に不利であった。この
ために、金属超電導物質からなる超電導磁気ンールト板
の実用例は極めて少なかった。
近年、Y、Ba2Cu、0.等の酸化物超電導物質が開
発され、液体ヘリウムより安価な液体窒素の使用が可能
になった。
従来の酸化物超電導物品としては、銀の基板と、前記基
板の表面上に形成された、Y−Ba−Cu−0系または
B1−3r−Ca−Cu−0系の超電導物質の被膜とか
らなるものが知られている。以下、これを先行技術とい
う。
なお、基板に銀を使用したのは、銀は、前記被膜の熱処
理時に酸化物超電導物質と反応せず、良好な超電導特性
が得られるからである。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上述した先行技術は、以下のような問題
を有していた。即ち、銀の基板は、強度が低く且つ高価
であるので、磁気シールド板として使用することは困難
であった。
従って、この発明の目的は、強度が高く、安価に製造で
き且つ優れた磁気シールド効果が得られる磁気シールド
板を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
この発明は、非磁性金属またはセラミックスの基板と、
前記基板の表面上に形成された銀の中間層と、前記中間
層の表面上に形成されたLn−BaCu−0系(但し、
Lnは、任意の希土類元素である)またはB 1−8r
−Ca−Cu−0系の超電導物質の被膜とからなること
に特徴を有するものである。
次に、この発明の磁気シールド板の一実施態様を、図面
を参照しながら説明する。
第1図は、この発明の磁気シールド板の一実施態様を示
す断面図である。
第1図に示すように、この発明の磁気シールド板は、非
磁性金属またはセラミックスの基板1と、基板1の表面
上に形成された銀の中間層2と、中間層2の表面上に形
成されたLn−Ba−Cu−0系(但し、Lnは、任意
の希土類元素である)またはB1−3r−Ca−Cu−
0系の超電導物質の被膜3とからなっている。
基板1としては、強度が高く、安価で且つ酸化しにくい
非磁性金属、例えば、オーステナイト系ステンレスが好
ましい。
中間層2は、20から200μmの範囲内の厚さを有す
ることが好ましい。これは、中間層2の厚さが20μm
未満であると、中間層2の厚さが薄いために、中間層2
に熱処理を施す際に、基板lと被膜3の超電導物質とが
反応して、良好な超電導特性が得られず、一方、中間層
2の厚さか200μmを超えると、中間層2の厚さが厚
すぎて、コスト高となるからである。
このように、この発明の磁気シールド板によれば、非磁
性金属またはセラミックスの基板1を使用することによ
って、磁気シールド板の強度が高まり、基板1の表面上
に銀の中間層2を介してLn−Ba−Co−0系または
B1−5r−Ca−Cu−0系の超電導物質の被膜3を
形成することによって、銀の使用量が減少して、磁気シ
ールド板の製造コストが低減ししかも、熱処理時に、基
板1と被膜3の超電導物質との反応が生じないので、優
れた磁気シールド効果を得ることができる。
次に、この発明を実施例によってさらに詳細に説明する
実施例1 第2図に示すように、内径20mm、肉厚1.0mm、
長さ100m1IlのSUS 316Lの円筒状基板l
の外表面上に、26から44μωの平均粒径を有する銀
の粉末を、公知のプラズマ溶射法によって吹き付けて、
基板1の表面上に、50μmの厚さを有する中間層2を
形成した。次いで、中間層2の表面上に、26から44
μmの平均粒径を有するY1Ba2Cu3O7−8の粉
末を、公知のプラズマ溶射法によって吹き付けて、第2
図に示すように、中間層2の表面上に、100μωの厚
さを有するY、Ba、Cu、0.−5からなる被膜3を
形成した。次いで、このようにして、その表面上に中間
層2およびY1Ba2Cu3O7−1からなる被膜3が
形成された基板1を、内部雰囲気を酸素雰囲気に維持し
た電気炉内において、900℃の温度に30分間加熱し
た。そして、このようにして、その表面上に超電導物質
の被膜3が形成された基板1を、電気炉内において、常
温にまで徐冷した。
このようにして製造した円筒状の磁気ンールド板を調べ
た結果、基板1の外表面上には、銀の中間層2を介して
、良好な超電導特性、即ち、77KにおけるJc(臨界
電流密度)が2000A/cm”   Tc(臨界温度
)が89にのYJa2Cu307−、からなる被膜8が
形成されており、優れた磁気シールド効果が得られるこ
とがわかった。
実施例2 第2図に示すように、外径50ffII11、肉厚50
1m、長さ200mmのYSZ (イツトリア安定化ジ
ルコニア)からなる円筒状基板1の外表面上に、26か
ら44μmの平均粒径を有する銀の粉末を、公知のプラ
ズマ溶射法によって吹き付けて、基板1の表面上に、2
5μIの厚さを有する中間層2を形成した。次いで、中
間層2の表面上に、26から44μlの平均粒径を有す
るBlzSrzCazCuJ7の粉末を、公知のプラズ
マ溶射法によって吹き付けて、第2図に示すように、中
間層2の表面上に、100μlの厚さを有するBizS
rzCazCuxOyからなる被膜3を形成した。
次いで、このようにして、その表面上に中間層2および
Bi25r2Ca2Cu、、 0□からなる被膜3が形
成された基板1を、内部雰囲気を酸素雰囲気に維持した
電気炉内において、870°Cの温度に200時間加熱
した。そして、このようにして、その表面上に超電導物
質の被膜3が形成された基板lを、電気炉内において、
常温にまで徐冷した。
このようにして製造した円筒状の磁気シールド板を調べ
た結果、基板lの外表面上には、銀の中間層2を介して
、良好な超電導特性、即ち、77KにおけるJcが+0
00A/c1、Tcが103にのBi25rzCa2C
1+307からなる被膜3が形成されており、優れた磁
気シールド効果が得られることかわかった。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、強度が高く、
安価に製造でき且つ優れた磁2シールド効果が得られる
といった有用な効果がもたらされる。
態様を示す断面図、第2図は、この発明の円筒状の磁気
シールド板を示す斜視図である。図面において、 1−  基板、 2−  中間層、 3−  被膜。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非磁性金属またはセラミックスの基板と、前記基
    板の表面上に形成された銀の中間層と、前記中間層の表
    面上に形成されたLn−Ba−Cu−O系(但し、Ln
    は、任意の希土類元素である)またはBi−Sr−Ca
    −Cu−O系の超電導物質の被膜とからなることを特徴
    とする磁気シールド板。
  2. (2)前記中間層は、20から200μmの範囲内の厚
    さを有していることを特徴とする、請求項(1)記載の
    磁気シールド板。
JP2101491A 1990-04-17 1990-04-17 磁気シールド板 Pending JPH04795A (ja)

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JP2101491A JPH04795A (ja) 1990-04-17 1990-04-17 磁気シールド板
CA002039683A CA2039683A1 (en) 1990-04-17 1991-04-03 Magnetic shield
EP91105360A EP0458043A1 (en) 1990-04-17 1991-04-04 Magnetic shield

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EP0458043A1 (en) 1991-11-27

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